JPH04162734A - 半導体装置及びその形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体技術に関し、特にＴＡＢ（ＴａｐｅＡ
ｕｔｏｍａｔｅｄ　Ｂｏｎｄｉｎｇ）構造を採用する半
導体装置及びその製造技術を含む半導体技術に適用して
有効な技術に関するものである。

〔従来の技術〕

液晶表示装置の駆動用ＩＣはＴＡＢ構造を採用する。Ｔ
ＡＢ構造を採用する半導体装置は、薄型で大量生産に好
適であり、又安価な半導体装置として広く使用される。

このＴＡＢ構造を採用する半導体装置は絶縁性樹脂フィ
ルム基板（可撓性フィルム基板）に半導体ペレットを搭
載する。絶縁性樹脂フィルム基板は例えばテープ状（長
尺状）のポリイミド系樹脂を所定の長さに切断し形成さ
れる。絶縁性樹脂フィルム基板の表面上には複数本のリ
ードが配置される。

このリードは、絶縁性樹脂フィルム基板の表面上に貼り
付けられたＣｕ箔膜にエツチングを施し、所定の形状に
加工することで形成される。このリードの露出する表面
にはメッキ層が形成され、このメッキ層はボンダビリテ
ィを高める目的で形成される。絶縁性樹脂フィルム基板
のほぼ中央部分にはペレット搭載用開口（デバイス穴）
が構成される。このペレット搭載用開口内にはリードの
インナ一部となる先端側（フィンガーリード）が突出す
る。前記半導体ペレットは前記絶縁性樹脂フィルム基板
のペレット搭載用開口内に配置される。この半導体ペレ
ットの外部端子（ポンディングパッド）は前記リードの
先端部に接続される。半導体ペレットの外部端子、リー
ドの先端部の夫々は突起電極（バンプ電極）を介在させ
て電気的及び機械的に接続される。半導体ペレットの素
子形成面、半導体ペレットの外部端子とリードの先端部
との接続部分等は封止樹脂で被覆される。この封止樹脂
は、例えばボッティング法で滴下塗布され、その後にベ
ーク処理で硬化されるポリイミド系樹脂を使用する。

前述のＴＡＢ構造を採用する半導体装置は下記の製造プ
ロセスに基づき形成される。

まず、ペレット搭載用開口を有するｔｉ＠縁性樹脂フィ
ルム基板の表面に複数本のリードを形成する。

この複数本のリードは、ペレット搭載用開口内に先端側
を突出し、かつ相互に電気的に連結される。

この複数本のリードは、次段工程において、電解メッキ
を行う際に、それぞれのリードに所定電位を供給する目
的で連結される。

次に、前記複数本のリードの露出する表面に、電解メッ
キ法を使用し、メッキ層を形成する。メッキ層は例えば
半田メッキ層を使用する。

次に、前記複数本のリードの先端側の夫々が相互に連結
された領域を打抜き法で打抜き、複数本のリードの夫々
の先端部を相互に分離する。

次に、前記複数本のリードの先端側の表面に、突起電極
を介在し、半導体ペレットの外部端子を電気的に接続す
る。半導体ペレットの外部端子へのリードの接続は、熱
圧着ボンディング法で行われる。

この後、前記半導体ペレットの素子形成面、リードの接
続領域等を封止樹脂で被覆し、ＴＡＢ構造を採用する半
導体装置が完成する。

〔発明が解決しようとする課題〕

前述の液晶表示装置の大画面化、高品質化に伴い、この
液晶表示装置を駆動するＴＡＢ構造を採用する半導体装
置は多端子化される。つまり、ＴＡＢ構造を採用する半
導体装置はリード本数が増加する。このリード本数の増
加はリード幅及びリード間ピッチを縮小する（ファイン
ピッチ化する）ことで対処される。このＴＡＢ構造を採
用する半導体装置は、製造プロセス中例えば電解メッキ
後に行われる前述の打抜き工程、各工程間の搬送時の取
扱い時等にリードの先端部に外部応力が加わる確率が高
い。このため、ＴＡＢ構造を採用する半導体装置は、フ
ァインピッチ化でリード自体の機械的強度が低下する要
因も加わり、リード曲がりが多発する。特に、ペレット
搭載用開口内に突出するリードの先端側は、絶縁性樹脂
フィルム基板の機械的補強がないので、最もリード曲が
りが発生し易い。前述のリード曲がりは、ＴＡＢ構造を
採用する半導体装置が不良品になることを意味し、製造
プロセス上の歩留りを低下する。

本発明の目的は、ＴＡＢ構造を採用する半導体装置にお
いて、リードの機械的強度を向上し、リード曲がりを低
減することが可能な技術を提供することにある。

本発明の他の目的は、ＴＡＢ構造を採用する半導体装置
において、前記目的を達成するための製造プロセスでの
工程数を低減することが可能な技術を提供することにあ
る。

本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述及び添付図面によって明らかになるであろ
う。

〔課題を解決するための手段〕

本願において開示される発明のうち、代表的なものの概
要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。

（１）、！縮性樹脂フィルム基板の一表面に配置された
リードの一表面に突起電極を介在し半導体ペレットの外
部端子を接続するＴＡＢ構造を採用する半導体装置にお
いて、前記リードの前記突起電極が接続される領域の一
表面と対向する裏面側に、光透過性の補強テープを構成
する。

（２）絶縁性樹脂フィルム基板の一表面に配置されたリ
ードの一表面に突起電極を介在し半導体ペレットの外部
端子を接続し、前記半導体ペレットの素子形成面、外部
端子とリードとの接続部分の夫々を樹脂で被覆する、Ｔ
ＡＢ構造を採用する半導体装置において、前記リードの
前記突起電極が接続される領域の一表面と対向する裏面
側に、前記半導体ペレットの平面サイズから前記樹脂の
平面サイズまでの範囲内の平面サイズを有する光透過性
の補強テープを構成し、この強補テープに１つ又は複数
個の貫通口を構成する。

（３）絶縁性樹脂フィルム基板の一表面に、露出した表
面にメッキ層が形成される複数本のリードを配置し、前
記絶縁性樹脂フィルム基板に形成されるペレット搭載用
開口内に、前記複数本のり−Ｈの夫々の一端を延在し、
この複数本のリードの夫々の一端の一表面に、突起電極
を介在し半導体ペレットの外部端子を接続するＴＡＢ構
造を採用する半導体装置の形成方法において、前記絶縁
性樹脂フィルム基板の一表面に、前記ペレット搭載用開
口内で一端側が相互に電気的に接続される複数本のリー
ドを形成する工程と、この複数本のリードの露出する表
面に、電解メッキ法でメッキ層を形成する工程と、この
複数本のリードの突起電極が接続される領域の一表面と
対向する裏面側に、補強テープを形成する工程と、前記
複数本のリードの夫々の一端側の相互に接続される領域
を打抜き法で打抜き、複数本のリードの夫々の一端側を
相互に分離する工程とを備える。

〔作　　用〕

上述した手段（１）によれば、前記ＴＡＢ構造を採用す
る半導体装置のリードの半導体ペレットとの接続部分（
先端部）の機械的強度を補強用テープで向上できるので
、製造プロセス時、取扱い等で発生するリードの曲がり
を防止できると共に、前記リードに突起電極を介在して
半導体ペレットの外部端子を接続する際、レーザ光、マ
イクロ波等を使用し、補強用テープ自体を直接加熱しな
いでリードと突起電極との接続部分を加熱できるので、
前記接続部分を確実にボンディングでき、かつ補強用テ
ープの損傷を防止できる。

上述した手段（２）によれば、前記手段（１）の効果の
他に、前記樹脂の補強テープの上側、下側の夫々を前記
貫通口を通して相互に機械的に連結できるので、前記樹
脂の上側、下側の夫々の剥離を防止し、樹脂の封止能力
を向上できる。特に、ボッティング法で滴下塗布される
樹脂の補強テープの上側から下側への流れを良好にでき
る。

