JPH09321001A - 半導体ウェハの研磨方法 - Google Patents

半導体ウェハの研磨方法

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JPH09321001A
JPH09321001A JP17534696A JP17534696A JPH09321001A JP H09321001 A JPH09321001 A JP H09321001A JP 17534696 A JP17534696 A JP 17534696A JP 17534696 A JP17534696 A JP 17534696A JP H09321001 A JPH09321001 A JP H09321001A
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semiconductor wafer
polishing
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polished
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Yuichi Nakayoshi
雄一 中▲吉▼
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    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/27—Work carriers
    • B24B37/30—Work carriers for single side lapping of plane surfaces
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 研磨する前の形状を損なうことなく、平坦度
の高い半導体ウェハに研磨することができる半導体ウェ
ハの研磨方法を提供する。 【解決手段】 定盤４の上面にシリコーンラバーシート
２を固着する。シリコーンラバーシート２の上に研磨ク
ロス５を固着する。半導体ウェハ１０と略同じ厚さのテ
ンプレート１をバッキングパッド３２に固着する。テン
プレート１により半導体ウェハ１０を保持する。半導体
ウェハ１０を研磨クロス５に当接させて研磨する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する分野】本発明は、半導体ウェハをテンプ
レートにより保持して研磨する半導体ウェハの研磨方法
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】作業効率の向上と環境汚染対策を目的と
して、近年ワックスを使用しないワックスレス研磨、特
にテンプレートにより半導体ウェハを保持して研磨する
研磨方法により半導体ウェハを製造する工程が増加して
いる。このテンプレートを使用した研磨方法は、図５に
示すように半導体ウェハ１０をテンプレート１ａで保持
し、定盤４に固着された研磨クロス５に当接させて研磨
するものであり、このテンプレート１ａは研磨における
取代を考慮して、半導体ウェハ１０が十分に研磨される
ように、半導体ウェハ１０より約１００μｍ以上薄いテ
ンプレート１ａを使用して研磨している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、近年ラ
ッピングまたは平面研削技術の向上により平坦度の高い
半導体ウェハを研磨しているにもかかわらず、上記した
従来の研磨方法では図４に示すようにその研磨面１１ｂ
にうねり１２ｂが発生する上に、外周部が切り立った状
態となり、ＴＴＶが悪化するという問題点があった。本
発明は、上記問題に鑑みてなされたもので、研磨する前
の形状を損なうことなく、平坦度の高い半導体ウェハに
研磨することができる半導体ウェハの研磨方法を提供す
ることを目的とするものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】このため本発明では、半
導体ウェハをテンプレートで保持し、定盤に固着された
研磨クロスに当接させて研磨する半導体ウェハの研磨方
法において、前記定盤と前記研磨クロスの間に弾力性を
有するシートを介在させて研磨するようにしたものであ
る。
【０００５】
【発明の実施の形態】定盤と研磨クロスの間に弾力性を
有するシート、例えばシリコーン等のゴムシートを介在
させて研磨面に発生していたうねりを防止すると共に、
研磨する半導体ウェハと略同じ厚さのテンプレートによ
りこの半導体ウェハを保持し、これにより半導体ウェハ
表面にかかる研磨荷重を均一にするものである。これに
より、前工程で得られた半導体ウェハの形状を損なうこ
となく研磨できる。特に、ラッピングまたは平面研削な
どにより得られた平坦度の高いウェハを研磨することに
より高品質の半導体ウェハを製造することができる。
【０００６】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。図１は本発明に係る研磨方法を示す模式図、図２
は本発明の研磨方法により研磨された半導体ウェハの側
断面図、図３は研磨前の半導体ウェハの形状を示す側断
面図、図４は従来技術の研磨方法により研磨された半導
体ウェハの形状を示す側断面図、図５は従来技術の研磨
方法を示す模式図である。
【０００７】本発明を従来技術と比較するために、便宜
上、研磨を２段階に分割し、それぞれの段階の研磨によ
り得られた半導体ウェハの形状により、本発明の研磨方
法を説明する。
【０００８】図３に示すように、研磨する前の半導体ウ
ェハ１０は、平坦度の高いウェハである。この半導体ウ
ェハ１０を研磨するに当たっては、まず図１（ａ）に示
すように、半導体ウェハ１０を保持して、研磨クロス５
に押圧するトップリング部３の底面のセラミックプレー
ト３１にバッキングパッド３２を固着し、これに従来技
術と同様に半導体ウェハ１０より薄いテンプレート１ａ
を固着して、これにより半導体ウェハ１０を保持する。
研磨クロス５を固着するセラミック製の定盤４の上面に
シリコーンラバーシート２を固着して、その上に研磨ク
ロス５を固着する。このシリコーンラバーシート２の厚
さは、厚過ぎると研磨クロス５の研磨面の安定度を損な
う恐れがあるため、０．５〜３．０ｍｍ程度が望まし
い。トップリング部３を降ろして、半導体ウェハ１０を
この研磨クロス５に当接させて研磨する。
【０００９】図２（ａ）に示すように、この研磨により
得られた半導体ウェハ１０の研磨面１１ａは、従来技術
で発生していたうねり１２ｂ（図４参照）の発生が防止
され滑らかではあるものの、外周部が切り立ち湾曲した
形状となる。
【００１０】そこで、次に図１（ｂ）に示すように、テ
ンプレート１ａに替え、研磨する前の半導体ウェハ１０
と略同じ厚さのテンプレート１をバッキングパッド３２
に固着し、これにより半導体ウェハ１０を保持し、これ
を上記と同様にシリコーンラバーシート２の上に固着さ
せた研磨クロス５に当接させて研磨する。
【００１１】この研磨方法においては、トップリング部
３の押圧により半導体ウェハ１０とテンプレート１とが
研磨クロス５に同時に当接して研磨され、これにより研
磨圧が均一に負荷され、図２（ｂ）に示すように、半導
体ウェハ１０の研磨面１１が研磨前の形状を損なうこと
なく、平坦に研磨される。
【００１２】尚、テンプレート１の厚さは研磨クロス５
との当接面を考慮し、研磨する前の半導体ウェハ１０の
厚さを基準としており、半導体ウェハ１０の厚さと同じ
厚さのものが望ましいが、厳密に個々の半導体ウェハの
厚さに合わせてテンプレートを選択するのではなく、こ
の研磨方法における取代（２〜１５μｍ程度）を考慮
し、半導体ウェハとテンプレートとの厚さの差は、その
絶対値が１００μｍ以下であることが望ましく、好まし
くは５０μｍ以下、さらに好ましくは２０μｍ以下であ
ることが望ましい。
【００１３】また、上記実施例では、定盤４と研磨クロ
ス５との間にシリコーンラバーシート２を介在させてい
たが、これに限られるものではなく、硬度がＪＩＳ規格
Ｋ６３０１（Ａ形）に基づく測定値で２０〜９０度程度
のものであれば同様の効果を得られ、好ましくは３０〜
６０度程度のものが望ましい。したがって、例えばフッ
素ゴムやアクリルゴム、またはもう１枚若しくは複数枚
の研磨クロスを介在させたものでもよい。
【００１４】
【発明の効果】本発明では以上のように構成したので、
従来技術における研磨で発生していた半導体ウェハの研
磨面のうねり及び湾曲を解消し、平坦度の高い研磨がで
きるという優れた効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る研磨方法を示す模式図ある。
【図２】本発明の研磨方法により研磨された半導体ウェ
ハの側断面図である。
【図３】研磨前の半導体ウェハの形状を示す側断面図で
ある。
【図４】従来技術の研磨方法により研磨された半導体ウ
ェハの形状を示す側断面図である。
【図５】従来技術の研磨方法を示す模式図である。
【符号の説明】
１‥‥‥テンプレート １ａ‥‥テンプレート ２‥‥‥シリコーンゴムシート ３‥‥‥トップリング部 ３１‥‥セラミックプレート ３２‥‥バッキングパッド ４‥‥‥定盤 ５‥‥‥研磨クロス １０‥‥半導体ウェハ １１‥‥研磨面 １１ａ‥研磨面 １１ｂ‥研磨面 １２ｂ‥うねり

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 半導体ウェハをテンプレートで保持し、
    定盤に固着された研磨クロスに当接させて研磨する半導
    体ウェハの研磨方法において、前記定盤と前記研磨クロ
    スの間に弾力性を有するシートを介在させて研磨するこ
    とを特徴とする半導体ウェハの研磨方法。
  2. 【請求項２】 半導体ウェハと略同じ厚さを有するテン
    プレートにより前記半導体ウェハを保持することを特徴
    とする請求項１記載の半導体ウェハの研磨方法。
  3. 【請求項３】 弾力性を有するシートがシリコーンゴム
    シートであることを特徴とする請求項１記載の半導体ウ
    ェハの研磨方法。
  4. 【請求項４】 半導体ウェハとテンプレートとの厚さの
    差が１００μｍ以下であることを特徴とする請求項２記
    載の半導体ウェハの研磨方法。
  5. 【請求項５】 弾力性を有するシートの硬度がＪＩＳ規
    格Ｋ６３０１（Ａ形）に基づく測定値で２０〜９０度で
    あることを特徴とする請求項１記載の半導体ウェハの研
    磨方法。
  6. 【請求項６】 シリコーンゴムシートの厚さが０．５〜
    ３．０ｍｍであることを特徴とする請求項３記載の半導
    体ウェハの研磨方法。
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