JP2001179609A - 研磨パッド - Google Patents
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/11—Lapping tools
- B24B37/20—Lapping pads for working plane surfaces
- B24B37/24—Lapping pads for working plane surfaces characterised by the composition or properties of the pad materials
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24D—TOOLS FOR GRINDING, BUFFING OR SHARPENING
- B24D3/00—Physical features of abrasive bodies, or sheets, e.g. abrasive surfaces of special nature; Abrasive bodies or sheets characterised by their constituents
- B24D3/02—Physical features of abrasive bodies, or sheets, e.g. abrasive surfaces of special nature; Abrasive bodies or sheets characterised by their constituents the constituent being used as bonding agent
- B24D3/20—Physical features of abrasive bodies, or sheets, e.g. abrasive surfaces of special nature; Abrasive bodies or sheets characterised by their constituents the constituent being used as bonding agent and being essentially organic
- B24D3/28—Resins or natural or synthetic macromolecular compounds
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- B24—GRINDING; POLISHING
- B24D—TOOLS FOR GRINDING, BUFFING OR SHARPENING
- B24D3/00—Physical features of abrasive bodies, or sheets, e.g. abrasive surfaces of special nature; Abrasive bodies or sheets characterised by their constituents
- B24D3/34—Physical features of abrasive bodies, or sheets, e.g. abrasive surfaces of special nature; Abrasive bodies or sheets characterised by their constituents characterised by additives enhancing special physical properties, e.g. wear resistance, electric conductivity, self-cleaning properties
- B24D3/346—Physical features of abrasive bodies, or sheets, e.g. abrasive surfaces of special nature; Abrasive bodies or sheets characterised by their constituents characterised by additives enhancing special physical properties, e.g. wear resistance, electric conductivity, self-cleaning properties utilised during polishing, or grinding operation
Abstract
(57)【要約】
【課題】縁だれを回避するのに十分な湿潤強度を有する
と共に耐薬品性（耐アルカリ性、耐酸性）を有する研磨
パッドを提供する。 【解決手段】シリコーンゴムに研磨性無機微粉末を分散
させ、十分な湿潤強度と耐薬品性を付与させた。
と共に耐薬品性（耐アルカリ性、耐酸性）を有する研磨
パッドを提供する。 【解決手段】シリコーンゴムに研磨性無機微粉末を分散
させ、十分な湿潤強度と耐薬品性を付与させた。
Description
【０００１】
【発明に属する技術分野】この発明は、半導体ウエハ、
液晶ガラス及びハードディスク用等の精密研磨用研磨パ
ッドに係り、詳記すれば、主として半導体デバイスの製
造工程で用いられる化学的機械研磨用研磨パッドに関す
る。
液晶ガラス及びハードディスク用等の精密研磨用研磨パ
ッドに係り、詳記すれば、主として半導体デバイスの製
造工程で用いられる化学的機械研磨用研磨パッドに関す
る。
【０００２】
【従来の技術】半導体集積回路の高集積化、微細化に伴
って半導体製造プロセス工程が複雑化していることに伴
い、半導体デバイスの表面状態が必ずしも平坦でなくな
ってきている。表面における段差の存在は配線の段切
れ、局所的な抵抗値の増大などを招き、断線や電流容量
の低下などをもたらす。そればかりか、絶縁膜では耐圧
劣化やリークの発生にもつながる。
って半導体製造プロセス工程が複雑化していることに伴
い、半導体デバイスの表面状態が必ずしも平坦でなくな
ってきている。表面における段差の存在は配線の段切
れ、局所的な抵抗値の増大などを招き、断線や電流容量
の低下などをもたらす。そればかりか、絶縁膜では耐圧
劣化やリークの発生にもつながる。
【０００３】このようなことから、半導体製造プロセス
に於いては、平坦化技術が必須になってきたと考えられ
ている。
に於いては、平坦化技術が必須になってきたと考えられ
ている。
【０００４】このような半導体表面を平坦化する方法と
しては、化学的機械的研磨技術が有望であると考えられ
ている。
しては、化学的機械的研磨技術が有望であると考えられ
ている。
【０００５】化学的機械研磨（以下ＣＭＰという）は、
シリコンウエハの鏡面研磨法を基に発展しており、その
一例として図１に示す装置を用いる方法が挙げられる。
シリコンウエハの鏡面研磨法を基に発展しており、その
一例として図１に示す装置を用いる方法が挙げられる。
【０００６】従来の研磨装置１は、回転駆動する定盤２
上に研磨パッド３が設けられる一方、研磨ヘッド７にウ
エハ４が保持され、このウエハ４が研磨パッド３上に接
触している。この状態で定盤２を回転駆動し、研磨ヘッ
ド７に上方から荷重をかけ、回転させながら定盤２の半
径方向に揺動運動させる。
上に研磨パッド３が設けられる一方、研磨ヘッド７にウ
エハ４が保持され、このウエハ４が研磨パッド３上に接
触している。この状態で定盤２を回転駆動し、研磨ヘッ
ド７に上方から荷重をかけ、回転させながら定盤２の半
径方向に揺動運動させる。
【０００７】かかる動作とともに、研磨スラリー供給ノ
ズル５から研磨スラリー６を研磨パッド３上に吐出させ
て、この研磨スラリー６をウエハ４の研磨面に供給し、
ウエハ４の最表面を平坦に研磨している。
ズル５から研磨スラリー６を研磨パッド３上に吐出させ
て、この研磨スラリー６をウエハ４の研磨面に供給し、
ウエハ４の最表面を平坦に研磨している。
【０００８】即ち研磨スラリー６は、研磨パッド３上で
拡散し、研磨パッド３とウエハ４との相対運動に伴っ
て、両者の間に入り込み、ウエハ４の表面を研磨する。
このとき、研磨パッド３とウエハ４の相対運動による機
械的研磨と研磨スラリー６の化学的作用が相乗的に作用
して良好な研磨が行われる。
拡散し、研磨パッド３とウエハ４との相対運動に伴っ
て、両者の間に入り込み、ウエハ４の表面を研磨する。
このとき、研磨パッド３とウエハ４の相対運動による機
械的研磨と研磨スラリー６の化学的作用が相乗的に作用
して良好な研磨が行われる。
【０００９】従来研磨パッド３としては、発砲ポリウレ
タンからなるシート状のものが多く用いられてきた。し
かしながら、発砲ポリウレタンからなるシート状の研磨
パッドを用いて、ウエハを研磨した場合、下記のような
問題点があった。
タンからなるシート状のものが多く用いられてきた。し
かしながら、発砲ポリウレタンからなるシート状の研磨
パッドを用いて、ウエハを研磨した場合、下記のような
問題点があった。
【００１０】（Ａ）スポンジ層と研磨層の２層構造であ
るため、境界から水分が浸入し、パッドの周囲が膨潤す
ることに起因し、ウエハの縁だれが大きくなる。特に近
年は、１枚のウエハに数種類のデバイスを形成している
ので、これがデバイスの歩留まりの悪化をもたらす。
るため、境界から水分が浸入し、パッドの周囲が膨潤す
ることに起因し、ウエハの縁だれが大きくなる。特に近
年は、１枚のウエハに数種類のデバイスを形成している
ので、これがデバイスの歩留まりの悪化をもたらす。
【００１１】（Ｂ）パッド表面の発泡構造に起因し、荷
重が掛かると、表面発泡穴で圧縮変形が起こりやすい。
その結果、ウエハ毎の研磨状態にバラツキが発生する。
重が掛かると、表面発泡穴で圧縮変形が起こりやすい。
その結果、ウエハ毎の研磨状態にバラツキが発生する。
【００１２】（Ｃ）発泡穴に研磨スラリー及び研磨かす
が入り込み固着するため、目詰まりを起こし易い。その
ため研磨性能が低下し、スクラッチ（傷）の発生によっ
てデバイスの歩留まりが悪化する。
が入り込み固着するため、目詰まりを起こし易い。その
ため研磨性能が低下し、スクラッチ（傷）の発生によっ
てデバイスの歩留まりが悪化する。
【００１３】上記（Ｂ）及び（Ｃ）のような問題があっ
たので、数回使用するたびに、パッド表面をダイヤモン
ド切削機等で削り取るドレッシングを実施しなければな
らなかった。そのため、作業能率が上がらない問題があ
った。
たので、数回使用するたびに、パッド表面をダイヤモン
ド切削機等で削り取るドレッシングを実施しなければな
らなかった。そのため、作業能率が上がらない問題があ
った。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】この発明は縁だれを回
避するのに十分な湿潤強度を有すると共に耐薬品性（耐
アルカリ性、耐酸性）を有する研磨パッドを提供するこ
とを目的とする。
避するのに十分な湿潤強度を有すると共に耐薬品性（耐
アルカリ性、耐酸性）を有する研磨パッドを提供するこ
とを目的とする。
【００１５】またこの発明は、研磨性無機微粉末の種類
と充填量とを加減することによって、研磨目的に合う表
面強度が実現できると共にドレッシングをほとんど必要
としない研磨パッドを提供することを目的とする。
と充填量とを加減することによって、研磨目的に合う表
面強度が実現できると共にドレッシングをほとんど必要
としない研磨パッドを提供することを目的とする。
【００１６】更にこの発明は、研磨スラリーが不要で薬
液や水のみか若しくは極少量の研磨剤を添加した研磨ス
ラリーで研磨が可能な研磨パッドを提供することを目的
とする。
液や水のみか若しくは極少量の研磨剤を添加した研磨ス
ラリーで研磨が可能な研磨パッドを提供することを目的
とする。
【００１７】
【課題を解決するための手段】上記目的に沿う本発明の
構成は、シリコーンゴムに、研磨性無機微粉末を分散さ
せたことを特徴とする。
構成は、シリコーンゴムに、研磨性無機微粉末を分散さ
せたことを特徴とする。
【００１８】本発明は、パッド基材に充填する研磨性無
機微粉末によって研磨性能を付与すると共にパッド基材
が適度の摩耗性を有するので、ウエハの研磨枚数によ
り、順次パッドの表面がわずかづつ削られ、新しい表面
で研磨を行うことができる。
機微粉末によって研磨性能を付与すると共にパッド基材
が適度の摩耗性を有するので、ウエハの研磨枚数によ
り、順次パッドの表面がわずかづつ削られ、新しい表面
で研磨を行うことができる。
【００１９】要するに本発明は、シリコーンゴムに研磨
性無機微粉末を分散させることよって、研磨に際して、
研磨性微粉末の添加が不要か若しくは極少量の添加で済
むようにすると共に、パッドの表面がわずかづつ削られ
るので、ドレッシングを不要としたことを要旨とするも
のである。
性無機微粉末を分散させることよって、研磨に際して、
研磨性微粉末の添加が不要か若しくは極少量の添加で済
むようにすると共に、パッドの表面がわずかづつ削られ
るので、ドレッシングを不要としたことを要旨とするも
のである。
【００２０】しかして従来、研磨に際して、研磨性微粉
末の添加が不要か若しくは極少量の添加で済むようにし
た研磨パッドについても、研磨に際してパッドの表面が
わずかづつ削られるようにした研磨パッドについても、
市販されていないし、このような発想も知られていな
い。
末の添加が不要か若しくは極少量の添加で済むようにし
た研磨パッドについても、研磨に際してパッドの表面が
わずかづつ削られるようにした研磨パッドについても、
市販されていないし、このような発想も知られていな
い。
【００２１】次に、本発明の実施の形態を説明する。
【００２２】
【発明の実施の形態】本発明に使用するシリコーンゴム
としては、２本ロールまたはバンバリーミキサーなど
で、加硫剤を混練したのち、加熱加硫により弾性体とな
るミラブル型であればよく、特に限定されない。
としては、２本ロールまたはバンバリーミキサーなど
で、加硫剤を混練したのち、加熱加硫により弾性体とな
るミラブル型であればよく、特に限定されない。
【００２３】このようなシリコーン生ゴムとしては、Ｍ
Ｑ，ＶＭＱ，ＰＶＭＱ，ＦＶＭＱ，（種類はＡＳＴＭ
Ｄ １４１８による）などの１種若しくは２種以上を使
用することができる。
Ｑ，ＶＭＱ，ＰＶＭＱ，ＦＶＭＱ，（種類はＡＳＴＭ
Ｄ １４１８による）などの１種若しくは２種以上を使
用することができる。
【００２４】本発明研磨パッドの形成法は、プレス成
形、射出成形、押し出し成形などの公知のいずれの成形
法でもよいが、成形方法に適合する公知の加硫剤を選択
使用する。
形、射出成形、押し出し成形などの公知のいずれの成形
法でもよいが、成形方法に適合する公知の加硫剤を選択
使用する。
【００２５】シリコーンゴムには、その強度を向上させ
るため、一般に添加される乾式シリカや沈降シリカなど
の補強性シリカ微粉末を添加するのが良い。
るため、一般に添加される乾式シリカや沈降シリカなど
の補強性シリカ微粉末を添加するのが良い。
【００２６】本発明では補強性シリカ微粉末の他に、研
磨パッドの表面硬度を増加させ、かつ研磨特性を調整す
る目的で、研磨性無機微粉末を添加分散させている。
磨パッドの表面硬度を増加させ、かつ研磨特性を調整す
る目的で、研磨性無機微粉末を添加分散させている。
【００２７】このような研磨性無機微粉末としては、好
ましくは、酸化シリコン、酸化セリウム及び酸化アルミ
ニウムの単独若しくは２種以上の混合物を使用すること
ができる。
ましくは、酸化シリコン、酸化セリウム及び酸化アルミ
ニウムの単独若しくは２種以上の混合物を使用すること
ができる。
【００２８】特に酸化シリコンを使用するのが好まし
く、酸化シリコンはシリコーン生ゴムと相溶性がよいた
めか、高密度に且つ均一に分散させることができる。
く、酸化シリコンはシリコーン生ゴムと相溶性がよいた
めか、高密度に且つ均一に分散させることができる。
【００２９】本発明の研磨性無機微粉末の粒径は、０．
０１〜１００μｍであるのが好ましく、この範囲内であ
れば、高密度に且つ均一に分散させることができると共
に研磨によってウエハ表面に傷が発生する原因とはなり
にくい。
０１〜１００μｍであるのが好ましく、この範囲内であ
れば、高密度に且つ均一に分散させることができると共
に研磨によってウエハ表面に傷が発生する原因とはなり
にくい。
【００３０】これら無機微粒子の添加量は、成形した研
磨パッドの表面硬度に大きな影響を与える因子であり、
添加量は、シリコーンゴムの１０〜８５重量％が望まし
い。添加量が１０重量％より少ないと、表面硬度が不足
し、８５重量％より多いとパッドとしての十分な引っ張
り強さが確保できなくなる。
磨パッドの表面硬度に大きな影響を与える因子であり、
添加量は、シリコーンゴムの１０〜８５重量％が望まし
い。添加量が１０重量％より少ないと、表面硬度が不足
し、８５重量％より多いとパッドとしての十分な引っ張
り強さが確保できなくなる。
【００３１】本発明の研磨性無機微粉末をシリコーン生
ゴムに配合させるには、公知の分散促進剤を添加するの
が好ましい。
ゴムに配合させるには、公知の分散促進剤を添加するの
が好ましい。
【００３２】本発明の研磨パッドの表面硬度は、好まし
くは、７０〜９９℃（ＪＩＳ−Ａ）、特に好ましくは、
７０〜９５度である。これより表面硬度が小さいと研磨
作用を示さないし、これより大きいとパッドとしての十
分な引っ張り強度が確保できなくなる。
くは、７０〜９９℃（ＪＩＳ−Ａ）、特に好ましくは、
７０〜９５度である。これより表面硬度が小さいと研磨
作用を示さないし、これより大きいとパッドとしての十
分な引っ張り強度が確保できなくなる。
【００３３】本発明の成形した研磨パッド表面は、成形
金型や押出しダイの表面と接触するため、滑らかな表面
層を有する。この表面層の剥離とパッド厚みを均一にす
る目的で、表面を切削加工するのが好ましい。
金型や押出しダイの表面と接触するため、滑らかな表面
層を有する。この表面層の剥離とパッド厚みを均一にす
る目的で、表面を切削加工するのが好ましい。
【００３４】また、本発明の研磨パッドは、擦り減るこ
とによって、発生する微粒子と、場合によっては添加さ
れる研磨液の保持のため、公知の方法によって、表面を
溝加工するか、直径１〜２ミリメートルの打ち抜き穴加
工するのが望ましい。
とによって、発生する微粒子と、場合によっては添加さ
れる研磨液の保持のため、公知の方法によって、表面を
溝加工するか、直径１〜２ミリメートルの打ち抜き穴加
工するのが望ましい。
【００３５】
【実施例】次に、実施例、比較例を挙げて本発明を更に
説明するが、本発明はこれら実施例に限定されない。
説明するが、本発明はこれら実施例に限定されない。
【００３６】
【実施例１】下記（Ａ）に記載の成分を配合し、（Ｂ）
に記載の成形条件で厚さ３ｍｍに成形した後、常法によ
って（Ｂ）に記載の溝を形成し、（Ｃ）に記載の物性の
研磨パッドを得た。 （Ａ）配合 シリコーン生ゴム：ＶＭＱ、シロキサン単位分子： [（ＣＨ３）２ ＳｉＯ]［（ＣＨ２=ＣＨ）（ＣＨ３）
２ ＳｉＯ）］ 加硫剤：２，５−ジメチルー２，５−ジ（ｔ−ブチルパ
ーキオン）ヘキサン０．５重量％ 補強充填剤：乾式シリカ、 ９重量％ 研磨性無機微粉末：平均粒径１ミクロンメートルの石英
微粉末 ６５重量％ （Ｂ）成形 成形条件：プレス加硫 １７０℃で１０分間、二次加硫
２００℃で４時間 溝：溝幅０．０１インチ、溝深さ０．０１５インチ、溝
ピッチ０．０６インチ （Ｃ）物性 硬度：９４（ＪＩＳ−Ａ） 引っ張り強さ：８．６ＭＰａ・ｓ 伸び：６０％ （Ｄ）研磨結果 上記研磨パッドを用いて、ＣＶＤ装置で製膜した酸化シ
リコン絶縁膜のＣＭＰを行った。研磨速度は、１３００
Å／分であった。また、研磨スラリーの代わりに純水を
注入しながら研磨を行ったところ、研磨可能であり、研
磨速度は研磨スラリーを使用した場合の１／２倍であっ
た。
に記載の成形条件で厚さ３ｍｍに成形した後、常法によ
って（Ｂ）に記載の溝を形成し、（Ｃ）に記載の物性の
研磨パッドを得た。 （Ａ）配合 シリコーン生ゴム：ＶＭＱ、シロキサン単位分子： [（ＣＨ３）２ ＳｉＯ]［（ＣＨ２=ＣＨ）（ＣＨ３）
２ ＳｉＯ）］ 加硫剤：２，５−ジメチルー２，５−ジ（ｔ−ブチルパ
ーキオン）ヘキサン０．５重量％ 補強充填剤：乾式シリカ、 ９重量％ 研磨性無機微粉末：平均粒径１ミクロンメートルの石英
微粉末 ６５重量％ （Ｂ）成形 成形条件：プレス加硫 １７０℃で１０分間、二次加硫
２００℃で４時間 溝：溝幅０．０１インチ、溝深さ０．０１５インチ、溝
ピッチ０．０６インチ （Ｃ）物性 硬度：９４（ＪＩＳ−Ａ） 引っ張り強さ：８．６ＭＰａ・ｓ 伸び：６０％ （Ｄ）研磨結果 上記研磨パッドを用いて、ＣＶＤ装置で製膜した酸化シ
リコン絶縁膜のＣＭＰを行った。研磨速度は、１３００
Å／分であった。また、研磨スラリーの代わりに純水を
注入しながら研磨を行ったところ、研磨可能であり、研
磨速度は研磨スラリーを使用した場合の１／２倍であっ
た。
【００３７】
【実施例２】研磨性無機微粉末として、平均粒径１ミク
ロンメートルの酸化セリウム微粉末５重量％を使用する
以外は、実施例１（Ａ）と同様に配合し、実施例１
（Ｂ）の条件で成形した後、同（Ｂ）と同じ溝を形成
し、下記（Ｃ）に記載の物性の研磨パッドを得た。 （Ｃ）物性 硬度：８７（ＪＩＳ−Ａ） 引っ張り強さ：５．２ＭＰａ・ｓ 伸び：８２％ （Ｄ）研磨結果 上記研磨パッドを用いて、ＣＶＤ装置で製膜した酸化シ
リコン絶縁膜のＣＭＰを行った。研磨速度は、１６００
Å／分であった。また、研磨スラリーの代わりに純水を
注入しながら研磨を行ったところ、研磨可能であり、研
磨速度は研磨スラリーを使用した場合の１／２倍であっ
た。
ロンメートルの酸化セリウム微粉末５重量％を使用する
以外は、実施例１（Ａ）と同様に配合し、実施例１
（Ｂ）の条件で成形した後、同（Ｂ）と同じ溝を形成
し、下記（Ｃ）に記載の物性の研磨パッドを得た。 （Ｃ）物性 硬度：８７（ＪＩＳ−Ａ） 引っ張り強さ：５．２ＭＰａ・ｓ 伸び：８２％ （Ｄ）研磨結果 上記研磨パッドを用いて、ＣＶＤ装置で製膜した酸化シ
リコン絶縁膜のＣＭＰを行った。研磨速度は、１６００
Å／分であった。また、研磨スラリーの代わりに純水を
注入しながら研磨を行ったところ、研磨可能であり、研
磨速度は研磨スラリーを使用した場合の１／２倍であっ
た。
【００３８】
【比較例１】研磨性無機微粉末を使用しない以外は、上
記実施例１と同様にして研磨パッドを得た。得られた研
磨パッドの物性及び研磨結果は下記の通りであった。 （Ｃ）物性 硬度：７６（ＪＩＳ−Ａ） 引っ張り強さ：８．６ＭＰａ・ｓ 伸び：３００％ （Ｄ）研磨結果 上記研磨パッドを用いて、ＣＶＤ装置で製膜した酸化シ
リコン絶縁膜のＣＭＰを行ったところ、研磨速度は５０
０Å／分以下であった。
記実施例１と同様にして研磨パッドを得た。得られた研
磨パッドの物性及び研磨結果は下記の通りであった。 （Ｃ）物性 硬度：７６（ＪＩＳ−Ａ） 引っ張り強さ：８．６ＭＰａ・ｓ 伸び：３００％ （Ｄ）研磨結果 上記研磨パッドを用いて、ＣＶＤ装置で製膜した酸化シ
リコン絶縁膜のＣＭＰを行ったところ、研磨速度は５０
０Å／分以下であった。
【００３９】上記実施例１、２及び比較例１の研磨速
度、均一性、平坦性（Å）及びスクラッチは、下表１に
示す通りであった。尚、実施例１及び２は、研磨スラリ
ーを使用した場合と研磨スラリーの代わりに純水を使用
した場合とについて行った。
度、均一性、平坦性（Å）及びスクラッチは、下表１に
示す通りであった。尚、実施例１及び２は、研磨スラリ
ーを使用した場合と研磨スラリーの代わりに純水を使用
した場合とについて行った。
【００４０】
【表１】 上記結果から明らかなように、本発明の研磨パッドを使
用すれば、研磨スラリーを使用しなくとも何ら問題なく
研磨することができる。
用すれば、研磨スラリーを使用しなくとも何ら問題なく
研磨することができる。
【００４１】本発明の研磨パッドは、シリコーンゴムを
主成分とするので、十分な湿潤強度を有すると共に耐薬
品性にも優れている。
主成分とするので、十分な湿潤強度を有すると共に耐薬
品性にも優れている。
【００４２】また、本発明の研磨パッドは、研磨性無機
微粉末を含有しているので、研磨スラリーが不要で薬液
や水のみか若しくは極少量の研磨剤を添加した研磨スラ
リーで研磨できるというこの種従来の研磨パッドには見
られない効果を奏する。
微粉末を含有しているので、研磨スラリーが不要で薬液
や水のみか若しくは極少量の研磨剤を添加した研磨スラ
リーで研磨できるというこの種従来の研磨パッドには見
られない効果を奏する。
【００４３】更に、本発明の研磨パッドは、ウェハの研
磨枚数により、順次パッドの表面が僅づつ削られ、新し
い表面で研磨を行うので、従来のようにドレッシングが
不用となった。
磨枚数により、順次パッドの表面が僅づつ削られ、新し
い表面で研磨を行うので、従来のようにドレッシングが
不用となった。
【００４４】
【発明の効果】以上のべた如く、本発明の研磨パッド
は、十分な湿潤強度と耐薬品性を有するほか、研磨性無
機微粉末の添加が不要か若しくは極少量の研磨スラリー
