JPS6344998Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6344998Y2 JPS6344998Y2 JP2252882U JP2252882U JPS6344998Y2 JP S6344998 Y2 JPS6344998 Y2 JP S6344998Y2 JP 2252882 U JP2252882 U JP 2252882U JP 2252882 U JP2252882 U JP 2252882U JP S6344998 Y2 JPS6344998 Y2 JP S6344998Y2
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- JP
- Japan
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- lead
- punch
- correction
- die
- semiconductor element
- Prior art date
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- Expired
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 239000013013 elastic material Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 1
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 1
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は、リード修正機構、すなわち半導体素
子の電極とリードフレームとをボンデイングした
あとに各リードの変形を修正する機構を作業工程
に配設したフイルムキヤリアボンデイング装置に
関するものである。
子の電極とリードフレームとをボンデイングした
あとに各リードの変形を修正する機構を作業工程
に配設したフイルムキヤリアボンデイング装置に
関するものである。
集積回路においては、プラスチツクフイルム上
に金属薄板のリードフレームを形成しているが、
かかるリードフレームを対象とするボンデイング
作業にあたつては、半導体素子に設けた各ボンデ
イングパツドに接合されるリードの先端部はとく
に極めて薄くかつ細く形成しなければならない。
通常厚さは0.03〜0.04mm、幅は0.06〜0.12mm程度
である。従つて、僅かな機械的圧力あるいは接点
時の熱の影響など、外部条件の微細な変動によつ
てリード線は容易に変形する。
に金属薄板のリードフレームを形成しているが、
かかるリードフレームを対象とするボンデイング
作業にあたつては、半導体素子に設けた各ボンデ
イングパツドに接合されるリードの先端部はとく
に極めて薄くかつ細く形成しなければならない。
通常厚さは0.03〜0.04mm、幅は0.06〜0.12mm程度
である。従つて、僅かな機械的圧力あるいは接点
時の熱の影響など、外部条件の微細な変動によつ
てリード線は容易に変形する。
また半導体素子のボンデイングパツドはバンプ
と呼ばれ、素子の表面から10〜25μm程度突出し
ているが、突出量は極めて僅かであるため、リー
ド線の変形が微小であつても、半導体素子のバン
プ以外の個所、とくに素子周辺部にリードが接触
し、電気的に短絡状態を生ずることがあり、この
ような状態を全く無くすことは不可能であるか
ら、修正の工程を必要とする。第１図は、上記の
ようにリードが素子周辺部に接触した状態を示す
もので、１はプラスチツクテープ、２はリード、
３は半導体素子、４はバンプ、５は端部であり、
リード２が端部５に接触している。
と呼ばれ、素子の表面から10〜25μm程度突出し
ているが、突出量は極めて僅かであるため、リー
ド線の変形が微小であつても、半導体素子のバン
プ以外の個所、とくに素子周辺部にリードが接触
し、電気的に短絡状態を生ずることがあり、この
ような状態を全く無くすことは不可能であるか
ら、修正の工程を必要とする。第１図は、上記の
ようにリードが素子周辺部に接触した状態を示す
もので、１はプラスチツクテープ、２はリード、
３は半導体素子、４はバンプ、５は端部であり、
リード２が端部５に接触している。
本考案はかかる欠点を生じた場合、変形したリ
ードを修正し、端部から引き離す機構を備えたフ
イルムキヤリアボンデイング装置を提供するもの
である。
ードを修正し、端部から引き離す機構を備えたフ
イルムキヤリアボンデイング装置を提供するもの
である。
本考案の特徴は、リードフレームに固着されて
いる半導体素子の外形寸法より僅かに大きな穴を
有するダイと、端部において先細に傾斜し、かつ
柔かくて変形し易い材料を先端に固着したポンチ
とからなり、リードを接続された半導体素子をは
さんで、前記ポンチを前記ダイに嵌合するよう構
成されたリード修正機構を、リードボンデイング
部のあとの工程に配してなるフイルムキヤリアボ
ンデイング装置にある。例えば、ゴムなどの柔ら
かい弾性体を先端に設けた修正用ポンチを用い、
このポンチで半導体の表面を押圧し、半導体の下
方に配した修正用ダイの中に押し入れて、端部に
接触しているリード線を離すようにしてある。
いる半導体素子の外形寸法より僅かに大きな穴を
有するダイと、端部において先細に傾斜し、かつ
柔かくて変形し易い材料を先端に固着したポンチ
とからなり、リードを接続された半導体素子をは
さんで、前記ポンチを前記ダイに嵌合するよう構
成されたリード修正機構を、リードボンデイング
部のあとの工程に配してなるフイルムキヤリアボ
ンデイング装置にある。例えば、ゴムなどの柔ら
かい弾性体を先端に設けた修正用ポンチを用い、
このポンチで半導体の表面を押圧し、半導体の下
方に配した修正用ダイの中に押し入れて、端部に
接触しているリード線を離すようにしてある。
次に実施例の図面によつて詳細に説明する。
第２図は実施例において使用する修正用ポンチ
を示し、ポンチホルダー１０には、その端部にお
いて端面に向つて傾斜した例えば軟質ゴムなどの
柔かくて変形し易い材料のポンチ１１が、接着そ
の他適宜の方法で固着されている。
を示し、ポンチホルダー１０には、その端部にお
いて端面に向つて傾斜した例えば軟質ゴムなどの
柔かくて変形し易い材料のポンチ１１が、接着そ
の他適宜の方法で固着されている。
第３図は修正作業時における状態を拡大して示
した断面図であり、変形したリード２を接合して
いる半導体素子３を、それより0.2〜0.3mm程度大
きく開けた角穴１２を持つたダイ１３の中央に合
させた状態である。すなわち矢印の如く、修正用
ポンチ１１を上から下に、そらしてダイ１３を下
から上に制御機構（図に示していない）の制御の
もとに動かすと、修正用ポンチ１１は、ダイ１３
に設けた角穴１２の縁に沿つて変形し、リード線
２は立ち上つた形に修正される。
した断面図であり、変形したリード２を接合して
いる半導体素子３を、それより0.2〜0.3mm程度大
きく開けた角穴１２を持つたダイ１３の中央に合
させた状態である。すなわち矢印の如く、修正用
ポンチ１１を上から下に、そらしてダイ１３を下
から上に制御機構（図に示していない）の制御の
もとに動かすと、修正用ポンチ１１は、ダイ１３
に設けた角穴１２の縁に沿つて変形し、リード線
２は立ち上つた形に修正される。
第４図は、前記のリード修正装置をフイルムキ
ヤリアボンデイング装置の工程に配設したもので
あり、本来のボンデイング作業部に引き続いてリ
ード線の修正部を配設し、一連の作業工程を構成
したものである。図でＡは装置本体、Ｂはボンデ
イング部で、接合用チツプ１５、半導体素子の載
置台１６などからなり、これらは従来と変らな
い。Ｃはリード修正部で、前段で説明した通り、
ポンチ１１、ダイ１３を配設してある。２０は供
給用リール、２１と２２及び２３などはガイドロ
ーラー、２４は巻取り用リール、２５はフイル
ム、２６は半導体素子である。図で明らかな通り
フイルムを順次送ると、ボンデイングとリード線
の修正が一連の工程で行なわれるので、作業の効
率が向上すると共に、不良品の発生が防止され
る。
ヤリアボンデイング装置の工程に配設したもので
あり、本来のボンデイング作業部に引き続いてリ
ード線の修正部を配設し、一連の作業工程を構成
したものである。図でＡは装置本体、Ｂはボンデ
イング部で、接合用チツプ１５、半導体素子の載
置台１６などからなり、これらは従来と変らな
い。Ｃはリード修正部で、前段で説明した通り、
ポンチ１１、ダイ１３を配設してある。２０は供
給用リール、２１と２２及び２３などはガイドロ
ーラー、２４は巻取り用リール、２５はフイル
ム、２６は半導体素子である。図で明らかな通り
フイルムを順次送ると、ボンデイングとリード線
の修正が一連の工程で行なわれるので、作業の効
率が向上すると共に、不良品の発生が防止され
る。
以上説明の通り本考案は、簡単な構造の機構を
用いて、リードの修正ができるので、不良の防止
に極めて効果的であり、更にフイルムキヤリアボ
ンデイングの工程中に組込んであるから、ボンデ
イングとリードの修正が一連の作業として遂行で
きるので、生産ラインのシステム制御の面におい
て極めて有効である。
用いて、リードの修正ができるので、不良の防止
に極めて効果的であり、更にフイルムキヤリアボ
ンデイングの工程中に組込んであるから、ボンデ
イングとリードの修正が一連の作業として遂行で
きるので、生産ラインのシステム制御の面におい
て極めて有効である。
第１図はリードが接触した状態を示す図、第２
図は修正用ポンチの例、第３図は修正作業時の状
態、第４図はリード修正装置を作業工程に配設し
た実施例である。 なお図において、１……テープ、２……リー
ド、３……半導体素子、４……バンプ、５……端
部、１０……ポンチホルダー、１１……修正用ポ
ンチ、１２……角穴、１３……ダイ、である。
図は修正用ポンチの例、第３図は修正作業時の状
態、第４図はリード修正装置を作業工程に配設し
た実施例である。 なお図において、１……テープ、２……リー
ド、３……半導体素子、４……バンプ、５……端
部、１０……ポンチホルダー、１１……修正用ポ
ンチ、１２……角穴、１３……ダイ、である。
Claims (1)
- リードフレームに固着されている半導体素子の
外形寸法より僅かに大きな穴を有するダイと、端
部において先細に傾斜し、かつ柔かくて変形し易
い材料を先端に固着したポンチとを含んで構成さ
れ、リードを接続された前記半導体素子をはさん
で、前記ポンチを前記ダイに嵌合するよう構成さ
れたリード修正機構を配してなることを特徴とす
るフイルムキヤリアボンデイング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2252882U JPS58127645U (ja) | 1982-02-19 | 1982-02-19 | フイルムキヤリアボンデイング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2252882U JPS58127645U (ja) | 1982-02-19 | 1982-02-19 | フイルムキヤリアボンデイング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58127645U JPS58127645U (ja) | 1983-08-30 |
| JPS6344998Y2 true JPS6344998Y2 (ja) | 1988-11-22 |
Family
ID=30034605
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2252882U Granted JPS58127645U (ja) | 1982-02-19 | 1982-02-19 | フイルムキヤリアボンデイング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58127645U (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2818970B2 (ja) * | 1990-08-28 | 1998-10-30 | 三菱電機株式会社 | ボンディング装置およびボンディング方法ならびに半導体装置 |
-
1982
- 1982-02-19 JP JP2252882U patent/JPS58127645U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58127645U (ja) | 1983-08-30 |
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