JP2000243772A - バンプ電極形成方法 - Google Patents
バンプ電極形成方法Info
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
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- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 微細なパターンの基板、半導体素子等へ、導
電性ボールを転写してバンプ形成する方法において、フ
ラックス等の仮固定剤を用いず歩留まり良く安定して一
括転写、バンプ電極形成方法を提供する。 【解決手段】 シリコンテンプレートの、半導体素子ま
たは回路基板の電極パターンに対応する位置に、凹部を
高精度に形成し、導電性ボールを配列させて置き、位置
合わせして、電極パッドと導電性ボールを接触させ、半
導体素子または回路基板の面方向に微動振動を付与する
ので、複数のバンプを一括形成でき、また、導電性ボー
ルは上述凹部に振り込むのみで、電極パッドのピッチが
狭くとも高精度に簡単に配置できる。なお、上述凹部に
貫通孔を形成し、裏面から真空吸引する場合は、一層効
果的である。また、フラックス等の仮固定剤を必要とせ
ず、バンプ形成後に洗浄工程が不要となり、コストも低
くなる。
電性ボールを転写してバンプ形成する方法において、フ
ラックス等の仮固定剤を用いず歩留まり良く安定して一
括転写、バンプ電極形成方法を提供する。 【解決手段】 シリコンテンプレートの、半導体素子ま
たは回路基板の電極パターンに対応する位置に、凹部を
高精度に形成し、導電性ボールを配列させて置き、位置
合わせして、電極パッドと導電性ボールを接触させ、半
導体素子または回路基板の面方向に微動振動を付与する
ので、複数のバンプを一括形成でき、また、導電性ボー
ルは上述凹部に振り込むのみで、電極パッドのピッチが
狭くとも高精度に簡単に配置できる。なお、上述凹部に
貫通孔を形成し、裏面から真空吸引する場合は、一層効
果的である。また、フラックス等の仮固定剤を必要とせ
ず、バンプ形成後に洗浄工程が不要となり、コストも低
くなる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体素子等と回路
基板を電気的に接続する方法に関し、特にフェイスダウ
ン接続におけるバンプ電極形成方法に関する。
基板を電気的に接続する方法に関し、特にフェイスダウ
ン接続におけるバンプ電極形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図５（ａ），（ｂ）は、順に従来例のバ
ンプ電極形成方法の工程を示す断面図である。
ンプ電極形成方法の工程を示す断面図である。
【０００３】従来の、フェイスダウン接続に用いられる
バンプ電極の形成方法においては、Ａｕワイヤーを用い
たボールバンプ形成法が一般的に行われている。これは
Ａｕワイヤーの先端を溶融させ、球状にし、半導体素子
等の電極上に加圧し、超音波を付加することにより、バ
ンプ電極を形成するものである。
バンプ電極の形成方法においては、Ａｕワイヤーを用い
たボールバンプ形成法が一般的に行われている。これは
Ａｕワイヤーの先端を溶融させ、球状にし、半導体素子
等の電極上に加圧し、超音波を付加することにより、バ
ンプ電極を形成するものである。
【０００４】また、他の従来例として、特開平１０−２
７８０３に記載されているが、この例では、図５に示す
ように、半導体チップ等の電子部品１１の電極１２上に
金属粒子１３を配列させたあと、ロート状の凹部１４ｂ
が設けてある加圧板１４を降下させ、凹部１４ｂのテー
パーにより金属粒子１３の位置を補正しながら押圧す
る。そのとき超音波振動をかけると、そのエネルギーに
よって、金属粒子１３の表面及び電極１２上の酸化膜が
破壊され、新生面同士の接触により合金化が起こりバン
プを形成できるとされている。１バンプずつ形成するワ
イヤーのボールバンプ法と異なり、複数のバンプを同時
に一括して形成できる。
７８０３に記載されているが、この例では、図５に示す
ように、半導体チップ等の電子部品１１の電極１２上に
金属粒子１３を配列させたあと、ロート状の凹部１４ｂ
が設けてある加圧板１４を降下させ、凹部１４ｂのテー
パーにより金属粒子１３の位置を補正しながら押圧す
る。そのとき超音波振動をかけると、そのエネルギーに
よって、金属粒子１３の表面及び電極１２上の酸化膜が
破壊され、新生面同士の接触により合金化が起こりバン
プを形成できるとされている。１バンプずつ形成するワ
イヤーのボールバンプ法と異なり、複数のバンプを同時
に一括して形成できる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】Ａｕワイヤーを用いた
ボールバンプ法では、１バンプずつ形成するため時間が
かかり、多ピンになるほど不利になるという問題があ
る。
ボールバンプ法では、１バンプずつ形成するため時間が
かかり、多ピンになるほど不利になるという問題があ
る。
【０００６】また、上述の特開平１０−２７８０３の従
来例では、予め半導体チップ等の電子部品１１の電極１
２上に金属粒子１３を配列させて置かなければならず、
電極ピッチが狭くなるほど困難となる。また、金属粒子
１３と電極１２の接続そのものは超音波エネルギーによ
り接合できるので、通常の半田接合に必要なフラックス
は不要であるが、金属粒子１３を電極１２上に仮固定す
る必要があり、そのためにフラックス等の仮固定剤が必
要となる。したがって、結局バンプ形成後に洗浄工程が
必要となるので、工程が複雑でコストが高くなるという
問題がある。
来例では、予め半導体チップ等の電子部品１１の電極１
２上に金属粒子１３を配列させて置かなければならず、
電極ピッチが狭くなるほど困難となる。また、金属粒子
１３と電極１２の接続そのものは超音波エネルギーによ
り接合できるので、通常の半田接合に必要なフラックス
は不要であるが、金属粒子１３を電極１２上に仮固定す
る必要があり、そのためにフラックス等の仮固定剤が必
要となる。したがって、結局バンプ形成後に洗浄工程が
必要となるので、工程が複雑でコストが高くなるという
問題がある。
【０００７】本発明の目的は、複数のバンプを一括形成
することができ、かつ、電極パッドのピッチが狭くなっ
ても高精度に簡単に配置でき、仮固定剤も不必要で工程
が簡単であり、コストが低減されるバンプ電極形成方法
を提供することである。
することができ、かつ、電極パッドのピッチが狭くなっ
ても高精度に簡単に配置でき、仮固定剤も不必要で工程
が簡単であり、コストが低減されるバンプ電極形成方法
を提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１に記載
のバンプ電極形成方法は、半導体素子または回路基板の
電極パッド上に、導電性ボールを用いてバンプ電極を形
成する方法において、半導体素子または回路基板の電極
パターンと対応する位置に凹部が形成されたシリコンテ
ンプレートの凹部に、予め導電性ボールを配列させて置
き、半導体素子または回路基板の電極パッドをシリコン
テンプレート上の導電性ボールと位置合わせし、電極パ
ッドと導電性ボールとを接触させ、半導体素子または回
路基板の面にほぼ水平な方向に、微動振動を付与するこ
とを特徴としている。
のバンプ電極形成方法は、半導体素子または回路基板の
電極パッド上に、導電性ボールを用いてバンプ電極を形
成する方法において、半導体素子または回路基板の電極
パターンと対応する位置に凹部が形成されたシリコンテ
ンプレートの凹部に、予め導電性ボールを配列させて置
き、半導体素子または回路基板の電極パッドをシリコン
テンプレート上の導電性ボールと位置合わせし、電極パ
ッドと導電性ボールとを接触させ、半導体素子または回
路基板の面にほぼ水平な方向に、微動振動を付与するこ
とを特徴としている。
【０００９】また、請求項６に記載のバンプ電極形成方
法は、シリコンテンプレート上の、半導体素子または回
路基板の電極パターンと対応する位置に凹部が形成さ
れ、かつその凹部にシリコンテンプレートの裏面に通ず
る貫通孔が形成されているその凹部に、予め導電性ボー
ルを配列させて置き、半導体素子または回路基板の電極
パッドをシリコンテンプレート上の導電性ボールと位置
合わせし、電極パッドと導電性ボールとを接触させ、貫
通孔に、シリコンテンプレートの裏面から真空吸引し、
半導体素子または回路基板の面にほぼ水平な方向に、微
動振動を付与することを特徴としている。
法は、シリコンテンプレート上の、半導体素子または回
路基板の電極パターンと対応する位置に凹部が形成さ
れ、かつその凹部にシリコンテンプレートの裏面に通ず
る貫通孔が形成されているその凹部に、予め導電性ボー
ルを配列させて置き、半導体素子または回路基板の電極
パッドをシリコンテンプレート上の導電性ボールと位置
合わせし、電極パッドと導電性ボールとを接触させ、貫
通孔に、シリコンテンプレートの裏面から真空吸引し、
半導体素子または回路基板の面にほぼ水平な方向に、微
動振動を付与することを特徴としている。
【００１０】この方法により、導電性ボールを一括して
転写するので、複数のバンプを一括に形成することがで
き、また、導電性ボールはシリコンテンプレートの凹部
に振り込めば良いので、電極パッドのピッチが狭くなっ
ても高精度に簡単に配置できる。また、フラックス等の
仮固定剤を必要としない。したがってバンプ形成後に洗
浄工程が不要となるので、工程が簡単になり、コストも
低くなる。
転写するので、複数のバンプを一括に形成することがで
き、また、導電性ボールはシリコンテンプレートの凹部
に振り込めば良いので、電極パッドのピッチが狭くなっ
ても高精度に簡単に配置できる。また、フラックス等の
仮固定剤を必要としない。したがってバンプ形成後に洗
浄工程が不要となるので、工程が簡単になり、コストも
低くなる。
【００１１】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。
て図面を参照して説明する。
【００１２】図１（ａ），（ｂ），（ｃ）は、順に本発
明のバンプ電極形成方法の一実施形態例の工程を示す断
面図である。
明のバンプ電極形成方法の一実施形態例の工程を示す断
面図である。
【００１３】図１（ａ）に示すように、異方性エッチン
グ法により形成した四角錐状凹部２を有するシリコンテ
ンプレート１に、予め振動振込機等を用いて導電性ボー
ル３を振り込んで配列させて置き、半導体素子４上の電
極パッド５を位置合わせする。次に図１（ｂ）に示すよ
うに、半導体素子４を加圧し、導電性ボール３を変形さ
せることにより、導電性ボール３と電極パッド５との接
触面積を大きくし、半導体素子４の面にほぼ水平な方向
に周波数２０kHz以下の微動振動を付与する。このと
き、導電性ボール３が変形し易いように、導電性ボール
３の融点よりも低い温度で加熱しても良い。また、接触
させ加圧した後に微動振動を付与しても、予め微動振動
を付与しながら接触させ加圧しても良い。導電性ボール
３に酸化膜が存在する場合でも、微動振動による摩擦に
より酸化膜が破壊されるので、接合可能となる。
グ法により形成した四角錐状凹部２を有するシリコンテ
ンプレート１に、予め振動振込機等を用いて導電性ボー
ル３を振り込んで配列させて置き、半導体素子４上の電
極パッド５を位置合わせする。次に図１（ｂ）に示すよ
うに、半導体素子４を加圧し、導電性ボール３を変形さ
せることにより、導電性ボール３と電極パッド５との接
触面積を大きくし、半導体素子４の面にほぼ水平な方向
に周波数２０kHz以下の微動振動を付与する。このと
き、導電性ボール３が変形し易いように、導電性ボール
３の融点よりも低い温度で加熱しても良い。また、接触
させ加圧した後に微動振動を付与しても、予め微動振動
を付与しながら接触させ加圧しても良い。導電性ボール
３に酸化膜が存在する場合でも、微動振動による摩擦に
より酸化膜が破壊されるので、接合可能となる。
【００１４】なお、本形態例の半導体素子４の面にほぼ
水平方向に付与する微動振動の周波数については、数kH
zないし数十kHzにて実験した結果、それぞれ相応の効果
が得られたが、超音波に満たない周波数を基準と考え、
２０kHz以下を好ましいものとした。その理由は、超音
波に満たない周波数で実施する場合の利点として、チッ
プへのダメージが少ないこと、超音波振動子が不要なの
で特殊な装置や機構が不要であること等が考えられるか
らである。
水平方向に付与する微動振動の周波数については、数kH
zないし数十kHzにて実験した結果、それぞれ相応の効果
が得られたが、超音波に満たない周波数を基準と考え、
２０kHz以下を好ましいものとした。その理由は、超音
波に満たない周波数で実施する場合の利点として、チッ
プへのダメージが少ないこと、超音波振動子が不要なの
で特殊な装置や機構が不要であること等が考えられるか
らである。
【００１５】以上のようにして、図１（ｃ）に示すよう
に、バンプ６が形成される。なお、シリコンテンプレー
ト１に形成される四角錐状凹部２は、完全に頂点が形成
されていなくとも良く、すなわち底面に平面部があって
も良い。
に、バンプ６が形成される。なお、シリコンテンプレー
ト１に形成される四角錐状凹部２は、完全に頂点が形成
されていなくとも良く、すなわち底面に平面部があって
も良い。
【００１６】以上のようにしてバンプ形成を行うことに
より、導電性ボールを一括して転写するので、複数のバ
ンプ６を一括に形成することができ、また、導電性ボー
ル３はシリコンテンプレート１の凹部に振り込めば良い
ので、電極パッド５のピッチが狭くなっても高精度に簡
単に配置できる。また、フラックス等の仮固定剤を必要
としない。したがってバンプ形成後に洗浄工程が不要と
なるので、工程が簡単になり、コストも低くなる。
より、導電性ボールを一括して転写するので、複数のバ
ンプ６を一括に形成することができ、また、導電性ボー
ル３はシリコンテンプレート１の凹部に振り込めば良い
ので、電極パッド５のピッチが狭くなっても高精度に簡
単に配置できる。また、フラックス等の仮固定剤を必要
としない。したがってバンプ形成後に洗浄工程が不要と
なるので、工程が簡単になり、コストも低くなる。
【００１７】次に、第２の実施形態例について説明す
る。
る。
【００１８】図２（ａ），（ｂ），（ｃ）は、順に第２
の実施形態例の工程を示す断面図である。
の実施形態例の工程を示す断面図である。
【００１９】図２（ａ）に示すように、等方性エッチン
グ法により形成した半球状凹部７を有するシリコンテン
プレート１に、振動振込機等により、予め導電性ボール
３を振り込んで配列させて置き、半導体素子４上の電極
パッド５を位置合わせする。以降は第１の実施形態例と
同様な工程を経て、図２（ｃ）に示すように、バンプ６
が形成される。
グ法により形成した半球状凹部７を有するシリコンテン
プレート１に、振動振込機等により、予め導電性ボール
３を振り込んで配列させて置き、半導体素子４上の電極
パッド５を位置合わせする。以降は第１の実施形態例と
同様な工程を経て、図２（ｃ）に示すように、バンプ６
が形成される。
【００２０】以上のようにしてバンプ形成を行うことに
より、第１の実施形態例と同様な効果があるうえに、凹
部の形状が半球状となっているので、導電性ボール３を
より確実に仮固定することができる。それにより、微動
振動を付与した際に、確実に摩擦が行われるので、より
確実にバンプ６を形成することができる。
より、第１の実施形態例と同様な効果があるうえに、凹
部の形状が半球状となっているので、導電性ボール３を
より確実に仮固定することができる。それにより、微動
振動を付与した際に、確実に摩擦が行われるので、より
