JPH09321002A - 半導体ウェハの研磨方法およびその研磨用テンプレー ト - Google Patents
半導体ウェハの研磨方法およびその研磨用テンプレー トInfo
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- JPH09321002A JPH09321002A JP17534596A JP17534596A JPH09321002A JP H09321002 A JPH09321002 A JP H09321002A JP 17534596 A JP17534596 A JP 17534596A JP 17534596 A JP17534596 A JP 17534596A JP H09321002 A JPH09321002 A JP H09321002A
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- semiconductor wafer
- polishing
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- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract description 52
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 48
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 16
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 24
- 239000004744 fabric Substances 0.000 claims abstract description 22
- 238000005452 bending Methods 0.000 claims description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 abstract description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/27—Work carriers
- B24B37/30—Work carriers for single side lapping of plane surfaces
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B41/00—Component parts such as frames, beds, carriages, headstocks
- B24B41/06—Work supports, e.g. adjustable steadies
- B24B41/061—Work supports, e.g. adjustable steadies axially supporting turning workpieces, e.g. magnetically, pneumatically
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Length-Measuring Instruments Using Mechanical Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体ウェハとの当接面に発生する研磨クロ
スの撓みを防止することにより、半導体ウェハを平坦に
研磨することができる半導体ウェハの研磨方法およびそ
の研磨用テンプレートを提供する。 【解決手段】 セラミックプレート６の底面にバッキン
グパッド７を固着する。バッキングパッド７の底面にテ
ンプレート１を固着する。半導体ウェハ嵌合穴内周面１
２からテンプレート外周面１３の方向にかけてその厚さ
が薄くなるように、テンプレート底面１１が傾斜させ、
テンプレート１の断面をテーパー状に形成する。
スの撓みを防止することにより、半導体ウェハを平坦に
研磨することができる半導体ウェハの研磨方法およびそ
の研磨用テンプレートを提供する。 【解決手段】 セラミックプレート６の底面にバッキン
グパッド７を固着する。バッキングパッド７の底面にテ
ンプレート１を固着する。半導体ウェハ嵌合穴内周面１
２からテンプレート外周面１３の方向にかけてその厚さ
が薄くなるように、テンプレート底面１１が傾斜させ、
テンプレート１の断面をテーパー状に形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する分野】本発明は、半導体ウェハをテンプ
レートにより保持し、研磨クロスに当接させて研磨する
半導体ウェハの研磨方法およびその研磨用テンプレート
に関するものである。
レートにより保持し、研磨クロスに当接させて研磨する
半導体ウェハの研磨方法およびその研磨用テンプレート
に関するものである。
【０００２】
【発明が解決しようとする課題】半導体ウェハをテンプ
レートにより保持し、研磨クロスに当接させて研磨する
研磨方法においては、図４に示すように半導体ウェハ１
０とテンプレート８はその厚さに差があることから、テ
ンプレート８の底面と研磨クロス５の上面には空間９が
生じるため、研磨クロス５の上面にかかる応力が、テン
プレート８と半導体ウェハ１０との接触点８１を中心と
した範囲で急激に変化する。このため研磨クロス５の上
面に撓み５１ａが発生し、これにより半導体ウェハ１０