添加量で研磨できると共に、パッドの表面が僅かづつ削
られるのでドレッシングが不用になるというこの種従来
の研磨パッドには見られない著しく顕著な効果を奏す
る。
は、十分な湿潤強度と耐薬品性を有するほか、研磨性無
機微粉末の添加が不要か若しくは極少量の研磨スラリー
添加量で研磨できると共に、パッドの表面が僅かづつ削
られるのでドレッシングが不用になるというこの種従来
の研磨パッドには見られない著しく顕著な効果を奏す
る。
【図１】従来のＣＭＰ装置の概略斜視図である。
１………研磨装置 ３………研磨パッド ４………ウェハ ６………研磨スラリー
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１２年２月１４日（２０００．２．１
４）
４）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正内容】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正内容】
【００３７】
【実施例２】研磨性無機微粉末として、平均粒径１μｍ
の酸化セリウム微粉末５重量％を使用する以外は、実施
例１（Ａ）と同様に配合し、実施例１（Ｂ）の条件で成
形した後、同（Ｂ）と同じ溝を形成し、下記（Ｃ）に記
載の物性の研磨パッドを得た。 （Ｃ）物性 硬度：８７（ＪＩＳ−Ａ） 引っ張り強さ：５．２ＭＰａ・ｓ 伸び：８２％ （Ｄ）研磨結果 上記研磨パッドを用いて、ＣＶＤ装置で製膜した酸化シ
リコン絶縁膜のＣＭＰを行った。研磨速度は、１６００
Å／分であった。また、研磨スラリーの代わりに純水を
注入しながら研磨を行ったところ、研磨可能であり、研
磨速度は研磨スラリーを使用した場合の１／２倍であっ
た。
の酸化セリウム微粉末５重量％を使用する以外は、実施
例１（Ａ）と同様に配合し、実施例１（Ｂ）の条件で成
形した後、同（Ｂ）と同じ溝を形成し、下記（Ｃ）に記
載の物性の研磨パッドを得た。 （Ｃ）物性 硬度：８７（ＪＩＳ−Ａ） 引っ張り強さ：５．２ＭＰａ・ｓ 伸び：８２％ （Ｄ）研磨結果 上記研磨パッドを用いて、ＣＶＤ装置で製膜した酸化シ
リコン絶縁膜のＣＭＰを行った。研磨速度は、１６００
Å／分であった。また、研磨スラリーの代わりに純水を
注入しながら研磨を行ったところ、研磨可能であり、研
磨速度は研磨スラリーを使用した場合の１／２倍であっ
た。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 平良 哲二 東京都大田区蒲田５−36−５ 第10坂入ビ ル５階 株式会社エー・シー・イー内 Ｆターム(参考） 3C058 AA07 AA09 CB03 DA12 DA17 3C063 AA10 AB02 BB01 BC04 EE10
Claims (7)
- 【請求項１】シリコーンゴムに、研磨性無機微粉末を分
散させたことを特徴とする研磨パッド。 - 【請求項２】前記シリコーンゴムは、加熱加硫により弾
性体となるミラブル型である請求項１に記載の研磨パッ
ド。 - 【請求項３】前記シリコーンゴムには、乾式シリカや沈
降シリカ等の補強性シリカ微粉末を含有させてなる請求
項２に記載の研磨パッド。 - 【請求項４】前記無機微粉末の粒径が０．０１〜１００
μｍであり、該無機微粉末の含有量が前記シリコーンゴ
ムの１０〜８５重量％である請求項１〜３のいずれか１
項に記載の研磨パッド。 - 【請求項５】前記研磨性無機微粉末が、酸化シリコン、
酸化カリウム及び酸化アルミニウムの一種以上である請
求項４に記載の研磨パッド。 - 【請求項６】前記研磨パッドの表面硬度が、７０〜９９
度（ＪＩＳ−Ａ）である請求項１〜５のいずれか１項に
記載の研磨パッド。 - 【請求項７】前記研磨パッドが、化学的機械研磨用であ
る請求項１〜６のいずれか１項に記載の研磨パッド。
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- 1999-12-28 JP JP37198999A patent/JP2001179609A/ja active Pending
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