確実にバンプ６を形成することができる。
【００２１】次に、第３の実施形態例について説明す
る。
る。
【００２２】図３は、第３の実施形態例の一工程を示す
断面図である。
断面図である。
【００２３】図３に示すように、異方性エッチング法に
より形成した四角錐状凹部２とシリコンテンプレート１
の裏面とを繋ぐ貫通孔８を、エッチング法等により形成
して置く。貫通孔８に、シリコンテンプレート１の裏面
方向に真空吸引力を付加させながら、振動振込機等を用
いて四角錐状凹部２に導電性ボール３を振り込んで配列
させ、半導体素子４上の電極パッド５を位置合わせす
る。以降は第１の実施形態例と同様な工程を経て、図１
（ｃ）に示すように、バンプ６が形成される。なお、シ
リコンテンプレート１の凹部を第１の実施形態例の場合
における四角錐状凹部２として説明したが、図２に示す
第２の実施形態例のような半球状凹部７としても良い。
より形成した四角錐状凹部２とシリコンテンプレート１
の裏面とを繋ぐ貫通孔８を、エッチング法等により形成
して置く。貫通孔８に、シリコンテンプレート１の裏面
方向に真空吸引力を付加させながら、振動振込機等を用
いて四角錐状凹部２に導電性ボール３を振り込んで配列
させ、半導体素子４上の電極パッド５を位置合わせす
る。以降は第１の実施形態例と同様な工程を経て、図１
（ｃ）に示すように、バンプ６が形成される。なお、シ
リコンテンプレート１の凹部を第１の実施形態例の場合
における四角錐状凹部２として説明したが、図２に示す
第２の実施形態例のような半球状凹部７としても良い。
【００２４】以上のようにしてバンプ形成を行うことに
より、第１の実施形態例あるいは第２の実施形態例と同
様な効果があるうえに、凹部に真空吸引しているので、
導電性ボール３をさらに確実に仮固定することができ
る。それにより、微動振動を付与した際に、確実に摩擦
が行われるため、より確実にバンプ６を形成することが
できる。
より、第１の実施形態例あるいは第２の実施形態例と同
様な効果があるうえに、凹部に真空吸引しているので、
導電性ボール３をさらに確実に仮固定することができ
る。それにより、微動振動を付与した際に、確実に摩擦
が行われるため、より確実にバンプ６を形成することが
できる。
【００２５】次に、第４の実施形態例について説明す
る。
る。
【００２６】図４は、第４の実施形態例の一工程を示す
断面図である。
断面図である。
【００２７】図４に示すように、シリコンテンプレート
１の四角錐状凹部２が形成された面の全面に、導電性ボ
ール３と反応を起こさない金属またはセラミックスから
成るバリア層９を形成する。四角錐状凹部２に導電性ボ
ール３を振り込んで配列させ、半導体素子４上の電極パ
ッド５を位置合わせする。以降は第１の実施形態例と同
様な工程を経て、図１（ｃ）に示すように、バンプ６が
形成される。なお、バリア層９は、凹部部分のみでも良
く、少なくとも導電性ボール３が接触する部分に形成さ
れていれば良い。シリコンテンプレート１の凹部を四角
錐状凹部２として説明したが、図２に示す第２の実施形
態例のような半球状凹部７としても良い。また、図３に
示す第３の実施形態例のように、貫通孔８を形成し、凹
部に真空吸引力を付加しても良い。
１の四角錐状凹部２が形成された面の全面に、導電性ボ
ール３と反応を起こさない金属またはセラミックスから
成るバリア層９を形成する。四角錐状凹部２に導電性ボ
ール３を振り込んで配列させ、半導体素子４上の電極パ
ッド５を位置合わせする。以降は第１の実施形態例と同
様な工程を経て、図１（ｃ）に示すように、バンプ６が
形成される。なお、バリア層９は、凹部部分のみでも良
く、少なくとも導電性ボール３が接触する部分に形成さ
れていれば良い。シリコンテンプレート１の凹部を四角
錐状凹部２として説明したが、図２に示す第２の実施形
態例のような半球状凹部７としても良い。また、図３に
示す第３の実施形態例のように、貫通孔８を形成し、凹
部に真空吸引力を付加しても良い。
【００２８】以上のようにしてバンプ形成を行うことに
より、第１、第２または第３の実施形態例の場合と同様
な効果があるうえに、導電性ボール３が接触する部分に
バリア層９が形成されているので、導電性ボール３がシ
リコンと反応する材料から成っていても、バリア層９に
より反応することなく、正常にバンプを形成することが
できる。
より、第１、第２または第３の実施形態例の場合と同様
な効果があるうえに、導電性ボール３が接触する部分に
バリア層９が形成されているので、導電性ボール３がシ
リコンと反応する材料から成っていても、バリア層９に
より反応することなく、正常にバンプを形成することが
できる。
【００２９】
【発明の効果】以上説明したように本発明のバンプ電極
形成方法は、次のような効果がある。半導体素子または
回路基板の電極パターンに対応する位置に、凹部が高精
度で形成されたシリコンテンプレートに、予め導電性ボ
ールを配列させて置き、半導体素子または回路基板を位
置合わせし、電極パッドと導電性ボールを接触させ、半
導体素子または回路基板の面にほぼ水平な方向に微動振
動を付与しているので、複数のバンプを一括に形成する
ことができ、また、導電性ボールはシリコンテンプレー
トの凹部に振り込めば良いので、電極パッドのピッチが
狭くなっても高精度に簡単に配置できる。なお、シリコ
ンテンプレートの凹部にシリコンテンプレートの裏面に
貫通する貫通孔が形成されていて、この裏面から真空吸
引する場合は、一層効果的である。また、いずれの場合
もフラックス等の仮固定剤を必要とせず、したがってバ
ンプ形成後に洗浄工程が不要となるので、工程が簡単に
なり、コストも低くすることができる。
形成方法は、次のような効果がある。半導体素子または
回路基板の電極パターンに対応する位置に、凹部が高精
度で形成されたシリコンテンプレートに、予め導電性ボ
ールを配列させて置き、半導体素子または回路基板を位
置合わせし、電極パッドと導電性ボールを接触させ、半
導体素子または回路基板の面にほぼ水平な方向に微動振
動を付与しているので、複数のバンプを一括に形成する
ことができ、また、導電性ボールはシリコンテンプレー
トの凹部に振り込めば良いので、電極パッドのピッチが
狭くなっても高精度に簡単に配置できる。なお、シリコ
ンテンプレートの凹部にシリコンテンプレートの裏面に
貫通する貫通孔が形成されていて、この裏面から真空吸
引する場合は、一層効果的である。また、いずれの場合
もフラックス等の仮固定剤を必要とせず、したがってバ
ンプ形成後に洗浄工程が不要となるので、工程が簡単に
なり、コストも低くすることができる。
【図１】（ａ），（ｂ），（ｃ）は、順に本発明のバン
プ電極形成方法の一実施形態例の工程を示す断面図であ
る。
プ電極形成方法の一実施形態例の工程を示す断面図であ
る。
【図２】（ａ），（ｂ），（ｃ）は、順に第２の実施形
態例の工程を示す断面図である。
態例の工程を示す断面図である。
【図３】第３の実施形態例の一工程を示す断面図であ
る。
る。
【図４】第４の実施形態例の一工程を示す断面図であ
る。
る。
【図５】（ａ），（ｂ）は、順に従来例のバンプ電極形
成方法の工程を示す断面図である。
成方法の工程を示す断面図である。
１ シリコンテンプレート ２ 四角錐状凹部 ３ 導電性ボール ４ 半導体素子 ５ 電極パッド ６ バンプ ７ 半球状凹部 ８ 貫通孔 ９ バリア層 １１ 電子部品 １２ 電極 １３ 金属粒子 １４ 加圧板 １４ｂ 凹部 ｖ 微動振動 ｓ 真空吸引
Claims (10)
- 【請求項１】 半導体素子または回路基板の電極パッド
上に、導電性ボールを用いてバンプ電極を形成する方法
において、 半導体素子または回路基板の電極パターンと対応する位
置に凹部が形成されたシリコンテンプレートの前記凹部
に、予め導電性ボールを配列させて置き、半導体素子ま
たは回路基板の電極パッドをシリコンテンプレート上の