上述した手段（３）によれば、前記ＴＡＢ構造を採用す
る半導体装置の形成方法において、前記複数本のリード
の夫々の一端側を相互に接続した機械的な強度が確保さ
れた状態で、複数本のリードの裏面側に補強テープを形
成したので、この補強テープの形成工程でのリードの一
端側の曲がりを防止でき、この後、前記複数本のリード
の夫々の一端側が補強テープで機械的強度を確保した状
態で、複数本のリードを相互に分離する打抜き工程を施
したので、この打抜き工程でのリードの一端側の曲がり
を防止できる。しかも、複数本のリードの一端側を相互
に接続し機械的強度を確保する構造は、複数本のリード
の表面にメッキ層を形成する際の構造として形成され、
前記補強テープを形成する際にこの構造を利用したので
、この構造を形成する工程に相当する分、半導体装置の
製造プロセスの工程数を低減できる。

以下、本発明の構成について、ＴＡＢ構造を採用する半
導体装置に本発明を適用した実施例とともに説明する。

なお、実施例を説明するための全図において、同一機能
を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は
省略する。

〔発明の実施例〕

（実施例Ｉ） 本発明の実施例ＩであるＴＡＢ構造を採用する半導体装
置の概略構成を第１図（平面図）及び第２図（第１図の
■−■切断線で切った断面図）で示す。

第１図及び第２図に示すように、ＴＡＢ構造を採用する
半導体装置１は絶縁性樹脂フィルム基板（可撓性フィル
ム基板）２に半導体ペレット４を搭載する。

前記絶縁性樹脂フィルム基板２は例えばテープ状（長尺
状）のポリイミド系樹脂膜を所定の長さに切断して形成
される。ポリイミド系樹脂膜は例えば７０〜８０［μｍ
］程度の厚さで形成される。また、絶縁性樹脂フィルム
基板２としては前記ポリイミド系樹脂膜以外にポリアミ
ド樹脂膜、ポリエステル樹脂膜、ポリエステルサルホン
樹脂膜、ポリエステルケトン樹脂膜等の所謂有機膜或は
これらの複合膜で形成してもよい。

絶縁性樹脂フィルム基板２の表面（第１図では上側表面
）には複数本のリード３が配置される。

リード３は図示しない接着層を介在させて絶縁性樹脂フ
ィルム基板２の表面に固着される。接着層としては例え
ばエポキシ系樹脂を使用する。

前記リード３は例えばＣｕ箔膜を主体に構成され、この
Ｃｕ箔膜の絶縁性樹脂フィルム基板２から露出する表面
に図示しないメッキ層が構成される。リードａのＣｕ箔
膜はＣｕ箔膜を絶縁性樹脂フィルム基板２の表面に貼付
け、このＣｕ箔膜をフォトリソグラフィ技術（エツチン
グ技術も含む）でパターンニングすることにより形成さ
れる。ＣＵ箔膜は例えば３０［μｍ］程度の膜厚で形成
される。リード３のメッキ層は例えば電解メッキ法で形
成される半田メッキ層を使用する。

前記リード３のうちインナ一部の先端側（半導体ペレッ
ト４側）は、突起電極（バンプ電極）４Ａを介在し、半
導体ペレット４の図示しない外部端子（ポンディングパ
ッド）に接続される。前記突起電極４Ａは例えばＡｕで
形成される。

半導体ペレット４は例えば単結晶珪素基板で構成され、
この単結晶珪素基板の素子形成面となる表面には駆動回
路を構成する複数の半導体素子が配置される。半導体ペ
レット４の外部端子は前記半導体素子間を接続する配線
例えばアルミニウム配線と同一配線層で形成される。半
導体ペレット４は絶縁性樹脂フィルム基板２のほぼ中央
部分に形成されたペレット搭載用開口（デバイス穴）２
Ａで周囲を規定された領域内において配置される。

前記リード３は第１図及び第２図に示すように絶縁性樹
脂フィルム基板２の表面を延在し、リードａのインナ一
部である先端部（フィンガーリード部）はペレット搭載
用開口２Ａ内に突出される。

前記ペレット搭載用開口２Ａ内に突出されたり−ドａの
先端部には、リード３の突起電極４Ａとの接続面と対向
する裏面側（第２図中、上側面）において、補強用テー
プ５が構成される。この補強用テープ５は主にリード３
の先端部の機械的強度を向上する目的で構成される。補
強用テープ５は、特にリード３の最も機械的強度が低い
領域（ペレット搭載用開口２Ａ内）に少なくとも形成さ
れるので、半導体ペレット４の素子形成面を被覆し、ペ
レット搭載用開口２Ａの平面サイズに比べて大きな平面
サイズで構成される。また、補強用テープ５は、基本的
には後述する封止樹脂６内に形成される。つまり、本実
施例において、補強用テープ５は、ペレット搭載用開口
２Ａを実質的にすべて被覆し、このペレット搭載用開口
２Ａから封止樹脂６の範囲内の平面サイズを有する。

前記補強用テープ５は、半導体ペレット４の外部端子と
り−Ｈ３とのボンディングに熱圧着を併用するので、例
えば１００〜３００　［℃］以上の耐熱性を必要とする
。また、補強用テープ５は、前記ボンディングにレーザ
光又はマイクロ波に基づく加熱を併用するので、光透過
性を必要とするＪ補強用テープ５は、例えばジフェニル
オキシド系（ポリイミド系）樹脂、メラミン樹脂、シリ
コーン樹脂、フッ素樹脂等の光透過性を有する樹脂系テ
ープで構成される。リード３の機械的補強を確保するた
めには、補強用テープ５は、前述の樹脂系テープの場合
、約１０〜５０［μｍ］の膜厚で構成される。この種の
樹脂系材料で形成される補強用テープ５は、基本的には
接着性を備えていないので、接着剤を介在し、リード３
の表面に接着する。

この接着剤としては、例えばエポキシ系樹脂、ポリイミ
ド系樹脂、シリコーンワニス等の接着剤を使用する。

前記補強用テープ５の中央部分にはり−ト３の最先端と
周縁が一致する関口５Ａが構成される。

この関口５Ａは、後述する製造プロセスのメッキ工程に
おいて複数本のり−ド３の先端部が相互に連結された領
域を、次段の打抜き工程で切断しかつ分離する際に形成
される。また、補強用テープ５は、ペレット搭載用開口
２Ａ内において、半導体ペレット４の周囲若しくはその
近傍に複数個の開口５Ｂ（本実施例では４個であるが、
これに限定されない）が構成される。この開口５Ｂは、
補強用テープ５の上側にボッティング法で滴下塗布され
る封止樹脂６の下側への流れを良好にする目的で構成さ
れる。

少なくとも、前記半導体ペレット４の素子形成面、突起
電極４Ａ、リード３のインナ一部の夫々は封止樹脂６で
封止される。封止樹脂６は、例えばエポキシ系樹脂を使
用し、主に半導体ペレット４等を外部環境から保護する
目的で構成される。

次に、前述のＴＡＢ構造を採用する半導体装置ｌの製造
プロセスについて、第３図（各製造工程を示すプロセス
フロー図）を使用し、簡単に説明する。なお、この説明
においては前記第１図及び第２図を併用する。

まず、絶縁性樹脂フィルム基板２を用意し、この絶縁性
樹脂フィルム基板２の表面に接着剤を塗布する〈１０〉
。

次に、前記絶縁性樹脂フィルム基板２の中央部分を打抜
き法で打抜きく１１＞　、ペレット搭載用開口２Ａを形
成する。

次に、前記絶縁性樹脂フィルム基板２の表面上に前記接
着剤を介在しＣｕ箔膜を貼付ける〈１２〉。

次に、前記Ｃｕ箔膜の表面上に、フォトリングラフィ技
術を使用し、フォトレジスト膜を塗布し、このフォトレ
ジスト膜をベーク処理で硬化させる。

また、この工程と共に、絶縁性樹脂フィルム基板２のペ
レット搭載用開口２Ａで周囲を規定された領域内におい
て、前記Ｃｕ箔膜の裏面にフォトレジスト膜を形成する
〈１３〉。

