JP2818970B2 - ボンディング装置およびボンディング方法ならびに半導体装置 - Google Patents
ボンディング装置およびボンディング方法ならびに半導体装置Info
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- H01L2224/50—Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明は、半導体チップ上の電極パッドとパッケー
ジのリードとを自動的に接続するTAB（Tape Automated
Bonding）方式に用いられるインナリードボンディン
グ装置の構造およびTAB方式におけるインナリード部の
垂れ下がりを防止するリードボンディング方法の改善に
関するものである。
ジのリードとを自動的に接続するTAB（Tape Automated
Bonding）方式に用いられるインナリードボンディン
グ装置の構造およびTAB方式におけるインナリード部の
垂れ下がりを防止するリードボンディング方法の改善に
関するものである。
［従来の技術］ 半導体チップ上のボンディングパッドとパッケージの
リードとを電気的に接続する方法にTAB方式がある。こ
の方式はボンディングワイヤの代わりに送り孔を持った
ポリイミドフィルムなどの樹脂表面上に金属配線パター
ンを形成し、このフィルムと半導体チップとを位置合わ
せしてボンディングを連続的に行なうものである。第８
図はテープキャリアの平面図である。テープキャリア３
はテープ基材3aの表面に配線パターン3cを有している。
配線パターン3cの中央にはデバイスホール3fが形成され
ている。そして、配線パターン3cのインナリード3dはこ
のデバイスホール3f内に突出している。このデバイスホ
ール3fには半導体チップが位置合わせされる。
リードとを電気的に接続する方法にTAB方式がある。こ
の方式はボンディングワイヤの代わりに送り孔を持った
ポリイミドフィルムなどの樹脂表面上に金属配線パター
ンを形成し、このフィルムと半導体チップとを位置合わ
せしてボンディングを連続的に行なうものである。第８
図はテープキャリアの平面図である。テープキャリア３
はテープ基材3aの表面に配線パターン3cを有している。
配線パターン3cの中央にはデバイスホール3fが形成され
ている。そして、配線パターン3cのインナリード3dはこ
のデバイスホール3f内に突出している。このデバイスホ
ール3fには半導体チップが位置合わせされる。
第９図は、第８図に示すテープキャリア３のインナリ
ード3dと半導体チップのボンディングパッドとを接続す
るためのインナリードボンディング装置（以下ILB装置
と称す）の正面構造模式図である。ILB装置は、半導体
チップ１を載置するボンディングステージ４を備えてい
る。ボンディングステージ４の上方にはツールホルダー
６に支持されたボンディングツール５が設けられてい
る。テープキャリア３はボンディングステージ４の上流
側および下流側に設けられたテープフィードガイド９、
10に沿って半導体チップ１の上方に送り込まれる。テー
プキャリア３の上下面にはテープキャリア３をガイドし
て、あるいは挟持するためのテープガイド７およびテー
プクランパ８が設けられている。
ード3dと半導体チップのボンディングパッドとを接続す
るためのインナリードボンディング装置（以下ILB装置
と称す）の正面構造模式図である。ILB装置は、半導体
チップ１を載置するボンディングステージ４を備えてい
る。ボンディングステージ４の上方にはツールホルダー
６に支持されたボンディングツール５が設けられてい
る。テープキャリア３はボンディングステージ４の上流
側および下流側に設けられたテープフィードガイド９、
10に沿って半導体チップ１の上方に送り込まれる。テー
プキャリア３の上下面にはテープキャリア３をガイドし
て、あるいは挟持するためのテープガイド７およびテー
プクランパ８が設けられている。
次に、動作について第10図および第11図を用いて説明
する。
する。
まず、第10図を参照して、テープキャリア３が規定の
長さだけ送られた後、テープクランパ８が閉じ、テープ
ガイド７とテープクランパ８との間にテープキャリア３
が挟まれて固定される。そして、所定のパターンを認識
し、位置補正が行なわれる。この状態において、テープ
キャリア３のデバイスホール3fの開口位置は、ステージ
４上に載置された半導体チップ位置と整合されている。
なお、テープキャリア３の断面構造は、図示されている
ように、テープ基材3aの表面上に接着剤3bを介して配線
パターン3cが形成され、さらにその表面上にソルダレジ
スト3eが形成されている。インナリード3dはデバイスホ
ール3fに突出して垂れ下がった状態にある。このインナ
リード3dと半導体チップ１の突起電極（ボンディングパ
ッド）２とが位置補正されている。
長さだけ送られた後、テープクランパ８が閉じ、テープ
ガイド７とテープクランパ８との間にテープキャリア３
が挟まれて固定される。そして、所定のパターンを認識
し、位置補正が行なわれる。この状態において、テープ
キャリア３のデバイスホール3fの開口位置は、ステージ
４上に載置された半導体チップ位置と整合されている。
なお、テープキャリア３の断面構造は、図示されている
ように、テープ基材3aの表面上に接着剤3bを介して配線
パターン3cが形成され、さらにその表面上にソルダレジ
スト3eが形成されている。インナリード3dはデバイスホ
ール3fに突出して垂れ下がった状態にある。このインナ
リード3dと半導体チップ１の突起電極（ボンディングパ
ッド）２とが位置補正されている。
次に、第11図を参照して、ボンディングステージ４が
上昇して、インナリード3dと突起電極２と相対応する位
置に位置合わせされる。次に、加熱されたボンディング
ツール５が下降し、インナリード3dと突起電極２とが加
熱圧着されボンディングが終了する。
上昇して、インナリード3dと突起電極２と相対応する位
置に位置合わせされる。次に、加熱されたボンディング
ツール５が下降し、インナリード3dと突起電極２とが加
熱圧着されボンディングが終了する。
ボンディング工程が終了した後、ボンディングステー
ジ４が元の位置に下降する。そして、テープクランパ８
が開きテープキャリア３が規定の長さだけ送られる。そ
して、次のテープキャリア３の配線パターン3cの部分が
所定位置に送られたとき、再びテープクランパ８が閉
じ、テープガイド７とテープクランパ８との間でテープ
キャリア３が挟持されて固定される。
ジ４が元の位置に下降する。そして、テープクランパ８
が開きテープキャリア３が規定の長さだけ送られる。そ
して、次のテープキャリア３の配線パターン3cの部分が
所定位置に送られたとき、再びテープクランパ８が閉
じ、テープガイド７とテープクランパ８との間でテープ
キャリア３が挟持されて固定される。
第12図は、インナリードのボンディング工程が終了し
た後のテープキャリア３と半導体チップとの接合状態を
示した断面図である。図に示すように、インナリード3d
の先端部は垂れ下がっており、このために半導体チップ
１はテープキャリア３の配線パターン3cの表面よりも垂
れ下がった位置にある。
た後のテープキャリア３と半導体チップとの接合状態を
示した断面図である。図に示すように、インナリード3d
の先端部は垂れ下がっており、このために半導体チップ
１はテープキャリア３の配線パターン3cの表面よりも垂
れ下がった位置にある。
［発明が解決しようとする課題］ このように、従来のILB装置によるインナリードのボ
ンディング方法では、第12図に示すように半導体チップ
１の垂れ下がりが生じてしまう。インナリード3dの垂れ
下がり量が大きい場合には、パッケージングのトランス
ファーモルド時において、インナリードの断線や半導体
素子の露出といった不良が発生する。したがって、イン
ナリードのボンディング後の垂れ下がり量を０にするこ
とが望ましい。しかしながら、第10図に示すように、ボ
ンディング前のテープキャリア３はインナリード3dの垂
れ下がりが初期状態から生じている。仮にこのインナリ
ード3dの垂れ下がり量をh1で表す。そして、第11図に示
すボンディング工程時において、インナリードの垂れ下
がりh1を減少させるためには、ステージ４の上昇量を上
げ、半導体素子１の表面高さをインナリード3dの上面よ
り高くするようにしてインナリード3dに逆に上昇量h2を
与えることが考え得る。ところが、このようにしても、
インナリード3dの剛性が大きかったり、あるいはテープ
キャリア３がインナリード3dとともに持ち上がったりし
てインナリード3dの垂れ下がりを矯正し得るような塑性
変形をインナリード3dに与えることができなかった。そ
の結果、第12図に示すようなインナリード3dの垂れ下が
りh3が残存してしまうという問題があった。
ンディング方法では、第12図に示すように半導体チップ
１の垂れ下がりが生じてしまう。インナリード3dの垂れ
下がり量が大きい場合には、パッケージングのトランス
ファーモルド時において、インナリードの断線や半導体
素子の露出といった不良が発生する。したがって、イン
ナリードのボンディング後の垂れ下がり量を０にするこ
とが望ましい。しかしながら、第10図に示すように、ボ
ンディング前のテープキャリア３はインナリード3dの垂
れ下がりが初期状態から生じている。仮にこのインナリ
ード3dの垂れ下がり量をh1で表す。そして、第11図に示
すボンディング工程時において、インナリードの垂れ下
がりh1を減少させるためには、ステージ４の上昇量を上
げ、半導体素子１の表面高さをインナリード3dの上面よ
り高くするようにしてインナリード3dに逆に上昇量h2を
与えることが考え得る。ところが、このようにしても、
インナリード3dの剛性が大きかったり、あるいはテープ
キャリア３がインナリード3dとともに持ち上がったりし
てインナリード3dの垂れ下がりを矯正し得るような塑性
変形をインナリード3dに与えることができなかった。そ
の結果、第12図に示すようなインナリード3dの垂れ下が
りh3が残存してしまうという問題があった。
したがって、この出願は上記のような問題点を解消す
るためになされたもので、インナリードのボンディング
後において残存するインナリードの垂れ下がりを矯正す
ることができる構造を有するインナリードボンディング
装置およびインナリードの垂れ下がりを生じることなく
インナリードのボンディング工程を行なうことができる
半導体装置のリードボンディング方法を提供することを
目的とする。
るためになされたもので、インナリードのボンディング
後において残存するインナリードの垂れ下がりを矯正す
ることができる構造を有するインナリードボンディング
装置およびインナリードの垂れ下がりを生じることなく
インナリードのボンディング工程を行なうことができる
半導体装置のリードボンディング方法を提供することを
目的とする。
［課題を解決するための手段］ 請求項１におけるボンディング装置は、所定の位置に
半導体チップを受け入れるための開口部を有するテープ
基材の表面上に、複数のインナリード部の先端部が開口
部内に突出したリード配線パターンを形成したテープキ
ャリアを送り、上記テープキャリアのインナリード部と
半導体チップのボンディング電極とを接続するためのボ
ンディング装置である。そしてこのボンディング装置
は、矯正ステージとボンディングステージとを備えてい
る。矯正ステージは、開口部内に突出した複数の各イン
ナリード部の先端部の上下方向のずれが許容範囲になる
よう先端部を矯正部材により矯正するものである。ボン
ディングステージは、テープキャリアの送り方向に見て
矯正ステージの後段に配置されており、半導体チップの
ボンディング電極と矯正されたインナリード部の先端部
とをボンディングするものである。
半導体チップを受け入れるための開口部を有するテープ
基材の表面上に、複数のインナリード部の先端部が開口
部内に突出したリード配線パターンを形成したテープキ
ャリアを送り、上記テープキャリアのインナリード部と
半導体チップのボンディング電極とを接続するためのボ
ンディング装置である。そしてこのボンディング装置
は、矯正ステージとボンディングステージとを備えてい
る。矯正ステージは、開口部内に突出した複数の各イン
ナリード部の先端部の上下方向のずれが許容範囲になる
よう先端部を矯正部材により矯正するものである。ボン
ディングステージは、テープキャリアの送り方向に見て
矯正ステージの後段に配置されており、半導体チップの
ボンディング電極と矯正されたインナリード部の先端部
とをボンディングするものである。
請求項２おけるボンディング方法は、所定の位置に半
導体チップを受け入れるための開口部を有するテープ基
材の表面上に、複数のインナリード部の先端部が開口部
内に突出したリード配線パターンを形成したテープキャ
リアを用い、そのテープキャリアのインナリード部と半
導体チップのボンディング電極とを接続する方法であ
り、その方法は以下の工程を備える。
導体チップを受け入れるための開口部を有するテープ基
材の表面上に、複数のインナリード部の先端部が開口部
内に突出したリード配線パターンを形成したテープキャ
リアを用い、そのテープキャリアのインナリード部と半
導体チップのボンディング電極とを接続する方法であ
り、その方法は以下の工程を備える。
（ａ） 開口部内に突出した複数の各インナリード部の
先端部の上下方向のずれが許容範囲になるよう先端部を
矯正部材により矯正する矯正工程。
先端部の上下方向のずれが許容範囲になるよう先端部を
矯正部材により矯正する矯正工程。
（ｂ） その矯正工程の後で半導体チップのボンディン
グ電極と矯正されたインナリード部の先端部とをボンデ
ィングするボンディング工程。
グ電極と矯正されたインナリード部の先端部とをボンデ
ィングするボンディング工程。
請求項３における半導体装置は、上記請求項２のボン
ディング方法によってボンディングされた半導体装置で
ある。
ディング方法によってボンディングされた半導体装置で
ある。
［作用］ 請求項１に係るボンディング装置では、複数の各イン
ナリード部の先端部の上下方向のずれが許容範囲になる
ように矯正ステージによって矯正されるので、インナリ
ード部が垂れ下がりのない形状に矯正される。これによ
り、その矯正された垂れ下がりのないインナリード部と
半導体チップのボンディング電極とがボンディングステ
ージによってボンディングされるので、ボンディング後
のインナリード部の垂れ下がりをなくすことが可能とな
り、これにより、パッケージング工程におけるリードの
断線やモールディング不良による製品歩留りの低下を抑
制することが可能となる。また、矯正ステージの後段に
ボンディングステージが配置されるので、ボンディング
を行なう前にインナリード部の矯正を行なうことが可能
となり、ボンディング後にインナリード部の矯正を行な
う場合に比べてボンディング部に応力がかかりにくいと
いう作用が得られる。
ナリード部の先端部の上下方向のずれが許容範囲になる
ように矯正ステージによって矯正されるので、インナリ
ード部が垂れ下がりのない形状に矯正される。これによ
り、その矯正された垂れ下がりのないインナリード部と
半導体チップのボンディング電極とがボンディングステ
ージによってボンディングされるので、ボンディング後
のインナリード部の垂れ下がりをなくすことが可能とな
り、これにより、パッケージング工程におけるリードの
断線やモールディング不良による製品歩留りの低下を抑
制することが可能となる。また、矯正ステージの後段に
ボンディングステージが配置されるので、ボンディング
を行なう前にインナリード部の矯正を行なうことが可能
となり、ボンディング後にインナリード部の矯正を行な
う場合に比べてボンディング部に応力がかかりにくいと
いう作用が得られる。
請求項２に係るボンディング方法では、インナリード
部の先端部の上下方向のずれが許容範囲になるようイン
ナリード部の先端部が矯正部材によって矯正されるの
で、パッケージング工程におけるリードの断線やモール
ディング不良による製品歩留りの低下を抑制し得る方法
が得られる。また、ボンディング前に矯正が行なわれる
ので、ボンディング部に応力がかかりにくい。
部の先端部の上下方向のずれが許容範囲になるようイン
ナリード部の先端部が矯正部材によって矯正されるの
で、パッケージング工程におけるリードの断線やモール
ディング不良による製品歩留りの低下を抑制し得る方法
が得られる。また、ボンディング前に矯正が行なわれる
ので、ボンディング部に応力がかかりにくい。
請求項３に記載の発明では、請求項２の方法によって
ボンディングが行なわれるのでパッケージング工程にお
けるリードの断線やモールディング不良による製品歩留
りの低下を抑制し得るとともにボンディング部に応力が
かかりにくい半導体装置が得られる。
ボンディングが行なわれるのでパッケージング工程にお
けるリードの断線やモールディング不良による製品歩留
りの低下を抑制し得るとともにボンディング部に応力が
かかりにくい半導体装置が得られる。
［実施例］ 以下、この発明の一実施例を図を用いて説明する。
第１図は、この発明の実施例によるILB装置の正面構
造模式図である。このILB装置はインナリードの矯正加
工を行なうリードフォーミングユニットとボンディング
加工を行なうボンディング加工部とを有している。テー
プキャリア３はテープフィードガイド17、18、９、10に
よってリードフォーミングユニットからボンディング部
にわたって連続的に送り出される。
造模式図である。このILB装置はインナリードの矯正加
工を行なうリードフォーミングユニットとボンディング
加工を行なうボンディング加工部とを有している。テー
プキャリア３はテープフィードガイド17、18、９、10に
よってリードフォーミングユニットからボンディング部
にわたって連続的に送り出される。
リードフォーミングユニット11はテープキャリア３の
下面側に下押え14、サポートテープ押え15およびフォー
ミングブロック16を有している。また、テープキャリア
３の上面側には上押え12が形成されている。さらに、上
押え12の下面側には位置決めピン13が設けられている。
下面側に下押え14、サポートテープ押え15およびフォー
ミングブロック16を有している。また、テープキャリア
３の上面側には上押え12が形成されている。さらに、上
押え12の下面側には位置決めピン13が設けられている。
ボンディング部は第９図に示される従来のILB装置の
部分と同様であるのでここではその説明を省略する。
部分と同様であるのでここではその説明を省略する。
次に、第１図に示すILB装置のリードフォーミング工
程におけるリードフォーミングユニット11の動作につい
て説明する。なお、ボンディング工程については従来の
方法と同一であり、ここでの説明を省略する。
程におけるリードフォーミングユニット11の動作につい
て説明する。なお、ボンディング工程については従来の
方法と同一であり、ここでの説明を省略する。
リードフォーミングユニット11は、ILB装置内におい
てボンディング位置の前部に置かれ、このリードフォー
ミングユニット11によって矯正されたテープキャリア３
が搬送され、ボンディング部に移された時点でインナリ
ード3dと半導体チップの突起電極２とが接続される。ま
た、ボンディングが行われるときに、別のテープキャリ
ア３がリードフォーミングユニット11でインナリードが
矯正加工される。
てボンディング位置の前部に置かれ、このリードフォー
ミングユニット11によって矯正されたテープキャリア３
が搬送され、ボンディング部に移された時点でインナリ
ード3dと半導体チップの突起電極２とが接続される。ま
た、ボンディングが行われるときに、別のテープキャリ
ア３がリードフォーミングユニット11でインナリードが
矯正加工される。
第2A図ないし第4A図および第2B図ないし第4B図はリー
ドフォーミング工程の工程断面図である。そして、第2A
図〜第4A図は正面図を示し、第2B図〜第4B図は側面図を
示している。
ドフォーミング工程の工程断面図である。そして、第2A
図〜第4A図は正面図を示し、第2B図〜第4B図は側面図を
示している。
まず、第2A図および第2B図を参照して、テープキャリ
ア３が搬送され、リードフォーミングユニット11内の所
定の位置で停止する。
ア３が搬送され、リードフォーミングユニット11内の所
定の位置で停止する。
次に、第3A図および第3B図を参照して、上押え12が下
降し、テープキャリア３を下押え14と上押え12とで挟み
固定する。このとき、テープキャリア３の位置決めは、
位置決めピン13がテープキャリア３のスプロケットホー
ル3gの中に入り、さらに位置決めピン13が下押え14の位
置決め孔14a内に入ることにより行なわれる。
降し、テープキャリア３を下押え14と上押え12とで挟み
固定する。このとき、テープキャリア３の位置決めは、
位置決めピン13がテープキャリア３のスプロケットホー
ル3gの中に入り、さらに位置決めピン13が下押え14の位
置決め孔14a内に入ることにより行なわれる。
さらに、第4A図および第4B図を参照して、下押え14内
に設けられたサポートテープ押え15が上昇し、上押え12
とサポートテープ押え15とでサポートテープ部を固定す
る。その後、フォーミングブロック16が上昇し、上押え
12とフォーミングブロック16との間にインナリード3dを
挟み加圧する。この加圧動作によって、インナリード3d
は平坦な形状に矯正され、垂れ下がりが修正される。こ
の加圧工程において、インナリード3dを圧壊しないよう
に、フォーミングブロック16の下部にはばね機構が設け
られ、そのばねの強さによってインナリードの加圧力が
適宜設定される。
に設けられたサポートテープ押え15が上昇し、上押え12
とサポートテープ押え15とでサポートテープ部を固定す
る。その後、フォーミングブロック16が上昇し、上押え
12とフォーミングブロック16との間にインナリード3dを
挟み加圧する。この加圧動作によって、インナリード3d
は平坦な形状に矯正され、垂れ下がりが修正される。こ
の加圧工程において、インナリード3dを圧壊しないよう
に、フォーミングブロック16の下部にはばね機構が設け
られ、そのばねの強さによってインナリードの加圧力が
適宜設定される。
リードフォーミング後、フォーミングブロック16、サ
ポートテープ押え15が下降し、さらに上押え12が上昇
し、リードフォーミング工程が終了する。その後、テー
プキャリア３が１デバイス分だけ搬送されて次のリード
フォーミング工程が行なわれる。
ポートテープ押え15が下降し、さらに上押え12が上昇
し、リードフォーミング工程が終了する。その後、テー
プキャリア３が１デバイス分だけ搬送されて次のリード
フォーミング工程が行なわれる。
第５図はリードフォーミング工程後のテープキャリア
３の断面構造図である。従来、第10図に示すインナリー
ドの垂れ下がり量h1は70μｍ程度生じていた。ところ
が、リードフォーミングユニット11によるリードフォー
ミング工程を行なった場合では、第５図に示すインナリ
ードの垂れ下がり量h4は±10μｍ以内に抑制することが
できた。なお、垂れ下がり量の符号＋は配線パターン3c
より上方に変形した場合を示し、符号−は下方に垂れ下
がった場合を示している。また、第６図は、ボンディン
グ後のテープキャリア３の断面構造図である。第11図に
示した従来のボンディング工程後のテープキャリアにお
いては、リードの垂れ下がり量h3が40μｍ程度生じてい
た。しかし、この発明によればボンディング後のリード
の垂れ下がり量h5は±10μｍ以内に制御することができ
た。
３の断面構造図である。従来、第10図に示すインナリー
ドの垂れ下がり量h1は70μｍ程度生じていた。ところ
が、リードフォーミングユニット11によるリードフォー
ミング工程を行なった場合では、第５図に示すインナリ
ードの垂れ下がり量h4は±10μｍ以内に抑制することが
できた。なお、垂れ下がり量の符号＋は配線パターン3c
より上方に変形した場合を示し、符号−は下方に垂れ下
がった場合を示している。また、第６図は、ボンディン
グ後のテープキャリア３の断面構造図である。第11図に
示した従来のボンディング工程後のテープキャリアにお
いては、リードの垂れ下がり量h3が40μｍ程度生じてい
た。しかし、この発明によればボンディング後のリード
の垂れ下がり量h5は±10μｍ以内に制御することができ
た。
このように、リードフォーミングユニット11を設け、
ボンディング前のテープキャリアのインナリードの垂れ
下がりを矯正することによって、従来問題となっていた
トランスファモールド時のインナリードの断線や半導体
素子の露出といった製品不良の発生を防止することがで
きた。また、パッケージングにおいて半導体チップ１が
封止樹脂内に均等に覆われることにより、半導体装置の
信頼性が数倍向上した。
ボンディング前のテープキャリアのインナリードの垂れ
下がりを矯正することによって、従来問題となっていた
トランスファモールド時のインナリードの断線や半導体
素子の露出といった製品不良の発生を防止することがで
きた。また、パッケージングにおいて半導体チップ１が
封止樹脂内に均等に覆われることにより、半導体装置の
信頼性が数倍向上した。
第7A図は、この発明の第２の実施例によるILB装置の
リードフォーミングユニット11の断面構造図であり、第
7B図は、このリードフォーミングユニットにより矯正さ
れたインナリード3dの形状を示す断面図である。第２の
実施例においては、リードフォーミングユニット11の上
押え12の加圧面に凹部12aを形成している。また、フォ
ーミングブロック16の加圧面はこの上押え12の形状に沿
う表面形状に構成されている。このような加圧体でイン
ナリード3dを加圧矯正すると、第7B図に示すようにくの
字型に折り曲げたインナリード3dに成形することができ
る。このような形状は、インナリードのフォーミング後
のスプリングバックの影響や、さらに後工程における熱
や外力によってインナリード3dにかかる応力を緩和する
ことができる。特に、この形状においては逆ベンドを施
しており、ボンディング後の垂れ下がりを微小に押える
ことができる。また、インナリード部3dの弾性を高め、
外力などによる応力を緩和することができる。なお、こ
の例においても、第１の実施例と同様にインナリードの
断線やトランスファモールド工程における歩留りを向上
することができる。
リードフォーミングユニット11の断面構造図であり、第
7B図は、このリードフォーミングユニットにより矯正さ
れたインナリード3dの形状を示す断面図である。第２の
実施例においては、リードフォーミングユニット11の上
押え12の加圧面に凹部12aを形成している。また、フォ
ーミングブロック16の加圧面はこの上押え12の形状に沿
う表面形状に構成されている。このような加圧体でイン
ナリード3dを加圧矯正すると、第7B図に示すようにくの
字型に折り曲げたインナリード3dに成形することができ
る。このような形状は、インナリードのフォーミング後
のスプリングバックの影響や、さらに後工程における熱
や外力によってインナリード3dにかかる応力を緩和する
ことができる。特に、この形状においては逆ベンドを施
しており、ボンディング後の垂れ下がりを微小に押える
ことができる。また、インナリード部3dの弾性を高め、
外力などによる応力を緩和することができる。なお、こ
の例においても、第１の実施例と同様にインナリードの
断線やトランスファモールド工程における歩留りを向上
することができる。
［発明の効果］ 以上のように、請求項１に記載のボンディング装置で
は、インナリード部の先端部の上下方向のずれが許容範
囲になるように先端部を矯正部材により矯正する矯正ス
テージを設けることによって、インナリード部の垂れ下
がりを抑制することができ、パッケージング工程におけ
るリードの断線やモールディング不良による製品歩留り
の低下を抑制することができる。また、インナリード部
の先端部と半導体チップのボンディング電極とをボンデ
ィングするボンディングステージを矯正ステージの後段
に配置することによって、ボンディング前にインナリー
ド部の矯正を行なうことができ、ボンディング後に矯正
を行なう場合に比べてボンディング部に応力がかかりに
くいという効果を得ることができる。
は、インナリード部の先端部の上下方向のずれが許容範
囲になるように先端部を矯正部材により矯正する矯正ス
テージを設けることによって、インナリード部の垂れ下
がりを抑制することができ、パッケージング工程におけ
るリードの断線やモールディング不良による製品歩留り
の低下を抑制することができる。また、インナリード部
の先端部と半導体チップのボンディング電極とをボンデ
ィングするボンディングステージを矯正ステージの後段
に配置することによって、ボンディング前にインナリー
ド部の矯正を行なうことができ、ボンディング後に矯正
を行なう場合に比べてボンディング部に応力がかかりに
くいという効果を得ることができる。
請求項２に記載のボンディング方法によれば、インナ
リード部の先端部の上下方向のずれを許容範囲になるよ
う矯正するとともに、矯正工程をボンディング工程の前
に行なうことによって、パッケージング工程におけるリ
ードの断線やモールディング不良による製品の歩留りの
低下を抑制することができるとともにインナリード部に
応力がかかりにくい構造を容易に製造することができ
る。
リード部の先端部の上下方向のずれを許容範囲になるよ
う矯正するとともに、矯正工程をボンディング工程の前
に行なうことによって、パッケージング工程におけるリ
ードの断線やモールディング不良による製品の歩留りの
低下を抑制することができるとともにインナリード部に
応力がかかりにくい構造を容易に製造することができ
る。
請求項３に記載の半導体装置によれば、請求項２のボ
ンディング方法によりボンディングを行なうことによっ
て、パッケージング工程におけるリードの断線やモール
ディング不良による製品歩留りの低下を抑制することが
でき、かつインナリード部に応力がかからない構造を有
する半導体装置を得ることができる。
ンディング方法によりボンディングを行なうことによっ
て、パッケージング工程におけるリードの断線やモール
ディング不良による製品歩留りの低下を抑制することが
でき、かつインナリード部に応力がかからない構造を有
する半導体装置を得ることができる。
第１図は、この発明の第１の実施例によるインナリード
ボンディング装置の正面構造模式図である。第2A図、第
2B図、第3A図、第3B図、第4A図および第4B図は、第１図
に示すILB装置によるリードフォーミング工程の加工工
程図であり、第2A図、第3A図および第4A図は、各々正面
図を示し、第2B図、第3B図および第4B図は側面図を示し
ている。第５図は、リードフォーミング工程後のテープ
キャリアの断面構造図であり、第６図は、ボンディング
工程終了後のテープキャリアおよび半導体チップの断面
構造図である。第7A図は、この発明の第２の実施例によ
るILB装置のリードフォーミングユニット11の要部断面
構造図であり、第7B図は、第7A図の装置によって成形さ
れたテープキャリアの断面構造図である。 第８図は、従来のテープキャリアの平面構造図である。
第９図は、従来のILB装置の断面構造図である。第10図
および第11図は、第９図に示す従来のILB装置によるボ
ンディング工程の工程断面図である。第12図は、従来の
ILB装置によりボンディングされたテープキャリアの断
面構造図である。 図において、１は半導体チップ、２は半導体チップの突
起電極（ボンディングパッド）、３はテープキャリア、
3aはテープキャリアのテープ基材、3cは配線パターン、
3dはインナリード、3fはデバイスホール、５はボンディ
ングツール、11はリードフォーミングユニット、12は上
押え、14は下押え、15はサポートテープ押え、16はフォ
ーミングブロックを示している。 なお、図中、同一符号は同一または相当部分を示す。
ボンディング装置の正面構造模式図である。第2A図、第
2B図、第3A図、第3B図、第4A図および第4B図は、第１図
に示すILB装置によるリードフォーミング工程の加工工
程図であり、第2A図、第3A図および第4A図は、各々正面
図を示し、第2B図、第3B図および第4B図は側面図を示し
ている。第５図は、リードフォーミング工程後のテープ
キャリアの断面構造図であり、第６図は、ボンディング
工程終了後のテープキャリアおよび半導体チップの断面
構造図である。第7A図は、この発明の第２の実施例によ
るILB装置のリードフォーミングユニット11の要部断面
構造図であり、第7B図は、第7A図の装置によって成形さ
れたテープキャリアの断面構造図である。 第８図は、従来のテープキャリアの平面構造図である。
第９図は、従来のILB装置の断面構造図である。第10図
および第11図は、第９図に示す従来のILB装置によるボ
ンディング工程の工程断面図である。第12図は、従来の
ILB装置によりボンディングされたテープキャリアの断
面構造図である。 図において、１は半導体チップ、２は半導体チップの突
起電極（ボンディングパッド）、３はテープキャリア、
3aはテープキャリアのテープ基材、3cは配線パターン、
3dはインナリード、3fはデバイスホール、５はボンディ
ングツール、11はリードフォーミングユニット、12は上
押え、14は下押え、15はサポートテープ押え、16はフォ
ーミングブロックを示している。 なお、図中、同一符号は同一または相当部分を示す。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 立川 透 兵庫県伊丹市瑞原４丁目１番地 三菱電 機株式会社北伊丹製作所内 (56)参考文献 実開 昭58−127645（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/603
Claims (3)
- 【請求項１】所定の位置に半導体チップを受け入れるた
めの開口部を有するテープ基材の表面上に、複数のイン
ナリード部の先端部が前記開口部内に突出したリード配
線パターンを形成したテープキャリアを送り、前記テー
プキャリアのインナリード部と前記半導体チップのボン
ディング電極とを接続するためのボンディング装置であ
って、 前記開口部内に突出した前記複数の各インナリード部の
先端部の上下方向のずれが許容範囲になるよう前記先端
部を矯正部材により矯正する矯正ステージと、 前記テープキャリアの送り方向に見て前記矯正ステージ
の後段に配置され、前記半導体チップのボンディング電
極と前記矯正された前記インナリード部の先端部とをボ
ンディングするボンディングステージとを備えた、ボン
ディング装置。 - 【請求項２】所定の位置に半導体チップを受け入れるた
めの開口部を有するテープ基材の表面上に、複数のイン
ナリード部の先端部が前記開口部内に突出したリード配
線パターンを形成したテープキャリアを用い、前記テー
プキャリアのインナリード部と前記半導体チップのボン
ディング電極とを接続する方法であって、 前記開口部内に突出した前記複数の各インナリード部の
先端部の上下方向のずれが許容範囲になるよう前記先端
部を矯正部材により矯正する矯正工程と、 前記矯正工程の後で前記半導体チップのボンディング電
極と前記矯正されたインナリード部の先端部とをボンデ
ィングするボンディング工程とを備えた、ボンディング
方法。 - 【請求項３】請求項２のボンディング方法によってボン
ディングされた半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2227361A JP2818970B2 (ja) | 1990-08-28 | 1990-08-28 | ボンディング装置およびボンディング方法ならびに半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2227361A JP2818970B2 (ja) | 1990-08-28 | 1990-08-28 | ボンディング装置およびボンディング方法ならびに半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04107942A JPH04107942A (ja) | 1992-04-09 |
| JP2818970B2 true JP2818970B2 (ja) | 1998-10-30 |
Family
ID=16859596
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2227361A Expired - Fee Related JP2818970B2 (ja) | 1990-08-28 | 1990-08-28 | ボンディング装置およびボンディング方法ならびに半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2818970B2 (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58127645U (ja) * | 1982-02-19 | 1983-08-30 | 日本電気株式会社 | フイルムキヤリアボンデイング装置 |
-
1990
- 1990-08-28 JP JP2227361A patent/JP2818970B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04107942A (ja) | 1992-04-09 |
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