JP3403221B2 - 配線基板付リードフレーム - Google Patents
配線基板付リードフレームInfo
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- JP3403221B2 JP3403221B2 JP16541293A JP16541293A JP3403221B2 JP 3403221 B2 JP3403221 B2 JP 3403221B2 JP 16541293 A JP16541293 A JP 16541293A JP 16541293 A JP16541293 A JP 16541293A JP 3403221 B2 JP3403221 B2 JP 3403221B2
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- Japan
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- lead frame
- resin
- wiring
- insulating layer
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は配線基板付リードフレー
ムに関する。
ムに関する。
【０００２】
【従来の技術】樹脂モールド型の半導体装置に使用され
るリードフレームは一般にプレス加工あるいはエッチン
グ加工によって製造されているが、きわめて多ピンの半
導体チップを搭載するには限界があることから、さらに
高密度化に対応できるものとしてＴＡＢテープをインナ
ーリード先端に中継体として用いたり、半導体チップの
搭載部に配線基板を使用したリードフレームが使用され
ている。
るリードフレームは一般にプレス加工あるいはエッチン
グ加工によって製造されているが、きわめて多ピンの半
導体チップを搭載するには限界があることから、さらに
高密度化に対応できるものとしてＴＡＢテープをインナ
ーリード先端に中継体として用いたり、半導体チップの
搭載部に配線基板を使用したリードフレームが使用され
ている。
【０００３】図４は配線基板付リードフレームに半導体
チップを搭載して樹脂モールドした様子を示す。配線基
板５はリードフレーム６とは別体で形成したもので、セ
ラミックあるいは樹脂等を基材とした基板表面に配線パ
ターン７を設けたものである。リードフレーム６と配線
基板５とはリードフレーム６のインナーリードと配線パ
ターン７を各々位置合わせして金属間の熱圧着等によっ
て接合して一体化している。
チップを搭載して樹脂モールドした様子を示す。配線基
板５はリードフレーム６とは別体で形成したもので、セ
ラミックあるいは樹脂等を基材とした基板表面に配線パ
ターン７を設けたものである。リードフレーム６と配線
基板５とはリードフレーム６のインナーリードと配線パ
ターン７を各々位置合わせして金属間の熱圧着等によっ
て接合して一体化している。
【０００４】このような配線基板付リードフレームは基
板を支持体とし、基板上に導体層を設けてエッチングす
る等によってきわめて微細なパターンを形成することが
可能であり、半導体チップの多ピン化に好適に対応でき
るという利点がある。また、配線基板を多層形成するこ
とも容易であり放熱板として放熱板を組み込むこともで
き、樹脂モールド型の半導体装置で放熱性に優れた装置
として提供できるといった特徴を有している。
板を支持体とし、基板上に導体層を設けてエッチングす
る等によってきわめて微細なパターンを形成することが
可能であり、半導体チップの多ピン化に好適に対応でき
るという利点がある。また、配線基板を多層形成するこ
とも容易であり放熱板として放熱板を組み込むこともで
き、樹脂モールド型の半導体装置で放熱性に優れた装置
として提供できるといった特徴を有している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、配線基板付
リードフレームは多数の電極をもつ半導体チップの搭載
用として使用され、発熱量の大きな半導体チップの搭載
に使用されること、また、配線基板に受動素子や能動素