次に、フォトリソグラフィ技術に基づき、前記Ｃｕ箔膜
の表面上のフォトレジスト膜に感光、現像の夫々を順次
施しく１４〉、フォトレジスト膜でエツチングマスクを
形成する。

次に、前記エツチングマスクを使用し、Ｃｕ箔膜にウェ
ットエツチングを施しく１５＞　、　　リード３を形成
する。リード３は複数本構成され、この複数本のり−ド
３のペレット搭載用開口２Ａ内に突出する先端部の夫々
は相互に連結される。つまり、複数本のり−Ｈ３の夫々
は、先端側が相互に一体に構成されて機械的強度が向上
されると共に、相互に電気的に接続される。この後、前
記エツチングマスクとしてのフォトレジスト膜、ペレッ
ト搭載用開口２Ａ内のフォトレジスト膜の夫々を除去す
る＜１６〉。

次に、前記リード３の露出する表面にメッキ層（半田メ
ッキ層）を形成する〈１７〉。メッキ層は複数本のリー
ド３に所定電位を印加した状態において行われる。

次に、前記補強用テープ５を用意する。この後、補強用
テープ５のリード３との接着面に接着剤を塗布する〈１
８〉。

次に、前記補強用テープ５をリード３の表面上に前述の
接着剤を介在して張付ける〈１９〉。この補強用テープ
５の張付けの際、複数本のリード３は、夫々の先端部が
相互に連結され、機械的強度が高められているので、リ
ード３の特に先端部の曲がりがほとんど発生しない。

次に、前記複数本のリード３の先端部の夫々が連結され
た領域を打抜き法で打抜き、リード３間を相互に分離す
る＜２０〉。このリード３間を分離する際には補強用テ
ープ５の中央部分も同時に打抜かれ、補強用テープ５に
開口５Ａ、５Ｂの夫々が形成される。この打抜き工程の
際、リード３の先端部は補強用テープ５で機械的強度を
確保されているので、このリード３の先端部の曲がりが
ほとんど発生しない。

次に、前述のリード３のパターン検査を行い、不良品は
排除し、良品が選別される＜２１〉ことにより、ＴＡＢ
構造を採用する半導体装置１の絶縁性樹脂フィルム基板
２が完成する〈２２〉。

次に、この完成した絶縁性樹脂フィルム基板２に半導体
ペレット４を搭載する。半導体ペレット４の図示しない
外部端子上には突起電極４Ａが予じめ形成され、この突
起電極４Ａを介在し、絶縁性樹脂フィルム基板２のリー
ド３、半導体ペレット４の外部端子の夫々が電気的及び
機械的に接続される。この半導体ペレット４の外部端子
、リード３の先端部の夫々は、第４図（概略構成図）に
示すボンディング装置で行われる。

第４図に示すボンディング装置は、Ｘ−Ｙボンディング
ステージ３０、ボンディングツール３２、ヒータ部３３
、レーザ発生装置（又はマイクロ波発生装置）３５を主
な構成とする。

Ｘ−Ｙボンディングステージ３０は、ボンディングツー
ル３２に対するＴＡＢｐ造を採用する半導体装置１の位
置決めを行う。

ボンディングツール３２は、半導体ペレット４とリード
３との接続領域を圧着すると共に、この接続領域をヒー
タ部３３で加熱する。ボンディングツール３２はインコ
ネル等の特殊合金で構成される。

ボンディングツール３２の前記接続領域を圧着する側に
はツールベツド３１が構成される。このツールヘッド３
１は光透過性を有する例えば合成ダイヤモンド、ガラス
等の材料で構成される。

ヒータ部３３は約３００〜４００［°ｃ］程度の低温度
の加熱を行える。

レーザ発生装置３５はグラスファイバ−３４ヲ通してツ
ールヘッド３１にレーザ光を供給する。リードａの機械
的強度を補強する補強用テープ５は、樹脂系の材料が使
用され、ボンディング温度に最適な高温度に耐え得るこ
とが難しいので、本実施例は、補強用テープ５を光透過
性とし、レーザ光による局部的な加熱方式で最適なボン
ディング温度を発生させると共に、補強用テープ５の損
傷を低減できる。レーザ発生装置３５は１例えば炭酸ガ
スレーザ、ＹＡＧレーザ等のレーザ光発振源を備え。

１個所の接続領域当り０．１〜０．５ｒＷ］程度の呂カ
エネルギを備えるものを使用する。

つまり、絶縁性樹脂フィルム基板２への半導体ペレット
４の搭載は、前述のボンディング装置を使用し、比較的
低温度の熱圧着に、補強用テープ５を透過したレーザ光
による接続領域の局部的な加熱を併用したボンディング
方式で行われる。

このボンディング工程後、ポツティング法を使用し、封
止樹脂６を滴下塗布した後、この封止樹脂６をベーク処
理で硬化させることにより、前述の第１図、第２図の夫
々に示すＴＡＢ構造を採用する半導体装［１が完成する
。

このように、絶縁性樹脂フィルム基板２の一表面に配置
されたリード３の一表面に突起電極４Ａを介在し半導体
ペレット４の外部端子を接続するＴＡＢ構造を採用する
半導体装置１において、前記リード３の前記突起電極４
Ａが接続される領域の一表面と対向する裏面側に、光透
過性の補強用テープ５を構成する。この構成により、前
記ＴＡＢ構造を採用する半導体装置１のリード３の半導
体ペレット４との接続部分（先端部）の機械的強度を補
強用テープ５で向上できるので、製造プロセス時、取扱
い等で発生するリード３の曲がりを防止できると共に、
前記リード３に突起電極４Ａを介在して半導体ペレット
４の外部端子を接続する際、レーザ光（又はマイクロ波
等）を使用し、補強用テープ５自体を直接加熱しないで
リード３と突起電極４Ａとの接続部分を加熱できるので
、前記接続部分を確実にボンディングでき、かつ補強用
テープ５の損傷を防止できる。

また、絶縁性樹脂フィルム基板２の一表面に配置された
り−ド３の一表面に突起電極４Ａを介在し半導体ペレッ
ト４の外部端子を接続し、前記半導体ペレット４の素子
形成面、外部端子とり−ド３との接続部分の夫々を封止
樹脂６で被覆する、ＴＡＢ構造を採用する半導体装電工
において、前記リード３の前記突起電極４Ａが接続され
る領域の一表面と対向する裏面側に、前記半導体ペレッ
ト４の平面サイズから前記封止樹脂６の平面サイズまで
の範囲内の平面サイズを有する光透過性の補強用テープ
５を構成し、この強補用テープ５に１つ又は複数個の開
口（貫通口）５Ｂを構成する。

この構成により、前記構成の他に、前記封止樹脂６の補
強用テープ５の上側、下側の夫々を前記開口５Ｂを通し
て相互に機械的に連結できるので、前記封止樹脂６の上
側、下側の夫々の剥離を防止し、封止樹脂６の封止能力
を向上できる。特に、ポツティング法で滴下塗布される
封止樹脂６の補強用テープ５の上側から下側への流れを
良好にできる。

