JPH05136317A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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- H01L2224/85438—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/85444—Gold (Au) as principal constituent
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Abstract
(57)【要約】
ワイヤボンディングを行うためになす製造用フレームに
対するメッキ処理工程を省略することができるととも
に、製造用フレームの下地材の種類あるいはその表面粗
さのいかんに関わりなく、信頼性のあるワイヤボンディ
ングを行うことができるように構成した新たな半導体装
置のワイヤボンディング部構造ならびにこの半導体装置
の製造方法を提供することを目的とする。 【構成】 製造用フレームのリード部に導電性接着剤を
塗布・固化させ、上記フレームにボンディングされた半
導体チップと上記リード部との間のワイヤボンディング
を、上記半導体チップと、上記リード部上の固化した導
電性接着剤との間を結線するようにして行うようにした
ことを特徴とする。
対するメッキ処理工程を省略することができるととも
に、製造用フレームの下地材の種類あるいはその表面粗
さのいかんに関わりなく、信頼性のあるワイヤボンディ
ングを行うことができるように構成した新たな半導体装
置のワイヤボンディング部構造ならびにこの半導体装置
の製造方法を提供することを目的とする。 【構成】 製造用フレームのリード部に導電性接着剤を
塗布・固化させ、上記フレームにボンディングされた半
導体チップと上記リード部との間のワイヤボンディング
を、上記半導体チップと、上記リード部上の固化した導
電性接着剤との間を結線するようにして行うようにした
ことを特徴とする。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本願発明は、半導体装置およびそ
の製造方法に関し、フレーム上にボンディングされた半
導体チップとの間をワイヤボンディングするためにフレ
ームのリード部に形成されるべきメッキを省略して製造
工程の簡略化を図るとともに、フレームの下地の表面状
態のいかんにかかわらず、ワイヤボンディングを可能と
したものに関する。
の製造方法に関し、フレーム上にボンディングされた半
導体チップとの間をワイヤボンディングするためにフレ
ームのリード部に形成されるべきメッキを省略して製造
工程の簡略化を図るとともに、フレームの下地の表面状
態のいかんにかかわらず、ワイヤボンディングを可能と
したものに関する。
【0002】
【従来の技術および発明が解決しようとする課題】IC
やトランジスタ、あるいは発光ダイオード等の半導体装
置は、概ね次のような工程を経て製造される。金属薄板
を所定形状に打ち抜いて形成される製造用フレームに半
導体チップをボンディングするとともに、この半導体チ
ップの近傍に位置するようにしてフレームに一体形成さ
れたリードと、半導体チップ上のボンディングパッドと
の間を金線等を用いてワイヤボンディングする。こうし
てフレーム上にボンディングされた半導体チップとリー
ドとの電気的接続をワイヤボンディングによって図られ
た半製品は、次に、上記半導体チップないしワイヤボン
ディング部を樹脂モールドされる。そして、フレームの
不用部位をカットするとともに、リードのフォーミング
を行い、標印あるいは検査行程等を経て、最終的に樹脂
パッケージ部分から所定のリード足が突出してなる単位
半導体装置が製造用フレームから切り離される。
やトランジスタ、あるいは発光ダイオード等の半導体装
置は、概ね次のような工程を経て製造される。金属薄板
を所定形状に打ち抜いて形成される製造用フレームに半
導体チップをボンディングするとともに、この半導体チ
ップの近傍に位置するようにしてフレームに一体形成さ
れたリードと、半導体チップ上のボンディングパッドと
の間を金線等を用いてワイヤボンディングする。こうし
てフレーム上にボンディングされた半導体チップとリー
ドとの電気的接続をワイヤボンディングによって図られ
た半製品は、次に、上記半導体チップないしワイヤボン
ディング部を樹脂モールドされる。そして、フレームの
不用部位をカットするとともに、リードのフォーミング
を行い、標印あるいは検査行程等を経て、最終的に樹脂
パッケージ部分から所定のリード足が突出してなる単位
半導体装置が製造用フレームから切り離される。
【0003】ところで、上記製造用フレームは、鉄でで
きた薄板に銅メッキを施したもの、あるいは銅でできた
薄板に、ニッケルメッキおよび銀メッキを施したものが
用いられる。さらに、ワイヤボンディングを金線によっ
て行う関係上、フレームにおけるワイヤボンディングを
施すべきリード部分には、上記の各メッキに加え、さら
に金メッキが施されるのが通常である。このようにして
下地金属に対して多数層のメッキを行うのは、リードフ
レーム下地層の酸化を防止するという意味もあるが、最
外表面を銀メッキとしあるいは場合によってはさらに金
メッキをも施す理由は、上記のごとく、ボンディングワ
イヤのリード上への接続の確実性を図るがためである。
きた薄板に銅メッキを施したもの、あるいは銅でできた
薄板に、ニッケルメッキおよび銀メッキを施したものが
用いられる。さらに、ワイヤボンディングを金線によっ
て行う関係上、フレームにおけるワイヤボンディングを
施すべきリード部分には、上記の各メッキに加え、さら
に金メッキが施されるのが通常である。このようにして
下地金属に対して多数層のメッキを行うのは、リードフ
レーム下地層の酸化を防止するという意味もあるが、最
外表面を銀メッキとしあるいは場合によってはさらに金
メッキをも施す理由は、上記のごとく、ボンディングワ
イヤのリード上への接続の確実性を図るがためである。
【0004】上記のように、従来の半導体装置の製造工
程においては、リードへのワイヤボンディングを、金メ
ッキ(銀メッキの場合もある)上に行うことが前提とさ
れており、そのために、製造用フレーム全体にニッケル
メッキないし銀メッキを施し、さらには、金メッキを施
す必要があったのであり、そのための工程はきわめて煩
雑であるとともに、製品コストを押し上げる原因ともな
っていた。
程においては、リードへのワイヤボンディングを、金メ
ッキ(銀メッキの場合もある)上に行うことが前提とさ
れており、そのために、製造用フレーム全体にニッケル
メッキないし銀メッキを施し、さらには、金メッキを施
す必要があったのであり、そのための工程はきわめて煩
雑であるとともに、製品コストを押し上げる原因ともな
っていた。
【0005】さらに、金線を用いたワイヤボンディング
は、表面状態の滑らかなリード上に行われるべきことが
前提とされており、したがって、製造用フレームを作製
する段においても、その表面を一定以上の滑らかなもの
にしておく必要があり、このことも、製品コストを押し
上げる一因ともなっていた。
は、表面状態の滑らかなリード上に行われるべきことが
前提とされており、したがって、製造用フレームを作製
する段においても、その表面を一定以上の滑らかなもの
にしておく必要があり、このことも、製品コストを押し
上げる一因ともなっていた。
【0006】本願発明は、上記の事情のもとで考えださ
れたものであって、従来、製造用フレームのリード部へ
の金線ワイヤによるボンディングをするために必要とさ
れていたメッキ処理工程を不用とすることができる新た
なワイヤボンディング部構造をもった半導体製造装置を
提供するとともに、かかる半導体装置を、効率的に製造
することができる方法を提供することをその課題として
いる。
れたものであって、従来、製造用フレームのリード部へ
の金線ワイヤによるボンディングをするために必要とさ
れていたメッキ処理工程を不用とすることができる新た
なワイヤボンディング部構造をもった半導体製造装置を
提供するとともに、かかる半導体装置を、効率的に製造
することができる方法を提供することをその課題として
いる。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに、本願発明では次の技術的手段を講じている。すな
わち、本願の請求項1に記載した半導体装置は、フレー
ムの適部にボンディングされた半導体チップとリードと
の間をワイヤボンディングするとともに、これら半導体
チップないしワイヤボンディング部を樹脂で覆って構成
される半導体装置であって、上記ワイヤボンディング
は、リードに塗布して固化された導電性接着剤と上記半
導体チップとの間になされていることを特徴としてい
る。
めに、本願発明では次の技術的手段を講じている。すな
わち、本願の請求項1に記載した半導体装置は、フレー
ムの適部にボンディングされた半導体チップとリードと
の間をワイヤボンディングするとともに、これら半導体
チップないしワイヤボンディング部を樹脂で覆って構成
される半導体装置であって、上記ワイヤボンディング
は、リードに塗布して固化された導電性接着剤と上記半
導体チップとの間になされていることを特徴としてい
る。
【0008】そして本願の請求項2に記載した半導体装
置の製造方法は、次の各ステップを含むことを特徴とし
ている。 (1) フレームのリード部に導電性接着剤を塗布し、固化
させるステップ。 (2) 上記フレームの適部に半導体チップをボンディング
するステップ。 (3) 上記リード部上で固化した導電性接着剤と上記半導
体チップ間をワイヤボンディングするステップ。
置の製造方法は、次の各ステップを含むことを特徴とし
ている。 (1) フレームのリード部に導電性接着剤を塗布し、固化
させるステップ。 (2) 上記フレームの適部に半導体チップをボンディング
するステップ。 (3) 上記リード部上で固化した導電性接着剤と上記半導
体チップ間をワイヤボンディングするステップ。
【0009】さらに本願の請求項3に記載した半導体装
置の製造方法は、次の各ステップを順次的に行うことを