子を形成することによってモジュールとしても利用され
ることから配線基板がかなり大型になるものであり、半
導体装置の信頼性の点から放熱性に優れること、配線基
板とモールド樹脂との密着性が良好であるといったこと
が求められる。最近の樹脂モールドタイプの半導体装置
ではパッケージが大型化するとともに薄型になる傾向が
あり、この点からも配線基板とモールド樹脂との高い密
着性が要求されるのである。
リードフレームは多数の電極をもつ半導体チップの搭載
用として使用され、発熱量の大きな半導体チップの搭載
に使用されること、また、配線基板に受動素子や能動素
子を形成することによってモジュールとしても利用され
ることから配線基板がかなり大型になるものであり、半
導体装置の信頼性の点から放熱性に優れること、配線基
板とモールド樹脂との密着性が良好であるといったこと
が求められる。最近の樹脂モールドタイプの半導体装置
ではパッケージが大型化するとともに薄型になる傾向が
あり、この点からも配線基板とモールド樹脂との高い密
着性が要求されるのである。
【０００６】本発明はこれらの問題点を解消すべくなさ
れたものであり、その目的とするところは、熱放散性に
優れ、かつモールド樹脂との密着性が良好であって信頼
性の高い半導体装置を得ることができる配線基板付リー
ドフレームを提供しようとするものである。
れたものであり、その目的とするところは、熱放散性に
優れ、かつモールド樹脂との密着性が良好であって信頼
性の高い半導体装置を得ることができる配線基板付リー
ドフレームを提供しようとするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するため次の構成を備える。すなわち、金属からなる放
熱板を配線基板とし、該配線基板の半導体チップを搭載
する一方の面に電気的絶縁層を介して配線パターンが形
成され、該配線パターンにリードフレームのインナーリ
ードが接合されるとともに、前記配線基板の他方の面に
樹脂層が被着形成された配線基板付リードフレームであ
って、前記電気的絶縁層に、熱伝導率を改善するための
フィラーが混入されていることを特徴とする。電気的絶
縁層に混入するフィラーとしては、アルミナ（Ａｌ
2 Ｏ 3 ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒化ボロン（Ｂ
Ｎ）等の高熱伝導性の無機フィラーが好適に使用でき
る。
するため次の構成を備える。すなわち、金属からなる放
熱板を配線基板とし、該配線基板の半導体チップを搭載
する一方の面に電気的絶縁層を介して配線パターンが形
成され、該配線パターンにリードフレームのインナーリ
ードが接合されるとともに、前記配線基板の他方の面に
樹脂層が被着形成された配線基板付リードフレームであ
って、前記電気的絶縁層に、熱伝導率を改善するための
フィラーが混入されていることを特徴とする。電気的絶
縁層に混入するフィラーとしては、アルミナ（Ａｌ
2 Ｏ 3 ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒化ボロン（Ｂ
Ｎ）等の高熱伝導性の無機フィラーが好適に使用でき
る。
【０００８】また、前記電気的絶縁層および樹脂層に、
ＡＳＴＭ−Ｄ５７０に準拠した試験方法による吸水率が
０．５％以下の樹脂材料が用いられていることを特徴と
する。 また、前記樹脂材料が、ポリ・エーテル・エーテ
ル・ケトン、ポリ・エーテル・イミド、もしくはポリ・
サルフォンであることを特徴とする。 さらに、信号ライ
ン等として使用する配線パターンとは別に接地用パッド
を設け、該接地用パッドと前記放熱板とを電気的に接続
したことを特徴とする。
ＡＳＴＭ−Ｄ５７０に準拠した試験方法による吸水率が
０．５％以下の樹脂材料が用いられていることを特徴と
する。 また、前記樹脂材料が、ポリ・エーテル・エーテ
ル・ケトン、ポリ・エーテル・イミド、もしくはポリ・
サルフォンであることを特徴とする。 さらに、信号ライ
ン等として使用する配線パターンとは別に接地用パッド
を設け、該接地用パッドと前記放熱板とを電気的に接続
したことを特徴とする。
【０００９】