また、絶縁性樹脂フィルム基板２の一表面に、露出した
表面にメッキ層が形成される複数本のり−ド３を配置し
、前記絶縁性樹脂フィルム基板２に形成されるペレット
搭載用開口２Ａ内に、前記複数本のり一層３の夫々の一
端を延在し、この複数本のり−ド３の夫々の一端の一表
面に、突起電極４Ａを介在し半導体ペレット４の外部端
子を接続するＴＡＢ構造を採用する半導体装置１の形成
方法において、前記絶縁性樹脂フィルム基板２の一表面
に、前記ペレット搭載用開口２Ａ内で一端側が相互に電
気的に接続される複数本のり−ド３を形成する工程と、
この複数本のリード３の露出する表面に、電解メッキ（
電解半田メッキ）法でメッキ層を形成する工程と、この
複数本のリード３の突起電極４Ａが接続される領域の一
表面と対向する裏面側に、補強用テープ５を形成する工
程と、前記複数本のり−ド３の夫々の一端側の相互に接
続される領域を打抜き法で打抜き、複数本のり−ド３の
夫々の一端側を相互に分離する工程とを備える。この構
成により、前記ＴＡＢ構造を採用する半導体装ｔｉの形
成方法において、前記複数本のり−ド３の夫々の一端側
を相互に接続した機械的な強度が確保された状態で、複
数本のり−ド３の裏面側に補強用テープ５を形成したの
で、この補強用テープ５の形成工程でのり一層３の一端
側の曲がりを防止でき、この後、前記複数本のり一層３
の夫々の一端側が補強用テープ５で機械的強度を確保し
た状態で、複数本のり−ド３を相互に分離する打抜き工
程を施したので、この打抜き工程でのり−ド３の一端側
の曲がりを防止できる。

しかも、複数本のり−ド３の一端側を相互に接続し機械
的強度を確保する構造は、複数本のり−ド３の表面にメ
ッキ層を形成する際の構造として形成され、前記補強用
テープ５を形成する際にこの構造を利用したので、この
構造を形成する工程に相当する分、ＴＡＢ構造を採用す
る半導体装置１の製造プロセスの工程数を低減できる。

（実施例■） 本実施例■は、ＴＡＢ構造を採用する半導体装置におい
て、絶縁性樹脂フィルム基板への半導体ペレットの搭載
方法を変えた、本発明の第２実施例である。

本発明の実施例■であるＴＡＢ構造を採用する半導体装
置を第５図、第６図（断面図）の夫々で示す。

本実施例の第５図に示すＴＡＢ構造を採用する半導体装
置１は、光透過性を有する絶縁性樹脂フィルム基板２Ｂ
に半導体ペレット４を搭載する。

半導体ペレット４は、第５図中、絶縁性樹脂フィルム基
板２Ｂの上側に、素子形成面を下側に向けて搭載される
。この搭載方向は前記実施例！のＴＡＢ構造を採用する
半導体装置１の場合と逆方向であり１本実施例のＴＡＢ
構造を採用する半導体装置１は所謂逆ボンディング方式
を採用する。

絶縁性樹脂フィルム基板２Ｂは、半導体ペレット４の平
面サイズに比べてペレット搭載用開口２Ａの開口サイズ
が小さく構成され、半導体ペレット４の外部端子の領域
まで延在する。つまり、絶縁性樹脂フィルム基板２Ｂは
、前記実施例■の補強用テープ５を兼ねる。

このように構成されるＴＡＢ構造を採用する半導体装置
１は、前記実施例Ｉと実質的に同様の効果を奏すること
ができる。また、ＴＡＢ構造を採用する半導体装置１に
おいて、絶縁性樹脂フィルム“基板２Ｂで補強用テープ
５を構成したので、構造、製造プロセスの夫々を簡単化
できる。

また、本実施例の第６１１に示すＴＡＢ構造を採用する
半導体装置１は、前述の逆ボンディング方式が採用され
、ペレット搭載用開口２Ａ内において、リード３の先端
部に補強用テープ５が構成される。

このように構成されるＴＡＢ構造を採用する半導体装置
１は前記実施例Ｉと実質的に同様の効果を奏することが
できる。

以上、本発明者によってなされた発明を、前記実施例に
基づき具体的に説明したが、本発明は、前記実施例に限
定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲にお
いて種々変更可能であることは勿論である。

例えば、本発明は、前記実施例１の製造プロセスにおい
て説明した、補強用テープ５に形成される開口５Ｂをリ
ード３に張付ける工程〈１９〉の前に予じめ打抜いてお
くこともできる。この場合、リード３のインナ一部の損
傷を極力低減できる。

また、本発明は、液晶表示装置で使用されるＴＡＢ構造
を採用する半導体装置に限定されず、電子時計、ＩＣカ
ード等で使用されるＴＡＢ構造を採用する半導体装置に
適用できる。

〔発明の効果〕

本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりであ
る。

ＴＡＢ構造を採用する半導体装置において、リードの機
械的強度を向上し、リード曲がりを低減できる。

また、ＴＡＢ構造を採用する半導体装置において、前記
効果を奏するための製造プロセスでの工程数を低減でき
る。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の実施例■であるＴＡＢ構造を採用す
る半導体装置の概略構成を示す平面図、第２図は、前記
ＴＡＢ構造を採用する半導体装置の断面図、 第３図は、前記ＴＡＢ構造を採用する半導体装置１の製
造プロセスを説明するための、各製造工程を示すプロセ
スフロー図、 第４＠は、前記製造プロセスで使用されるボンディング
装置の概略構成図、 第５図及び第６図は、本発明の実施例■であるＴＡＢ構
造を採用する半導体装置の断面図である。 図中、１・・・半導体装置、２，２Ｂ・・・絶縁性樹脂
フィルム基板、２Ａ・・・ペレット搭載用開口、３・・
・リード、４・・・半導体ペレット、４Ａ・・・突起電
極、５・・・補強用テープ、５Ａ、５Ｂ・・・開口、６
・・・封止樹脂、３１・・・ツールヘッド、３２・・ボ
ンディングツール、３４・・・グラスファイバー、３５
・・レーザ発生装置である。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、絶縁性樹脂フィルム基板の一表面に配置されたリー
   ドの一表面に突起電極を介在し半導体ペレットの外部端
   子を接続するＴＡＢ構造を採用する半導体装置において
   、前記リードの前記突起電極が接続される領域の一表面
   と対向する裏面側に、光透過性の補強テープを構成した
   ことを特徴とする半導体装置。 ２、絶縁性樹脂フィルム基板の一表面に配置されたリー
   ドの一表面に突起電極を介在し半導体ペレットの外部端
   子を接続し、前記半導体ペレットの素子形成面、外部端
   子とリードとの接続部分の夫々を樹脂で被覆する、ＴＡ
   Ｂ構造を採用する半導体装置において、前記リードの前
   記突起電極が接続される領域の一表面と対向する裏面側
   に、前記半導体ペレットの平面サイズから前記樹脂の平
   面サイズまでの範囲内の平面サイズを有する光透過性の
   補強テープを構成し、この強補テープに１つ又は複数個
   の貫通口が構成されたことを特徴とする半導体装置。 ３、絶縁性樹脂フィルム基板の一表面に、露出した表面
   にメッキ層が形成される複数本のリードを配置し、前記
   絶縁性樹脂フィルム基板に形成されるペレット搭載用開
   口内に、前記複数本のリードの夫々の一端を延在し、こ
   の複数本のリードの夫々の一端の一表面に、突起電極を
   介在し半導体ペレットの外部端子を接続するＴＡＢ構造
   を採用する半導体装置の形成方法において、前記絶縁性
   樹脂フィルム基板の一表面に、前記ペレット搭載用開口
   内で一端側が相互に電気的に接続される複数本のリード
   を形成する工程と、この複数本のリードの露出する表面
   に、電解メッキ法でメッキ層を形成する工程と、この複
   数本のリードの突起電極が接続される領域の一表面と対
   向する裏面側に、補強テープを形成する工程と、前記複
   数本のリードの夫々の一端側の相互に接続される領域を
   打抜き法で打抜き、複数本のリードの夫々の一端側を相
   互に分離する工程とを備えたことを特徴とする半導体装
   置の形成方法。