導電性ボールと位置合わせし、電極パッドと導電性ボー
ルとを接触させ、半導体素子または回路基板の面にほぼ
水平な方向に、微動振動を付与することを特徴とする、
バンプ電極形成方法。 - 【請求項２】 半導体素子または回路基板の面にほぼ水
平な方向に付与される前記微動振動は、その周波数が２
０ｋＨｚ以下である、請求項１記載のバンプ電極形成方
法。 - 【請求項３】 シリコンテンプレートに形成された凹部
は、四角錐または半球状である、請求項１記載のバンプ
電極形成方法。 - 【請求項４】 シリコンテンプレートの凹部は、異方性
エッチング法または等方性エッチング法で形成されたも
のである、請求項１記載のバンプ電極形成方法。 - 【請求項５】 シリコンテンプレートの、少なくとも導
電性ボールが接触する部分に、導電性ボールと反応を起
こさない金属あるいはセラミック等から成る無機質層が
形成されている、請求項１記載のバンプ電極形成方法。 - 【請求項６】 半導体素子または回路基板の電極パッド
上に、導電性ボールを用いてバンプ電極を形成する方法
において、 シリコンテンプレート上の、半導体素子または回路基板
の電極パターンと対応する位置に凹部が形成され、かつ
該凹部にシリコンテンプレートの裏面に通ずる貫通孔が
形成されている前記凹部に、予め導電性ボールを配列さ
せて置き、半導体素子または回路基板の電極パッドをシ
リコンテンプレート上の導電性ボールと位置合わせし、
電極パッドと導電性ボールとを接触させ、前記貫通孔
に、シリコンテンプレートの裏面から真空吸引し、半導
体素子または回路基板の面にほぼ水平な方向に、微動振
動を付与することを特徴とする、バンプ電極形成方法。 - 【請求項７】 半導体素子または回路基板の面にほぼ水
平な方向に付与される前記微動振動は、その周波数が２
０ｋＨｚ以下である、請求項６記載のバンプ電極形成方
法。 - 【請求項８】 シリコンテンプレートに形成された凹部
は、四角錐または半球状である、請求項６記載のバンプ
電極形成方法。 - 【請求項９】 シリコンテンプレートの凹部は、異方性
エッチング法または等方性エッチング法で形成されたも
のである、請求項６記載のバンプ電極形成方法。 - 【請求項１０】 シリコンテンプレートの、少なくとも
導電性ボールが接触する部分に、導電性ボールと反応を
起こさない金属あるいはセラミック等から成る無機質層
が形成されている、請求項６記載のバンプ電極形成方
法。
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| JP4343099A JP3196845B2 (ja) | 1999-02-22 | 1999-02-22 | バンプ電極形成方法 |
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| JP2000243772A true JP2000243772A (ja) | 2000-09-08 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101000088B1 (ko) | 2008-04-22 | 2010-12-09 | 엘아이지에이디피 주식회사 | 내구성이 향상된 솔더 범프 형성용 템플릿 및 그 제조 방법 |
| KR20170057363A (ko) * | 2015-01-13 | 2017-05-24 | 데쿠세리아루즈 가부시키가이샤 | 이방성 도전 필름, 그 제조 방법 및 접속 구조체 |
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1999
- 1999-02-22 JP JP4343099A patent/JP3196845B2/ja not_active Expired - Fee Related
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