【作用】配線基板の基材として放熱板を使用することに
より、リードフレームの熱放散性を効果的に向上させる
ことができ、発熱量の大きな半導体チップを搭載可能に
する。また、配線基板の外面に樹脂層を設けたことによ
ってモールド樹脂との密着性を向上させることができ
る。そして、電気的絶縁層に熱伝導性に優れたフィラー
を混入することにより、熱伝導性とともに表面硬度を向
上できワイヤボンディング性を改良できる。 また、電気
的絶縁層および樹脂層を吸水率の低い樹脂材料によって
形成することによって、樹脂モールド後の半導体装置内
における水分の含有率を下げることができ、モールド樹
脂にクラックが発生したりすることを防止できる。ま
た、信号ラインとは別に接地用パッドを設けた形状にす
ることによって、多ピン化に対応できて扱いやすいリー
ドフレームとして提供できる。
より、リードフレームの熱放散性を効果的に向上させる
ことができ、発熱量の大きな半導体チップを搭載可能に
する。また、配線基板の外面に樹脂層を設けたことによ
ってモールド樹脂との密着性を向上させることができ
る。そして、電気的絶縁層に熱伝導性に優れたフィラー
を混入することにより、熱伝導性とともに表面硬度を向
上できワイヤボンディング性を改良できる。 また、電気
的絶縁層および樹脂層を吸水率の低い樹脂材料によって
形成することによって、樹脂モールド後の半導体装置内
における水分の含有率を下げることができ、モールド樹
脂にクラックが発生したりすることを防止できる。ま
た、信号ラインとは別に接地用パッドを設けた形状にす
ることによって、多ピン化に対応できて扱いやすいリー
ドフレームとして提供できる。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の好適な実施例を添付図面に基
づいて詳細に説明する。図１は本発明に係る配線基板付
リードフレームの実施例を示す説明図で、配線基板付リ
ードフレームに半導体チップ８を搭載して樹脂モールド
した状態を示す。実施例の配線基板付リードフレーム
は、放熱板１２と、放熱板１２の下面と上面に各々被着
形成した樹脂層１４と電気的絶縁層１６、及び電気的絶
縁層１６の表面に形成した配線パターン１８から形成さ
れた配線基板１０をリードフレーム６のインナーリード
に接合してなる。
づいて詳細に説明する。図１は本発明に係る配線基板付
リードフレームの実施例を示す説明図で、配線基板付リ
ードフレームに半導体チップ８を搭載して樹脂モールド
した状態を示す。実施例の配線基板付リードフレーム
は、放熱板１２と、放熱板１２の下面と上面に各々被着
形成した樹脂層１４と電気的絶縁層１６、及び電気的絶
縁層１６の表面に形成した配線パターン１８から形成さ
れた配線基板１０をリードフレーム６のインナーリード
に接合してなる。
【００１１】放熱板１２は配線基板１０の芯材として使
用しているものであるが、放熱板を使用することによっ
て配線基板１０の熱放散性の向上を図っている。実施例
では放熱板１２として銅板を使用した。電気的絶縁層１
６は放熱板１２上に配線パターン１８を設けるため金属
板１２を電気的に絶縁するために設けたものである。配
線パターン１８を形成する場合は絶縁層１６の表面に銅
の導体層を設けて所定パターンにエッチングして形成す
る。１９は半導体チップ８を接合するダイパッドであ
る。樹脂層１４は配線基板１０とモールド樹脂との密着
性を向上させるため配線基板１０の裏面に設けている。
用しているものであるが、放熱板を使用することによっ
て配線基板１０の熱放散性の向上を図っている。実施例
では放熱板１２として銅板を使用した。電気的絶縁層１
６は放熱板１２上に配線パターン１８を設けるため金属
板１２を電気的に絶縁するために設けたものである。配
線パターン１８を形成する場合は絶縁層１６の表面に銅
の導体層を設けて所定パターンにエッチングして形成す
る。１９は半導体チップ８を接合するダイパッドであ
る。樹脂層１４は配線基板１０とモールド樹脂との密着
性を向上させるため配線基板１０の裏面に設けている。
【００１２】図２に上記放熱板１２、樹脂層１４等の構
成を拡大して示す。樹脂層１４と電気的絶縁層１６は放