の外周部１０ａと研磨クロス５の外周部当接面５１との
当接が不確実になる。このため半導体ウェハ１０の外周
部１０ａが研磨されにくく、その結果、その研磨面が図
５に示すような中凹な形状となり、平坦度が損なわれる
という問題点があった。
レートにより保持し、研磨クロスに当接させて研磨する
研磨方法においては、図４に示すように半導体ウェハ１
０とテンプレート８はその厚さに差があることから、テ
ンプレート８の底面と研磨クロス５の上面には空間９が
生じるため、研磨クロス５の上面にかかる応力が、テン
プレート８と半導体ウェハ１０との接触点８１を中心と
した範囲で急激に変化する。このため研磨クロス５の上
面に撓み５１ａが発生し、これにより半導体ウェハ１０
の外周部１０ａと研磨クロス５の外周部当接面５１との
当接が不確実になる。このため半導体ウェハ１０の外周
部１０ａが研磨されにくく、その結果、その研磨面が図
５に示すような中凹な形状となり、平坦度が損なわれる
という問題点があった。
【０００３】本発明は、上記問題に鑑みてなされたもの
で、半導体ウェハとの当接面に発生する研磨クロスの撓
みを防止することにより、半導体ウェハを平坦に研磨す
ることができる半導体ウェハの研磨方法およびその研磨
用テンプレートを提供することを目的とするものであ
る。
で、半導体ウェハとの当接面に発生する研磨クロスの撓
みを防止することにより、半導体ウェハを平坦に研磨す
ることができる半導体ウェハの研磨方法およびその研磨
用テンプレートを提供することを目的とするものであ
る。
【０００４】
【課題を解決するための手段】このため本発明では、半
導体ウェハをテンプレートにより保持し、研磨クロスに
当接させて研磨する研磨方法において、半導体ウェハの
外周部と当接する研磨クロスの当接面に撓みを発生させ
ないテンプレートにより半導体ウェハを保持して研磨す
るようにしたものである。
導体ウェハをテンプレートにより保持し、研磨クロスに
当接させて研磨する研磨方法において、半導体ウェハの
外周部と当接する研磨クロスの当接面に撓みを発生させ
ないテンプレートにより半導体ウェハを保持して研磨す
るようにしたものである。
【０００５】また、半導体ウェハを保持するテンプレー
トの厚さが、半導体ウェハ嵌合穴内周面側から外周面方
向にかけて徐々に薄くなるように、前記テンプレートの
断面をテーパー状に形成するようにしたものである。
トの厚さが、半導体ウェハ嵌合穴内周面側から外周面方
向にかけて徐々に薄くなるように、前記テンプレートの
断面をテーパー状に形成するようにしたものである。
【０００６】さらに、半導体ウェハを保持するテンプレ
ートの底面を湾曲面に形成するようにしたものである。
ートの底面を湾曲面に形成するようにしたものである。
【０００７】また、半導体ウェハを保持するテンプレー
トの底面と外周面との角を面取りするようにしたもので
ある。
トの底面と外周面との角を面取りするようにしたもので
ある。
【０００８】
【発明の実施の形態】本発明は、半導体ウェハをテンプ
レートにより保持して研磨するワックスレス研磨におい
て、半導体ウェハの外周部とこれに当接する研磨クロス
の当接面に発生していた撓みを防止し、均一な研磨によ
り平坦度の高い半導体ウェハを得る研磨方法であり、こ
の撓みを防止することができるテンプレートとしては、
各実施例に示すようなものがある。
レートにより保持して研磨するワックスレス研磨におい
て、半導体ウェハの外周部とこれに当接する研磨クロス
の当接面に発生していた撓みを防止し、均一な研磨によ
り平坦度の高い半導体ウェハを得る研磨方法であり、こ
の撓みを防止することができるテンプレートとしては、
各実施例に示すようなものがある。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の各実施例を図面に基づいて説
明する。 実施例１ 図１は、実施例１のテンプレートを使用した研磨方法を
示す部分側断面図である。半導体ウェハを保持する実施
例１のトップリング部は、図１に示すように、セラミッ
クプレート６の底面にバッキングパッド７を固着し、こ
のバッキングパッド７の底面にテンプレート１を固着し
ている。テンプレート１の断面はテーパー状に形成さ
れ、半導体ウェハ嵌合穴内周面１２からテンプレート外
周面１３の方向にかけてその厚さが薄くなるように、テ
ンプレート底面１１が傾斜して設けられている。
明する。 実施例１ 図１は、実施例１のテンプレートを使用した研磨方法を
示す部分側断面図である。半導体ウェハを保持する実施
例１のトップリング部は、図１に示すように、セラミッ
クプレート６の底面にバッキングパッド７を固着し、こ
のバッキングパッド７の底面にテンプレート１を固着し
ている。テンプレート１の断面はテーパー状に形成さ
れ、半導体ウェハ嵌合穴内周面１２からテンプレート外
周面１３の方向にかけてその厚さが薄くなるように、テ
ンプレート底面１１が傾斜して設けられている。
【００１０】これにより、テンプレート１に当接してい
た研磨クロス５は、この傾斜した底面１１に沿うように
摺動し、半導体ウェハ１０との当接面５１に撓みが発生
することがなく、半導体ウェハ１０と研磨クロス５との
当接面が均一になり、半導体ウェハを平坦度に研磨でき
る。
た研磨クロス５は、この傾斜した底面１１に沿うように
摺動し、半導体ウェハ１０との当接面５１に撓みが発生
することがなく、半導体ウェハ１０と研磨クロス５との
当接面が均一になり、半導体ウェハを平坦度に研磨でき
る。
【００１１】尚、このテンプレート底面１１の傾斜は、
８インチの半導体ウェハを研磨する場合、幅ｗが２０ｍ
ｍ程度のものを使用することから、半導体ウェハ嵌合穴
内周面１２の厚さを０．７〜０．７５ｍｍ程度とし、テ
ンプレート外周面１３の厚さを０．２〜０．６ｍｍ程度
とするのが望ましい。
８インチの半導体ウェハを研磨する場合、幅ｗが２０ｍ
ｍ程度のものを使用することから、半導体ウェハ嵌合穴
内周面１２の厚さを０．７〜０．７５ｍｍ程度とし、テ
ンプレート外周面１３の厚さを０．２〜０．６ｍｍ程度
とするのが望ましい。
【００１２】実施例２ 図２は、実施例２のテンプレートを使用した研磨方法を
示す部分側断面図である。上記の実施例１では、テンプ
レート１の底面１１全体を傾斜させて形成していたが、
図２に示すように、本実施例２ではテンプレート２の底
面の一部だけを傾斜面２１としたもので、これにより実
施例１と同様に研磨クロス５が傾斜面２１に沿うように
摺動し、半導体ウェハ１０との当接面における研磨クロ
ス５の撓みを防ぐことができる。
示す部分側断面図である。上記の実施例１では、テンプ
レート１の底面１１全体を傾斜させて形成していたが、
図２に示すように、本実施例２ではテンプレート２の底
面の一部だけを傾斜面２１としたもので、これにより実
施例１と同様に研磨クロス５が傾斜面２１に沿うように
摺動し、半導体ウェハ１０との当接面における研磨クロ
ス５の撓みを防ぐことができる。
【００１３】実施例３ 図３は、実施例３のテンプレートを使用した研磨方法を
示す部分側断面図である。図３に示すように、本実施例
３では、テンプレート３の底面３１を湾曲した傾斜面と
し、さらにその外周面３３との角３３ａを面取りをして
円滑な面に形成し、研磨クロス５が角面と接触しないよ
うにし、研磨クロス５が円滑に摺動するようにされてい
る。これにより半導体ウェハ１０との当接面における研
磨クロス５の撓みを防ぐことができる。
示す部分側断面図である。図３に示すように、本実施例
３では、テンプレート３の底面３１を湾曲した傾斜面と
し、さらにその外周面３３との角３３ａを面取りをして
円滑な面に形成し、研磨クロス５が角面と接触しないよ
うにし、研磨クロス５が円滑に摺動するようにされてい
る。これにより半導体ウェハ１０との当接面における研
磨クロス５の撓みを防ぐことができる。
【００１４】
【発明の効果】本発明では以上のように構成したので、
半導体ウェハの研磨面の外周部と研磨クロスとの当接が
確実となり、均一な研磨がなされるため、平坦度の高い
研磨ができるという優れた効果がある。
半導体ウェハの研磨面の外周部と研磨クロスとの当接が
確実となり、均一な研磨がなされるため、平坦度の高い
研磨ができるという優れた効果がある。
【図１】実施例１のテンプレートを使用した研磨方法を
示す部分側断面図である。
示す部分側断面図である。
【図２】実施例２のテンプレートを使用した研磨方法を
示す部分側断面図である。
示す部分側断面図である。
【図３】実施例３のテンプレートを使用した研磨方法を
示す部分側断面図である。
示す部分側断面図である。
【図４】従来技術の研磨方法を示す部分側断面図であ
る。
る。
【図５】従来技術の研磨方法により得られる半導体ウェ
ハの側断面図である。
ハの側断面図である。
１‥‥‥テンプレート １１‥‥テンプレート底面 １２‥‥半導体ウェハ嵌合穴内周面 １３‥‥テンプレート外周面 ５‥‥‥研磨クロス ５１‥‥外周部当接面 ５ａ‥‥撓み ５１ａ‥撓み ６‥‥‥セラミックプレート ７‥‥‥バッキングパッド １０‥‥半導体ウェハ ２‥‥‥テンプレート ２１‥‥傾斜面 ３‥‥‥テンプレート ３１‥‥底面 ３３‥‥外周面 ３３ａ‥角 ｗ‥‥‥幅
Claims (4)
- 【請求項１】 半導体ウェハをテンプレートにより保持
し、研磨クロスに当接させて研磨する研磨方法におい
て、半導体ウェハの外周部と当接する研磨クロスの当接
面に撓みを発生させないテンプレートにより半導体ウェ
ハを保持して研磨する半導体ウェハの研磨方法。 - 【請求項２】 半導体ウェハを保持するテンプレートの
厚さが、半導体ウェハ嵌合穴内周面側から外周面方向に
かけて徐々に薄くなるように、前記テンプレートの断面
をテーパー状に形成したことを特徴とする半導体ウェハ
の研磨用テンプレート。 - 【請求項３】 半導体ウェハを保持するテンプレートの
底面を湾曲面に形成したことを特徴とする半導体ウェハ
の研磨用テンプレート。 - 【請求項４】 半導体ウェハを保持するテンプレートの
底面と外周面との角を面取りしたことを特徴とする半導
体ウェハの研磨用テンプレート。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17534596A JPH09321002A (ja) | 1996-05-31 | 1996-05-31 | 半導体ウェハの研磨方法およびその研磨用テンプレー ト |
| TW086103792A TW321619B (ja) | 1996-05-31 | 1997-03-25 | |
| US08/866,017 US6001007A (en) | 1996-05-31 | 1997-05-30 | Template used for polishing a semiconductor wafer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17534596A JPH09321002A (ja) | 1996-05-31 | 1996-05-31 | 半導体ウェハの研磨方法およびその研磨用テンプレー ト |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09321002A true JPH09321002A (ja) | 1997-12-12 |
Family
ID=15994451
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17534596A Pending JPH09321002A (ja) | 1996-05-31 | 1996-05-31 | 半導体ウェハの研磨方法およびその研磨用テンプレー ト |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6001007A (ja) |
| JP (1) | JPH09321002A (ja) |
| TW (1) | TW321619B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2020110909A (ja) * | 2019-01-11 | 2020-07-27 | 株式会社ブイ・テクノロジー | 研磨ヘッド及び研磨装置 |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11260500B2 (en) * | 2003-11-13 | 2022-03-01 | Applied Materials, Inc. | Retaining ring with shaped surface |
| ATE468941T1 (de) * | 2003-11-13 | 2010-06-15 | Applied Materials Inc | Haltering mit geformter fläche |
| US7066792B2 (en) * | 2004-08-06 | 2006-06-27 | Micron Technology, Inc. | Shaped polishing pads for beveling microfeature workpiece edges, and associate system and methods |
| TWI574785B (zh) * | 2010-08-06 | 2017-03-21 | 應用材料股份有限公司 | 內扣環及外扣環 |
| US9193027B2 (en) * | 2012-05-24 | 2015-11-24 | Infineon Technologies Ag | Retainer ring |
| USD709196S1 (en) | 2013-03-15 | 2014-07-15 | Megadyne Medical Products, Inc. | Hand piece |
| US10252397B2 (en) * | 2014-10-30 | 2019-04-09 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for profile and surface preparation of retaining rings utilized in chemical mechanical polishing processes |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5267418A (en) * | 1992-05-27 | 1993-12-07 | International Business Machines Corporation | Confined water fixture for holding wafers undergoing chemical-mechanical polishing |
| US5398459A (en) * | 1992-11-27 | 1995-03-21 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method and apparatus for polishing a workpiece |
| JP2849533B2 (ja) * | 1993-08-18 | 1999-01-20 | 長野電子工業株式会社 | ウェーハの研磨方法 |
| JP3072962B2 (ja) * | 1995-11-30 | 2000-08-07 | ロデール・ニッタ株式会社 | 研磨のための被加工物の保持具及びその製法 |
-
1996
- 1996-05-31 JP JP17534596A patent/JPH09321002A/ja active Pending
-
1997
- 1997-03-25 TW TW086103792A patent/TW321619B/zh active
- 1997-05-30 US US08/866,017 patent/US6001007A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2020110909A (ja) * | 2019-01-11 | 2020-07-27 | 株式会社ブイ・テクノロジー | 研磨ヘッド及び研磨装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6001007A (en) | 1999-12-14 |
| TW321619B (ja) | 1997-12-01 |
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