JP3630043B2 - 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器 - Google Patents
半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3630043B2 JP3630043B2 JP30903199A JP30903199A JP3630043B2 JP 3630043 B2 JP3630043 B2 JP 3630043B2 JP 30903199 A JP30903199 A JP 30903199A JP 30903199 A JP30903199 A JP 30903199A JP 3630043 B2 JP3630043 B2 JP 3630043B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- stage
- lead frame
- semiconductor device
- bonding
- die pad
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
- H01L24/78—Apparatus for connecting with wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/852—Applying energy for connecting
- H01L2224/85201—Compression bonding
- H01L2224/85205—Ultrasonic bonding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01004—Beryllium [Be]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01005—Boron [B]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01006—Carbon [C]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01013—Aluminum [Al]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01029—Copper [Cu]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01033—Arsenic [As]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01078—Platinum [Pt]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01079—Gold [Au]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01082—Lead [Pb]
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器に関する。
【0002】
【発明の背景】
半導体装置のパッケージの形態として、QFP(Quad Flat Package)などのようにリードフレームに半導体チップが搭載されたものがある。詳しくは、リードフレームのダイパッド上に半導体チップが搭載され、半導体チップの電極はリードフレームのリードにワイヤボンディングされる。また、半導体チップの全体は樹脂によって覆われている。なお、リードフレームは銅からなることが多い。
【0003】
一般的にワイヤボンディング工程では、複数の半導体チップが載置されたリードフレームは、200℃を超える高温に加熱されたヒート部上において搬送及びボンディングされる。詳しく言うと、ヒート部は、ワイヤボンディングを行うボンディングステージと、ボンディングステージにリードフレームのダイパッドを搬送するために待機させる待機ステージと、に設けられており、待機ステージにおいてリードフレームはヒート部に接触して加熱されていた。
【0004】
したがって、リードフレームは、ボンディングステージにおけるワイヤボンディングのときだけでなく、待機ステージにおいても加熱されていたため、ボンディング工程後のリードフレームに酸化膜が形成されることがあった。この酸化膜は、リードフレームと半導体チップを封止する樹脂との密着性を損ない半導体装置の信頼性をおとすことがあった。
【0005】
本発明はこの問題点を解決するものであり、その目的は、リードフレームの熱による酸化を抑えて樹脂との密着性を高めることによって、信頼性の高い半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器を提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】
(1)本発明に係る半導体装置の製造方法は、
複数のダイパッドを有し、各ダイパッドに半導体チップが搭載されたリードフレームをボンディング装置に配置して、前記半導体チップの電極と前記リードフレームのリードとをワイヤボンディングする工程を含み、
前記ボンディング装置は、それぞれにヒート部が設けられた、ボンディングステージ及び待機ステージを含み、
前記ボンディングステージに配置したダイパッドを前記ボンディングステージの前記ヒート部に接触させて加熱しながらワイヤボンディングする間に、前記待機ステージに配置したダイパッドを前記待機ステージの前記ヒート部と非接触の状態にする。
【0007】
本発明によれば、ボンディングステージに配置したダイパッドをワイヤボンディングしている間に、待機ステージのダイパッドをヒート部と非接触の状態にする。すなわち、待機ステージに配置されたリードフレームがヒート部によって直接的に加熱されるのを防ぐことができる。これによって、例えばリードフレームのダイパッドの裏面に形成される酸化膜の成長を抑えることができ、ダイパッドの裏面と樹脂との密着性を高めることできる。したがって、信頼性の高い半導体装置を製造することができる。
【0008】
(2)この半導体装置の製造方法において、前記リードフレームの側部を支持することにより、前記待機ステージに配置したダイパッドを前記待機ステージの前記ヒート部と非接触の状態にしてもよい。
【0009】
これによれば、リードフレームの側部を支持することによって、ボンディングステージに配置したダイパッドをボンディングしている間に、待機ステージのダイパッドをヒート部と非接触な状態にすることができる。したがって、ダイパッドの裏面に形成される酸化膜の成長を抑えることができ、信頼性の高い半導体装置を製造することができる。
【0010】
(3)この半導体装置の製造方法において、前記リードフレームは銅を含んでもよい。
【0011】
(4)本発明に係る半導体装置は、上記半導体装置の製造方法から製造されてなる。
【0012】
(5)本発明に係る回路基板は、上記半導体装置が搭載されている。
【0013】
(6)本発明に係る電子機器は、上記半導体装置を有する。
【0014】
(7)上述の半導体装置の製造方法において、前記ヒート部は、前記ボンディングステージにおけるリードフレームを向く上面よりも、前記待機ステージにおける前記リードフレームを向く上面が低くてもよい。
【0018】
【発明の実施の形態】
本発明は、複数のダイパッドを有するリードフレームにおけるワイヤボンディング工程に適用することができる。また、リードフレームの組成は銅を含むものに限られず、導電性を有する全てのものに適用可能である。
【0019】
(第1の実施の形態)
図1〜図3は、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法及び製造装置を示す図であり、それぞれ側面図、平面図及び斜視図となっている。
【0020】
図1〜図3で示すように、リードフレーム10をボンディング装置に配置して、リードフレーム10の複数のダイパッド12に搭載された半導体チップ14の電極と、リードフレーム10のリード16とをワイヤボンディングする。詳しくは、ボンディング装置は、ボンディングステージ22と待機ステージ24とを含み、ボンディングステージ22に配置したリードフレーム10における少なくとも一つのダイパッド12においてワイヤボンディングを行う。
【0021】
リードフレーム10は複数のパターンを有しており、それぞれのパターンには、ダイパッド12及び複数のリード16(図2参照)が形成されている。一般的に、生産性の面から、リードフレーム10は上述のように複数のパターンがそれぞれ連結された状態で処理される。
【0022】
リードフレーム10は、例えば銅系の金属で形成されることが多いが、導電性を有するものであればこれに限定されない。また、リードフレーム10は、電気的特性を高めるために、その表面にメッキが施されていてもよい。
【0023】
リードフレーム10の複数のダイパッド12のそれぞれには、複数の電極を有する半導体チップ14が搭載されている。半導体チップ14は、電極形成面を上向きにして、接着剤などによってダイパッド12上に固定されている。
【0024】
ボンディング装置は、ボンディングステージ22と待機ステージ24とを含む。ボンディングステージ22は、ワイヤボンディングを行う領域であり、待機ステージ24は、リードフレーム10の少なくとも一つのダイパッド12をボンディングステージ22に配置してワイヤボンディングをしている間に、次に送るダイパッド12を待機させるための領域である。
【0025】
ボンディングステージ22及び待機ステージ24のうち、少なくともボンディングステージ22にヒート部20が設けられている。ヒート部20は、加熱手段を有するものである。詳しく言うと、ヒート部20は、加熱するものであればよく、熱源から熱が伝達されたものであってもよい。ヒート部20は、ボンディングステージ22に配置されたリードフレーム10の少なくとも一つのダイパッド12と接触して、ダイパッド12を加熱する。ダイパッド12を加熱することでワイヤボンディングが可能となる。
【0026】
また、ボンディングステージ22はリードフレーム10における一つのダイパッド12を配置してもよく、複数のダイパッド12を配置してもよい。すなわち、リードフレーム10の複数のダイパッド12を同時にヒート部20に接触させて加熱しながらワイヤボンディングすることができれば、複数のダイパッド12をボンディングステージ22に同時に配置してもよい。この場合に例えば、複数のダイパッド12がマトリクス状に配列されたリードフレームを用いることができる。
【0027】
ボンディングステージ22において、ワイヤボンディングを行う。ワイヤボンディングでは、例えば、ツール18に挿通したワイヤ19によって、半導体チップ14の電極(一般にアルミパッド)とリード16の部分(一般にメッキされる)を接続するが、一般的にアルミパッドは大気中において薄い酸化膜に覆われており、その酸化膜を破壊しつつアルミニウムと金との固相拡散を生じさせることが好ましい。したがって、ヒート部20を介して、リードフレーム10の裏面を例えば200℃程度に加熱しながらワイヤボンディングを行う。また、加熱とともに、必要に応じて加圧や超音波振動を用いてワイヤボンディングを行ってもよい。
【0028】
ヒート部20は、少なくともボンディングステージ22に設けられる。言い換えると、図1〜図3に示すように、待機ステージ24にもヒート部20が設けられてもよい。この場合に、図1に示すようにボンディングステージ22及び待機ステージ24に配置したリードフレーム10に対して、ヒート部20のボンディングステージ22におけるリードフレーム10を向く面よりも、待機ステージ24における面を低く設けることによって、待機ステージ24に配置したリードフレーム10をヒート部20から非接触な状態にすることができる。すなわち、ヒート部20を待機ステージ24に設けた場合でも、待機ステージ24におけるヒート部20の一部を、配置したリードフレーム10から非接触とすることができればよく、その形態は上述のものに限られない。これによって、ヒート部20の機構上、待機ステージ24に設けざるを得ない場合でも、待機ステージ24においてリードフレーム10を直接的に加熱することなく、ボンディングステージ22に搬送することができる。
【0029】
また、待機ステージ24にヒート部20とともに断熱材を設けてもよい。すなわち、待機ステージ24のヒート部20上に断熱材を設けてもよい。これによって、ボンディングステージ22に配置したリードフレーム10の少なくとも一つのダイパッド12をヒート部20に接触させて加熱しながらワイヤボンディングしている間に、リードフレーム10の残りのダイパッド12を断熱材上に接触させておくこともできる。したがって、この場合でも待機ステージ24においてリードフレーム10を直接的に加熱することなく、ボンディングステージ22に搬送することができる。
【0030】
本発明によれば、ボンディングステージ22に配置したダイパッド12をワイヤボンディングしている間に、待機ステージ24のダイパッド12をヒート部20と非接触の状態にする。すなわち、ワイヤボンディングのためのヒート部20の熱を、待機ステージ24に配置されたリードフレーム10に、直接的に加えることを防ぐことができる。これによって、例えばリードフレーム10のダイパッド12の裏面に形成される酸化膜の成長を抑えることができ、ダイパッド12の裏面と樹脂との密着性を高めることできる。したがって、信頼性の高い半導体装置を製造することができる。
【0031】
以下に本実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示す。
【0032】
図2に示すように複数のダイパッド12を有するリードフレーム10を、ヒート部20を有するボンディングステージ22に搬送し、図1に示すようにリードフレーム10の少なくとも一つのダイパッド12をボンディングステージ22のヒート部20に載置する。例えば、ボンディングステージ22に配置したダイパッド12をヒート部20に接触させてワイヤボンディングを行った後に、ヒート部20を一旦、下降させて、待機ステージ24に配置した残りのダイパッド12のうちのいくつかをボンディングステージ22に搬送して、ヒート部20を上昇させて、次のワイヤボンディングを行ってもよい。搬送において、図2に示すように例えばリードフレーム10を支持するレール30を、リードフレーム10の幅方向の両外側を挟むように設けてもよい。詳しく言うと、例えばリードフレーム10を搬送する方向に直交する、リードフレーム10の幅の両外側を支持するようにレール30を設けてもよい。レール30を用いることによって、ボンディングステージ22に配置したダイパッド12をボンディングしている間に、待機ステージ24のダイパッド12の裏面をヒート部20と非接触な状態にすることができる。なお、レール30をヒート部20の上方に固定してもよく、リードフレーム10が正確なボンディング位置を通過するように設けることが好ましい。これによって、ボンディングするときのボンディングステージ22上でのリードフレーム10の位置決めを容易に行うことができる。
【0033】
ボンディングステージ22に載置されたダイパッド12はヒート部20と接触することによって直接的に加熱され、これによってワイヤボンディングを行うことができる。ワイヤボンディングでは、ボンディングステージ22に配置したダイパッド12を例えば200℃以上(好ましくは約230℃)で数十秒間(例えば20秒間)、加熱することによって半導体チップ14の電極とリード16とをワイヤ19で電気的に接続することができる。
【0034】
この間に、ボンディングステージ22に搬送するために待機している待機ステージ24に配置された残りのダイパッド12を、ヒート部20に接触させることなく待機させることができる。したがって、待機ステージ24に配置したダイパッド12を直接的に加熱することがないので、一つのダイパッド12をワイヤボンディング時のみに加熱することができる。
【0035】
本発明によれば、ボンディングステージ22に配置したダイパッド12をワイヤボンディングしている間に、待機ステージ24のダイパッド12をヒート部20と非接触の状態にする。すなわち、ワイヤボンディングのためのヒート部20の熱を、待機ステージ24に配置されたリードフレーム10に、直接的に加えることを防ぐことができる。これによって、例えばリードフレーム0のダイパッド12の裏面に形成される酸化膜の成長を抑えることができ、ダイパッド12の裏面と樹脂との密着性を高めることできる。したがって、信頼性の高い半導体装置を製造することができる。
【0036】
図4には、本発明を適用した半導体装置1を実装した回路基板100が示されている。回路基板には例えばガラスエポキシ基板等の有機系基板を用いることが一般的である。回路基板には例えば銅等からなる配線パターンが所望の回路となるように形成されていて、それらの配線パターンと半導体装置の外部端子とを機械的に接続することでそれらの電気的導通を図る。
【0037】
そして、本発明を適用した半導体装置1を有する電子機器として、図5にはノート型パーソナルコンピュータ200、図6には携帯電話300が示されている。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1は、本発明を適用した本実施の形態にかかる半導体装置の製造装置及び製造方法を示す側面図である。
【図2】図2は、本発明を適用した本実施の形態にかかる半導体装置の製造装置及び製造方法を示す平面図である。
【図3】図3は、本発明を適用した本実施の形態にかかる半導体装置の製造装置及び製造方法を示す斜視図である。
【図4】図4は、本発明を適用した半導体装置を搭載した回路基板を示した図である。
【図5】図5は、本発明を適用した半導体装置を有する電子機器を示した図である。
【図6】図6は、本発明を適用した半導体装置を有する電子機器を示した図である。
【符号の説明】
10 リードフレーム
12 ダイパッド
14 半導体チップ
16 リード
20 ヒート部
22 ボンディングステージ
24 待機ステージ
30 レール
Claims (7)
- 複数のダイパッドを有し、各ダイパッドに半導体チップが搭載されたリードフレームをボンディング装置に配置して、前記半導体チップの電極と前記リードフレームのリードとをワイヤボンディングする工程を含み、
前記ボンディング装置は、それぞれにヒート部が設けられた、ボンディングステージ及び待機ステージを含み、
前記ボンディングステージに配置したダイパッドを前記ボンディングステージの前記ヒート部に接触させて加熱しながらワイヤボンディングする間に、前記待機ステージに配置したダイパッドを前記待機ステージの前記ヒート部と非接触の状態にする半導体装置の製造方法。 - 請求項1記載の半導体装置の製造方法において、
前記リードフレームの側部を支持することにより、前記待機ステージに配置したダイパッドを前記待機ステージの前記ヒート部と非接触の状態にする半導体装置の製造方法。 - 請求項1又は請求項2に記載の半導体装置の製造方法において、
前記リードフレームは銅を含む半導体装置の製造方法。 - 請求項1から請求項3のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記ヒート部は、前記ボンディングステージにおけるリードフレームを向く上面よりも、前記待機ステージにおける前記リードフレームを向く上面が低い半導体装置の製造方法。 - 請求項1から請求項4のいずれかに記載の半導体装置の製造方法で製造されてなる半導体装置。
- 請求項5記載の半導体装置が搭載された回路基板。
- 請求項5記載の半導体装置を有する電子機器。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30903199A JP3630043B2 (ja) | 1999-10-29 | 1999-10-29 | 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器 |
US09/695,998 US6531336B1 (en) | 1999-10-29 | 2000-10-26 | Semiconductor apparatus, method of fabricating thereof, fabricating apparatus, circuit board, and electronic device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30903199A JP3630043B2 (ja) | 1999-10-29 | 1999-10-29 | 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001127098A JP2001127098A (ja) | 2001-05-11 |
JP3630043B2 true JP3630043B2 (ja) | 2005-03-16 |
Family
ID=17988058
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP30903199A Expired - Fee Related JP3630043B2 (ja) | 1999-10-29 | 1999-10-29 | 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6531336B1 (ja) |
JP (1) | JP3630043B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6946856B1 (en) * | 2004-06-24 | 2005-09-20 | Texas Instruments Incorporated | Thermal testing method for integrated circuit chips and packages |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5322207A (en) * | 1993-05-03 | 1994-06-21 | Micron Semiconductor Inc. | Method and apparatus for wire bonding semiconductor dice to a leadframe |
US5647528A (en) * | 1996-02-06 | 1997-07-15 | Micron Technology, Inc. | Bondhead lead clamp apparatus and method |
US5904500A (en) * | 1996-10-03 | 1999-05-18 | The Dexter Corporation | Method for the preparation of lead-on-chip assemblies |
JP3488035B2 (ja) * | 1997-01-04 | 2004-01-19 | 株式会社新川 | ボンディング装置 |
-
1999
- 1999-10-29 JP JP30903199A patent/JP3630043B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2000
- 2000-10-26 US US09/695,998 patent/US6531336B1/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2001127098A (ja) | 2001-05-11 |
US6531336B1 (en) | 2003-03-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8451621B2 (en) | Semiconductor component and method of manufacture | |
JPH07335783A (ja) | 半導体装置及び半導体装置ユニット | |
JPH10200012A (ja) | ボールグリッドアレイ半導体のパッケージ及び製造方法 | |
JP3801989B2 (ja) | リードフレームパッドから張り出しているダイを有する半導体装置パッケージ | |
WO2007057954A1 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP3630043B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器 | |
US10269583B2 (en) | Semiconductor die attachment with embedded stud bumps in attachment material | |
JPH09186288A (ja) | 半導体装置 | |
JP5233339B2 (ja) | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 | |
US20050274708A1 (en) | Heating apparatus and method for semiconductor devices | |
KR100207902B1 (ko) | 리드 프레임을 이용한 멀티 칩 패키지 | |
JPH05326817A (ja) | マルチチップパッケージ | |
JP2009224529A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JPS62123727A (ja) | 半導体装置 | |
JP3293753B2 (ja) | 半導体パッケージ用チップ支持基板及びこれを用いた半導体パッケージ | |
JPH08264596A (ja) | 半導体装置 | |
JP2974819B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
US11631627B2 (en) | Method of manufacturing semiconductor having double-sided substrate | |
JPH0878599A (ja) | 集積回路パッケージ及びその製造方法 | |
TW445601B (en) | Die-embedded ball grid array packaging structure with leadframe | |
JP3403221B2 (ja) | 配線基板付リードフレーム | |
JP2001319943A (ja) | 半導体装置 | |
JPH05315481A (ja) | フィルムキャリア半導体装置及びその製造方法 | |
JPH10270625A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP2002164497A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040816 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040831 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20041027 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20041124 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20041207 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081224 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091224 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101224 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101224 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111224 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111224 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121224 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121224 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131224 Year of fee payment: 9 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |