JPH1116942A - 半導体装置，その製造に用いられるチップ搭載テープキャリア，アウターリードボンディング方法ならびにアウターリードボンダ - Google Patents

半導体装置，その製造に用いられるチップ搭載テープキャリア，アウターリードボンディング方法ならびにアウターリードボンダ

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JPH1116942A
JPH1116942A JP9167267A JP16726797A JPH1116942A JP H1116942 A JPH1116942 A JP H1116942A JP 9167267 A JP9167267 A JP 9167267A JP 16726797 A JP16726797 A JP 16726797A JP H1116942 A JPH1116942 A JP H1116942A
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Kazuhiro Terada
和弘 寺田
Kunihiro Tsubosaki
邦宏 坪崎
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 ＴＡＢリードと金属板リードの接続強度向
上，接続の信頼性の向上。 【解決手段】 パッケージと、前記パッケージの内外に
亘って延在しかつ金属板リードフレームから形成された
複数の金属板リードと、前記パッケージ内に位置する絶
縁性フィルムからなるテープ部と、前記パッケージ内に
位置する半導体チップと、前記テープ部の表面に形成さ
れ内端は前記半導体チップの電極に接続され外端は前記
パッケージ内に延在する前記金属板リード端に熱圧着に
よって接続される複数のＴＡＢリードとを有する半導体
装置であって、前記ＴＡＢリードの外端の押し潰し部分
はＴＡＢリードの外端に向かって徐々に薄くなってい
る。ＴＡＢリード接続用のヒートツールの圧着部分の先
端面（圧着面）は傾斜面になっている。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置およびそ
の製造技術に関し、特に、絶縁性フィルムの表面に貼り
付けた金属箔をエッチングしてリードを形成したテープ
キャリヤ（Tape Carrier）を使用して半導体装置を製造
するＴＣＰ（Tape Carrier Package）技術と、金属板を
パターニングしたリードフレームを用いて製造する樹脂
封止型半導体装置およびその製造技術に適用して有効な
技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の製造技術の一つとして、金
属板をパターニングしたリードフレームを用いて樹脂封
止型の半導体装置を製造する技術が知られている。
【０００３】リードフレームを使用した半導体装置の製
造プロセスについては、日経ＢＰ社発行「ＶＬＳＩパッ
ケージング技術（上）」1993年５月15日発行、P130〜P1
35に記載されている。この文献には、リードフレームの
一部に半導体チップを取り付けた後、前記半導体チップ
の電極とリードの内端部分を導電性のワイヤで接続し、
その後前記半導体チップ, ワイヤ, リード内端部分をモ
ールドによって樹脂からなるパッケージ（封止体）で被
い、ついで不要リードフレーム部分を切断除去するとと
もに、前記パッケージから突出するリードを成形して半
導体装置を製造する技術が開示されている。
【０００４】一方、他の半導体装置の製造方法として、
絶縁性フィルムからなるテープに複数のリードを形成し
たテープキャリアを使用してＴＣＰ型半導体装置を製造
する技術が知られている。ＴＣＰ型半導体装置の製造技
術は、その組み立て手段からＴＡＢ（Tape Automated B
onding）技術とも呼称されている。
【０００５】なお、本明細書においては説明の便宜上、
リードフレームのリードを金属板リードと呼称し、テー
プキャリアのリードをＴＡＢリードと呼称する。
【０００６】ＴＣＰ技術については、日経ＢＰ社発行
「ＶＬＳＩパッケージング技術（下）」1993年５月15日
発行、Ｐ74〜Ｐ101 に記載されている。
【０００７】他方、テープキャリアに半導体チップを搭
載したチップ搭載テープキャリアから半導体チップやＴ
ＡＢリード等からなるモジュール部分を切り離し、その
後、前記モジュールをリードフレームに搭載する技術が
知られている。前記モジュールの搭載にあっては、ＴＡ
Ｂリードの外端をリードフレームの金属板リードの内端
部分に熱圧着して接続することによってモジュールの搭
載を行う。
【０００８】この製造方法によれば、モジュール搭載後
は確立されたリードフレームを用いた樹脂封止型半導体
装置の製造技術によって半導体装置を製造することがで
きる。
【０００９】このようにして製造された半導体装置につ
いては、たとえば、1994年 ＩＥＥＥ ＥＣＴＣ 「296 L
ead Fine Pitch (0.4mm) Thin Plastic QFP Package wi
thTAB Interconnect」 p50 〜p56 に記載されている。
【００１０】なお、ＴＡＢリードの外端を金属板リード
等の他の電極端子に接続するアウターリードボンダとし
ては、たとえば、工業調査会発行「電子材料」1989年７
月号、同年７月１日発行、Ｐ48〜Ｐ49に記載されてい
る。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】本出願人においてもチ
ップ搭載テープキャリアからＴＡＢワーク部分を切り離
し、その後リードフレームにＴＡＢワーク部を搭載する
方法を使用して半導体装置を製造している。
【００１２】この場合、リードフレームのリード（金属
板リード）内端にＴＡＢワーク部のＴＡＢリード外端を
熱圧着して接続した際、以下のような問題が発生するこ
とが本発明者によってあきらかにされた。
【００１３】図１７は本出願人によるＴＡＢワーク部の
搭載状態を示す一部の拡大断面図である。同図に示すよ
うに、リードフレーム１０にＴＡＢワーク部１２を搭載
する際は、ヒートステージ３０上にリードフレーム１０
を載置し、その後前記リードフレーム１０上にＴＡＢワ
ーク部１２を位置決めして重ね合わせる。
【００１４】前記リードフレーム１０は半導体チップ６
を載置するダイパッド４やＴＡＢリード２０を接続する
金属板リード３を有している。また、この例では、前記
ダイパッド４は金属板リード３よりも一段低くなってい
る。このため、ダイパッド４や金属板リード３を支持す
るヒートステージ３０の支持面も一部では低くなってい
る。
【００１５】ＴＡＢワーク部１２は、絶縁性フィルムか
らなり中央に矩形の孔（デバイスホール）２３を有する
矩形枠状のテープ部２１と、前記テープ部２１の一面に
接着剤２２を介して張り合わされ一端（内端）を前記デ
バイスホール２３内にわずかに突出させるとともに他端
（外端）を前記テープ部２１の外周から長く突出させる
複数のリード（ＴＡＢリード）２０と、前記ＴＡＢリー
ド２０の内端に電極７を介して接続される半導体チップ
６とからなっている。
【００１６】ＴＡＢワーク部１２は、テープキャリアに
半導体チップを搭載したチップ搭載テープキャリアから
金属板リード３部分を切断することによって形成され
る。
【００１７】前記ヒートステージ３０の上方には、ヒー
トツール３１が位置し、接続時には降下する。ヒートツ
ール３１は、先端（下端）が矩形筒状になり、下面の細
い圧着端面３２で各ＴＡＢリード２０の外端を押し下げ
て金属板リード３の内端部分に圧着させるようになって
いる。図示はしないが前記金属板リード３の接続側表面
には銀メッキ等が施されている。
【００１８】また、前記ヒートツール３１の中心部分に
は、吸着ノズル３３が設けられている。前記吸着ノズル
３３はダイパッド４および半導体チップ６上のＴＡＢリ
ード２０部分を押し下げるようになっている。
【００１９】また、前記ダイパッド４の上面の一部には
前記半導体チップ６を固着するための接着剤５が設けら
れている。この接着剤５は銀ペーストで形成されてい
る。接着剤５はボンディング後のベーク炉によるバッチ
処理で加熱し、その硬化によって半導体チップ６をダイ
パッド４に固定するようになる。
【００２０】図１８にも示すように、金属板リード３は
ヒートツール３１に押し下げられてＴＡＢリード２０に
接続される。従来のヒートツール３１の圧着端面３２
は、ＴＡＢリード２０や金属板リード３の表面に平行に
なる平坦面になっていることから、ヒートツール３１に
よる押し潰し部分２５と押し潰されない部分との境に大
きな段差が発生するとともに、前記段差部分には割れ
（クラック）３５が入りやすくなる。クラック３５の発
生は接続の信頼性を低めることになる。また、クラック
が大きければ接続部分で破断が発生してＴＡＢリード２
０は金属板リード３から剥がれてしまい接続不良を起こ
してしまう。
【００２１】一方、ＴＡＢワーク部１２の供給状態が悪
いと、リードフレーム１０上のＴＡＢワーク部１２の重
ね合わせ位置がずれ、ＴＡＢリード２０を金属板リード
３に確実に接続できなくなる。ＴＡＢワーク部はダイパ
ッド４からＴＡＢリード２０の外端側が突出する構造に
なっていることから、ＴＡＢワーク部の取扱い時、ＴＡ
Ｂリード２０の外端側が変形し易い。変形したＴＡＢリ
ード２０は正確に金属板リード３に接続し難くなる。
【００２２】また、ＴＡＢワーク部のＴＡＢリード２０
の外端と金属板リード３の内端との位置関係を認識する
認識装置の精度を向上させるために、位置認識点の増加
を図ると、生産性（スループット）が低くなり半導体装
置の製造コストが高くなる。
【００２３】他方、チップ搭載テープキャリアからＴＡ
Ｂワーク部を切り離した後、ＴＡＢワーク部をリードフ
レーム上に載置しかつヒートツールでＴＡＢリードと金
属板リードの接続を行う方法では、ヒートツール以外に
ＴＡＢワーク部切り離し用の切断金型が必要になる。ま
た、ヒートツールおよび切断金型は品種毎に準備しなけ
ればならず、設備費用が嵩み半導体装置の製造コストが
高くなる。
【００２４】本発明の目的は、ＴＡＢリードと金属板リ
ードとの接続強度が強く接続の信頼性が高い半導体装置
を提供することにある。
【００２５】本発明の他の目的は、ＴＡＢリードと金属
板リードとの接続強度を高くできるアウターリードボン
ディング方法およびアウターリードボンダを提供するこ
とにある。
【００２６】本発明の他の目的は、チップ搭載テープキ
ャリアからＴＡＢワーク部を切り離すとともにＴＡＢワ
ーク部のＴＡＢリードを金属板リードに接続できるアウ
ターリードボンディング方法およびアウターリードボン
ダを提供することにある。
【００２７】本発明の他の目的は、製造コストの低減が
達成できるアウターリードボンディング方法およびアウ
ターリードボンダを提供することにある。
【００２８】本発明の他の目的は、半導体装置の製造が
容易になるチップ搭載テープキャリアを提供することに
ある。
【００２９】本発明の前記ならびにそのほかの目的と新
規な特徴は、本明細書の記述および添付図面からあきら
かになるであろう。
【００３０】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。
【００３１】（１）パッケージと、前記パッケージの内
外に亘って延在しかつ金属板リードフレームから形成さ
れた複数の金属板リードと、前記パッケージ内に位置す
る絶縁性フィルムからなるテープ部と、前記パッケージ
内に位置する半導体チップと、前記テープ部の表面に形
成され内端は前記半導体チップの電極に接続され外端は
前記パッケージ内に延在する前記金属板リード端に熱圧
着によって接続される複数のＴＡＢリードとを有する半
導体装置であって、前記ＴＡＢリードの外端の押し潰し
部分はＴＡＢリードの外端に向かって徐々に薄くなって
いる。前記ＴＡＢリードは前記絶縁性フィルムの表面に
形成された金属箔や金属膜をエッチングして形成したも
のである。前記テープ部にはデバイスホールが設けられ
て前記ＴＡＢリードの内端は前記デバイスホール内に突
出し、前記ＴＡＢリードの外端部分は前記テープ部から
突出して突出部分が前記金属板リードに接続されてい
る。前記パッケージ内において前記半導体チップは前記
リードフレームから形成されたダイパッドに接着剤を介
して固定されている。
【００３２】このような半導体装置は以下のアウターリ
ードボンディング方法によって製造される。
【００３３】絶縁性フィルムからなるテープと、前記テ
ープの表面に形成され内端は半導体チップの電極に接続
される端子になり外端は外部端子になるように構成され
た複数のＴＡＢリードと、前記ＴＡＢリードの内端に電
極を介して接続された半導体チップを有するチップ搭載
テープキャリアから、前記ＴＡＢリードを切断してＴＡ
Ｂワーク部を形成する切り離し工程と、前記ＴＡＢワー
ク部のＴＡＢリードの外端部分を他の電極端子に重ねる
重ね合わせ工程と、アウターリードボンダのヒートツー
ルで前記ＴＡＢリードの外端を熱圧着してＴＡＢリード
を他の電極端子、たとえば金属板リードに接続する接続
工程を有するアウターリードボンディング方法であっ
て、前記ヒートツールで前記チップ搭載テープキャリア
のＴＡＢリードの他端側を他の電極端子、たとえば金属
板リードに接続するとともに前記ＴＡＢリードの所定部
分を切断して前記ＴＡＢリードを前記金属板リードに接
続する。前記ヒートツールによる前記ＴＡＢリード外端
の熱圧着はＴＡＢリードの延在方向に沿って圧着量が変
化する傾斜型圧着方法で行い、前記ＴＡＢリードの外端
に向かうに従って圧着量が増大するように圧着する。
【００３４】アウターリードボンディングは以下の構成
によるアウターリードボンダで行われる。
【００３５】絶縁性フィルムからなるテープと、前記テ
ープの表面に形成され内端は半導体チップの電極に接続
される端子になり外端は外部端子になるように構成され
た複数のＴＡＢリードと、前記ＴＡＢリードの内端に電
極を介して接続された半導体チップを有するチップ搭載
テープキャリアから、前記ＴＡＢリードを切断してＴＡ
Ｂワーク部を切り離すとともに前記ＴＡＢリードの外端
部分をヒートツールで熱圧着して他の電極端子、たとえ
ば金属板リードに接続するアウターリードボンダであっ
て、前記ヒートツールの圧着端面は前記ＴＡＢリードの
外端に向かうに従って徐々に突出する傾斜型圧着面を有
している。前記ヒートツールの傾斜型圧着面の最先端が
切断刃になり、前記ＴＡＢリードの接続と切断が行える
構造になっている。前記ヒートツールの傾斜型圧着面は
傾斜面または曲面もしくは傾斜面と曲面からなる複合面
になっている。
【００３６】アウターリードボンダでは以下のチップ搭
載テープキャリアが使用される。
【００３７】絶縁性フィルムからなるテープと、前記テ
ープの一部で形成されるテープ部と、前記テープ部の表
面に形成され内端は半導体チップの電極に接続される端
子になり外端は外部端子になるように構成された複数の
ＴＡＢリードと、前記ＴＡＢリードの内端に電極を介し
て接続される半導体チップとを有するチップ搭載テープ
キャリアであって、前記テープ部は外周全体が前記テー
プから分離され前記ＴＡＢリードによって前記テープに
吊られている。前記ＴＡＢリードの外端の押し潰し部分
はＴＡＢリードの外端に向かって徐々に薄くなってい
る。前記テープ部にはデバイスホールが設けられて前記
ＴＡＢリードの内端は前記デバイスホール内に突出して
いる。
【００３８】前記（１）の手段によれば、（ａ）半導体
装置において、金属板リードに熱圧着接続されたＴＡＢ
リードの押し潰し部分はＴＡＢリードの外端に向かって
徐々に薄くなる構造になり、押し潰し部分の途中に段差
が生じない構造になっていることから、従来のように押
し潰し部分に割れが発生することもなく、金属板リード
とＴＡＢリードの接続の信頼性が高くなる。
【００３９】（ｂ）半導体装置において、ＴＡＢリード
の押し潰し部分に割れが発生しなくなることから、押し
潰し部分でＴＡＢリードが破断しかつＴＡＢリードが金
属板リードから離脱することもなくなり、金属板リード
とＴＡＢリードの接続不良が発生しなくなる。
【００４０】（ｃ）半導体装置の製造におけるアウター
リードボンディング方法において、ヒートツールでチッ
プ搭載テープキャリアのＴＡＢリードの所定部分を金属
板リードに接続するとともにＴＡＢリードの押し潰し部
分端を切断することから、従来のようなチップ搭載テー
プキャリアからのＴＡＢワーク部の切り離し，ＴＡＢリ
ードの接続の２工程に比較して工程数が減少し、ＴＡＢ
ワーク部の搭載作業時間の短縮が図れ、半導体装置の製
造コストの低減が図れる。
【００４１】（ｄ）半導体装置の製造におけるアウター
リードボンディング方法において、ヒートツールはＴＡ
Ｂリードの接続と切断を行うため、従来のような切断金
型が不要になり、設備費用の低減が可能になり、半導体
装置の製造コストの低減が図れる。
【００４２】（ｅ）半導体装置の製造におけるアウター
リードボンディング方法において、チップ搭載テープキ
ャリア状態でＴＡＢリードの接続を行い、かつＴＡＢリ
ードを切断するため、従来のようにチップ搭載テープキ
ャリアからのＴＡＢワーク部を切り離し、その後ＴＡＢ
ワーク部を取り扱うことがないことから、ＴＡＢリード
が変形する機会がなく高精度のＴＡＢリード接続が達成
できる。また、接続の歩留りも向上し、半導体装置の製
造コストの低減が図れる。
【００４３】（ｆ）半導体装置の製造におけるアウター
リードボンディング方法において、チップ搭載テープキ
ャリアをリードフレームに重ね合わせた状態でＴＡＢリ
ードの接続を行い、かつＴＡＢリードを切断するため、
チップ搭載テープキャリアの供給状態の設定を行えば、
以後はリードフレームに対してチップ搭載テープキャリ
アのＴＡＢワーク部分の位置関係は常に高精度に維持で
きるため、ＴＡＢリードと金属板リードの接続が再現性
良く高精度に行え、歩留りの向上が図れる。
【００４４】（ｇ）アウターリードボンダにおいては、
ヒートツールでチップ搭載テープキャリアのＴＡＢリー
ドの所定部分を金属板リードに接続するとともにＴＡＢ
リードの押し潰し部分端を切断することから、ＴＡＢリ
ードの変形が発生しなくなり、高精度の接続が可能にな
るとともに歩留りも向上するため、半導体装置の製造コ
ストの低減が図れる。
【００４５】（ｈ）アウターリードボンダにおいては、
チップ搭載テープキャリアをリードフレームに重ね合わ
せた状態でＴＡＢリードの接続を行い、かつＴＡＢリー
ドを切断するため、チップ搭載テープキャリアの供給状
態の設定を一度行えば、以後はリードフレームに対して
チップ搭載テープキャリアのＴＡＢワーク部分の位置関
係は常に高精度に維持できるため、ＴＡＢリードと金属
板リードの接続が再現性良く高精度に行え、歩留りの向
上が図れる。したがって、半導体装置の製造コストの低
減が図れる。
【００４６】（ｉ）チップ搭載テープキャリアにおいて
は、金属板リードに熱圧着接続されたＴＡＢリードの押
し潰し部分はＴＡＢリードの外端に向かって徐々に薄く
なる構造になり、押し潰し部分の途中に段差が生じない
構造になっていることから、従来のように押し潰し部分
に割れが発生することもなく、金属板リードとＴＡＢリ
ードの接続の信頼性が高くなる。
【００４７】（ｊ）チップ搭載テープキャリアにおいて
は、ＴＡＢリードの押し潰し部分に割れが発生しなくな
ることから、押し潰し部分でＴＡＢリードが破断しかつ
ＴＡＢリードが金属板リードから離脱することもなくな
り、金属板リードとＴＡＢリードの接続不良が発生しな
くなる。
【００４８】（ｋ）チップ搭載テープキャリアにおいて
は、テープ部は外周全体がテープから分離されＴＡＢリ
ードによって前記テープに吊られている構造になってい
ることから、前記ＴＡＢリードを切断することによって
簡単にＴＡＢワーク部の切り離しが可能になり、ヒート
ツールでの金属板リードへのＴＡＢリードの接続とＴＡ
Ｂリードの切断が容易になる。
【００４９】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を詳細に説明する。なお、発明の実施の形態を
説明するための全図において、同一機能を有するものは
同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
【００５０】（実施形態１）図１乃至図１０は本発明の
実施形態１である半導体装置およびその製造技術に係わ
る図であり、図１は半導体装置の製造におけるＴＡＢリ
ードとリードの接続状態を示す断面図、図２は半導体装
置の断面図である。
【００５１】本実施形態１では、チップ搭載テープキャ
リアとリードフレームを使用して半導体装置を製造する
技術に本発明を適用した例について説明する。説明の便
宜上前記リードフレームのリードを金属板リード、前記
チップ搭載テープキャリアのリードをＴＡＢリードとも
呼称する。
【００５２】本実施形態１の半導体装置１は、図２に示
すように、偏平矩形状の樹脂（レジン）からなるパッケ
ージ２の４辺からリード（金属板リード）３をガルウィ
ング型に突出させた構造になっている。
【００５３】前記パッケージ２の内部には前記リードフ
レームから形成されるダイパッド４が位置するととも
に、このダイパッド４の上面には銀ペーストからなる接
着剤５を介して半導体チップ６が固定されている。
【００５４】前記パッケージ２の中央中段部分には絶縁
性フィルムからなるテープ部２１が位置している。前記
テープ部２１は、その中央に前記半導体チップ６よりも
わずかに大きい孔（デバイスホール）２３が設けられ、
矩形枠状になっている。また、前記テープ部２１の上面
には複数のＴＡＢリード２０が接着剤２２を介して張り
合わされている。
【００５５】前記ＴＡＢリード２０は、その一端（内
端）を前記デバイスホール２３内にわずかに突出させる
とともに、他端（外端）を前記テープ部２１の外周から
長く突出させている。ＴＡＢリード２０の内端は半導体
チップ６の上面の電極７に接続されている。また、前記
ＴＡＢリード２０の外端は金属板リード３の内端に接続
されている。
【００５６】ＴＡＢリード２０の外端は後述するヒート
ツールによる熱圧着によって金属板リード３に接続され
ている。図５に示すように、ＴＡＢリードの押し潰し部
分２５は熱圧着によってその厚さがＴＡＢリード２０の
外端方向に沿って薄くなり、前記ヒートツールが接触し
たヒートツール接触面（圧着力付加面）２４は傾斜面に
なっている。
【００５７】金属板リード３とＴＡＢリード２０の圧着
部分２６は、前記圧着力付加面２４とは反対の面でかつ
前記圧着力付加面２４に略対応する面部分になる（図５
では圧着部分２６に×印を施してある）。
【００５８】本実施形態１の半導体装置１では、ＴＡＢ
リード２０と金属板リード３の接続部分において、ＴＡ
Ｂリード２０の内端側に向かうにつれて押し潰し部分２
５の厚さが徐々に厚くなり、従来のように厚さが極端に
変化する部分（段差）がないことから応力集中が起き
ず、接続部分のＴＡＢリード２０に割れ（クラック）が
発生したり、ＴＡＢリード２０が破断したりすることが
なくなる。したがって、半導体装置１における金属板リ
ード３とＴＡＢリード２０の接続強度の向上が図れると
ともに、接続の信頼性が高くなる。
【００５９】つぎに、本実施形態１の半導体装置１の製
造について説明する。この製造においてアウターリード
ボンディング方法，アウターリードボンダおよびチップ
搭載テープキャリアについても説明する。
【００６０】半導体装置１の製造においては、図６に示
すようなリードフレーム１０が用意されるとともに、図
８に示すようなチップ搭載テープキャリア１１が用意さ
れる。
【００６１】リードフレーム１０は、０．１５ｍｍ程度
の厚さの銅板，銅合金板等をエッチングまたは精密プレ
スによってパターニングすることによって形成される。
本実施形態１で使用するリードフレーム１５は、単位リ
ードパターンを１列に複数配置した短冊体となってい
る。図６では単位リードフレーム部分を示す。
【００６２】リードフレーム１０は、矩形状の枠１３
（同図では枠は一部のみ示してある）からなるととも
に、その枠の内側から枠中央に向かって複数のリード
（金属板リード）３を平行に延在させる形状になってい
る。また、前記枠の４辺から延在する各金属板リード３
は矩形状に配置される細いダム１４に支持されている。
このダム１４は各金属板リード３を支持する強度部材と
なるとともに、後工程のトランスファモールド時に溶け
た樹脂の流出を阻止するダムとなる。
【００６３】枠１３の４辺内縁から延在する各金属板リ
ード３は、ダム１４を越えたダム１４の近傍までは相互
に平行に延在しているが、その先は前記ダイパッド４の
周縁に並んで対峙するようにその多くは途中部分で屈曲
している。
【００６４】前記ダム１４近傍から外端側の相互に平行
に延在する部分は、パッケージから突出するアウターリ
ードとなり、その内側はパッケージ内に位置するインナ
ーリードとなる。インナーリードの幅は、たとえば１５
０μｍになっている。
【００６５】また、前記枠１３の中心部分には矩形のダ
イパッド４が設けられている。このダイパッド４は四角
形枠状のダム１４の４隅から枠１３の中央に向かって延
在する吊りリード１５に支持されている。前記ダイパッ
ド４の上面の一部には前記半導体チップ６を固着するた
めの接着剤５が設けられている。この接着剤５はたとえ
ば、銀ペーストで形成されている。
【００６６】また、リードフレーム１０の枠１３の両側
部分に沿って、図示はしないがガイド孔等が設けられて
いる。このガイド孔等は、リードフレーム１０の移送や
位置決め等のガイドとして利用される。
【００６７】また、前記リードフレーム１０は必要に応
じて所望個所にメッキが施されている。たとえば、ＴＡ
Ｂリード２０が接続されるリードフレーム１０の内端の
表面には、厚さ５μｍ程度の銀メッキ膜が形成されてい
る。
【００６８】チップ搭載テープキャリア１１は、図７に
示されるようなテープキャリア１６を用いて製造され
る。
【００６９】テープキャリア１６は、一定幅の可撓性の
絶縁性フィルムからなるテープ１７の表面に単位リード
パターン１８をテープ１７の長手方向に繰り返し形成し
た構造になっている。図７では単位リードパターン１８
部分のみを示してある。
【００７０】リードパターン１８はテープ１７に接着剤
２２（図２参照）を介して貼り付けられた金属箔をエッ
チングすることによって形成される。前記テープ１７
は、たとえば厚さ７５μｍの厚さのポリイミド樹脂から
なり、前記金属箔は、たとえば、厚さ２５μｍの銅箔か
らなっている。したがって、リードパターン１８のリー
ド（ＴＡＢリード）２０はその厚さが２５μｍになって
いる。
【００７１】テープ１７の両側には、テープキャリア１
６を移動操作するために使用されるスプロケット孔１９
が一定間隔に設けられている。
【００７２】リードパターン１８が形成される領域にお
いて、その中央には矩形の穴（デバイスホール）２３が
設けられている。このデバイスホール２３は半導体チッ
プの大きさよりも１乃至数ｍｍ程度大きな穴となり、半
導体チップが配置される領域になっている。
【００７３】リードパターン１８を形成する各ＴＡＢリ
ード２０は、前記デバイスホール２３の４辺部分からそ
れぞれ外方向に延在している。すなわち、前記デバイス
ホール２３に臨む一端（内端）はデバイスホール２３内
にわずかに突出し、かつ一定ピッチで並んでいる。これ
らＴＡＢリード２０の内端には、後工程で半導体チップ
の電極が接続される。
【００７４】デバイスホール２３の各辺部分から延在す
る各ＴＡＢリード２０は途中から相互に隣接間隔を広く
するように延在し、デバイスホール２３から一定距離離
れた部分で再び相互に平行に延在するようになってい
る。したがって、このＴＡＢリード２０の外端側の平行
部分のピッチは内端側のピッチに比較して大きくなって
いる。そして、このＴＡＢリード２０の外端側が他の電
極端子に接続される外部端子部分になる。前記外部端子
部分の幅は、たとえば５０μｍになっている。
【００７５】一方、前記デバイスホール２の各辺の外側
には、前記各ＴＡＢリード２０の外端側平行延在部分を
横切るように長孔からなるアウターリードホール２７が
設けられている。
【００７６】隣接するアウターリードホール２７間の絶
縁性フィルム部分は幅が狭く、前記デバイスホール２３
と前記アウターリードホール２７との間の矩形枠部分２
１ａを支持する吊り部２８になる。絶縁性フィルム吊り
部２８を横切るように切断すれば、前記矩形枠部分２１
ａはＴＡＢリード２０を支持するテープ部２１になる。
【００７７】また、本実施形態１では、デバイスホール
２３とアウターリードホール２７との間の矩形枠部分２
１ａにも長孔２９が設けられている。
【００７８】このようなテープキャリア１６に対して、
図８に示すように、半導体チップ６をフェイスダウンボ
ンディングによって固定する（図２参照）。半導体チッ
プ６はその電極７に前記ＴＡＢリード２０の内端が固定
され、ＴＡＢリード２０に支持される。
【００７９】また、本実施形態１ではその後の組み立て
を考慮して、ＴＡＢテープメーカにて前記吊り部２８を
切断除去する。これによって、図８に示すようなチップ
搭載テープキャリア１１を製造することができる。この
チップ搭載テープキャリア１１では、前記テープ部２１
はＴＡＢリード２０によってのみ支持されることにな
り、ＴＡＢリード２０によってテープ１７に連なる。
【００８０】したがって、各アウターリードホール２７
部分でＴＡＢリード２０の外端部分を切断すれば、テー
プ部２１と、前記テープ部２１に支持されたＴＡＢリー
ド２０と、前記ＴＡＢリード２０に接続された半導体チ
ップ６とからなるＴＡＢワーク部１２を形成することが
できる。
【００８１】前記リードフレーム１０およびチップ搭載
テープキャリア１１を用意した後、本実施形態１では、
図１０に示すようなアウターリードボンダ４０を用い
て、前記チップ搭載テープキャリア１１からＴＡＢワー
ク部１２を切り離すと同時にリードフレーム１０にＴＡ
Ｂワーク部１２を搭載する。
【００８２】アウターリードボンダ４０は、図１０に示
すように、装置本体４１の上部に前記リードフレーム１
０を支持する細長のガイドテーブル４２が配置された構
造になっている。前記ガイドテーブル４２の左端側には
前記ガイドテーブル４２にリードフレーム１０を供給す
るローダ４３が配設され、右端側には前記ガイドテーブ
ル４２上のリードフレーム１０を回収するアンローダ４
４が配設されている。
【００８３】また、図示はしないが、前記ガイドテーブ
ル４２の上部から側部にかけて、前記リードフレーム１
０を搬送する搬送機構や位置決め機構が配設されてい
る。搬送機構によって前記リードフレーム１０はガイド
テーブル４２に沿って移動する。
【００８４】また、前記ガイドテーブル４２の上方には
チップ搭載テープキャリア１１の供給機構４５が配設さ
れている。供給機構４５はチップ搭載テープキャリア１
１の解き出し部、ＴＡＢワーク部の切り離しが終了して
不要になったテープ部分（不要テープ部４６）を巻き取
る巻き取り部を有している。
【００８５】解き出し部には解き出し軸４７が設けら
れ、この解き出し軸４７にはチップ搭載テープキャリア
１１を巻き付けたリール４８が取り付けられる。また、
不要テープ部４６を巻き取る巻き取り部は、巻き取り軸
４９を有している。巻き取り軸４９には巻き取りリール
５０が取り付けられる。
【００８６】前記解き出し軸４７はローダ４３側に配置
され、前記巻き取り軸４９はアンローダ４４側に配置さ
れている。前記ローダ４３とアンローダ４４との間には
ボンディングステーションが設けられ、このボンディン
グステーションにボンディング機構５１が配置されてい
る。ボンディングステーション部分のガイドテーブル４
２には、図示しないヒータが組み込まれ、リードフレー
ム１０を加熱するようになっている。
【００８７】また、解き出し部から解き出されたチップ
搭載テープキャリア１１を、前記ボンディングステーシ
ョン部分でガイドテーブル４２上のリードフレーム１０
に近接させかつ平行に延在させるため、前記チップ搭載
テープキャリア１１の移動域には回転自在のガイドロー
ラ５２，５３が配設されている。このガイドローラ５
２，５３は、図示はしないがチップ搭載テープキャリア
１１のスプロケット孔１９に噛み合う歯が設けられ、高
精度な搬送が可能になる。
【００８８】前記巻き取り軸４９は、図示しないモータ
によって回転制御され、ボンディングステーションにお
いて、図９に示すようにリードフレーム１０のリードパ
ターンとチップ搭載テープキャリア１１のリードパター
ンが一致して重なるように制御される。
【００８９】ガイドテーブル４２上のリードフレーム１
０に対して、リール４８から解き出されるチップ搭載テ
ープキャリア１１のＴＡＢワーク部分を一度位置決めし
ておけば、チップ搭載テープキャリア１１のスプロケッ
ト孔１９に噛み合うガイドローラ５２，５３の作用によ
ってチップ搭載テープキャリア１１は高精度な搬送が行
える。したがって、順次ボンディングステーションに移
動してくるＴＡＢワーク部分は、ボンディングステーシ
ョンに位置するリードフレーム１０に対して高精度に位
置合わせされることになる。この結果、図９および図４
に示すように、幅１５０μｍの金属板リード３の内端部
分に、幅５０μｍのＴＡＢリード２０の外端部分がそれ
ぞれの中心線を合わせるように重なる。
【００９０】前記ボンディング機構５１には昇降制御さ
れるボンディングヘッド５４が設けられている。このボ
ンディングヘッド５４には、下方に向かって延在するヒ
ートツール３１が設けられている。
【００９１】前記ヒートツール３１は、図９に示すよう
に先端（下端）部分が矩形筒状の圧着部５５を構成し、
ボンディングヘッド５４の降下によって金属板リード３
の内端部分に重なるＴＡＢリード２０の外端部分を熱圧
着してＴＡＢリード２０を金属板リード３に圧着させ
る。
【００９２】図１，図３，図５に示すように、前記圧着
部５５の先端面は内側が高く、外側が低くなる傾斜面に
なり、傾斜型圧着面５６を構成している。また、先端、
すなわち外周端は鋭利な切断刃５７になっている。
【００９３】前記圧着部５５の幅は、特に限定はされな
いが、３００μｍ程度になっている。
【００９４】また、前記ヒートツール３１の中心部分に
は、チップ固定用押付体３３が設けられている。前記チ
ップ固定用押付体３３はダイパッド４および半導体チッ
プ６上のＴＡＢリード２０部分を押し下げるようになっ
ている。
【００９５】また、前記ヒートツール３１は、圧着部５
５を所定温度に加熱して熱圧着が行えるようになってい
る。
【００９６】このようなアウターリードボンダ４０にお
いては、リール４８から順次チップ搭載テープキャリア
１１が解き出される。ボンディングステーションのリー
ドフレーム１０のリードパターンに対してチップ搭載テ
ープキャリア１１のＴＡＢワーク部分が位置決めされる
（図９参照）と、前記ヒートツール３１がボンディング
ヘッド５４の降下に伴って降下し（図３参照）、ヒート
ツール３１の圧着部５５でＴＡＢリード２０の外端部分
を押し潰す（図１参照）。圧着部５５の先端は傾斜型圧
着面５６になっていることから、ＴＡＢリード２０は押
し潰されて金属板リード３に圧着させられる。また、ヒ
ートツール３１の降下が進むと、圧着部５５の外周縁は
突出した切断刃５７になっていることからＴＡＢリード
２０は切断される。
【００９７】したがって、本実施形態１のアウターリー
ドボンダ４０では、チップ搭載テープキャリア１１から
のＴＡＢワーク部１２の切り離しは、ＴＡＢリード２０
の金属板リード３への接続に続いて行われることにな
る。
【００９８】また、図５に示すように、圧着部５５の先
端面は傾斜型圧着面５６になっていることから、金属板
リード３に接続されたＴＡＢリード２０の外端の押し潰
し部分２５は、その厚さがＴＡＢリード２０の外端に向
かうに従って徐々に薄くなる構造となるため、応力集中
が働いて割れ（クラック）が発生するようなこともな
く、接続の信頼性が低下したり、ＴＡＢリード２０が金
属板リード３から剥離することも起きなくなる。
【００９９】なお、表面に銀メッキを施した銅の金属板
リード３と、銅箔から形成されたＴＡＢリード２０の接
続は、たとえば５５０℃の温度で、かつ３０ｋｇ／ｍｍ
2 の加圧力の熱圧着によって行う。
【０１００】また、吸着ノズル３３は半導体チップ６を
押し下げることから、半導体チップ６の下面はリードフ
レーム１０のダイパッド４の接着剤５に押し付けられ
る。
【０１０１】つぎに、ＴＡＢワーク部１２を搭載したリ
ードフレーム１０は、常用のトランスファモールド装置
によってモールドされる。すなわち、トランスファモー
ルドについては記載しないが、トランスファモールド装
置のモールド金型にＴＡＢワーク部１２が搭載されたリ
ードフレーム１０を型締めした後、モールドを行い、図
２に示すように、金属板リード３の内端側、すなわちＴ
ＡＢワーク部１２およびダイパッド４等を絶縁性樹脂か
らなるパッケージ２で被う。
【０１０２】つぎに、不要なリードフレーム部分を切断
除去した後、金属板リード３の外端側を切断し、かつ金
属板リード３をガルウィング型に成形することによっ
て、図２に示すような半導体装置１を製造する。
【０１０３】本実施形態１の半導体装置およびその製造
技術によれば以下の効果を奏する。
【０１０４】（１）半導体装置１において、金属板リー
ド３に熱圧着されたＴＡＢリード２０の押し潰し部分２
５は、ＴＡＢリード２０の外端に向かって徐々に薄くな
る構造になり、押し潰し部分２５の途中に段差が生じな
い構造になっていることから、熱圧着時に応力集中が働
かず従来のように押し潰し部分に割れが発生することも
なくなり、金属板リード３とＴＡＢリード２０の接続強
度が高くなり接続の信頼性が高くなる。
【０１０５】（２）半導体装置１において、金属板リー
ド３の押し潰し部分２５に割れが発生しなくなることか
ら、押し潰し部分２５でＴＡＢリード２０が破断しかつ
ＴＡＢリード２０が金属板リード３から離脱することも
なくなり、金属板リード３とＴＡＢリード２０の接続不
良が発生しなくなる。
【０１０６】（３）半導体装置の製造におけるアウター
リードボンディング方法において、ヒートツール３１で
チップ搭載テープキャリア１１のＴＡＢリード２０の外
端部分を金属板リード３に接続するとともに、接続端で
ＴＡＢリード２０を切断することから、ＴＡＢワーク部
の切り離しとリード相互の接続が一工程で行え、従来の
ようなチップ搭載テープキャリアからのＴＡＢワーク部
の切り離し，ＴＡＢリードの接続の２工程に比較して工
程数が減少する。この結果、ＴＡＢワーク部の搭載作業
時間の短縮が図れ、半導体装置の製造コストの低減が図
れる。
【０１０７】（４）半導体装置の製造におけるアウター
リードボンディング方法において、ヒートツール３１で
リード接続とＴＡＢリード２０の切断を行うため、従来
のように独立した切断金型が不要になり、設備費用の低
減が可能になる。これにより半導体装置の製造コストの
低減が図れる。
【０１０８】（５）半導体装置の製造におけるアウター
リードボンディング方法において、チップ搭載テープキ
ャリア状態でＴＡＢリード２０の接続を行い、かつＴＡ
Ｂリード２０を切断するため、従来のようにチップ搭載
テープキャリアからのＴＡＢワーク部を切り離し、その
後ＴＡＢワーク部を取り扱うことがないことから、ＴＡ
Ｂリードが変形する機会がなく高精度のＴＡＢリード接
続が達成できる。また、接続の歩留りも向上し、半導体
装置の製造コストの低減が図れる。
【０１０９】（６）半導体装置の製造におけるアウター
リードボンディング方法において、チップ搭載テープキ
ャリア１１をリードフレーム１０に重ね合わせた状態で
ＴＡＢリード２０の接続を行い、かつＴＡＢリード２０
を切断するため、チップ搭載テープキャリア１１の供給
状態の設定を行えば、以後はリードフレーム１０に対し
てチップ搭載テープキャリア１１のＴＡＢワーク部分の
位置関係は常に高精度に維持できるため、ＴＡＢリード
２０と金属板リード３の接続が再現性良く高精度に行え
る。したがって、リード接続強度向上，リード接続の信
頼性向上，リード接続歩留りの向上が図れる。
【０１１０】（７）アウターリードボンダにおいては、
ヒートツール３１でチップ搭載テープキャリア１１のＴ
ＡＢリード２０の外端部分を金属板リード３に接続する
とともに、ＴＡＢリード２０の押し潰し部分２５端を切
断することから、ＴＡＢリード２０の変形が発生しなく
なり、高精度の接続が可能になるとともに歩留りも向上
するため、半導体装置の製造コストの低減が図れる。
【０１１１】（８）アウターリードボンダにおいては、
チップ搭載テープキャリア１１をリードフレーム１０に
重ね合わせた状態でＴＡＢリード２０の接続を行い、か
つＴＡＢリード２０を切断するため、チップ搭載テープ
キャリア１１の供給状態の設定を一度行えば、以後はリ
ードフレーム１０に対してチップ搭載テープキャリア１
１のＴＡＢワーク部分の位置関係は常に高精度に維持で
きるため、ＴＡＢリード２０と金属板リード３の接続が
再現性良く高精度に行え歩留りの向上が図れる。したが
って、半導体装置の製造コストの低減が図れる。
【０１１２】（９）チップ搭載テープキャリアにおいて
は、金属板リードに熱圧着接続されたＴＡＢリードの押
し潰し部分はＴＡＢリードの外端に向かって徐々に薄く
なる構造になり、押し潰し部分の途中に段差が生じない
構造になっていることから、従来のように押し潰し部分
に割れが発生することもなく、金属板リードとＴＡＢリ
ードの接続の信頼性が高くなる。
【０１１３】（１０）チップ搭載テープキャリア１１に
おいては、テープ部２１は外周全体がテープ１７から分
離されＴＡＢリード２０によって前記テープ１７に吊ら
れている構造になっているため、切り離しを必要とする
ＴＡＢワーク部分の切り離しとリード接続は単一材料の
加工処理になるため加工が容易になる。特に、ヒートツ
ール３１は５５０℃程度の高い温度になるが、融点の低
い樹脂に接触しないため汚れたりしなくなる実益があ
る。
【０１１４】（１１）前記（１）乃至（１０）により、
本実施形態１によれば、ＴＡＢリード２０と金属板リー
ド３の接続の信頼性の高い半導体装置１を安価に提供す
ることができる。
【０１１５】（実施形態２）図１１乃至図１３は本発明
の実施形態２の半導体装置に係わる図であり、図１１は
半導体装置の断面図、図１２は半導体装置の製造におけ
る金属板リードとＴＡＢリードの接続状態を示す断面
図、図１３は半導体装置の製造におけるアウターリード
ボンダのヒートツールを示す一部拡大図である。
【０１１６】本実施形態２の半導体装置１は、図１１お
よび図１２に示すように、ＴＡＢリード２０の外端より
もわずか内側の部分をヒートツール３１の圧着部５５で
圧着したものである。すなわち、本実施形態２ではチッ
プ搭載テープキャリア１１の状態でＴＡＢリード２０を
アウターリードホール２７部分で切断することによって
ＴＡＢワーク部１２を形成し、その後前記ＴＡＢワーク
部１２をリードフレーム１０に位置合わせして重ね、つ
いでヒートツール３１でＴＡＢリード２０の外端部分と
金属板リード３の内端部分を圧着接続させるものであ
る。
【０１１７】また、本実施形態２では、ＴＡＢリード２
０の外端部分が圧着によって破断しないように、図１３
に示すように、ヒートツール３１の圧着部５５の先端面
（下面）は傾斜面６０と平坦面６１とで構成されてい
る。前記平坦面６１ではＴＡＢリード２０をステージ部
の平坦度のバラツキによりワーストケースでは完全に押
し潰した形で圧着される。しかし、前記傾斜面６０では
ＴＡＢリード２０の押し潰し量が徐々に変化するように
圧着が行われる。したがって、前記傾斜面６０によって
傾斜押し潰し部分６２が形成され、平坦面６１によって
平坦押し潰し部分６３が形成される。また、前記傾斜押
し潰し部分６２は前記平坦押し潰し部分６３よりもＴＡ
Ｂリード２０の内端側に位置している。
【０１１８】本実施形態２では、前記実施形態１の場合
と同様に金属板リード３に対するＴＡＢリード２０の接
続強度の向上、接続の信頼性の向上が達成できるＴＡＢ
ワーク部１２状態での搭載例になる。
【０１１９】（実施形態３）本実施形態３はＴＡＢリー
ド２０を半径方向に延在させるとともに、金属板リード
３もダム１４部分以内の領域において一度の屈曲形態と
させて半径方向に延在させ、ＴＡＢリード２０との接続
を可能にした例である。
【０１２０】図１４は本発明の実施形態３の半導体装置
の製造においてＴＡＢワーク部を搭載したリードフレー
ムを示す平面図である。
【０１２１】本実施形態３の例では、ＴＡＢリード２０
および金属板リード３の屈曲回数が、前記実施形態１の
場合の最大２回に比較して最大一回になるリードパター
ンになっていることから、ＴＡＢリード２０および金属
板リード３によって形成される電流経路の距離が短くな
り、リードインダクタンスの低減が可能になるととも
に、半導体装置（ＩＣ）の高速化も可能になる。
【０１２２】（実施形態４）本実施形態４は前記実施形
態３の半導体装置１において、さらに電流経路を短縮さ
せるべく、金属板リード３を全て半径方向に沿うように
放射状に配置させ、各金属板リード３が全て直線になる
ようにしたものである。
【０１２３】図１５は本発明の実施形態４の半導体装置
を示す一部を切り欠いた平面図、図１６は本実施形態４
の半導体装置の製造においてＴＡＢワーク部が搭載され
たリードフレームを示す平面図である。
【０１２４】これらの図から分かるように、金属板リー
ド３はパッケージ２の中心から放射状に延在するように
配置されている。
【０１２５】したがって、本実施形態４では、さらに電
流経路の距離化が図れ、リードインダクタンスの低減が
さらに可能になり、半導体装置（ＩＣ）の高速化が可能
になる。
【０１２６】以上本発明者によってなされた発明を実施
形態に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施形
態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範
囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【０１２７】前記実施形態では、ヒートツール３１の圧
着面を傾斜面としたが、ＴＡＢリード２０の押し潰し部
分２５に段差を発生させないような曲面であってもよ
い。また、前記傾斜面はＴＡＢリード２０の押し潰し部
分２５に割れや破断を発生るような段差を発生させない
ならば多段の面であってもよい。
【０１２８】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。
【０１２９】（１）半導体装置において、金属板リード
に熱圧着されたＴＡＢリードの押し潰し部分は、その厚
さが徐々に緩やかに変化する構造になり、従来のように
段差が付くような構造になっていないことから、押し潰
し部分に熱圧着時の応力集中による割れや破断が発生し
なくなり、金属板リードとＴＡＢリードの接続強度が高
くなり接続の信頼性が高くなるとともに、金属板リード
とＴＡＢリードの接続不良が発生しなくなる。
【０１３０】（２）半導体装置の製造におけるアウター
リードボンディング方法において、ヒートツールでチッ
プ搭載テープキャリアのＴＡＢリードの外端部分を金属
板リードに接続するとともに、接続端でＴＡＢリードを
切断することから、ＴＡＢワーク部の切り離しとリード
相互の接続が一工程で行え、従来のようなチップ搭載テ
ープキャリアからのＴＡＢワーク部の切り離し，ＴＡＢ
リードの接続の２工程に比較して工程数が減少する。こ
の結果、ＴＡＢワーク部の搭載作業時間の短縮が図れ、
半導体装置の製造コストの低減が図れる。
【０１３１】（３）半導体装置の製造におけるアウター
リードボンディング方法において、ヒートツールでリー
ド接続とＴＡＢリードの切断を行うため、従来のように
独立した切断金型が不要になり、設備費用の低減が可能
になる。これにより半導体装置の製造コストの低減が図
れる。
【０１３２】（４）半導体装置の製造におけるアウター
リードボンディング方法において、チップ搭載テープキ
ャリア状態でＴＡＢリードの接続を行い、かつＴＡＢリ
ードを切断するため、従来のようにチップ搭載テープキ
ャリアからのＴＡＢワーク部を切り離し、その後ＴＡＢ
ワーク部を取り扱うことがないことから、ＴＡＢリード
が変形する機会がなく高精度のＴＡＢリード接続が達成
できる。また、接続の歩留りも向上し、半導体装置の製
造コストの低減が図れる。
【０１３３】（５）半導体装置の製造におけるアウター
リードボンディング方法において、チップ搭載テープキ
ャリアをリードフレームに重ね合わせた状態でＴＡＢリ
ードの接続を行い、かつＴＡＢリードを切断するため、
チップ搭載テープキャリアの供給状態の設定を行えば、
以後はリードフレームに対してチップ搭載テープキャリ
アのＴＡＢワーク部分の位置関係は常に高精度に維持で
きるため、ＴＡＢリードと金属板リードの接続が再現性
良く高精度に行える。したがって、リード接続強度向
上，リード接続の信頼性向上，リード接続歩留りの向上
が図れる。
【０１３４】（６）アウターリードボンダにおいては、
ヒートツールでチップ搭載テープキャリアのＴＡＢリー
ドの外端部分を金属板リードに接続するとともに、ＴＡ
Ｂリードの押し潰し部分端を切断することから、ＴＡＢ
リードの変形が発生しなくなり、高精度の接続が可能に
なるとともに歩留りも向上するため、半導体装置の製造
コストの低減が図れる。
【０１３５】（７）アウターリードボンダにおいては、
チップ搭載テープキャリアをリードフレームに重ね合わ
せた状態でＴＡＢリードの接続を行い、かつＴＡＢリー
ドを切断するため、チップ搭載テープキャリアの供給状
態の設定を一度行えば、以後はリードフレームに対して
チップ搭載テープキャリアのＴＡＢワーク部分の位置関
係は常に高精度に維持できるため、ＴＡＢリードと金属
板リードの接続が再現性良く高精度に行え歩留りの向上
が図れる。したがって、半導体装置の製造コストの低減
が図れる。
【０１３６】（８）チップ搭載テープキャリアにおいて
は、金属板リードに熱圧着接続されたＴＡＢリードの押
し潰し部分はＴＡＢリードの外端に向かって徐々に薄く
なる構造になり、押し潰し部分の途中に段差が生じない
構造になっていることから、従来のように押し潰し部分
に割れが発生することもなく、金属板リードとＴＡＢリ
ードの接続の信頼性が高くなる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態１である半導体装置の製造に
おけるＴＡＢリードと金属板リードの接続後の状態を示
す断面図である。
【図２】本実施形態１の半導体装置の断面図である。
【図３】本実施形態１の半導体装置の製造におけるＴＡ
Ｂリードと金属板リードの接続前の状態を示す拡大断面
図である。
【図４】本実施形態１の半導体装置の製造においてヒー
トツールで金属板リードにＴＡＢリードを接続する状態
を示す一部の平面図である。
【図５】本実施形態１の半導体装置の製造におけるヒー
トツールによるＴＡＢリードの接続状態を示す一部の拡
大断面図である。
【図６】本実施形態１の半導体装置の製造に用いるリー
ドフレームの平面図である。
【図７】本実施形態１の半導体装置の製造に用いるテー
プキャリヤの平面図である。
【図８】本実施形態１の半導体装置の製造におけるチッ
プ搭載テープキャリアを示す平面図である。
【図９】本実施形態１の半導体装置の製造における金属
板リードとＴＡＢリードの接続状態を示す模式的平面図
である。
【図１０】本発明によるアウターリードボンダの概要を
示す模式的正面図である。
【図１１】本発明の実施形態２である半導体装置の断面
図である。
【図１２】本実施形態２の半導体装置の製造における金
属板リードとＴＡＢリードの接続状態を示す断面図であ
る。
【図１３】本実施形態２の半導体装置の製造におけるア
ウターリードボンダのヒートツールを示す一部拡大図で
ある。
【図１４】本発明の実施形態３の半導体装置の製造にお
いてＴＡＢワーク部を搭載したリードフレームを示す平
面図である。
【図１５】本発明の実施形態４の半導体装置を示す一部
を切り欠いた平面図である。
【図１６】本実施形態４の半導体装置の製造においてＴ
ＡＢワーク部が搭載されたリードフレームを示す平面図
である。
【図１７】本出願人による半導体装置の製造におけるＴ
ＡＢワーク部のＴＡＢリードと金属板リードの接続状態
を示す拡大断面図である。
【図１８】本出願人による半導体装置の製造における金
属板リードとＴＡＢリードの接続においてＴＡＢリード
が破断した状態を示す一部の拡大断面図である。
【符号の説明】
１…半導体装置、２…パッケージ、３…リード（金属板
リード）、４…ダイパッド、５…接着剤、６…半導体チ
ップ、７…電極、１０…リードフレーム、１１…チップ
搭載テープキャリア、１２…ＴＡＢワーク部、１３…
枠、１４…ダム、１５…吊りリード、１６…テープキャ
リア、１７…テープ、１８…リードパターン、１９…ス
プロケット孔、２０…ＴＡＢリード、２１…テープ部、
２２…接着剤、２３…孔（デバイスホール）、２４…圧
着力付加面（ヒートツール接触面）、２５…押し潰し部
分、２６…圧着部分、２７…アウターリードホール、２
８…吊り部、２９…長孔、３０…ヒートステージ、３１
…ヒートツール、３２…圧着端面、３３…吸着ノズル、
３５…割れ（クラック）、４０…アウターリードボン
ダ、４１…装置本体、４２…ガイドテーブル、４３…ロ
ーダ、４４…アンローダ、４５…供給機構、４６…不要
テープ部、４７…解き出し軸、４８…リール、４９…巻
き取り軸、５０…巻き取りリール、５１…ボンディング
機構、５２，５３…ガイドローラ、５４…ボンディング
ヘッド、５５…圧着部、５６…傾斜型圧着面、５７…切
断刃、６０…傾斜面、６１…平坦面、６２…傾斜押し潰
し部分、６３…平坦押し潰し部分。

Claims (12)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 パッケージと、前記パッケージの内外に
    亘って延在しかつ金属板リードフレームから形成された
    複数の金属板リードと、前記パッケージ内に位置する絶
    縁性フィルムからなるテープ部と、前記パッケージ内に
    位置する半導体チップと、前記テープ部の表面に形成さ
    れ内端は前記半導体チップの電極に接続され外端は前記
    パッケージ内に延在する前記金属板リード端に熱圧着に
    よって接続される複数のＴＡＢリードとを有する半導体
    装置であって、前記ＴＡＢリードの外端の押し潰し部分
    はＴＡＢリードの外端に向かって徐々に薄くなっている
    ことを特徴とする半導体装置。
  2. 【請求項２】 前記ＴＡＢリードは前記絶縁性フィルム
    の表面に形成された金属箔や金属膜をエッチングして形
    成したものであることを特徴とする請求項１に記載の半
    導体装置。
  3. 【請求項３】 前記テープ部にはデバイスホールが設け
    られて前記ＴＡＢリードの内端は前記デバイスホール内
    に突出し、前記ＴＡＢリードの外端部分は前記テープ部
    から突出して突出部分が前記金属板リードに接続されて
    いることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の
    半導体装置。
  4. 【請求項４】 前記パッケージ内において前記半導体チ
    ップは前記リードフレームから形成されたダイパッドに
    接着剤を介して固定されていることを特徴とする請求項
    ３に記載の半導体装置。
  5. 【請求項５】 絶縁性フィルムからなるテープと、前記
    テープの一部で形成されるテープ部と、前記テープ部の
    表面に形成され内端は半導体チップの電極に接続される
    端子になり外端は外部端子になるように構成された複数
    のＴＡＢリードと、前記ＴＡＢリードの内端に電極を介
    して接続される半導体チップとを有するチップ搭載テー
    プキャリアであって、前記テープ部は外周全体が前記テ
    ープから分離され前記ＴＡＢリードによって前記テープ
    に吊られていることを特徴とするチップ搭載テープキャ
    リア。
  6. 【請求項６】 前記ＴＡＢリードの外端の押し潰し部分
    はＴＡＢリードの外端に向かって徐々に薄くなっている
    ことを特徴とする請求項５に記載のチップ搭載テープキ
    ャリア。
  7. 【請求項７】 前記テープ部にはデバイスホールが設け
    られて前記ＴＡＢリードの内端は前記デバイスホール内
    に突出していることを特徴とする請求項５または請求項
    ６に記載のチップ搭載テープキャリア。
  8. 【請求項８】 絶縁性フィルムからなるテープと、前記
    テープの表面に形成され内端は半導体チップの電極に接
    続される端子になり外端は外部端子になるように構成さ
    れた複数のＴＡＢリードと、前記ＴＡＢリードの内端に
    電極を介して接続された半導体チップを有するチップ搭
    載テープキャリアから、前記テープ部分およびＴＡＢリ
    ードまたはＴＡＢリードを切断してＴＡＢワーク部を形
    成する切り離し工程と、前記ＴＡＢワーク部のＴＡＢリ
    ードの外端部分を他の電極端子に重ねる重ね合わせ工程
    と、アウターリードボンダのヒートツールで前記ＴＡＢ
    リードの外端側を熱圧着してＴＡＢリードを他の電極端
    子に接続する接続工程を有するアウターリードボンディ
    ング方法であって、前記ヒートツールで前記チップ搭載
    テープキャリアのＴＡＢリードの他端側を他の電極端子
    に接続するとともに前記ＴＡＢリードまたは前記ＴＡＢ
    リードと前記テープの所定部分を切断して前記ＴＡＢリ
    ードを前記金属板リードに接続することを特徴とするア
    ウターリードボンディング方法。
  9. 【請求項９】 前記ヒートツールによる前記ＴＡＢリー
    ド外端の熱圧着はＴＡＢリードの延在方向に沿って圧着
    量が変化する傾斜型圧着方法で行い、前記ＴＡＢリード
    の外端に向かうに従って圧着量が増大するように圧着す
    ることを特徴とする請求項８に記載のアウターリードボ
    ンディング方法。
  10. 【請求項１０】 絶縁性フィルムからなるテープと、前
    記テープの表面に形成され内端は半導体チップの電極に
    接続される端子になり外端は外部端子になるように構成
    された複数のＴＡＢリードと、前記ＴＡＢリードの内端
    に電極を介して接続された半導体チップを有するチップ
    搭載テープキャリアから、前記テープ部分およびＴＡＢ
    リードまたはＴＡＢリードを切断してＴＡＢワーク部を
    切り離すとともに前記ＴＡＢリードの外端部分をヒート
    ツールで熱圧着して他の電極端子に接続するアウターリ
    ードボンダであって、前記ヒートツールの圧着端面は前
    記ＴＡＢリードの外端に向かうに従って徐々に突出する
    傾斜型圧着面を有していることを特徴とするアウターリ
    ードボンダ。
  11. 【請求項１１】 前記ヒートツールの傾斜型圧着面の最
    先端が切断刃になり、前記ＴＡＢリードの接続と切断が
    行える構造になっていることを特徴とする請求項１０に
    記載のアウターリードボンダ。
  12. 【請求項１２】 前記ヒートツールの傾斜型圧着面は傾
    斜面または曲面もしくは傾斜面と曲面からなる複合面に
    なっていることを特徴とする請求項１０乃至請求項１１
    のいずれか１項に記載のアウターリードボンダ。
JP9167267A 1997-06-24 1997-06-24 半導体装置，その製造に用いられるチップ搭載テープキャリア，アウターリードボンディング方法ならびにアウターリードボンダ Pending JPH1116942A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023090165A1 (ja) * 2021-11-17 2023-05-25 株式会社デンソー 半導体モジュール

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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