含む点に特徴をもつ。 (1) フレームに半導体チップをボンディングするに際
し、フレームのチップボンディング部とリード部との双
方に導電性接着剤を塗布するステップ。 (2) 上記チップボンディング部に半導体チップを載置す
るステップ。 (3) 熱によって上記チップボンディング部の導電性接着
剤を固化して半導体チップの固定を図るとともに、リー
ド部に塗布した導電性接着剤を固化するステップ。 (4) 上記リード部上で固化した導電性接着剤と上記半導
体チップ間をワイヤボンディングするステップ。
置の製造方法は、次の各ステップを順次的に行うことを
含む点に特徴をもつ。 (1) フレームに半導体チップをボンディングするに際
し、フレームのチップボンディング部とリード部との双
方に導電性接着剤を塗布するステップ。 (2) 上記チップボンディング部に半導体チップを載置す
るステップ。 (3) 熱によって上記チップボンディング部の導電性接着
剤を固化して半導体チップの固定を図るとともに、リー
ド部に塗布した導電性接着剤を固化するステップ。 (4) 上記リード部上で固化した導電性接着剤と上記半導
体チップ間をワイヤボンディングするステップ。
【0010】
【発明の作用および効果】本願発明の半導体装置におい
ては、一端を半導体チップ上にボンディングされたワイ
ヤの他端は、メッキを施されたリード上にボンディング
されるのではなく、リード上に塗布して固化された導電
性接着剤上にボンディングされる。通常、かかるワイヤ
ボンディングは、キャピラリから繰り出された金線ワイ
ヤの先端に水素トーチによって溶融ボールを形成し、こ
の溶融ボールをキャピラリ先端で押しつけることによ
り、金線ワイヤの一端を半導体チップに対してファース
トボンディングする一方、キャピラリを移動させつつ金
線ワイヤを繰り出し、リード上にキャピラリの先端を押
しつけて上記金線ワイヤを熱融着させるとと同時に金線
を引きちぎるという手法により、上記金線ワイヤの他端
部をリードに対してセカンドボンディングする。したが
って、キャピラリによる押圧力を調整することにより、
上記リードに対する金線のセカンドボンディングは、た
とえリード部が金メッキをされていなくとも、十分な電
気的導通が図られた信頼性のあるものとなるのである。
ては、一端を半導体チップ上にボンディングされたワイ
ヤの他端は、メッキを施されたリード上にボンディング
されるのではなく、リード上に塗布して固化された導電
性接着剤上にボンディングされる。通常、かかるワイヤ
ボンディングは、キャピラリから繰り出された金線ワイ
ヤの先端に水素トーチによって溶融ボールを形成し、こ
の溶融ボールをキャピラリ先端で押しつけることによ
り、金線ワイヤの一端を半導体チップに対してファース
トボンディングする一方、キャピラリを移動させつつ金
線ワイヤを繰り出し、リード上にキャピラリの先端を押
しつけて上記金線ワイヤを熱融着させるとと同時に金線
を引きちぎるという手法により、上記金線ワイヤの他端
部をリードに対してセカンドボンディングする。したが
って、キャピラリによる押圧力を調整することにより、
上記リードに対する金線のセカンドボンディングは、た
とえリード部が金メッキをされていなくとも、十分な電
気的導通が図られた信頼性のあるものとなるのである。
【0011】導電性接着剤としては、金ペースト、銀ペ
ースト、あるいは融点を高められたハンダ等から適当な
ものが選択されて使用される。たとえば、金ペースト
は、金の微粒子を適当な粘度の樹脂に混ぜ合わされたも
のであり、かかる金ペーストは、熱を加えると樹脂成分
が気化して、金を主成分とする固体となる。こうして導
電性接着剤として金ペーストを用いると、ボンディング
用ワイヤとして金線ワイヤを用いる場合、両者の間にな
じみがよくなり、より結線の確実性が図られる。
ースト、あるいは融点を高められたハンダ等から適当な
ものが選択されて使用される。たとえば、金ペースト
は、金の微粒子を適当な粘度の樹脂に混ぜ合わされたも
のであり、かかる金ペーストは、熱を加えると樹脂成分
が気化して、金を主成分とする固体となる。こうして導
電性接着剤として金ペーストを用いると、ボンディング
用ワイヤとして金線ワイヤを用いる場合、両者の間にな
じみがよくなり、より結線の確実性が図られる。
【0012】以上のように、本願発明の半導体装置によ
れば、製造過程においてフレームに必要とされていたメ
ッキ処理を不用とすることができるため、工程装置が従
来に比して格段に簡略化されるとともに、メッキ剤とし
ての金あるいは銀等の高価な材料が節減でき、その結
果、製造コストを著しく低減することができる。
れば、製造過程においてフレームに必要とされていたメ
ッキ処理を不用とすることができるため、工程装置が従
来に比して格段に簡略化されるとともに、メッキ剤とし
ての金あるいは銀等の高価な材料が節減でき、その結
果、製造コストを著しく低減することができる。
【0013】また、フレームの下地材の表面が粗くて
も、これに塗布されかつ固化された導電性接着剤の表面
は滑らかとなるので、製造用フレーム材料の材質あるい
は表面粗さのいかんにかかわらず、信頼性のあるワイヤ
ボンディングが可能となる。このように、リードフレー
ム材料そのものをコスト安くすることができ、このこと
も製品コストの低減に大きく寄与する。
も、これに塗布されかつ固化された導電性接着剤の表面
は滑らかとなるので、製造用フレーム材料の材質あるい
は表面粗さのいかんにかかわらず、信頼性のあるワイヤ
ボンディングが可能となる。このように、リードフレー
ム材料そのものをコスト安くすることができ、このこと
も製品コストの低減に大きく寄与する。
【0014】なお、製造用フレーム上にチップボンディ
ングをするに際し、そのボンディング材と、リード部に
塗布するべき導電性接着剤とを同一のものを用い、この
導電性接着剤によってチップボンディング部および所定
のリードの双方に塗布するようにすると(請求項3)、
チップボンディング部に半導体チップを載置した後に加
熱することにより、半導体チップの固定と、リードに塗
布された導電性接着剤の固化とを一つの処理工程で行う
ことができるようになるので、一層チップボンディング
ないしはワイヤボンディングのための工程処理が簡略化
され、このことも製品コストの低減に大きく寄与する。
ングをするに際し、そのボンディング材と、リード部に
塗布するべき導電性接着剤とを同一のものを用い、この
導電性接着剤によってチップボンディング部および所定
のリードの双方に塗布するようにすると(請求項3)、
チップボンディング部に半導体チップを載置した後に加
熱することにより、半導体チップの固定と、リードに塗
布された導電性接着剤の固化とを一つの処理工程で行う
ことができるようになるので、一層チップボンディング
ないしはワイヤボンディングのための工程処理が簡略化
され、このことも製品コストの低減に大きく寄与する。
【0015】以上のように、本願発明によれば、従来常
識的な前提とされていた製造用フレームに対するワイヤ
ボンディングのための銀メッキあるいは金メッキを不用
としつつ、リードと半導体チップとの間の信頼性あるワ
イヤボンディングが可能となったのであり、このことに
よる材料コストの低減、製造工程装置の簡略化に起因す
るコスト低減は、きわめて大きな利益をもたらすことに
なる。
識的な前提とされていた製造用フレームに対するワイヤ
ボンディングのための銀メッキあるいは金メッキを不用
としつつ、リードと半導体チップとの間の信頼性あるワ
イヤボンディングが可能となったのであり、このことに
よる材料コストの低減、製造工程装置の簡略化に起因す
るコスト低減は、きわめて大きな利益をもたらすことに
なる。
【0016】
【実施例の説明】以下、本願発明の実施例を、図面を参
照しつつ具体的に説明する。図1ないし図5は、発光ダ
イオードを効率よく製造するために特に構成された製造
工程において、本願発明を適用したものである。
照しつつ具体的に説明する。図1ないし図5は、発光ダ
イオードを効率よく製造するために特に構成された製造
工程において、本願発明を適用したものである。
【0017】図1は、U字型をした単位フレームfを、
テープ状担体Tによって等間隔に担持したものであっ
て、かかる複数の単位フレームfの連続体は、全体とし
て、製造用フレームFとして機能するものである。上記
U字状単位フレームfは、針金材を所定長さ毎に切断す
るとともに、その一端にプレスによってカップ部1を形
成した後、フォーミングマシンによってU字状に折り曲
げられたものである。
テープ状担体Tによって等間隔に担持したものであっ
て、かかる複数の単位フレームfの連続体は、全体とし
て、製造用フレームFとして機能するものである。上記
U字状単位フレームfは、針金材を所定長さ毎に切断す
るとともに、その一端にプレスによってカップ部1を形
成した後、フォーミングマシンによってU字状に折り曲
げられたものである。
【0018】ここで重要なことは、針金材には錆止めメ
ッキが施されていたとしても、これを所定長さ毎に切断
していることから、U字状単位フレームfの端末部に
は、下地材が露出しているということである。仮に従前
の半導体装置の製造手法を踏襲しようとすれば、上記の
ごとく下地材が露出する上記単位フレームfの端末部に
ニッケルメッキ、銀メッキ、ないしは金メッキを施す必
要があるが、かかる手法を踏襲することは、本例の製造
手法を採用する場合、非現実的である。
ッキが施されていたとしても、これを所定長さ毎に切断
していることから、U字状単位フレームfの端末部に
は、下地材が露出しているということである。仮に従前
の半導体装置の製造手法を踏襲しようとすれば、上記の
ごとく下地材が露出する上記単位フレームfの端末部に
ニッケルメッキ、銀メッキ、ないしは金メッキを施す必
要があるが、かかる手法を踏襲することは、本例の製造
手法を採用する場合、非現実的である。
【0019】本願発明においては、図2に示すように、
上記各単位フレームfのカップ部1の内部および端末部
2の双方に、金ペースト等からなる導電性接着材Bを、
たとえば、転写印刷法等によって塗布する。次いで、図
3に示すように、この導電性接着剤Bが乾燥する前に上
記カップ部1の内部に、ダイオードチップ3を載置付着
させる。
上記各単位フレームfのカップ部1の内部および端末部
2の双方に、金ペースト等からなる導電性接着材Bを、
たとえば、転写印刷法等によって塗布する。次いで、図
3に示すように、この導電性接着剤Bが乾燥する前に上
記カップ部1の内部に、ダイオードチップ3を載置付着
させる。
【0020】次にこれら単位フレームfを乾燥炉あるは
加熱炉に導入することにより、上記ダイオードチップ3
と上記カップ部1との間に介在する接着剤B、および上
記端末部2に塗布された接着剤Bを乾燥固化させる。そ
うすると、上記ダイオードチップ3の上記カップ部1に
対する導電接着が完了するとともに、上記端末部2に
は、金を主成分とする導電接着剤固形物層が形成される
ことになる。
加熱炉に導入することにより、上記ダイオードチップ3
と上記カップ部1との間に介在する接着剤B、および上
記端末部2に塗布された接着剤Bを乾燥固化させる。そ
うすると、上記ダイオードチップ3の上記カップ部1に
対する導電接着が完了するとともに、上記端末部2に
は、金を主成分とする導電接着剤固形物層が形成される
ことになる。
【0021】さらに、上記ダイオードチップ3と、上記
端末部2との間には、図4に示すように金線ワイヤ4等
を用いたワイヤボンディングが施される。通常ダイオー
ドチップ3に対していわゆるファーストボンディングが
行われ、端末部2に対していわゆるセカンドボンディン
グが行われる。図示はされていないが、このセカンドボ
ンディングでは、キャピラリを上記端末部2に対して所
定の強さで押しつけるという操作が行われるのであり、
そのために、上記単位フレームfの上記端末部2の近傍
は、クランプ部材等で挟持することによって上記押圧力
を受け止めることができるようにしている。
端末部2との間には、図4に示すように金線ワイヤ4等
を用いたワイヤボンディングが施される。通常ダイオー
ドチップ3に対していわゆるファーストボンディングが
行われ、端末部2に対していわゆるセカンドボンディン
グが行われる。図示はされていないが、このセカンドボ
ンディングでは、キャピラリを上記端末部2に対して所
定の強さで押しつけるという操作が行われるのであり、
そのために、上記単位フレームfの上記端末部2の近傍
は、クランプ部材等で挟持することによって上記押圧力
を受け止めることができるようにしている。
【0022】上記端末部2に対してセカンドボンディン
グが行われるようにしているので、そのためのキャピラ
リの押圧力を調整することにより、金線ワイヤ4は、信
頼性を維持しながら、端末部2に対してボンディングさ
れることができる。上記のように、チップボンディング
およびワイヤボンディングが行われた各単位フレームf
に対しては、上記カップ部1ないし上記端末部2を取り
囲むように構成された透明または半透明の樹脂マウント
部が設けられて図5に示すようになり、次いで同じく図
5に示すように、U字状単位フレームfの下端U字状屈
曲部が切除される。
グが行われるようにしているので、そのためのキャピラ
リの押圧力を調整することにより、金線ワイヤ4は、信
頼性を維持しながら、端末部2に対してボンディングさ
れることができる。上記のように、チップボンディング
およびワイヤボンディングが行われた各単位フレームf
に対しては、上記カップ部1ないし上記端末部2を取り
囲むように構成された透明または半透明の樹脂マウント
部が設けられて図5に示すようになり、次いで同じく図
5に示すように、U字状単位フレームfの下端U字状屈
曲部が切除される。
【0023】このように上記した発光ダイオードを製造
するべく特に構成された製造工程において、本願発明を
適用した場合、ワイヤボンディングを施すために単位フ
レームfに特別なメッキ処理を行うことが全く不用であ
るため、単位フレームfを形成するために用いる線材に
は、単に錆止め用のメッキを施しておけばよいことにな
る。
するべく特に構成された製造工程において、本願発明を
適用した場合、ワイヤボンディングを施すために単位フ
レームfに特別なメッキ処理を行うことが全く不用であ
るため、単位フレームfを形成するために用いる線材に
は、単に錆止め用のメッキを施しておけばよいことにな
る。
【0024】上記の実施例においては、特別な製造工程
によって発光ダイオードを製造する場合に本願発明を適
用した例を示したが、本願発明は、製造用フレームFを
用いてかつ、チップボンディング工程およびワイヤボン
ディング工程を経て製造される全ての半導体装置に適用
しうることはいうまでもない。
によって発光ダイオードを製造する場合に本願発明を適
用した例を示したが、本願発明は、製造用フレームFを
用いてかつ、チップボンディング工程およびワイヤボン
ディング工程を経て製造される全ての半導体装置に適用
しうることはいうまでもない。
【0025】図6および図7は、製造用フレームFを用
いてICを製造する場合に本願発明を適用した例を示し
ている。すなわち、製造用フレームFのチップボンディ
ング部(アイランド)の所定領域と、このチップボンデ
ィング部を囲むようにして延びる複数本のリード5の先
端部上面に、金ペースト等からなる導電接着剤を塗布す
るのである。図5において仮想斜線で示した領域が本例
の場合に上記接着剤Bを塗布するべき領域である。この
接着剤の塗布は、転写法あるいは投射印刷法等の簡便な
手法によって行うことができる。
いてICを製造する場合に本願発明を適用した例を示し
ている。すなわち、製造用フレームFのチップボンディ
ング部(アイランド)の所定領域と、このチップボンデ
ィング部を囲むようにして延びる複数本のリード5の先
端部上面に、金ペースト等からなる導電接着剤を塗布す
るのである。図5において仮想斜線で示した領域が本例
の場合に上記接着剤Bを塗布するべき領域である。この
接着剤の塗布は、転写法あるいは投射印刷法等の簡便な
手法によって行うことができる。
【0026】次に、チップボンディング部に所定の半導
体チップ3を載置付着させた後、フレームFを乾燥炉に
導入して上記導電性接着剤を固化させる。そうすると、
図7に示されるように、上記半導体チップ3がボンディ
ング部に固定されるとともに、リード5の表面には、金
を主成分とする固化された導電性接着剤層Bが形成され
ることになる。
体チップ3を載置付着させた後、フレームFを乾燥炉に
導入して上記導電性接着剤を固化させる。そうすると、
図7に示されるように、上記半導体チップ3がボンディ
ング部に固定されるとともに、リード5の表面には、金
を主成分とする固化された導電性接着剤層Bが形成され
ることになる。
【0027】以後のワイヤボンディング工程は、従前と
同様にして行えばよい。すなわち、半導体チップ3上の
ボンディングパッドに対して金線ワイヤ4によるファー
ストボンディングを行うとともに、各リード5の上面
に、上記のごとく半導体チップ3のボンディングパッド
に一端が結線された金線ワイヤのセカンドボンディング
を行えばよいのである。
同様にして行えばよい。すなわち、半導体チップ3上の
ボンディングパッドに対して金線ワイヤ4によるファー
ストボンディングを行うとともに、各リード5の上面
に、上記のごとく半導体チップ3のボンディングパッド
に一端が結線された金線ワイヤのセカンドボンディング
を行えばよいのである。
【0028】以上の説明から明らかなように、本願発明
によれば、ワイヤボンディングのためになす製造用フレ
ームに対するメッキ処理工程を、全て省略することが可
能である。これによるメッキ材料コストの低減ならびに
メッキ処理工程が不用となることによる製造工程装置の
簡略化に伴う経済的効果は、甚大なものというべきであ
る。
によれば、ワイヤボンディングのためになす製造用フレ
ームに対するメッキ処理工程を、全て省略することが可
能である。これによるメッキ材料コストの低減ならびに
メッキ処理工程が不用となることによる製造工程装置の
簡略化に伴う経済的効果は、甚大なものというべきであ
る。
【0029】さらには、製造用フレームの下地の粗さ
や、下地の材質のいかんにかかわらず、メッキを施すこ
となく、信頼性の高いワイヤボンディングをなすことが
可能となったのであり、これによる製造用フレームそれ
自体の作製コストが、大きく低減されることなり、この
ことによる経済的効果も著しい。
や、下地の材質のいかんにかかわらず、メッキを施すこ
となく、信頼性の高いワイヤボンディングをなすことが
可能となったのであり、これによる製造用フレームそれ
自体の作製コストが、大きく低減されることなり、この
ことによる経済的効果も著しい。
【0030】もちろん、本願発明の範囲は、上述した実
施例に限定されるものではない。上記の説明において
は、フレームに対してチップをボンディングするために
用いる接着剤と、リード部に塗布するべき接着剤を共通
のものとするとともに、これらを同時に塗布し、かつ同
時に乾燥固化することを前提として説明しているが、か
ならずしもこのようにせねばならないというわけではな
い。
施例に限定されるものではない。上記の説明において
は、フレームに対してチップをボンディングするために
用いる接着剤と、リード部に塗布するべき接着剤を共通
のものとするとともに、これらを同時に塗布し、かつ同
時に乾燥固化することを前提として説明しているが、か
ならずしもこのようにせねばならないというわけではな
い。
【0031】すなわち、半導体チップをボンディングす
る工程と、リードに対して導電性接着剤を塗布する工程
を、全く別工程にするとともに、用いるべき導電性接着
剤の種類も、必要に応じて変更することができる。たと
えば、リード部に対して塗布しかつ固化されるべき導電
性接着剤は、製造用フレームを作製する段階においてす
でに行っておいてもよいのである。
る工程と、リードに対して導電性接着剤を塗布する工程
を、全く別工程にするとともに、用いるべき導電性接着
剤の種類も、必要に応じて変更することができる。たと
えば、リード部に対して塗布しかつ固化されるべき導電
性接着剤は、製造用フレームを作製する段階においてす
でに行っておいてもよいのである。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】一種の発光ダイオード装置の製造において、本
願発明を適用した場合の説明図であり、図1はフレーム
を、図2はフレームに導電性接着剤を塗布した状態を、
図3はチップをボンディングした状態を、図4はワイヤ
ボンディングを行った状態を、図5は樹脂モールド工程
およびリードカット工程を行った状態を、それぞれ示
す。
願発明を適用した場合の説明図であり、図1はフレーム
を、図2はフレームに導電性接着剤を塗布した状態を、
図3はチップをボンディングした状態を、図4はワイヤ
ボンディングを行った状態を、図5は樹脂モールド工程
およびリードカット工程を行った状態を、それぞれ示
す。
【図6】
【図7】他の半導体装置の製造において本願発明を適用
した場合の説明図であり、図6は、製造用フレーム上に
導電性接着剤を塗布すべき領域で示し、図7は、チップ
ボンディングおよびワイヤボンディング工程を行った状
態を示す。
した場合の説明図であり、図6は、製造用フレーム上に
導電性接着剤を塗布すべき領域で示し、図7は、チップ
ボンディングおよびワイヤボンディング工程を行った状
態を示す。
F 半導体装置製造用フレーム B 導電性接着剤 4 金線ワイヤ 5 リード f 単位フレーム
Claims (3)
- 【請求項1】 フレームの適部にボンディングされた半
導体チップとリードとの間をワイヤボンディングすると
ともに、これら半導体チップないしワイヤボンディング
部を樹脂で覆って構成される半導体装置であって、 上記ワイヤボンディングは、リードに塗布して固化され
た導電性接着剤と上記半導体チップとの間になされてい
ることを特徴とする、半導体装置。 - 【請求項2】 次の各ステップを含むことを特徴とす
る、半導体装置の製造方法。 (1) フレームのリード部に導電性接着剤を塗布し、固化
させるステップ。 (2) 上記フレームの適部に半導体チップをボンディング
するステップ。 (3) 上記リード部上で固化した導電性接着剤と上記半導
体チップ間をワイヤボンディングするステップ。 - 【請求項3】 次の各ステップを順次的に行うことを含
む、半導体装置の製造方法。 (1) フレームに半導体チップをボンディングするに際
し、フレームのチップボンディング部とリード部との双
方に導電性接着剤を塗布するステップ。 (2) 上記チップボンディング部に半導体チップを載置す
るステップ。 (3) 熱によって上記チップボンディング部の導電性接着
剤を固化して半導体チップの固定を図るとともに、リー
ド部に塗布した導電性接着剤を固化するステップ。 (4) 上記リード部上で固化した導電性接着剤と上記半導
体チップ間をワイヤボンディングするステップ。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3300371A JP3018050B2 (ja) | 1991-11-15 | 1991-11-15 | 半導体装置およびその製造方法 |
US07/970,372 US5338704A (en) | 1991-11-15 | 1992-11-02 | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
KR1019920021521A KR960011644B1 (ko) | 1991-11-15 | 1992-11-14 | 반도체장치 및 그 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3300371A JP3018050B2 (ja) | 1991-11-15 | 1991-11-15 | 半導体装置およびその製造方法 |
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05136317A true JPH05136317A (ja) | 1993-06-01 |
JP3018050B2 JP3018050B2 (ja) | 2000-03-13 |
Family
ID=17883978
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3300371A Expired - Fee Related JP3018050B2 (ja) | 1991-11-15 | 1991-11-15 | 半導体装置およびその製造方法 |
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Country | Link |
---|---|
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US5530284A (en) * | 1995-03-06 | 1996-06-25 | Motorola, Inc. | Semiconductor leadframe structure compatible with differing bond wire materials |
JP2856135B2 (ja) * | 1996-01-30 | 1999-02-10 | 日本電気株式会社 | 電界放出冷陰極素子の固定構造及び固定方法 |
US5885893A (en) * | 1997-06-09 | 1999-03-23 | Highlight Optoelectronics, Inc. | Impact-free wire bonding of microelectronic devices |
KR100490789B1 (ko) * | 1997-07-21 | 2005-09-13 | 주식회사 휴비스 | 초극세섬유의제조방법 |
US5930666A (en) * | 1997-10-09 | 1999-07-27 | Astralux, Incorporated | Method and apparatus for packaging high temperature solid state electronic devices |
US6548832B1 (en) * | 1999-06-09 | 2003-04-15 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Hybrid integrated circuit device |
JP3537417B2 (ja) * | 2001-12-25 | 2004-06-14 | 株式会社東芝 | 半導体装置およびその製造方法 |
KR100475573B1 (ko) | 2003-07-01 | 2005-03-14 | 삼성전자주식회사 | 휴대용 컴퓨터시스템 및 그 제어방법 |
JP2010141112A (ja) * | 2008-12-11 | 2010-06-24 | Sharp Corp | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
TW201022590A (en) * | 2008-12-15 | 2010-06-16 | shao-yu Lv | Assembling structure and method for lamp component |
JP5826782B2 (ja) * | 2013-03-19 | 2015-12-02 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4209358A (en) * | 1978-12-04 | 1980-06-24 | Western Electric Company, Incorporated | Method of fabricating a microelectronic device utilizing unfilled epoxy adhesive |
JPH0612796B2 (ja) * | 1984-06-04 | 1994-02-16 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置 |
US4835120A (en) * | 1987-01-12 | 1989-05-30 | Debendra Mallik | Method of making a multilayer molded plastic IC package |
US5205036A (en) * | 1988-10-17 | 1993-04-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing a semiconductor device with selective coating on lead frame |
US5045151A (en) * | 1989-10-17 | 1991-09-03 | Massachusetts Institute Of Technology | Micromachined bonding surfaces and method of forming the same |
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1991
- 1991-11-15 JP JP3300371A patent/JP3018050B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1992
- 1992-11-02 US US07/970,372 patent/US5338704A/en not_active Expired - Fee Related
- 1992-11-14 KR KR1019920021521A patent/KR960011644B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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KR930011318A (ko) | 1993-06-24 |
KR960011644B1 (ko) | 1996-08-24 |
US5338704A (en) | 1994-08-16 |
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LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |