JP2001239449A - Ｃｍｐ用パッドコンディショナー - Google Patents
Ｃｍｐ用パッドコンディショナーInfo
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- JP2001239449A JP2001239449A JP2000052665A JP2000052665A JP2001239449A JP 2001239449 A JP2001239449 A JP 2001239449A JP 2000052665 A JP2000052665 A JP 2000052665A JP 2000052665 A JP2000052665 A JP 2000052665A JP 2001239449 A JP2001239449 A JP 2001239449A
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- binder
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Abstract
(57)【要約】
【課題】半導体基板加工に用いるＣＭＰ装置のパッドコ
ンディショナーにおいて、ダイヤモンド砥粒の脱落がな
く、かつ結合材、台金の溶出によるシリコンウエハの汚
染がないものを提供する。 【解決手段】台金の表面に、平均粒径３０μm 〜１００
０μm のダイヤモンド砥粒がニッケルめっき、又はロウ
材を主成分とする結合材により単層固着されたＣＭＰ用
パッドコンディショナーで、ＴｉＮ膜とＣｒＮ膜とが交
互に積層された超薄膜積層膜によって、上記の結合材表
面、又は結合材表面と台金表面の両方を被覆する。
ンディショナーにおいて、ダイヤモンド砥粒の脱落がな
く、かつ結合材、台金の溶出によるシリコンウエハの汚
染がないものを提供する。 【解決手段】台金の表面に、平均粒径３０μm 〜１００
０μm のダイヤモンド砥粒がニッケルめっき、又はロウ
材を主成分とする結合材により単層固着されたＣＭＰ用
パッドコンディショナーで、ＴｉＮ膜とＣｒＮ膜とが交
互に積層された超薄膜積層膜によって、上記の結合材表
面、又は結合材表面と台金表面の両方を被覆する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体基板加工に
用いるＣＭＰ（Chemical Mechanical Planarization)装
置のパッドコンディショナーに関するものである。
用いるＣＭＰ（Chemical Mechanical Planarization)装
置のパッドコンディショナーに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＣＭＰは、シリコンウエハ及びウエハ上
の多層配線部を加工変質層なしで平坦化する方法であ
る。ＣＭＰでは、酸性又はアルカリ性水溶液にシリカ等
微粒子を混濁させたスラリーを用い、研磨パッドは発泡
ポリウレタン、ポリエステル不織布等が用いられてい
る。研磨が進行するに当たり、研磨パッドが目づまりを
生じて平面度が低下するため、常時又は定期的に研磨パ
ッドをドレッシングして、平面度の精度保持と目づまり
の解消をする必要が生じる。ここに使われるドレッシン
グ工具は、円板状あるいはリング状の金属製台金の表面
にダイヤモンド砥粒が単層固着されたものでパッドコン
ディショナーと呼ばれている。
の多層配線部を加工変質層なしで平坦化する方法であ
る。ＣＭＰでは、酸性又はアルカリ性水溶液にシリカ等
微粒子を混濁させたスラリーを用い、研磨パッドは発泡
ポリウレタン、ポリエステル不織布等が用いられてい
る。研磨が進行するに当たり、研磨パッドが目づまりを
生じて平面度が低下するため、常時又は定期的に研磨パ
ッドをドレッシングして、平面度の精度保持と目づまり
の解消をする必要が生じる。ここに使われるドレッシン
グ工具は、円板状あるいはリング状の金属製台金の表面
にダイヤモンド砥粒が単層固着されたものでパッドコン
ディショナーと呼ばれている。
【０００３】パッドコンディショナーはドレッシング
時、酸性又はアルカリ性のスラリーに接触するため、パ
ッドコンディショナーのダイヤモンド砥粒を保持してい
る結合材が溶出し、ダイヤモンド砥粒が脱落を生じるお
それがある。脱落したダイヤモンド砥粒が研磨パッドに
固着し、研磨時シリコンウエハにスクラッチ傷を生じる
問題があった。さらに、パッドコンディショナーの結合
材あるいは台金部が溶出するとシリコンウエハが汚染さ
れ、半導体ディバイスとして不良となる問題があった。
時、酸性又はアルカリ性のスラリーに接触するため、パ
ッドコンディショナーのダイヤモンド砥粒を保持してい
る結合材が溶出し、ダイヤモンド砥粒が脱落を生じるお
それがある。脱落したダイヤモンド砥粒が研磨パッドに
固着し、研磨時シリコンウエハにスクラッチ傷を生じる
問題があった。さらに、パッドコンディショナーの結合
材あるいは台金部が溶出するとシリコンウエハが汚染さ
れ、半導体ディバイスとして不良となる問題があった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記の問題
点を解決するためになされたものである。すなわち、半
導体基板加工に用いるＣＭＰ装置のパッドコンディショ
ナーにおいて、ダイヤモンド砥粒の脱落がなく、かつ結
合材、台金の溶出によるシリコンウエハの汚染がないも
のを提供することにある。
点を解決するためになされたものである。すなわち、半
導体基板加工に用いるＣＭＰ装置のパッドコンディショ
ナーにおいて、ダイヤモンド砥粒の脱落がなく、かつ結
合材、台金の溶出によるシリコンウエハの汚染がないも
のを提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、台金４の表面
に、平均粒径３０μm 〜１０００μm のダイヤモンド砥
粒２がニッケルめっき、又はロウ材を主成分とする結合
材３により単層固着されたＣＭＰ用パッドコンディショ
ナーＷであって、ＴｉＮ膜１ａとＣｒＮ膜１ｂとが交互
に積層された超薄膜積層膜１によって、上記の結合材表
面が被覆されていることを特徴とするＣＭＰ用パッドコ
ンディショナーである。ここでダイヤモンド砥粒の平均
粒径を３０μm 〜１０００μm としているのはパッドコ
ンディショナーに適用可能な平均粒径を限定したもの
で、一般的には、およそ５０μm 〜５００μm のものが
用いられている。また、ダイヤモンド砥粒を金属製台金
に固着するには、ニッケルめっきによって、台金の表面
にダイヤモンド砥粒を直接固着するポジめっきタイプ
と、反転型材にダイヤモンド砥粒を接着剤等により仮固
定後、ニッケルめっきで肉盛りしてダイヤモンド層を形
成する反転めっきタイプがある。
に、平均粒径３０μm 〜１０００μm のダイヤモンド砥
粒２がニッケルめっき、又はロウ材を主成分とする結合
材３により単層固着されたＣＭＰ用パッドコンディショ
ナーＷであって、ＴｉＮ膜１ａとＣｒＮ膜１ｂとが交互
に積層された超薄膜積層膜１によって、上記の結合材表
面が被覆されていることを特徴とするＣＭＰ用パッドコ
ンディショナーである。ここでダイヤモンド砥粒の平均
粒径を３０μm 〜１０００μm としているのはパッドコ
ンディショナーに適用可能な平均粒径を限定したもの
で、一般的には、およそ５０μm 〜５００μm のものが
用いられている。また、ダイヤモンド砥粒を金属製台金
に固着するには、ニッケルめっきによって、台金の表面
にダイヤモンド砥粒を直接固着するポジめっきタイプ
と、反転型材にダイヤモンド砥粒を接着剤等により仮固
定後、ニッケルめっきで肉盛りしてダイヤモンド層を形
成する反転めっきタイプがある。
【０００６】結合材は、ニッケルめっきの他、ロウ材を
用いることができる。ロウ材はロウ付け温度が低く、流
動性の高いものが良好で、台金として用いられる鋼だけ
でなく、特に、ダイヤモンドとの濡れ性に優れ、高い固
着力が得られるＡｇ−Ｃｕ−Ｔｉ系活性化ロウ材等が最
適である。他には、Ｎｉ−Ｃｒ系ロウ材またはＣｏ−Ｎ
ｉ−Ｃｒ系ロウ材も適用することができる。ロウ材を用
いて製作するには、ペースト状のロウ材を用いるのがよ
い。ここで、ペースト状ロウ材は、一般にロウ材の粉末
をバインダーで練ったものであり、適度の粘性を有する
ため、ダイヤモンド砥粒をセッティングすることも容易
である。台金の作用面にペースト状のロウ材を塗布し、
その上にダイヤモンド砥粒をハンドセットまたは機械に
より配列し、ロウ材が乾燥してダイヤモンド砥粒がずれ
ないようになった時点で炉に入れて加熱し、ロウ材を溶
融後、冷却してダイヤモンド砥粒を単層固着するもので
ある。
用いることができる。ロウ材はロウ付け温度が低く、流
動性の高いものが良好で、台金として用いられる鋼だけ
でなく、特に、ダイヤモンドとの濡れ性に優れ、高い固
着力が得られるＡｇ−Ｃｕ−Ｔｉ系活性化ロウ材等が最
適である。他には、Ｎｉ−Ｃｒ系ロウ材またはＣｏ−Ｎ
ｉ−Ｃｒ系ロウ材も適用することができる。ロウ材を用
いて製作するには、ペースト状のロウ材を用いるのがよ
い。ここで、ペースト状ロウ材は、一般にロウ材の粉末
をバインダーで練ったものであり、適度の粘性を有する
ため、ダイヤモンド砥粒をセッティングすることも容易
である。台金の作用面にペースト状のロウ材を塗布し、
その上にダイヤモンド砥粒をハンドセットまたは機械に
より配列し、ロウ材が乾燥してダイヤモンド砥粒がずれ
ないようになった時点で炉に入れて加熱し、ロウ材を溶
融後、冷却してダイヤモンド砥粒を単層固着するもので
ある。
【０００７】本発明のポイントは、パッドコンディショ
ナーのスラリーに接触する結合材表面を、スラリーに溶
解しずらく、しかも高硬度で高耐酸化性を備えた超薄膜
積層膜１により被覆して、結合材の溶出によるダイヤモ
ンド砥粒の脱落防止、および結合材の溶出によるシリコ
ンウエハの汚染防止を可能とするものである。なお、ス
ラリーの特性により、結合材表面だけでなく、台金４の
表面全体の両方を被覆することが好ましい。図１は、本
発明の概念的な断面図であり、ＴｉＮ膜１ａ及びＣｒＮ
膜１ｂは超薄膜積層膜１を構成する各単位層を示してい
る。また、必要に応じて、図２に示す厚み０．１〜５μ
ｍの表面層５を設ける。表面層５として用いることがで
きる膜としては、例えば、ＣｒＮ膜等が適当である。な
お、図１においては、超薄膜積層膜１を構成する各層Ｔ
ｉＮ膜１ａとＣｒＮ膜１ｂの実際の厚みは、それぞれ、
０．１〜２０ｎｍであり、表面層５の概略千分の１であ
る。本発明の超薄膜積層膜は、スパッタリング法やイオ
ンプレーティング法等のＰＶＤ法によって形成すること
ができる。この超薄膜積層膜を作製するには非晶質成分
の少ない結晶性の高い共有結合性化合物の層が形成可能
なプロセスが必要であり、実際には、原料元素のイオン
化率が高いアーク式イオンプレーティング法が最適であ
る。反応性イオンプレーティング法、マグネトロンスパ
ッタリング法でも共有結合性化合物を形成できるが、非
晶質成分が混在するため特性が低下する。ＴｉＮ膜及び
ＣｒＮ膜の最大厚みは２０ｎｍ以下であることが好まし
く、１０ｎｍ以下であることがより好ましい。その理由
は、膜の厚みが２０ｎｍを超えると高硬度、高耐酸化性
などの特性が低下するためである。また膜の最小厚み
は、０．１ｎｍ以上であることが好ましく、０．２ｎｍ
以上であることが更に好ましい。０．１ｎｍ未満では、
相互拡散を主とする影響により、超薄膜積層膜全体が均
質な混合層となって上記の効果が期待できなくなるため
である。
ナーのスラリーに接触する結合材表面を、スラリーに溶
解しずらく、しかも高硬度で高耐酸化性を備えた超薄膜
積層膜１により被覆して、結合材の溶出によるダイヤモ
ンド砥粒の脱落防止、および結合材の溶出によるシリコ
ンウエハの汚染防止を可能とするものである。なお、ス
ラリーの特性により、結合材表面だけでなく、台金４の
表面全体の両方を被覆することが好ましい。図１は、本
発明の概念的な断面図であり、ＴｉＮ膜１ａ及びＣｒＮ
膜１ｂは超薄膜積層膜１を構成する各単位層を示してい
る。また、必要に応じて、図２に示す厚み０．１〜５μ
ｍの表面層５を設ける。表面層５として用いることがで
きる膜としては、例えば、ＣｒＮ膜等が適当である。な
お、図１においては、超薄膜積層膜１を構成する各層Ｔ
ｉＮ膜１ａとＣｒＮ膜１ｂの実際の厚みは、それぞれ、
０．１〜２０ｎｍであり、表面層５の概略千分の１であ
る。本発明の超薄膜積層膜は、スパッタリング法やイオ
ンプレーティング法等のＰＶＤ法によって形成すること
ができる。この超薄膜積層膜を作製するには非晶質成分
の少ない結晶性の高い共有結合性化合物の層が形成可能
なプロセスが必要であり、実際には、原料元素のイオン
化率が高いアーク式イオンプレーティング法が最適であ
る。反応性イオンプレーティング法、マグネトロンスパ
ッタリング法でも共有結合性化合物を形成できるが、非
晶質成分が混在するため特性が低下する。ＴｉＮ膜及び
ＣｒＮ膜の最大厚みは２０ｎｍ以下であることが好まし
く、１０ｎｍ以下であることがより好ましい。その理由
は、膜の厚みが２０ｎｍを超えると高硬度、高耐酸化性
などの特性が低下するためである。また膜の最小厚み
は、０．１ｎｍ以上であることが好ましく、０．２ｎｍ
以上であることが更に好ましい。０．１ｎｍ未満では、
相互拡散を主とする影響により、超薄膜積層膜全体が均
質な混合層となって上記の効果が期待できなくなるため
である。
【０００８】
【実施例】（実施例１）１５０Ｄ−１０Ｗ−２５Ｔの台
金をステンレス鋼で製作し、ダイヤモンド砥粒層以外の
部分を絶縁テープ及び絶縁塗料でマスキングした。次
に、水酸化ナトリウム５０ｇ／リットル、炭酸ナトリウ
ム５０ｇ／リットルの脱脂液で液温８０℃とし、１０Ａ
／ｄｍ２で陰極電解脱脂及び陽極電解脱脂を行った。そ
の後純水で洗浄後、塩酸に３分間侵漬し、再度純水で洗
浄後、ストライクめっきを５分間行った。次に、ニッケ
ルめっき浴中で電流密度１Ａ／ｄｍ２で１０分間の下地
めっき完了後、ダイヤモンド砥粒＃８０／＃１００（平
均粒径１８０μm ）を台金の上へ乗せ、電流密度０．１
Ａ／ｄｍ２で６時間めっきした。この時台金に接してい
るダイヤモンド砥粒のみが台金に固着され、台金に接し
ていないダイヤモンド砥粒は、めっき浴中で１回／秒の
サイクルで５分間台金を揺動すると脱落した。更にその
後続けて４８時間めっきした。
金をステンレス鋼で製作し、ダイヤモンド砥粒層以外の
部分を絶縁テープ及び絶縁塗料でマスキングした。次
に、水酸化ナトリウム５０ｇ／リットル、炭酸ナトリウ
ム５０ｇ／リットルの脱脂液で液温８０℃とし、１０Ａ
／ｄｍ２で陰極電解脱脂及び陽極電解脱脂を行った。そ
の後純水で洗浄後、塩酸に３分間侵漬し、再度純水で洗
浄後、ストライクめっきを５分間行った。次に、ニッケ
ルめっき浴中で電流密度１Ａ／ｄｍ２で１０分間の下地
めっき完了後、ダイヤモンド砥粒＃８０／＃１００（平
均粒径１８０μm ）を台金の上へ乗せ、電流密度０．１
Ａ／ｄｍ２で６時間めっきした。この時台金に接してい
るダイヤモンド砥粒のみが台金に固着され、台金に接し
ていないダイヤモンド砥粒は、めっき浴中で１回／秒の
サイクルで５分間台金を揺動すると脱落した。更にその
後続けて４８時間めっきした。
【０００９】さらにそのダイヤモンド層表面及び台金表
面にＴｉＮ膜とＣｒＮ膜とが交互に積層された厚み３μ
ｍ超薄膜積層膜により被覆した。その後、ダイヤモンド
砥粒表面の被膜を除去して、約３０μm のダイヤモンド
砥粒の突出し高さを得て、本発明のパッドコンディショ
ナーを完成させた。そして本発明の効果を確認するため
に、研磨パッドをドレッシングして、従来例のパッドコ
ンディショナーと比較検討した。なお従来例としては、
めっき完了後のもの（超薄膜積層膜無し）を用いた。
面にＴｉＮ膜とＣｒＮ膜とが交互に積層された厚み３μ
ｍ超薄膜積層膜により被覆した。その後、ダイヤモンド
砥粒表面の被膜を除去して、約３０μm のダイヤモンド
砥粒の突出し高さを得て、本発明のパッドコンディショ
ナーを完成させた。そして本発明の効果を確認するため
に、研磨パッドをドレッシングして、従来例のパッドコ
ンディショナーと比較検討した。なお従来例としては、
めっき完了後のもの（超薄膜積層膜無し）を用いた。
【００１０】研磨パッドのドレッシング試験の結果、本
発明品は従来例に比較し、寿命が５〜８倍に伸び、しか
も研磨パッドのドレス屑及びスラリーの微粒子がダイヤ
モンド層に付着することが極めて少なく、長期間に渡っ
て安定したドレッシングを行うことができた。従来例
は、結合材の溶解による砥粒の脱落が多く、スクラッチ
傷不良が発生しただけでなく、短寿命であった。
発明品は従来例に比較し、寿命が５〜８倍に伸び、しか
も研磨パッドのドレス屑及びスラリーの微粒子がダイヤ
モンド層に付着することが極めて少なく、長期間に渡っ
て安定したドレッシングを行うことができた。従来例
は、結合材の溶解による砥粒の脱落が多く、スクラッチ
傷不良が発生しただけでなく、短寿命であった。
【００１１】（実施例２）１５０Ｄ−１０Ｗ−２５Ｔの
台金をステンレス鋼で製作し、ダイヤモンド砥粒層以外
の部分を絶縁テープ及び絶縁塗料でマスキングした。次
に、水酸化ナトリウム５０ｇ／リットル、炭酸ナトリウ
ム５０ｇ／リットルの脱脂液で液温８０℃とし、１０Ａ
／ｄｍ２で陰極電解脱脂及び陽極電解脱脂を行った。そ
の後純水で洗浄後、塩酸に３分間侵漬し、再度純水で洗
浄後、ストライクめっきを５分間行った。次に、ニッケ
ルめっき浴中で電流密度１Ａ／ｄｍ２、１０分間の下地
めっき完了後、ダイヤモンド砥粒＃１７０／＃２００
（平均粒径９０μm ）を台金の上へ乗せ、電流密度０．
１Ａ／ｄｍ２で３時間めっきした。この時台金に接して
いるダイヤモンド砥粒のみが台金に固着され、台金に接
していないダイヤモンド砥粒は、めっき浴中で１回／秒
のサイクルで５分間台金を揺動すると脱落した。更にそ
の後続けて２４時間めっきした。
台金をステンレス鋼で製作し、ダイヤモンド砥粒層以外
の部分を絶縁テープ及び絶縁塗料でマスキングした。次
に、水酸化ナトリウム５０ｇ／リットル、炭酸ナトリウ
ム５０ｇ／リットルの脱脂液で液温８０℃とし、１０Ａ
／ｄｍ２で陰極電解脱脂及び陽極電解脱脂を行った。そ
の後純水で洗浄後、塩酸に３分間侵漬し、再度純水で洗
浄後、ストライクめっきを５分間行った。次に、ニッケ
ルめっき浴中で電流密度１Ａ／ｄｍ２、１０分間の下地
めっき完了後、ダイヤモンド砥粒＃１７０／＃２００
（平均粒径９０μm ）を台金の上へ乗せ、電流密度０．
１Ａ／ｄｍ２で３時間めっきした。この時台金に接して
いるダイヤモンド砥粒のみが台金に固着され、台金に接
していないダイヤモンド砥粒は、めっき浴中で１回／秒
のサイクルで５分間台金を揺動すると脱落した。更にそ
の後続けて２４時間めっきした。
【００１２】さらにそのダイヤモンド層表面及び台金表
面に、ＴｉＮ膜とＣｒＮ膜とが交互に積層された厚み５
μｍ超薄膜積層膜により被覆した。その後ダイヤモンド
砥粒先端部を覆っている樹脂被膜を除去して、約１５μ
m のダイヤモンド砥粒の突出し高さを得て、本発明のパ
ッドコンディショナーを完成させた。そして本発明の効
果を確認するために、研磨パッドをドレッシングして、
従来例のパッドコンディショナーと比較検討した。なお
従来例としては、めっき完了後のもの（超薄膜積層膜無
し）を用いた。
面に、ＴｉＮ膜とＣｒＮ膜とが交互に積層された厚み５
μｍ超薄膜積層膜により被覆した。その後ダイヤモンド
砥粒先端部を覆っている樹脂被膜を除去して、約１５μ
m のダイヤモンド砥粒の突出し高さを得て、本発明のパ
ッドコンディショナーを完成させた。そして本発明の効
果を確認するために、研磨パッドをドレッシングして、
従来例のパッドコンディショナーと比較検討した。なお
従来例としては、めっき完了後のもの（超薄膜積層膜無
し）を用いた。
【００１３】研磨パッドのドレッシング試験の結果、本
発明品は従来例に比較し、寿命が５〜９倍に伸び、しか
も研磨パッドのドレス屑及びスラリーの微粒子がダイヤ
モンド層に付着することが極めて少なく、長期間に渡っ
て安定したドレッシングを行うことができた。
発明品は従来例に比較し、寿命が５〜９倍に伸び、しか
も研磨パッドのドレス屑及びスラリーの微粒子がダイヤ
モンド層に付着することが極めて少なく、長期間に渡っ
て安定したドレッシングを行うことができた。
【００１４】
【発明の効果】以上説明したように、パッドコンディシ
ョナーのダイヤモンド層の結合材の溶出を防止する事に
より、ダイヤモンド砥粒の脱落が極めて少なくなる。こ
のことにより、ＣＭＰ加工時にシリコンウエハにスクラ
ッチ傷が発生しないだけでなく、寿命を大幅に伸ばすこ
とができる。特に、酸性スラリーを使用する場合のパッ
ドコンディショナーの寿命は極端に短く、本発明品は従
来品と比べ寿命を５〜１０倍に伸ばすことができる。さ
らに、研磨パッドのドレス屑及びスラリーの微粒子がパ
ッドコンディショナーの結合材に付着することが少なく
なり、ドレッシングの安定性を著しく向上させることが
できる。
ョナーのダイヤモンド層の結合材の溶出を防止する事に
より、ダイヤモンド砥粒の脱落が極めて少なくなる。こ
のことにより、ＣＭＰ加工時にシリコンウエハにスクラ
ッチ傷が発生しないだけでなく、寿命を大幅に伸ばすこ
とができる。特に、酸性スラリーを使用する場合のパッ
ドコンディショナーの寿命は極端に短く、本発明品は従
来品と比べ寿命を５〜１０倍に伸ばすことができる。さ
らに、研磨パッドのドレス屑及びスラリーの微粒子がパ
ッドコンディショナーの結合材に付着することが少なく
なり、ドレッシングの安定性を著しく向上させることが
できる。
【図１】本発明の一実施例の部分断面模式図を示す。
【図２】本発明の別の実施例の部分断面模式図を示す。
【図３】本発明の一実施例の外観斜視図を示す。
１ 超薄膜積層膜 １ａ ＴｉＮ膜 １ｂ ＣｒＮ膜 ２ ダイヤモンド砥粒 ３ 結合材 ４ 台金 ５ 表面のＣｒＮ膜 Ｗ ＣＭＰ用パッドコンディショナー Ｓ 超砥粒層 Ｓ’ 超砥粒層の表面 Ｐ 積層ピッチ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｂ２４Ｄ 3/02 Ｂ２４Ｄ 3/02 Ａ 3/06 3/06 Ｂ Ｃ Ｈ０１Ｌ 21/304 ６２２ Ｈ０１Ｌ 21/304 ６２２Ｍ Ｆターム(参考） 3C047 EE11 EE18 EE19 3C058 AA07 AA19 CA01 CB01 DA02 DA12 3C063 AA02 AB05 BB02 BB07 BC02 BG01 CC09 CC11 CC13 EE01 FF08 FF23 FF30
Claims (4)
- 【請求項１】台金４の表面に、平均粒径３０μm 〜１０
００μm のダイヤモンド砥粒２がニッケルめっき、又は
ロウ材を主成分とする結合材３により単層固着されたＣ
ＭＰ用パッドコンディショナーＷであって、 ＴｉＮ膜１ａとＣｒＮ膜１ｂとが交互に積層された超薄
膜積層膜１によって、上記の結合材表面が被覆されてい
ることを特徴とするＣＭＰ用パッドコンディショナー。 - 【請求項２】ＴｉＮ膜１ａとＣｒＮ膜１ｂとが交互に積
層された超薄膜積層膜１によって、上記の台金４の表面
全体又は一部が被覆されていることを特徴とする請求項
１記載のＣＭＰ用パッドコンディショナー。 - 【請求項３】上記のＴｉＮ膜１ａ、及びＣｒＮ膜１ｂの
厚みは、それぞれ、０．１〜２０ｎｍであることを特徴
とする請求項１又は２記載のＣＭＰ用パッドコンディシ
ョナー。 - 【請求項４】上記の超薄膜積層膜１の表面に、更に、厚
みが０．０１〜２０μｍのＣｒＮ膜５が被覆されている
ことを特徴とする請求項１、２又は３記載のＣＭＰ用パ
ッドコンディショナー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000052665A JP2001239449A (ja) | 2000-02-29 | 2000-02-29 | Ｃｍｐ用パッドコンディショナー |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000052665A JP2001239449A (ja) | 2000-02-29 | 2000-02-29 | Ｃｍｐ用パッドコンディショナー |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001239449A true JP2001239449A (ja) | 2001-09-04 |
Family
ID=18574146
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000052665A Pending JP2001239449A (ja) | 2000-02-29 | 2000-02-29 | Ｃｍｐ用パッドコンディショナー |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001239449A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20050005958A (ko) * | 2003-07-08 | 2005-01-15 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 화학적기계연마 장치의 연마패드 컨디셔닝 디스크 |
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| JP5061186B2 (ja) * | 2007-06-18 | 2012-10-31 | 株式会社アライドマテリアル | 内歯車状ダイヤモンドドレッサ、歯車加工用砥石のツルーイング、ドレッシング方法、および内歯車の研削加工法 |
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