JPH11204582A

JPH11204582A - バンプ付きテープの製造方法及び半導体チップの製造方法並びにバンプ形成装置

Info

Publication number: JPH11204582A
Application number: JP10008286A
Authority: JP
Inventors: Hajime Takasaki; 一高崎
Original assignee: Hitachi Ltd; Akita Electronics Co Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd; Akita Electronics Systems Co Ltd
Priority date: 1998-01-20
Filing date: 1998-01-20
Publication date: 1999-07-30

Abstract

(57)【要約】【目的】半導体装置の小型化・薄型化を実現し、かつ複
雑な工程もなく容易に薄型のバンプを形成する。【構成】半導体チップの製造（バンプ形成）技術におい
て、金属ワイヤ２１の先端を溶融させてボール２３を形
成し、該ボール２３を帯状のテープ部材１０に圧着し、
前記ワイヤ２１を前記ボール２３の近傍位置で切断し、
前記テープ部材１０上に前記バンプ４を形成し、前記テ
ープ部材１０上に形成された前記バンプ４を押圧体２５
により所定の高さまで押圧しバンプ付きテープ９を形成
し、前記バンプ付きテープ９から半導体チップ２の電極
パッド３に転写形成するように構成したことにより、前
記バンプは押圧等の制限がなく、所望の高さのバンプを
形成することができ、半導体装置の小型化・薄型化を実
現可能となる。また、前記バンプを電解メッキ等の複雑
な処理を用いずに形成しているため、容易に薄型のバン
プを形成することができ、歩留の向上及びコストの低減
を図ることができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
技術に関し、特に半導体チップの電極パッド上へのバン
プを形成する技術に利用して特に有効なものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、フリップチップ方式或いはフィル
ムキャリア方式等に用いられる半導体チップは、該半導
体チップの電極パッド上に形成されたバンプを介して回
路基板やフィルムキャリアに実装されていた。このよう
な半導体チップの電極パッド上へバンプを形成する技術
としては、一般に以下の方式が知られている。まず前記
半導体チップ上に保護膜を形成し、該半導体チップの電
極パッド上の保護膜に開口部を設ける。そして前記半導
体チップの全面にバリヤメタルをスパッタにより蒸着す
る。さらに前記半導体チップには厚膜レジストが塗布さ
れ、フォトリソグラフィ技術により前記厚膜レジストの
前記電極パッドに対応する部分には開口部が形成され
る。そして前記パリヤメタルを電極にして電解メッキが
行われ、前記厚膜レジストの開口部にバンプが形成され
る。そして前記厚膜レジストを除去し、前記半導体チッ
プ上に露出しているバリヤメタルをエッチングにより除
去することにより、前記半導体チップの電極パッド上に
バンプ電極が形成されるという技術である。このような
半導体チップ上へのバンプの形成技術としては、例えば
１９９３年５月３１日、日経ＢＰ社発行の「ＶＬＳＩパ
ッケージング技術」下巻の８４頁乃至８５頁に記載され
ている。(従来技術１) また、半導体チップの製造工程が簡単で低コストのバン
プ形成を目的とした半導体チップ上へのバンプ形成技術
としては、例えば特開昭６２−１７７９３５号公報に記
載されている。その概要は、半導体チップ上の電極に相
当する位置にスルーホールの穿孔された長尺のベースフ
ィルムの一表面側に、少なくともスルーホール内及び各
スルーホールを電気的に接続するように形成された導体
パターンを共通電極として電解メッキを行うことにより
バンプを成長させてバンプ付きテープを形成し、このバ
ンプ付きテープから熱圧着法により半導体チップ上の電
極にバンプを転写形成するものである。(従来技術２)

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来技術1のバンプ形成技術においては、前記半導体
チップの電極パッド上に電解メッキによりバンプを形成
しているために、半導体チップの製造工程に電解メッキ
による複雑なバンプの形成工程が加わってしまい、半導
体チップの歩留まりが低下してしまう。また上述した電
解メッキによるバンプ形成技術においては、複数の半導
体チップを形成した半導体ウエハ毎に、前記半導体チッ
プの電極パッド上へのバンプを形成されているため、良
品の半導体チップだけでなく不良品の半導体チップに対
しても前記バンプを形成してしまうという問題があっ
た。さらには前記半導体チップの電極パッド上に選択的
にバンプを形成するために高価な設備を必要としてい
た。

【０００４】また、上述した従来技術２のバンプ形成技
術においては、半導体チップ上の電極の位置に対応して
バンプが形成されたバンプ付きテープを形成し、このバ
ンプ付きテープから半導体チップ上の電極にバンプを転
写形成する技術においては、前記フィルム上へのバンプ
形成の際に該フィルムへのレジスト膜形成処理等により
前記フィルムへのバンプ形成工程の簡略化に限界があっ
た。

【０００５】そこで、本発明の目的は、上述した課題を
解決し、半導体装置の小型化及び薄型化に対応可能な半
導体チップのバンプ形成技術を提供するものである。

【０００６】尚、本発明の前記ならびにその他の目的と
新規な特徴は、本明細書の記述及び添付図面から明らか
になるであろう。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば下記
の通りである。

【０００８】すなわち、半導体チップの製造（バンプ形
成）技術において、金属ワイヤの先端を溶融させてボー
ルを形成し、該ボールを帯状のテープ部材に圧着し、前
記ワイヤを前記ボールの近傍位置で切断することにより
前記テープ部材上に前記バンプを形成する工程と、前記
テープ部材上に形成された前記バンプを押圧体により所
定の高さまで押圧する工程と、前記テープ部材に押圧さ
れた前記バンプを所定の回路の形成された半導体チップ
の電極パッドに転写する工程とを有するものである。

【０００９】また前記バンプの転写が、該バンプをトー
チ電極によりその表面を溶融させ、前記溶融されたバン
プを半導体チップの電極パッドに圧着することにより転
写させるものである。

【００１０】さらに前記バンプの転写が、該バンプを少
なくとも導電性接着剤を介して半導体チップの電極パッ
ドに転写させるものである。

【００１１】さらに前記テープ部材上へのバンプ形成
が、前記テープ部材の表面に設けられた少なくとも一つ
の溝部上に形成されるものである。

【００１２】また前記テープ部材へのバンプ形成が、前
記バンプを前記半導体チップの電極パッドに対応した配
置で前記テープ部材へ形成するものである。

【００１３】上述した手段によれば、半導体チップの製
造（バンプ形成）技術において、金属ワイヤの先端を溶
融させてボールを形成し、該ボールを帯状のテープ部材
に圧着し、前記ワイヤを前記ボールの近傍位置で切断す
ることにより前記テープ部材上に前記バンプを形成する
工程と、前記テープ部材上に形成された前記バンプを押
圧体により所定の高さまで押圧する工程と、前記テープ
部材に押圧された前記バンプを所定の回路の形成された
半導体チップの電極パッドに転写する工程とを有するよ
うに構成したことにより、前記バンプは前記半導体チッ
プの前記電極パッドに直接ではなく、一旦、前記テープ
部材上に形成するように構成しているため前記バンプを
作り置きすることが可能となり、さらに前記バンプは例
えば前記半導体チップへのダメージを考慮した押圧等の
制限がなく、所望の高さのバンプを形成することができ
る。また、前記バンプを電解メッキ等の複雑な処理を用
いずに形成しているため、容易にバンプを形成すること
ができる。

【００１４】また前記バンプの転写が、該バンプをトー
チ電極によりその表面を溶融させ、前記溶融されたバン
プを半導体チップの電極パッドに圧着、或いは前記バン
プを少なくとも導電性接着剤を介して半導体チップの電
極パッドに圧着させるように構成したことにより、前記
バンプと半導体チップの電極パッドとの圧着性を向上さ
せることができる。

【００１５】さらに前記テープ部材上へのバンプ形成
が、前記テープ部材の表面に設けられた少なくとも一つ
の溝部上に形成されるように構成したことにより、前記
ボールが前記溝部に入り込んだ状態で前記テープ部材に
圧着され、前記テープ部材と前記バンプとの接触面積が
大きくなり、前記バンプと前記テープ部材との圧着性を
向上することができる。

【００１６】また前記テープ部材へのバンプ形成が、前
記バンプを前記半導体チップの電極パッドに対応した配
置で前記テープ部材へ形成するように構成したことによ
り、前記バンプを前記半導体チップ単位で一括的に転写
形成することができ、処理効率を向上させることができ
る。

【００１７】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
図面を用いて説明する。

【００１８】尚、本発明の実施形態を説明するための全
図において、同一機能を有するものは同一符号を付け、
その繰り返しの説明は省略する。

【００１９】（実施形態１）図１は本発明の一実施形態
であるバンプ付きテープのバンプ圧着前のテープ部材を
示す平面図、図２は本発明の一実施形態である半導体チ
ップのバンプ形成装置を示す概略構成図、図３は本発明
の一実施形態であるバンプ形成装置のバンプ転写部を示
す断面図、図４は本発明の一実施形態であるバンプ形成
フローを示す断面図、図５は本発明の一実施形態である
バンプ押圧フローを示す断面図、図６は本発明の一実施
形態であるバンプ付きテープを示す平面図、図７は本発
明の一実施形態であるバンプ転写フローを示す断面図、
図８はバンプ転写形成後の半導体チップを示す断面図、
図９はＴＣＰ構造の半導体装置の組立フローを示す断面
図、図１０は本発明の適用されるＴＣＰ構造の半導体装
置を示す断面図である。

【００２０】実施形態1では、本発明の一実施形態であ
る半導体チップのバンプ形成技術をＴＣＰ（Ｔａｐｅ
ＣａｒｒｉｅｒＰａｃｋａｇｅ）構造の半導体装置の
製造技術に適用した場合について説明する。

【００２１】図１０は前記ＴＣＰ構造の半導体装置を示
す断面図であり、前記半導体装置１は一表面に所望の回
路が形成された略四角形の板状の半導体チップ２を有し
ている。前記半導体チップ２は一表面上に複数の電極パ
ッド３を有しており、前記複数の電極パッド３上には夫
々バンプ電極４が形成されている。そして前記半導体チ
ップ２はポリイミドからなる基材５上に形成された所定
パターンの複数のリード６を形成したフィルムキャリア
７に搭載されている。前記フィルムキャリア７に搭載さ
れた半導体チップは前記バンプ４を介して前記リードに
電気的に接続されている。そして前記フィルムキャリア
７に搭載された半導体チップは、少なくとも前記半導体
チップの表面は封止樹脂８によりコートされている。

【００２２】次に一実施形態であるバンプ形成装置に用
いられるバンプ付きテープを説明する。本実施形態にお
ける前記バンプ付きテープ９は例えば可撓性を有する帯
状のテープ部材１０上にワイヤボンディング技術を用い
て、前記半導体チップ２の電極パッド３に形成される複
数の前記バンプ４を一定の間隔で設けたものである。そ
して前記テープ部材１０は図１に示すように一定の幅で
帯状に形成されており、例えばポリイミド系、金属系、
或いはそれらの混在する材料からなる。そして前記テー
プ部材１０の側部近傍には例えば打ち抜き等により複数
のスプロケットホール１１が一定の間隔で形成されてお
り、前記スプロケットホール１１により前記テープ部材
１０は所定の間隔でフィードされるように構成されてい
る。前記テープ部材１０の幅は少なくともその表面上に
前記バンプを圧着できる程度の幅であればよく、半導体
チップに搭載されるバンプの大きさ等の条件により適宜
選定される。

【００２３】次に本発明の一実施形態であるバンプ形成
装置について図２を基に説明する。前記バンプ形成装置
１２は例えばバンプ形成部１３、バンプ押圧部１４及び
バンプ転写部１５の3つの処理部を有している。前記バ
ンプを形成する帯状の前記テープ部材１０は少なくとも
前記３つの処理部を搬送されるように配置されており、
前記テープ部材１０の一端側はテープ供給リール１６に
巻き付けられている。そして前記テープ部材１０の他端
側は前記３つの処理部及びローラ機構１７等を介してテ
ープ巻き取りリール１８に接続されている。そして前記
テープ部材１０は前記スプロケットホール等により所定
の間隔でフィードされる。

【００２４】前記バンプ形成部１３は所定の間隔でフィ
ードされた前記テープ部材１０を保持するステージ１９
を有している。前記ステージ１９の上方にはキャピラリ
２０が配置されており、前記キャピラリ２０の内部には
例えば金（Ａｕ）等からなるワイヤ２１が通されてい
る。また前記キャピラリ２０の近傍にはトーチ電極２２
を有しており、該トーチ電極２２により前記キャピラリ
２０の先端から突出する前記ワイヤ２１を溶融させ、前
記ワイヤの先端にボール２３を形成される。さらに前記
キャピラリ２０は駆動機構２４に接続されており、該駆
動機構２４により前記キャピラリ２０は少なくとも上下
方向に移動可能に構成されている。そして前記キャピラ
リ２０の移動により前記ステージの所定位置にフィード
されたテープ部材１０上に前記ボール２３が圧着され、
図示しないクランパで前記ワイヤ２１を挟んだ状態で引
き切り、前記テープ部材１０上にバンプ４を形成するよ
うに構成されている。

【００２５】また前記バンプ形成部１３に隣接して前記
バンプ押圧部１４が設けられており、該バンプ押圧部１
４は同様に前記テープ部材１０を保持するステージ１９
を有している。前記バンプ押圧部１４のステージ１９の
上方には押圧体２５が配置されており、前記押圧体２５
は駆動機構２４に接続されている。そして前記押圧体２
５は前記駆動機構により前記ステージにフィードされて
くるテープ部材１０の表面に設けられたバンプ４を所定
の荷重で押圧し、前記バンプ４を所定の高さに形成する
ように構成される。このように形成されたバンプ付きテ
ープ９はローラ機構１７等を介してフィードされ、前記
バンプ付きテープ９は上下面が反転、つまりは前記バン
プ付きテープ９のバンプ形成された表面が下側にされ、
前記バンプ形成装置１２の下段に設けられた前記バンプ
転写部１５にフィードされるように構成される。

【００２６】前記バンプ転写部１５は図３に示すように
前記フィードされるバンプ付きテープ９の下方に、前記
バンプ４の転写先となる半導体チップが複数形成された
半導体ウエハ２６が搭載されるＸＹテーブル２７が設け
られている。前記ＸＹテーブル２７はＸＹ方向に移動可
能に構成されており、前記半導体ウエハ２６を保持した
状態でＸＹ方向に移動し、該半導体ウエハ上に形成され
た半導体チップの電極パッド３をボンディング位置２８
へ合わせるように移動される。また前記ＸＹテーブル２
７に隣接してウエハ供給部２９が設けられており、前記
ウエハ供給部２９から前記半導体ウエハ２６を例えば一
枚づつ前記ＸＹテーブル２７に供給するように構成され
ている。また前記ＸＹテーブル２７には同様にウエハ排
出部３０が設けられており、前記バンプの転写形成され
た半導体ウエハ２６を前記ＸＹテーブル２７から治具等
に排出するように構成されている。また前記バンプ転写
部１５を通る前記バンプ付きテープ９は一定の間隔で連
続して形成された前記バンプ４がボンディング位置２８
に順次フィードされるように構成されている。そして前
記ボンディング位置１８にフィードされた前記バンプ付
きテープ９の上方にはＺ軸方向に移動可能なボンディン
グツール３１が設けられており、前記ボンディングツー
ル３１はボンディング位置２８にフィードされた前記バ
ンプ付きテープ９の前記バンプ４を前記ＸＹテーブル２
７に搭載された半導体ウエハ２６の半導体チップ２の電
極パッド３に熱圧着或いは超音波熱圧着により転写する
ように構成されている。また前記バンプ転写部１５は前
記ボンディング位置２８へフィードされる前記バンプ付
きテープ９のバンプ４の表面を活性化するために例えば
トーチ電極２２が設けられている。そしてこれらの機構
は図示しない制御部により制御されるように構成され
る。

【００２７】次に本発明の一実施形態である半導体チッ
プのバンプ形成方法について説明する。まず前記テープ
部材１０は例えば前記バンプ形成装置１２の前記テープ
供給リール１６にセットされ、前記テープ部材１０の他
端側は前記３つの処理部及びローラ機構１７等を介して
前記テープ巻き取りリール１８に接続される。そして前
記テープ供給リール１６から一定の間隔で前記バンプ形
成部１３に供給されるテープ部材１０は、前記バンプ形
成部１３のステージ１９にフィードされる。この時、前
記テープ部材１０の上方に設けられた前記キャピラリ２
０は、内部に通された例えば金（Ａｕ）等からなるワイ
ヤ２１の先端部には例えばトーチ電極等を用いて、図４
（ａ）に示すように前記ボール２３が所定の大きさで形
成されている。そして前記キャピラリ２０が下方に移動
され、前記キャピラリ２０の先端に形成された前記ボー
ル２３は熱圧着法或いは超音波併用熱圧着法により、図
４（ｂ）に示すように前記ステージ上の前記テープ部材
１０の所定位置に圧着される。そして前記テープ部材１
０にボールを圧着した後、前記ワイヤ２１は図示しない
クランパにより挟んだ状態で引っ張られて、前記ワイヤ
２１は前記ボール２３近傍の再結晶領域で切断される。
そして図４（ｃ）に示すように前記テープ部材１０の所
定部位にバンプ４が形成される。前記圧着されたバンプ
４は前記テープ部材１０がフィードされることにより前
記バンプ形成部１３のステージから移動される。そして
前記バンプ形成部１３では同様に前記ステージ１９にフ
ィードされたテープ部材上に順次バンプが形成される。

【００２８】そして前記テープ部材１０に圧着された前
記バンプ４は、図５（ａ）に示すように前記バンプ押圧
部１４のステージ１９にフィードされる。前記バンプ押
圧部１４のステージ１９にフィードされた前記テープ部
材１０のバンプは、図５（ｂ）に示すようにその上方に
設けられた前記押圧体２５により所定の荷重で押圧され
る。そして前記押圧体２５により押圧されたバンプ４は
図５（ｃ）に示すように所定の高さに調整される。この
所定の高さに形成されたバンプ４はテープ部材１０がフ
ィードされることにより、前記バンプ押圧部１４のステ
ージから移動される。そして新たに前記バンプ押圧部１
４のステージにフィードされ、同様に順次前記バンプの
押圧が行われる。そして前記帯状のテープ部材１０上に
所定の間隔で複数のバンプ４が形成され、図６に示すよ
うなバンプ付きテープ９が形成される。このように前記
バンプ４は前記半導体チップ２の前記電極パッド３に直
接ではなく、一旦、前記テープ部材１０上に形成するよ
うに構成しているため、前記バンプ４は例えば前記半導
体チップへのダメージを考慮した押圧等の制限がなく、
容易に所望の高さのバンプを形成することができる。ま
た、前記バンプを電解メッキ等の複雑な処理を用いずに
形成しているため、容易にバンプを形成することができ
る。

【００２９】さらに前記押圧部１３での処理が終了して
形成された前記バンプ付きテープ９は前記ローラ機構１
７を介してフィードされ、前記バンプ付きテープの上下
面が反転、つまりは前記バンプ形成された表面が下側と
なる。そして反転されたバンプ付きテープ９は前記バン
プ転写部１５へフィードされる。

【００３０】前記バンプ転写部１５のウエハ供給部には
被処理物である半導体ウエハ２６がセットされている。
前記半導体ウエハ２６は、例えば単結晶引き上げ法等に
より形成されたシリコン（Ｓｉ）のインゴットをスライ
スして得られる円板状の基板であり、該半導体ウエハ２
６の一面に拡散等の工程を通じて所定の回路が形成され
た半導体チップ２を複数個有している。前記半導体ウエ
ハ２６上の前記半導体チップには例えばアルミニウム
（Ａｌ）からなる複数の電極パッド３が形成されてお
り、専用の治具に収納された状態で前記ウエハ供給部２
９にセットされている。

【００３１】この前記半導体ウエハ２６は図７（ａ）に
示すように構成されており、例えば真空吸着機構等によ
り吸着され、前記ＸＹテーブル２７に供給される。前記
供給された半導体ウエハ２６は前記ＸＹテーブル２７に
位置決めされた状態で保持される。前記ＸＹテーブル２
７に保持された前記半導体ウエハは、前記半導体チップ
上の電極パッド３をボンディング位置２８に配置される
ように移動される。また前記バンプ押圧部１４からフィ
ードされる前記バンプ付きテープ９も、前記バンプ４を
前記ボンディング位置２８に合わせるようにフィードさ
れている。この時、ボンディング位置２８にフィードさ
れるバンプ４はその表面が前記バンプ転写部１５のトー
チ電極２２により溶融されている。そして前記ボンディ
ング位置２８において前記バンプ付きテープのバンプ
は、前記半導体ウエハ２６上の半導体チップの電極パッ
ド３に熱圧着法或いは超音波併用熱圧着法により転写さ
れ、図７（ｂ）に示すように前記半導体チップ２の電極
パッド３上に前記バンプ４を形成する。そして前記バン
プ４の圧着後、前記ボンディングツール３１は上方位置
に移動され、前記電極パッド上に前記バンプが転写形成
される。このボンディングツール３１の移動に同期し
て、前記半導体ウエハ２６を保持固定した前記ＸＹテー
ブルは移動されて、次にバンプの転写形成する電極パッ
ドを前記ボンディング位置に合わせられる。さらに前記
バンプ付きテープ９についても前記ボンディングツール
の移動に同期して、該バンプ付きテープ９をフィードす
ることにより新たなバンプをボンディング位置に移動さ
せる。そして同様に前記半導体チップの電極パッド上に
バンプを順次形成する。このように前記半導体チップの
全ての電極パッド、さらには前記半導体ウエハ上に形成
された前記半導体チップのすべての電極パッドについて
前記バンプを転写形成され、図７（ｃ）に示すような前
記バンプ４の形成された半導体ウエハ２６が得られる。
そして前記バンプの転写形成の終了した半導体ウエハ２
６は、例えば真空吸着機構等により吸着され、前記半導
体ウエハ排出部３０に搬送される。前記半導体ウエハ排
出部３０に搬送された半導体ウエハは治具に収納され
る。このように半導体チップの電極パッドに予め形成し
たバンプ付きテープ９からバンプ４を転写形成すること
により、前記半導体チップに加えるストレスを最小限に
し、薄型のバンプを半導体チップ上に簡単に形成するこ
とができる。

【００３２】尚、前記予め形成したバンプ付きテープ９
から前記半導体チップの電極パッド上に前記バンプ４を
転写形成する際に、前記バンプと前記半導体チップの電
極パッドとを、導電性接着剤を介して転写形成するよう
に構成してもよい。つまりは前記バンプ付きテープ９の
バンプ上に、或いは前記半導体チップの電極パッド上に
予め導電性接着剤を付けておき、前述したようにバンプ
付きテープからバンプ４を前記半導体チップの電極パッ
ド上に導電性接着剤を介して転写形成する。これにより
半導体チップの電極パッドと前記バンプとの圧着性をさ
らに向上させることができる。

【００３３】また前記電極パッド３への前記バンプ４の
転写形成が終了した前記半導体ウエハはダイシング工程
に移行され、前記半導体ウエハはダイシング装置等によ
り夫々の半導体チップ毎に切断・分離され、図８に示す
ような前記電極パッド３に前記バンプ４を有する半導体
チップが得られる。このような半導体チップ２は図９
（ａ）に示すように例えばポリイミドからなる基材５の
一面に銅箔等からなるリード６を所望のパターンに形成
したフィルムキャリア７に搭載される。前記リード６の
一端側は前記基材５の中央部位に設けられた開口部３２
に延在しており、前記リード６の一端側は前記開口部３
２に配置される前記半導体チップの電極パッドと、前記
転写形成したバンプ４を介して電気的に接続されるもの
である。前記フィルムキャリア７のリード６の一端側と
前記バンプ４は例えば一括ボンディング法、つまりは前
記フィルムキャリア７のリード６と前記半導体チップの
前記バンプとを位置合わせした状態で、図示しないボン
ディングツールを上方から押し当てて加熱及び加圧する
ことにより一度にボンディングされ、図９（ｂ）に示す
ようになる。そして前記半導体チップを搭載した前記フ
ィルムキャリア７は封止工程に移行され、例えばポッテ
ィングにより少なくとも半導体チップの表面を封止す
る。前記ポッティングでは例えばエポキシ系の封止樹脂
８が多点ノズル方式により半導体チップ表面をコートす
るように塗布される。そして前記半導体チップ上に塗布
された封止樹脂８は所定温度でキュアすることにより硬
化され、図９（ｃ）に示すように構成される。そして前
記封止されたフィルムキャリア５は切断工程等を経て、
図１０に示されるようなＴＣＰ構造の半導体装置１が得
られる。

【００３４】（実施形態２）図１１は本発明の他の実施
形態である前記バンプ圧着前のバンプ付きテープを示す
平面図、図１２は本発明の他の実施形態である前記テー
プ部材へのバンプ形成フローを示す断面図である。

【００３５】本発明の他の実施形態であるバンプ付きテ
ープ９は、例えば前記テープ８の表面に図１１に示すよ
うに溝部３２等を設けるように構成されており、前記溝
部３２は前記テープ部材１０のバンプ圧着位置に形成さ
れる。前記溝部３２の形状は例えば四角形で構成してい
るが、前記溝部３２の形状は三角形、五角形、円形或い
は前記三角形等の形状が分割されたもの等、どのような
形状でもよい。このようにバンプ形成位置に溝部３２を
有するテープ部材１０を用いて、実施形態１と同様にバ
ンプが形成される。前記テープ部材１０は前記バンプ形
成装置にセットされ、該テープ部材１０は前記スプロケ
ットホールによりキャピラリ２０の下方の所定位置にフ
ィードされる。前記キャピラリ２０の内部には例えば金
（Ａｕ）等からなるワイヤ２１が通されており、該ワイ
ヤ２１の先端部は図１２（ａ）に示すようにボール２３
が所定の大きさに形成される。そして前記ボール２３は
前記キャピラリ２０によって図１２（ｂ）に示すように
前記テープ部材の所定部位に設けられた溝部３２上に圧
着される。前記ボール２３は前記溝部３２に入り込んだ
状態で前記テープ部材１０に圧着されており、前記テー
プ部材１０と前記バンプ４との接触面積が大きくなり、
前記バンプ４と前記テープ部材１０との圧着性を向上す
ることができる。そして前記テープ部材１０に前記ボー
ル２３を圧着した後、前記ワイヤ２１は図示しないクラ
ンパにより挟んだ状態で引っ張られて、前記ワイヤは再
結晶領域で切断される。そして図１２（ｃ）に示すよう
に前記テープ部材１０の所定部位に設けられた溝部３２
上に前記バンプ４が得られる。そして前記バンプ４が形
成されたテープ部材は実施形態１と同様に、前記押圧体
２４により前記バンプ４が所定の荷重で押圧され、前記
バンプ４は所定の高さに調整される。そして前記テープ
部材１０上に所定の間隔で、前記バンプ４が連続的に形
成されバンプ付きテープ９が得られ、前記実施形態１と
同様に使用される。

【００３６】以上、本発明者によってなされた発明を実
施形態に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施
形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない
範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。例え
ば、本実施形態ではＴＣＰ構造の半導体装置の製造技術
に適用した場合について説明したが、半導体チップの電
極パッド上にバンプを形成する製品であればどのような
製品でも良く、例えばＣＳＰ（ＣｈｉｐＳｃａｌｅ
Ｐａｃｋａｇｅ）等のバンプ形成技術に適用可能であ
る。

【００３７】また本実施形態では、前記バンプ付きテー
プをテープ部材の長さ方向に一定の間隔で連続したバン
プを形成し、前記バンプ付きテープ９から半導体チップ
の電極パッド３に順次転写形成するように構成したが、
前記バンプ付きテープ９を例えば図１３に示すように一
つの半導体チップの電極パッドに対応した配置でバンプ
４を形成し、前記バンプ付きテープ９から半導体チップ
２の電極パッド３に一括的に転写形成するように構成し
てもよい。

【００３８】さらに本実施形態では、前記テープ部材へ
のバンプ形成から前記バンプの転写形成までの処理を一
貫ラインとして前記バンプ形成装置を構成したが、前記
テープ部材へのバンプの形成、前記テープ部材に形成し
たバンプの押圧、及び前記半導体チップへのバンプの転
写処理を行うものであればどのような構成でもよく、例
えば、夫々の処理を個別の装置、或いは前記テープ部材
へのバンプ形成及びバンプ押圧の２つの処理を行う装置
として構成してもよい。

【００３９】また本実施形態では前記テープ部材へのバ
ンプの形成から前記バンプの転写形成までを一貫ライン
として処理するように構成したが、予め前記テープ部材
へバンプを形成し該バンプを押圧することによりバンプ
付きテープを形成し、作り置きした前記バンプ付きテー
プを用いて前記半導体チップの電極パッドへバンプの転
写を行うことができる。このようにバンプ付きテープを
作り置きして億個とにより半導体装置の製造工数を低減
することができる。

【００４０】

【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記の通りである。

【００４１】すなわち、半導体チップの製造（バンプ形
成）技術において、金属ワイヤの先端を溶融させてボー
ルを形成し、該ボールを帯状のテープ部材に圧着し、前
記ワイヤを前記ボールの近傍位置で切断し、前記テープ
部材上に前記バンプを形成する工程と、前記テープ部材
上に形成された前記バンプを押圧体により所定の高さま
で押圧する工程と、前記テープ部材に押圧された前記バ
ンプを半導体チップの電極パッドに転写する工程とを有
するように構成したことにより、前記バンプは押圧等の
制限がなく、所望の高さのバンプを形成することがで
き、半導体装置の小型化・薄型化を実現できる。また、
前記バンプを電解メッキ等の複雑な処理を用いずに形成
しているため、容易に薄型のバンプを形成することがで
き、歩留の向上及びコストの低減を図ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態であるバンプ付きテープの
バンプ圧着前のテープ部材を示す平面図である。

【図２】本発明の一実施形態である半導体チップのバン
プ形成装置を示す概略構成図である。

【図３】本発明の一実施形態であるバンプ形成装置のバ
ンプ転写部を示す概略構成図である。

【図４】本発明の一実施形態であるバンプ形成フローを
示す断面図である。

【図５】本発明の一実施形態であるバンプ押圧フローを
示す断面図である。

【図６】本発明の一実施形態であるバンプ付きテープを
示す平面図である。

【図７】本発明の一実施形態であるバンプ転写フローを
示す断面図である。

【図８】バンプ転写形成後の半導体チップを示す断面図
である。

【図９】ＴＣＰ構造の半導体装置の組立フローを示す断
面図である。

【図１０】本発明の適用されるＴＣＰ構造の半導体装置
を示す断面図である。

【図１１】本発明の他の実施形態である前記バンプ圧着
前のバンプ付きテープを示す平面図である。

【図１２】本発明の他の実施形態である前記テープ部材
へのバンプ形成フローを示す断面図である。

【図１３】本発明であるバンプ付きテープへのバンプ形
成の変形例を示す平面図である。

【符号の説明】

１…半導体装置、２…半導体チップ、３…電極パッド、
４…バンプ（バンプ）、５…基材、６…リード、７…フ
ィルムキャリア、８…封止樹脂、９…バンプ付きテー
プ、１０…テープ部材、１１…スプロケットホール、１
２…バンプ形成装置、１３…バンプ形成部、１４…バン
プ押圧部、１５…バンプ転写部、１６…テープ供給リー
ル、１７…ローラ機構、１８…テープ巻き取りリール、
１９…ステージ、２０…キャピラリ、２１…ワイヤ、２
２…トーチ電極、２３…ボール、２４…駆動機構、２５
…押圧体、２６…半導体ウエハ、２７…ＸＹテーブル、
２８…ボンディング位置、２９…ウエハ供給部、３０…
ウエハ排出部、３１…ボンディングツール、３２…開口
部、３３…溝部、３４…ダイシングライン。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】金属ワイヤの先端を溶融させてボールを形
成し、該ボールを帯状のテープ部材に圧着する工程と、
前記ワイヤを前記ボールの近傍位置で切断し、前記テー
プ部材上に前記バンプを形成する工程とを有するバンプ
付きテープの製造方法。
【請求項２】前記テープ部材上へのバンプ形成が、前記
テープ部材の表面に設けられた少なくとも一つの溝部上
に形成されることを特徴とする請求項１記載のバンプ付
きテープの製造方法。
【請求項３】前記テープ部材へのバンプ形成が、前記バ
ンプを前記半導体チップの電極パッドに対応した配置で
前記テープ部材へ形成することを特徴とする請求項１記
載のバンプ付きテープの製造方法。
【請求項４】前記テープ部材上へのバンプ形成が、ポリ
イミド系、金属系或いはそれらの混在型のテープ部材に
形成されることを特徴とする請求項1記載のバンプ付き
テープの製造方法。
【請求項５】金属ワイヤの先端を溶融させてボールを形
成し、該ボールを帯状のテープ部材に圧着し、前記ワイ
ヤを前記ボールの近傍位置で切断し、前記テープ部材上
に前記バンプを形成する工程と、前記テープ部材上に形
成された前記バンプを押圧体により所定の高さまで押圧
する工程と、前記テープ部材に押圧された前記バンプを
所定の回路の形成された半導体チップの電極パッドに転
写する工程とを有することを特徴とする半導体チップの
製造方法。
【請求項６】前記バンプの転写が、該バンプをトーチ電
極によりその表面を溶融させ、前記溶融されたバンプを
半導体チップの電極パッドに圧着することにより転写さ
せることを特徴とする請求項５記載の半導体チップの製
造方法。
【請求項７】前記バンプの転写が、該バンプを少なくと
も導電性接着剤を介して半導体チップの電極パッドに転
写させることを特徴とする請求項５記載の半導体チップ
の製造方法。
【請求項８】前記テープ部材上へのバンプ形成が、前記
テープ部材の表面に設けられた少なくとも一つの溝部上
に形成されることを特徴とする請求項５記載の半導体チ
ップの製造方法。
【請求項９】前記テープ部材へのバンプ形成が、前記バ
ンプを前記半導体チップの電極パッドに対応した配置で
前記テープ部材へ形成することを特徴とする請求項５記
載の半導体チップの製造方法。
【請求項１０】前記テープ部材上へのバンプ形成が、ポ
リイミド系、金属系或いはそれらの混在型のテープ部材
に形成されることを特徴とする請求項５記載の半導体チ
ップの製造方法。
【請求項１１】金属ワイヤを溶融させて形成したバンプ
を有する帯状のテープ部材を用意する工程と、前記テー
プ部材のバンプを半導体チップの電極パッドに転写する
工程とを有することを特徴とする半導体チップの製造方
法。
【請求項１２】金属ワイヤの先端を溶融させてボールを
形成し、該ボールを帯状のテープ部材に圧着し、前記ワ
イヤを前記ボールの近傍位置で切断し、前記テープ部材
上に前記バンプを形成するバンプ形成部と、前記テープ
部材上に形成された前記バンプを押圧体により所定の高
さまで押圧するバンプ押圧部と、前記テープ部材に押圧
された前記バンプを所定の回路の形成された半導体チッ
プの電極パッドに転写するバンプ転写部と、前記テープ
部材を少なくとも前記バンプ形成部、前記バンプ押圧部
及び前記バンプ転写部を搬送するテープ供給機構を有す
ることを特徴とする半導体チップのバンプ形成装置。