JP2839019B2

JP2839019B2 - 半導体装置の製造方法

Info

Publication number: JP2839019B2
Application number: JP8222247A
Authority: JP
Inventors: 誠也磯崎
Original assignee: Nippon Electric Co Ltd
Current assignee: NEC Corp
Priority date: 1996-08-23
Filing date: 1996-08-23
Publication date: 1998-12-16
Anticipated expiration: 2016-08-23
Also published as: JPH1064951A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置の製造方
法に関し、特にリードフレームやフィルムキャリア半導
体装置を用いた半導体装置の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、集積回路素子（以下ＩＣ素子とい
う）の高集積化，多機能化に伴って入出力端子の多端子
化とＩＣ素子の電極の狭ピッチ化が進んでいる。例え
ば、６〜１２ｎｍ平方のＩＣ素子に約３００〜６００ピ
ンの入出力端子を有するものもある。一般的なワイヤー
ボンディング法では、使用されるリードフレームのイン
ナーリードピッチが最小でも２００μｍ程度のため、Ｉ
Ｃ素子が小さくかつ入出力端子の数が多い場合、ボンデ
ィングワイヤーの長さが例えば６〜１０ｎｍと長くなっ
てしまい、樹脂封入時のワイヤー流れによる断線やワイ
ヤー間ショートの発生などにより、製造が困難になって
いる。

【０００３】そこでフィルムキャリア半導体装置（以下
ＴＡＢ型半導体装置或いは単にＴＡＢという）のアウタ
ーリードボンディングリード（以下ＯＬＢリードとい
う）をリードフレームのインナーリードに接着して構成
した半導体装置が注目されている。一般に、このような
ＴＡＢ型半導体装置は、クアッドフラットパッケージ
（ＱＦＰ）で構成されるので、以下ＴＡＢｉｎＱＦＰ型
半導体装置と呼ぶ。このＴＡＢｉｎＱＦＰ型半導体装置
では、ＴＡＢのＯＬＢリードをリードフレームのインナ
ーリードに接続する、いわゆるアウターリードボンディ
ング（以下ＯＬＢという）を一括ボンディング法で行っ
ているので、ワイヤーボンディング法による半導体装置
と比較して生産性が優れている。また、ワイヤーボンデ
ィング法のボンディングワイヤに相当するＴＡＢリード
は、テープ上に固定されているための樹脂封入時に問題
は発生しない。

【０００４】具体的な従来の製造方法は図９（ａ）に示
すように、予めＩＣ素子１と接続されたＴＡＢ型半導体
装置のＯＬＢリード４をリードフレームのインナーリー
ド１１と位置合わせした後、図９（ｂ）に示すように、
ＩＣ素子１をボンディングステージ２８上に配設し、加
熱した熱圧着ツール２７により接続部に熱と圧力を加え
る熱圧着法でメッキ２９により接続される。

【０００５】また、構造的には同様となるが、その目的
がＴＡＢ単体でパッケージを構成したときに生じやすい
アウターリード折損の防止であるという方法が、特開平
２−２８３０４３号公報に記載されており、これを図１
０に示す。図１０に示されるように、ＴＡＢのフィルム
５のデバイスホール内に半導体チップ１を位置させ、イ
ンナーリード１１と半導体チップ１とを接続する。さら
に、インナーリード１１上にリードフレームのアウター
リード１２の先端部が一部重なるように整合させた後
で、インナーリード１１とアウターリード１２とを溶接
又ははんだづけなどの接合手段で接合するというもので
ある。このようにすると、樹脂封止後に、樹脂封止部１
９から突出するアウターリード１２を強度を有して曲が
りにくいというものとなり、折損も生じなくなるという
ものである。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】上述した従来のＴＡＢ
ｉｎＱＦＰ型半導体装置のアウターリードボンディング
は、熱圧着法や共晶法を利用しているため、ＴＡＢのア
ウターリードボンディング部には金（Ａｕ），すず（Ｓ
ｎ），はんだ（Ｐｂ／Ｓｎ）等のメッキが必要となると
いう問題があり、またリードフレームのインナーリード
の表面にも、これらのメッキ層が必要となる。したがっ
て、他のリードをパッケージの外部に引き出しアウター
リードとして使用する半導体装置、すなわちＴＡＢ単体
でパッケージを構成する場合と比較するとインナーリー
ド表面部にメッキが施されたリードフレームや上述のア
ウターリードボンディング工程が追加されるので、製造
コストが約１．５〜２倍に高くなるという問題があっ
た。なお、リードフレームをメッキ処理を施さずに用い
ることにより製造コストは削減されるが、そのためには
新規なＯＬＢプロセスの開発が必要となる。

【０００７】また、抵抗溶接法によりＯＬＢを行う場
合、接続の原理は溶接する金属自体が有する電気抵抗お
よび境界部分の接触抵抗を利用して、電流Ｉを通じたと
きにこれら抵抗で発生するジュール熱で、圧力Ｐが加え
られた状態の金属同士を溶着させるものである。したが
って、リードフレーム１５のインナーリード１１の表面
部には銀等のメッキ層を設けなくても一括、いわゆるギ
ャング方式にて、ＯＬＢ作業を行うことができる。ギャ
ング方式にて微細で多数のＯＬＢリードとインナーリー
ドとを同時に抵抗溶接する場合、各々のＯＬＢ部でのリ
ードの接触面積を均一にする必要がある。

【０００８】一般に金属製の気密封止パッケージでは、
抵抗溶接の安定性を図るためにキャップに突起が付けら
れているが、このタイプのパッケージのキャップの突起
は、溶接面に線状で一周形成されているものである。ま
た、多点一括接続の場合、リードの接触面積を均一し個
々の点に流れる電流量を均一にし、接続した部分を接続
性を均一にする必要があるためであるが、この接触面積
の均一性が保たれないと接触具合で電流量が異なってし
まい、一括溶接時に溶断している部分と未接続の部分と
が混在するといった不具合が発生する。また、ＯＬＢ部
のリードの接続面積を均一にするためには、微細なＯＬ
Ｂリードにメッキ法やエッチング法やプレス加工法等に
より微細な突起を付けることが最も有用である。

【０００９】また、図１０による溶接によってＯＬＢを
行う製法で、溶接による接合手段を使用する場合は、具
体的な方法が明記されていないので、アウターリード１
２及びインナーリード１１の表面処理方法や溶接の種類
・方法が不明であり、実際に適用できる接合手段である
かどうか十分に検討されているとはいえない。

【００１０】一方、熱圧着法によってメッキ処理は施さ
れておらず、酸化防止用有機膜で覆われたリードフレー
ムのインナーリードにＴＡＢにＯＬＢリードＯＬＢする
場合、非酸化性雰囲気で加熱により有機膜除去しリード
フレーム材の新生面を露出させ、直ち熱圧着により接合
させるため、メッキ処理がなくともイナーリードとＯＬ
Ｂリード拡散反応により良好な接続が得られる。リード
フレームのインナーリードにメッキ処理されていない場
合、そのままのベアの状態では経時的に酸化膜が発生し
てしまい、この酸化膜は一度発生すると除去処理は困難
であり、そのままではボンディング性を著しく劣化させ
る。また、酸化防止処理として有機膜を形成するとリー
ドフレームの酸化は防げるが、そのままではボンディン
グ性を著しく劣化させかつ接続抵抗を増大させる事とな
る、従って、既存の装置において同一ツールにより酸化
防止用有機膜をＯＬＢ直前に熱処理により除去し、熱圧
着によりＯＬＢを行えば設備投資も不要であり、メッキ
処理されていなリードフレームが使用可能となる。

【００１１】本発明の目的は、量産的に優れ製造コスト
が安価で、しかも固着強度に優れたフィルムキャリア半
導体装置の製造方法を提供することにある。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明の構成は、ＴＡＢ
型半導体装置のＯＬＢリードをリードフレームのインナ
ーリードにＯＬＢを行う半導体装置の製造方法におい
て、ＯＬＢリードに突起部をインナーリードと接触させ
て電気抵抗溶接法によってＯＬＢを行うことを特徴とす
る。

【００１３】また、本発明の構成は、ＴＡＢ型半導体装
置のＯＬＢリードを有機膜で覆ったリードフレームのイ
ンナーリードにＯＬＢを行う半導体装置の製造方法にお
いて、インナーリードの有機膜を除去する工程と、ＯＬ
Ｂリードを熱圧着法によってＯＬＢを行う工程とを含む
ことを特徴とする。

【００１４】

【発明の実施の形態】以下、本発明を図面に基づいて具
体的に説明する。図１は本発明の第１の実施形態の半導
体装置の製造工程順の平面図であり、図２（ａ）は図１
（ｂ）のＸ−Ｘ線に沿った製造工程順の断面図である。
ＴＡＢテープは、一般に２層構造又は３層構造となって
いるが、ここでは３層構造のＴＡＢテープの場合につい
て説明する。図１（ａ）のように、ポリイミドなどのよ
うな絶縁フィルムキャリアテープ６に、搬送及び位置決
め用のスプロケットホール７，ＩＣ素子１が入るデバイ
スホール８，及びデバイスホール８の周囲に４つのアウ
ターリードボンディングホール９（以下ＯＬＢホール９
という）をそれぞれ形成する。デバイスホール８とＯＬ
Ｂホール９との間の絶縁フィルムキャリアテープ６はサ
スペンダ５となる。さらに、絶縁フィルム６上に銅など
の金属箔を接着し、これをエッチングして所望の形状の
複数のリードを形成する。

【００１５】ここでは、フィルムキャリアテープに形成
されたこのリードをＴＡＢのリードと呼ぶことにする。
このＴＡＢのリードの表面には、金，すずなどのメッキ
層が形成されるが、メッキ層を形成しないで、例えば、
銅などの素材のままでもよい。また、これらリードのう
ちサスペンダ５に接着されている部分より外側の部分
を、ＯＬＢリード４とし、サスペンダ５に接着されてい
る部分よりデバイスホール８側に突き出している方をＩ
ＬＢリード３とし、ＩＬＢリード３の先端部分をインナ
ーリードボンディング（ＩＬＢ）部１６としている。こ
のＯＬＢリード４の先端には、電気選別のためのパッド
１０が形成されている。

【００１６】このＩＬＢ部１６は、ＩＣ素子１に形成さ
れている電極２に接続される。電極２が、ＩＣ素子１の
金属電極表面に形成された金などのバンプの場合は、ギ
ャング方式の熱圧着法などで接続される。電極２がアル
ミなどのパッドで形成されている場合は、例えば、超音
波併用のシングルポイントインナーリードボンディング
法などを使用する。このようにして、ＴＡＢのリードの
ＩＬＢ部１６とＩＣ素子１の電極２とを接続する、いわ
ゆるインナーリードボンディングを行う。

【００１７】この後、パッド１０に外部から電気接続を
行って、絶縁フィルムキャリアテープ６に形成されたＩ
Ｃ素子１に対して、それぞれ電気選別やＢＴ試験が行わ
れる。その後金型を用いて、ＯＬＢホール９の位置でＯ
ＬＢリード４が切断され、隣接するＯＬＢホール９間の
キャリアテープ６が切断され、ＩＣ素子１，ＴＡＢのリ
ード及びサスペンダ５などからなるＴＡＢ型半導体装置
がキャリアテープ６から分離される。リードの数が多い
多数ピンの場合、複数のリードに接着されたサスペンダ
５を残すことによって、リードのばらけを防止すること
ができる。

【００１８】次に、ＴＡＢのリードは、折り曲げられ成
形され、図２（ａ）のように、リードのうちサスペンダ
５に接着されている部分とＩＬＢリード３との間、ＩＬ
Ｂリード３とＩＬＢ部１６との間、及びリードのうちサ
スペンダ５に接着されている部分とＯＬＢリード４との
間がそれぞれ折り曲げられている。ＯＬＢリード４はそ
の先端部分も折り曲げられ、アウターリードボンディン
グ（ＯＬＢ）部１４が形成される。この成形を行うこと
によって、ＩＬＢ部１６とＯＬＢ部１４とは、実質的に
同じ高さに維持され、サスペンダ５に接着している部分
のＴＡＢのリードは、ＩＬＢ部１６とＯＬＢ部１４より
も情報に維持された形状となる。封止樹脂の熱膨張係数
は、リードの熱膨張係数より大きいため、封止樹脂とリ
ードとの間に経時変化によって隙間が生じやすくなる。
リードを上述したように曲げ、リードに余裕を持たせた
状態で樹脂封止を行うことによって、この問題を解決す
ることができる。

【００１９】また、ＯＬＢ部１４にはリードフレーム１
５との接触面積を均一にするよう本発明の特徴である突
起部１７が設けられている。この突起部１７は、ＯＬＢ
リード４が切断される前であれば、メッキ法やエッチン
グ法で形成される。このメッキ法で突起部１７を形成す
る場合を、図３に示す。まず、ＯＬＢリード４（図３
（ａ））にレジスタ２３を塗布し、露光・現像すること
により突起形成部分を開孔する（図３（ｂ））。このよ
うに処理されたＯＬＢリード４に銅や金などで部分的に
メッキ処理を行う（図３（ｃ））。この後、レジスト２
３を除去し（図３（ｄ））、図３（ｅ））のように折り
曲げる処理により突起部１７を形成できる。

【００２０】なお、エッチング法で形成する場合には、
図４（ａ）に示され先端部に、レジスト２４を用い、部
分的にＯＬＢリード４をエッチングすることにより図４
（ｂ）突起部１７を形成し、レジスト２３を除去し（図
４（ｃ））、先端部を形成する。さらに、ＯＬＢリード
切断後であれば、図５のようなプレス加工法で形成され
る。予めＯＬＢリード４の所望の部分に突起部１７が形
成されるように、図５（ａ）のようなＯＬＢリード４の
辺毎に凸凹加工された成形金型２５，２６を用いれば、
図５（ｂ）のような突起部１７が形成できる。

【００２１】この突起部１７の望ましい形状は、図６
（ａ）のような場合は、突起部１７の高さｔ２がＯＬＢ
部１４の高さｔ１以上あり、突起部１７の直径φが０．
８×Ｗ１（ＯＬＢ部１４の幅）以下であり、図６（ｂ）
のような場合は突起部１７の高さｔ３がｔ１以上であり
突起部１７の幅Ｗ２が０．２５×Ｗ１であればよい。こ
れらの関係を満たすことにより、インナーリード１１を
確実に接する突起部１７を安価に形成できる。

【００２２】次に図１（ｂ）に示されるように、ＴＡＢ
のＩＣ素子１がリードフレーム１５のアイランド１に搭
載される。リードフレーム１５の素材は、銅系合金や鉄
−ニッケル系合金などを用いる。リードフレーム１５の
アイランド１３は、図１（ａ）のように、予めリードフ
レーム１５のリード部分よりも低い位置まで押し上げら
れている。次に、ＴＡＢのＩＣ素子１及びサスペンダー
５が真空吸着されてこのアイランド１３上方に搬送さ
れ、銀ペーストなどの接着剤１７が塗布されたアイラン
ド１３上に、ＩＣ素子１の裏面が接着される。ここでＩ
Ｃ素子１は、ＴＡＢのリードのＯＬＢ部１４がそれそれ
リードフレームのインナーリード１１の上方にそれぞれ
位置するように、アイランド１３に固定される。

【００２３】次に、ＯＬＢリード４のＯＬＢ部１４とリ
ードフレームのインナーリード１１との接続、いわゆる
アウターリードボンディングを行う。このアウターリー
ドボンディングは、図２（ｂ）に示されるように、ギャ
ング用溶接電極２０，２１の間に、溶接されるＯＬＢリ
ード４のＯＬＢ部１１とリードフレーム１８のインナー
リード５とが挟まれ固定される。この際、溶接用電極部
２０，２１はＯＬＢ部１４に形成された突起部１７を挟
み込み、ＩＣ素子１，サスペンダ５やアイランド７等は
溶接用電極２０，２１の内側の中空な部分で保持され
る。溶接用電極部２０，２１の表面は平坦となってお
り、溶接される部分に対して均等に荷重をかけることが
できるので、リードが荷重集中によって切断されるのを
防止することができる。

【００２４】次に、図７（ａ）に示されるように、溶接
される部分に対して圧力Ｐを印加後電源２２から電流Ｉ
を通すことにより、ＯＬＢリード４のＯＬＢ部１１とリ
ードフレーム１８のインナーリード５とをジュール熱に
より溶接する。この場合、電極２０，２１に電流を流す
ことにより生じるジュール熱にて溶接する方法であるの
で、リードフレーム１８のインナーリード１１の表面部
には銀等のメッキ層を設けなくても、一括いわゆるギャ
ング方式にて、アウターリードボンディング作業を完了
することができる。また、ＯＬＢ部に形成された均一な
形状の突起部を中心として発熱が起こるので、ギャング
方式でも全てのＯＬＢ部１４で均一に溶接される。具体
的には、溶接用電極２０，２１を例えばタングステン
（Ｗ）で作製する。例えば、ＯＬＢリード４のリード幅
が０．０６５ｍｍ，リードフレームのインナーリード１
１の幅が０．１２５ｍｍの場合、ＯＬＢリード４の数が
２４０ピンの場合、アウターリードボンディングの条件
はリード１本あたりの圧力Ｐ１＝１〜２Ｋｇ／ｃｍ²，
電流Ｉ＝６０００〜９０００オングストローム，通電時
間ｔ＝０．１〜０．２秒の溶接で、良好なアウターリー
ドボンディング接続を得ることができた。

【００２５】このツール間への通電による抵抗溶接時
に、ＩＣ素子１はＴＡＢのリードを介して溶接される部
分に接続されている。しかしながら、溶接用電極２０，
２１間の電流Ｉの流路とＩ素子１への流路とでは、溶接
用電極２０，２１間の流路の方がはるかに抵抗が少ない
ため、ＩＣ素子１の方へは電流が流れないから、抵抗溶
接によるＩＣ素子１への悪影響はない。

【００２６】なお、良好なＯＬＢ接続を得るためには、
ＯＬＢ後のＯＬＢリード４の厚みがＯＬＢ前の厚みの４
０〜７０％の範囲になるように電流値を調整する必要が
ある。これは、ＯＬＢ後ＯＬＢリード４の厚みがＯＬＢ
前の７０％以上の厚みがある場合、溶融不足で接続強度
が弱く封入時にＯＬＢリードはがれのオープン不良発生
の可能性があるためであり、また、ＯＬＢ後にＯＬＢ前
の４０％以下のリード厚の場合は、リードのネック部が
弱くなるため封入時にＯＬＢリード切れのオープン不良
発生の可能性があるためである。

【００２７】次に、図７（ｂ）のように、エポキシ樹脂
のような熱硬化性樹脂１９によって、樹脂封止を行な
う。その後、リードフレーム１５のアウターリード１２
へのはんだなどのメッキ処理，アウターリード部のリー
ドフレーム１５からの切断，パッケージの外部リード形
状に応じたＬ字状（ガルウィング状），Ｊ字状への成形
などを行う。このようにして、ＴＡＢのリードから形成
されたインナーリード部の先端部とリードフレーム１５
から形成されたアウターリード部の先端部が溶接されて
接続されたリードを有するＴＡＢｉｎＱＦＰ型半導体装
置が完成する。

【００２８】以上説明したＴＡＢｉｎＱＦＰ型半導体装
置の製造方法では、リードフレーム１５のインナーリー
ド１１表面のメッキ処理が必要でなくなるため、例えば
２４０ピンのリードフレームでは、リードフレームを２
０〜３０％コストダウンすることができるようになり、
低コストで製造することができる。さらに、接続箇所へ
のメッキを必要としなくなるので、銀のマイグレーショ
ンなどのメッキ起因の不良の発生の心配が全くなくな
り、信頼性の高いパッケージ構造が得られる。

【００２９】図８は本発明の第２の実施形態を説明する
ための製造工程順の断面図である。まず、図１に示され
る工程と同様な工程を経て、ＩＣ素子１，ＴＡＢのリー
ド及びサスペンダ５などから構成されるＴＡＢ型半導体
装置を形成する。次に本実施形態では、まず図８（ａ）
のようにリードフレームのインナーリード１１のみをボ
ンディングステージ２８にのせて熱圧着用ツール２７を
押し合て熱を加える。これによりメッキの酸化を防止し
ていた有機膜を熱分解させ取り除く。次に、図８（ｂ）
のように、ＴＡＢのＩＣ素子１をリードフレーム１５の
アイランド１３上に接着剤１７で固定する。このＩＣ素
子１は、ＴＡＢのリードのＯＬＢ部１４がそれぞれリー
ドフレームのインナーリード１１の上方にそれぞれ位置
するように、アイランド１３に固定される。そして、リ
ードフレーム１５のインナーリード１１とＴＡＢのＯＬ
Ｂ部１４とをそれぞれ一括してボンディングステージ２
８と熱圧着ツール２７とで、インナーリード１１とＯＬ
Ｂ部１４とを挟み込み、図示のように圧力Ｐと温度を印
加する。この圧力Ｐと温度の印加によってインナーリー
ド１１とＯＬＢ部１４とが一括してそれぞれ圧着され接
着される。

【００３０】この熱圧着用ツール２６を用いてリードフ
レームのインナーリード１１の酸化防止用の有機膜を取
り除き、直ちにインナーリード１１とＯＬＢ部１４とを
熱圧着により接着を行う方法は、従来の搬送系，認識系
を有するＯＬＢボンダを流用することができる。

【００３１】例えば、ＯＬＢリード４のリードピッチが
０．３５ｍｍ，ＯＬＢリード４のリード幅が０．０６５
ｍｍ，ＯＬＢリード４の数が２４０ピン、リードフレー
ム１５のインナーリード１１の表面にポリ塩化ビニルの
有機膜０．００３ｍｍある場合、有機膜を取り除く時、
圧力Ｐ＝１０〜２０Ｋｇ，ツール温度４００〜５００
℃，時間０．５〜１．０秒，の条件で有機膜は熱分解し
てしまう。

【００３２】この熱接着のアウターリードボンディング
の条件は、圧力Ｐ＝３０〜４０Ｋｇ，熱圧着ツールの温
度４００〜５００℃，ボンディング時間０．５〜１．０
秒で行う。この有機膜を取り除いた後、アウターリード
ボンディングまでの間にインナーリード１１の表面の酸
化が進まないよう、インナーリード部に窒素ガスを１０
ＮＬ／ｍｉｎで吹きかける。

【００３３】なお、本発明はＴＡＢｉｎＱＦＰ型の半導
体装置以外にも適用が可能であり、例えば液晶駆動用Ｉ
Ｃに使用されることが多いデュアルテープキャリアパッ
ケージ（ＤＴＣＰ）おように、リードがパッケージの二
つの側面だけからでているフィルムキャリア型半導体装
置にも適用できる。

【００３４】

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、Ｔ
ＡＢのリードとリードフレームのリードとは抵抗溶接法
により溶融接続して強固に固着しているから、いわゆる
オープン不良が発生しにくくなり、電気的機械的に安定
したパッケージ構造を得ることができる。さらに、ＴＡ
Ｂのリードとリードフレームのリードの固着される部分
へのメッキ処理をなくすことができるので、低コストの
半導体装置を得ることができる。

【００３５】また本発明の半導体装置の製造方法によれ
ば、リードフレームのリードの酸化防止用の有機膜をＴ
ＡＢのリードとの接続の直前に加熱処理により取り除く
ことにより、従来の設備を用いても、ＴＡＢのリードと
リードフレームのリードの固着される部分へのメッキ処
理をなくすことができるので、低コストの半導体装置が
得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施形態の製造工程順の平面図
である。

【図２】図１の実施形態の製造工程順の断面図である。

【図３】図２の突起部１７の製造工程順の断面図であ
る。

【図４】図２の突起部１７の他の製造工程順断面図であ
る。

【図５】図２の突起部のさらに他の製造工程順の断面図
である。

【図６】図２の突起部１７の形状の説明する斜視図であ
る。

【図７】図１の実施形態の製造工程順の断面図である。

【図８】本発明の第２の実施形態の製造工程順の断面図
である。

【図９】従来例の半導体装置の製造工程順の断面図であ
る。

【図１０】従来例の半導体装置の断面図である。

【符号の説明】

１ＩＣ素子２電極３ＩＬＢリード４ＯＬＢリード５サスペンダ６フィルムキャリアテープ７スプロケットホール８デバイスホール９ＯＬＢホール１０パッド１１インナーリード１２アウターリード１３アイランド１４ＯＬＢ部１５リードフレーム１６ＩＬＢ部１７突起部１８接着剤１９樹脂２０，２１溶接用電極２２電源２３，２４レジスト２５，２６成形金型２７熱圧着ツール２８ボンディングステージ２９メッキ

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】フィルムキャリア半導体装置のアウター
リードボンディングリードをリードフレームのインナー
リードにボンディングを行う半導体装置の製造方法にお
いて、前記アウターリードボンディングリードに突起部
を形成し、この突起部を前記インナーリードと接触させ
て電気抵抗溶接法によってボンディングを行うことを特
徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】アウターリードボンディングリードの突
起部を、電気メッキ法、化学エッチング法またはプレス
加工法により形成する請求項１記載の半導体装置の製造
方法。
【請求項３】フィルムキャリア半導体装置のアウター
リードボンディングリードを有機膜で覆ったリードフレ
ームのインナーリードにアウターリードボンディングを
行う半導体装置の製造方法において、前記インナーリー
ドの有機膜を除去する工程と、前記アウターリードボン
ディングリードを熱圧着法によってボンディングを行う
工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】有機膜で覆ったリードフレームのインナ
ーリードを、加熱したツールに押し当てて前記有機膜を
除去する請求項３記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】リードフレームのインナーリードにメッ
キ処理を不要とした請求項１または３記載の半導体装置
の製造方法。