熱板１２の上下両面に電気的絶縁性を有する樹脂を被着
形成して設けるが、モールド樹脂と配線基板との間で剥
離が生じたり、モールド樹脂にクラックが入ったりする
ことを防止するため、樹脂層１４および電気的絶縁層１
６に使用する樹脂としては吸水性の小さな物質が好適に
用いられる。この点から実施例では樹脂層１４および電
気的絶縁層１６としてポリ・エーテル・エーテル・ケト
ン（ＰＥＥＫ）を使用した。この樹脂は熱可塑性樹脂で
あって吸水率がきわめて小さいという特徴がある。
成を拡大して示す。樹脂層１４と電気的絶縁層１６は放
熱板１２の上下両面に電気的絶縁性を有する樹脂を被着
形成して設けるが、モールド樹脂と配線基板との間で剥
離が生じたり、モールド樹脂にクラックが入ったりする
ことを防止するため、樹脂層１４および電気的絶縁層１
６に使用する樹脂としては吸水性の小さな物質が好適に
用いられる。この点から実施例では樹脂層１４および電
気的絶縁層１６としてポリ・エーテル・エーテル・ケト
ン（ＰＥＥＫ）を使用した。この樹脂は熱可塑性樹脂で
あって吸水率がきわめて小さいという特徴がある。
【００１３】なお、電気的絶縁層１６として実施例では
窒化アルミニウムのフィラーが入った樹脂を使用した。
これは電気的絶縁層１６の熱伝導性を向上させ配線基板
１０の熱放散性を高めるためと電気的絶縁層１６の硬度
を上げて強度を向上させるためである。一方、樹脂層１
４には吸水率を低くするためフィラーを混入しないもの
を使用した。また、樹脂層１４とモールド樹脂との密着
性を向上させるため樹脂層１４の外面を粗面（凹凸面）
に形成した。
窒化アルミニウムのフィラーが入った樹脂を使用した。
これは電気的絶縁層１６の熱伝導性を向上させ配線基板
１０の熱放散性を高めるためと電気的絶縁層１６の硬度
を上げて強度を向上させるためである。一方、樹脂層１
４には吸水率を低くするためフィラーを混入しないもの
を使用した。また、樹脂層１４とモールド樹脂との密着
性を向上させるため樹脂層１４の外面を粗面（凹凸面）
に形成した。
【００１４】樹脂層１４の外面を凹凸面に形成する方法
としては電解めっきによって形成した銅箔の外面が微小
な凹凸面になることを利用することができる。すなわ
ち、電解めっき法によって形成した銅箔の凹凸面を樹脂
側にして銅箔および絶縁樹脂、放熱板１２を積層して圧
着する。放熱板１２には電気的絶縁層１６とその表層に
導体層を形成し、導体層をエッチングして配線パターン
１８を形成すると同時に、樹脂層１４に被着した銅箔全
体をエッチング除去することにより外面に微小な凹凸面
が形成された樹脂層１４を得ることができる。
としては電解めっきによって形成した銅箔の外面が微小
な凹凸面になることを利用することができる。すなわ
ち、電解めっき法によって形成した銅箔の凹凸面を樹脂
側にして銅箔および絶縁樹脂、放熱板１２を積層して圧
着する。放熱板１２には電気的絶縁層１６とその表層に
導体層を形成し、導体層をエッチングして配線パターン
１８を形成すると同時に、樹脂層１４に被着した銅箔全
体をエッチング除去することにより外面に微小な凹凸面
が形成された樹脂層１４を得ることができる。
【００１５】樹脂層１４の外面を凹凸面とすることでモ
ールド樹脂と樹脂層１４との密着性が良好となり、大形
の配線基板１０を使用した場合でも配線基板１０がモー
ルド樹脂から剥離したりすることを防止することができ
る。また、モールド樹脂と配線基板１０とはその界面に
水分が凝縮しやすいが、樹脂層１４に吸水率の低い樹脂
を使用したことによって界面に水分が凝縮することを防
止でき、半導体チップ８が発熱した際に水分が膨張して
モールド樹脂にクラックが生じるといった問題をなくす
ことが可能になる。
ールド樹脂と樹脂層１４との密着性が良好となり、大形
の配線基板１０を使用した場合でも配線基板１０がモー
ルド樹脂から剥離したりすることを防止することができ
る。また、モールド樹脂と配線基板１０とはその界面に
水分が凝縮しやすいが、樹脂層１４に吸水率の低い樹脂
を使用したことによって界面に水分が凝縮することを防
止でき、半導体チップ８が発熱した際に水分が膨張して
モールド樹脂にクラックが生じるといった問題をなくす
ことが可能になる。
【００１６】図２では配線パターン１８の表面にめっき
を施してリードフレーム６と配線基板１０とを接合する
構成を示している。すなわち、実施例では配線パターン
１８の表層にまずニッケルめっき２０を設け、さらにそ
の上層に金めっき２２を施したことを示す。また、リー
ドフレーム６側ではそのインナーリードの接合面側に銀
めっき２４を施したことを示す。実施例では金−銀の熱
圧着によってリードフレーム６に配線基板１０を接合し
た。なお、接合に際しては配線パターン１８の平面位置
とこれに接合するインナーリードの平面位置とを位置合
わせして接合することはいうまでもない。配線基板１０
の外縁側であれば配線パターン１８のパターン間隔が広
くとれるからリードフレーム６のインナーリードとの接
合も容易になる。
を施してリードフレーム６と配線基板１０とを接合する
構成を示している。すなわち、実施例では配線パターン
１８の表層にまずニッケルめっき２０を設け、さらにそ
の上層に金めっき２２を施したことを示す。また、リー
ドフレーム６側ではそのインナーリードの接合面側に銀
めっき２４を施したことを示す。実施例では金−銀の熱
圧着によってリードフレーム６に配線基板１０を接合し
た。なお、接合に際しては配線パターン１８の平面位置
とこれに接合するインナーリードの平面位置とを位置合
わせして接合することはいうまでもない。配線基板１０
の外縁側であれば配線パターン１８のパターン間隔が広
くとれるからリードフレーム６のインナーリードとの接
合も容易になる。
【００１７】なお、上記実施例で放熱板１２は放熱性を
向上させるという効果を有しているが、たとえば放熱板
１２を接地電位に設定して多層構造とすることが可能で
ある。図３は基板上に配線パターン１８と、放熱板１２
に電気的に接続する接地用パッド２６を設けた例であ
る。実施例では、接地用パッド２６は半導体チップ８を
搭載するダイパッドの周囲に散点状に複数個配置し、そ
の外側に配線パターン１８を配置した。放熱板１２、樹
脂層１４、電気的絶縁層１６の構成は上記実施例と同様
で、樹脂層１４の露出面は同じく微小な凹凸を形成した
面とする。
向上させるという効果を有しているが、たとえば放熱板
１２を接地電位に設定して多層構造とすることが可能で
ある。図３は基板上に配線パターン１８と、放熱板１２
に電気的に接続する接地用パッド２６を設けた例であ
る。実施例では、接地用パッド２６は半導体チップ８を
搭載するダイパッドの周囲に散点状に複数個配置し、そ
の外側に配線パターン１８を配置した。放熱板１２、樹
脂層１４、電気的絶縁層１６の構成は上記実施例と同様
で、樹脂層１４の露出面は同じく微小な凹凸を形成した
面とする。
【００１８】接地用パッド２６を放熱板１２と電気的に
接続する方法は配線パターンを層間で接続する従来方
法、たとえば放熱板１２の両面に樹脂層１４、電気的絶
縁層１６を被着した後、接地用パッド２６の形成位置に
合わせて基板の厚み方向にスルーホールを形成し、スル
ーホールめっきを施して層間で電気的に導通させる方法
を利用することができる。
接続する方法は配線パターンを層間で接続する従来方
法、たとえば放熱板１２の両面に樹脂層１４、電気的絶
縁層１６を被着した後、接地用パッド２６の形成位置に
合わせて基板の厚み方向にスルーホールを形成し、スル
ーホールめっきを施して層間で電気的に導通させる方法
を利用することができる。
【００１９】したがって、実施例の配線基板付リードフ
レームでは、半導体チップ８の電極を接地電位に接続す
る場合には図３に示すように接地用パッド２６との間で
ワイヤボンディングすればよく、信号ラインと接続する
場合には配線パターン１８とワイヤボンディングすれば
よい。このように接地用パッド２６を配線パターン１８
と別に設けることによって、配線パターン１８から接地
ラインを省くことができ、配線パターン１８のラインを
有効に利用することが可能になる。また、半導体装置の
電気的特性の面から見ても、放熱板１２を接地電位とす
ることによって外部からのノイズの進入を防止し、信号
の高速化にも対応できるという利点がある。
レームでは、半導体チップ８の電極を接地電位に接続す
る場合には図３に示すように接地用パッド２６との間で
ワイヤボンディングすればよく、信号ラインと接続する
場合には配線パターン１８とワイヤボンディングすれば
よい。このように接地用パッド２６を配線パターン１８
と別に設けることによって、配線パターン１８から接地
ラインを省くことができ、配線パターン１８のラインを
有効に利用することが可能になる。また、半導体装置の
電気的特性の面から見ても、放熱板１２を接地電位とす
ることによって外部からのノイズの進入を防止し、信号
の高速化にも対応できるという利点がある。
【００２０】なお、配線基板１０の構成としてはさらに
多層化することも可能で、配線パターン１８を信号層と
し、これとは別層に接地層および電源層を設ける３層構
造、あるいはさらに多層構造とすることも可能である。
これによって、配線基板１０をさらに複合構造とし、信
号ラインに対する特性インピーダンスをマッチングさせ
ること、あるいは受動素子や能動素子を組み込むことに
よってモジュール化することが可能である。
多層化することも可能で、配線パターン１８を信号層と
し、これとは別層に接地層および電源層を設ける３層構
造、あるいはさらに多層構造とすることも可能である。
これによって、配線基板１０をさらに複合構造とし、信
号ラインに対する特性インピーダンスをマッチングさせ
ること、あるいは受動素子や能動素子を組み込むことに
よってモジュール化することが可能である。
【００２１】本発明に係る配線基板付リードフレームに
よれば、配線基板の基材として放熱板を使用することに
より、リードフレームの熱放散性を効果的に向上させる
ことができ、発熱量の大きな半導体チップを搭載可能に
する。また、配線基板の外面に樹脂層を設けたことによ
ってモールド樹脂との密着性を向上させることができ
る。そして、電気的絶縁層に熱伝導性に優れたフィラー
を混入することにより、熱伝導性とともに表面硬度を向
上できワイヤボンディング性を改良できる。 また、電気
的絶縁層および樹脂層を吸水率の低い樹脂材料によって
形成することによって、樹脂モールド後の半導体装置内
における水分の含有率を下げることができ、モールド樹
脂にクラックが発生したりすることを防止できる。ま
た、信号ラインとは別に接地用パッドを設けた形状にす
ることによって、多ピン化に対応できて扱いやすいリー
ドフレームとして提供できる。
よれば、配線基板の基材として放熱板を使用することに
より、リードフレームの熱放散性を効果的に向上させる
ことができ、発熱量の大きな半導体チップを搭載可能に
する。また、配線基板の外面に樹脂層を設けたことによ
ってモールド樹脂との密着性を向上させることができ
る。そして、電気的絶縁層に熱伝導性に優れたフィラー
を混入することにより、熱伝導性とともに表面硬度を向
上できワイヤボンディング性を改良できる。 また、電気
的絶縁層および樹脂層を吸水率の低い樹脂材料によって
形成することによって、樹脂モールド後の半導体装置内
における水分の含有率を下げることができ、モールド樹
脂にクラックが発生したりすることを防止できる。ま
た、信号ラインとは別に接地用パッドを設けた形状にす
ることによって、多ピン化に対応できて扱いやすいリー
ドフレームとして提供できる。
【図１】配線基板付リードフレームに半導体チップを搭
載して樹脂モールドした状態を示す説明図である。
載して樹脂モールドした状態を示す説明図である。
【図２】配線基板およびリードフレームと配線基板の接
合部の構成を示す説明図である。
合部の構成を示す説明図である。
【図３】配線基板付リードフレームの他の実施例を示す
説明図である。
説明図である。
【図４】配線基板付リードフレームの従来例を示す説明
図である。
図である。
６ リードフレーム
７ 配線パターン
８ 半導体チップ
１０ 配線基板
１２ 放熱板
１４ 樹脂層
１６ 電気的絶縁層
１８ 配線パターン
１９ ダイパッド
２０ ニッケルめっき
２２ 金めっき
２４ 銀めっき
２６ 接地用パッド
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 宮坂 俊次
長野県長野市大字栗田字舎利田711番地
新光電気工業株式会社内
(72)発明者 吉川 和夫
神奈川県平塚市真土2480番地 三菱樹脂
株式会社平塚工場内
(72)発明者 鍛冶屋敷 誠
神奈川県平塚市真土2480番地 三菱樹脂
株式会社平塚工場内
(56)参考文献 特開 平３−220761（ＪＰ，Ａ)
特開 平４−320055（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−121639（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 23/50
H01L 23/12
H01L 23/28
Claims (5)
- 【請求項１】 金属からなる放熱板を配線基板とし、該
配線基板の半導体チップを搭載する一方の面に電気的絶
縁層を介して配線パターンが形成され、該配線パターン
にリードフレームのインナーリードが接合されるととも
に、前記配線基板の他方の面に樹脂層が被着形成された
配線基板付リードフレームであって、前記電気的絶縁層
に、熱伝導率を改善するためのフィラーが混入されてい
ることを特徴とする配線基板付リードフレーム。 - 【請求項２】 前記フィラーが、アルミナ、窒化アルミ
ニウムまたは窒化ボロンであることを特徴とする請求項
１記載の配線基板付リードフレーム。 - 【請求項３】 前記電気的絶縁層および樹脂層に、ＡＳ
ＴＭ−Ｄ５７０に準拠した試験方法による吸水率が０．
５％以下の樹脂材料が用いられていることを特徴とする
請求項１または２記載の配線基板付リードフレーム。 - 【請求項４】 前記樹脂材料が、ポリ・エーテル・エー
テル・ケトン、ポリ・エーテル・イミド、もしくはポリ
・サルフォンであることを特徴とする請求項１、２また
は３記載の配線基板付リードフレーム。 - 【請求項５】 信号ライン等として使用する配線パター
ンとは別に接地用パッドを設け、該接地用パッドと前記
放熱板とを電気的に接続したことを特徴とする請求項
１、２、３または４記載の配線基板付リードフレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16541293A JP3403221B2 (ja) | 1993-07-05 | 1993-07-05 | 配線基板付リードフレーム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16541293A JP3403221B2 (ja) | 1993-07-05 | 1993-07-05 | 配線基板付リードフレーム |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0722566A JPH0722566A (ja) | 1995-01-24 |
| JP3403221B2 true JP3403221B2 (ja) | 2003-05-06 |
Family
ID=15811927
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16541293A Expired - Lifetime JP3403221B2 (ja) | 1993-07-05 | 1993-07-05 | 配線基板付リードフレーム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3403221B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3841768B2 (ja) * | 2003-05-22 | 2006-11-01 | 新光電気工業株式会社 | パッケージ部品及び半導体パッケージ |
-
1993
- 1993-07-05 JP JP16541293A patent/JP3403221B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0722566A (ja) | 1995-01-24 |
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