JP2007123759A - 半導体研磨用組成物および研磨方法 - Google Patents
半導体研磨用組成物および研磨方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007123759A JP2007123759A JP2005317292A JP2005317292A JP2007123759A JP 2007123759 A JP2007123759 A JP 2007123759A JP 2005317292 A JP2005317292 A JP 2005317292A JP 2005317292 A JP2005317292 A JP 2005317292A JP 2007123759 A JP2007123759 A JP 2007123759A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polishing
- film
- low
- semiconductor
- dielectric constant
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
【課題】 低誘電率膜が形成された基板を研磨することによって、もとの基板厚みを保ったまま、低誘電率膜を除去した基板を容易に得ることができる半導体研磨用組成物および研磨方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 図1(a)に示すシリコンウエハ13および酸化膜14上に低誘電率膜15が形成されている積層体11を、低誘電率膜15を構成する材料より硬い材料で構成される硬質砥粒と単分散粒子とpH調整剤と水とを含み、pHが6以上10以下である半導体研磨用組成物を用いて研磨することによって、図1(b)に示すように、酸化膜14を残したまま、低誘電率膜15のみが研磨されて除去された積層体12となる。
【選択図】 図1
Description
前記低誘電率膜を構成する材料より硬い材料で構成される硬質砥粒と単分散粒子とpH調整剤と水とを含み、
pHが6以上10以下であることを特徴とする半導体研磨用組成物である。
前記低誘電率膜を構成する材料より硬い材料で構成される硬質砥粒と単分散粒子とpH調整剤と水とを含み、pHが6以上10以下である半導体研磨用組成物を用いて、前記低誘電率膜を研磨する低誘電率膜研磨工程と、
ヒュームドシリカを含む塩基性の半導体研磨用組成物を用いて、前記親水性膜を研磨する親水性膜研磨工程とを含むことを特徴とする研磨方法である。
この半導体研磨用組成物は、低誘電率膜を構成する材料より硬い材料で構成される硬質砥粒と単分散粒子とpH調整剤と水とを含み、pHが6以上10以下である。
実施例Aでは、第1の実施形態である半導体研磨用組成物を用いてlow−k膜が形成されている積層体を研磨して、半導体研磨用組成物について検討した。
まず、実施例1、2および比較例1〜3である半導体研磨用組成物を用いて、後述の研磨条件で、表面にlow−k膜が形成されている積層体を研磨した。
low−k膜除去工程の研磨条件は、下記に示す。
研磨装置 :SH24(SpeedFAM社製)
研磨パッド :Suba600(ニッタ・ハース社製)
研磨荷重 :9.0psi(約61740Pa)
研磨定盤の回転数 :60rpm
加圧ヘッドの回転数:41rpm
スラリ供給量 :300ml/分
研磨時間 :5分間
実施例Bでは、第2の実施形態である研磨方法を用いた基板の再利用方法について検討した。
まずlow−k膜除去工程では、後述の半導体研磨用組成物を用い、後述の研磨条件によって、積層体11を研磨した。
low−k膜除去工程で用いた半導体研磨用組成物の組成を下記に示す。
砥粒 :ダイヤモンド粒子(平均粒径0.60μm粉砕法ダイヤモンド) 1.00重量%
単分散粒子 :コロイダルシリカ粒子(平均粒径67.1nmコロイダルシリカ 扶桑化学工業社製 ゾルゲル法) 1.00重量%
pH調整剤 :水酸化カリウム 0.02重量%
防黴剤 :過酸化水素 0.02重量%
水 :水 残部(97.96重量%)
この半導体研磨用組成物は、上記実施例1の半導体研磨用組成物と同様である。
low−k膜除去工程の研磨条件は、下記に示す。
研磨装置 :SH24(SpeedFAM社製)
研磨パッド :Suba600(ニッタ・ハース社製)
研磨荷重 :9.0psi(約61740Pa)
研磨定盤の回転数 :60rpm
加圧ヘッドの回転数:41rpm
スラリ供給量 :300ml/分
研磨時間 :5分間
研磨パッドは、積層体を1枚研磨した後、ドレッシングを行って、研磨パッドを再生させる。ドレッシングは、回転している研磨パッドにブラシを接触させて、研磨パッドの表面を削り取る。ドレッシング条件は、下記に示す。
ブラシ :ナイロンブラシ(ハードタイプ:ブラシの毛の長さが30mm)
荷重 :4kgf(約39N)
研磨定盤の回転数:15rpm
ドレス時間 :1分間
次に、親水性膜除去工程では、後述の半導体研磨用組成物を用い、後述の研磨条件によって、low−k膜除去工程を施した積層体12を研磨する。
親水性膜除去工程では、半導体研磨用組成物として、酸化膜研磨用のスラリであるILD3225(ニッタ・ハース社製)を用いた。酸化膜研磨用のスラリは、特開2004−262975号公報に記載の実施例1と同様の製造方法に基づいて作製したスラリであって、ヒュームドシリカを25.7重量%含み、pHが11.0のスラリである。
親水性膜除去工程の研磨条件は、下記に示す。
研磨装置 :SH24(SpeedFAM社製)
研磨パッド :Suba800(ニッタ・ハース社製)
研磨荷重 :3.4psi(約23320Pa)
研磨定盤の回転数 :115rpm
加圧ヘッドの回転数:100rpm
スラリ供給量 :300ml/分
研磨時間 :5分間
親水性膜除去工程後のシリコンウエハ13は、水に対して濡れ性を示さなかった。このことから、酸化膜14が露出された積層体12に親水性膜除去工程を施すと、親水性である酸化膜14が除去されて、シリコンウエハ13が露出したことがわかる。また、その表面には、傷がなく、疎水性であり、表面粗さ(rms)は、10Åであった。
次に、1次研磨工程では、後述の半導体研磨用組成物を用い、後述の研磨条件によって、親水性膜除去工程を施したシリコンウエハ13を研磨する。
1次研磨工程では、半導体研磨用組成物として、1次研磨または2次研磨に用いるスラリであるNP6230L(Rodel Particle社製)を30倍希釈して用いた。
親水性膜除去工程の研磨条件は、下記に示す。
研磨装置 :SH24(SpeedFAM社製)
研磨パッド :Suba800(ニッタ・ハース社製)
研磨荷重 :3.4psi(約23320Pa)
研磨定盤の回転数 :115rpm
加圧ヘッドの回転数:100rpm
スラリ供給量 :300ml/分
研磨時間 :5分間
親水性膜除去工程が施されたシリコンウエハ13に1次研磨工程を施すと、シリコンウエハ13が平滑化された。また、1次研磨工程を施したシリコンウエハ13の表面粗さ(rms)は、親水性膜除去工程を施したシリコンウエハ13の表面粗さ(rms)からほとんど変化せず、11Åであった。
最後に、仕上げ研磨工程では、後述の半導体研磨用組成物を用い、後述の研磨条件によって、1次研磨工程を施したシリコンウエハ13を研磨する。
仕上げ研磨工程では、半導体研磨用組成物として、仕上げ研磨に用いるスラリであるNP8040W(Rodel Particle社製)を30倍希釈して用いた。
親水性膜除去工程の研磨条件は、下記に示す。
研磨装置 :SH24(SpeedFAM社製)
研磨パッド :ApollonA8S(ニッタ・ハース社製)
研磨荷重 :1.4psi(約9600Pa)
研磨定盤の回転数 :115rpm
加圧ヘッドの回転数:100rpm
スラリ供給量 :300ml/分
研磨時間 :5分間
12 研磨後の積層体
13 シリコンウエハ
14 酸化膜
15 low−k膜
Claims (8)
- 低誘電率膜を研磨する半導体研磨用組成物であって、
前記低誘電率膜を構成する材料より硬い材料で構成される硬質砥粒と単分散粒子とpH調整剤と水とを含み、
pHが6以上10以下であることを特徴とする半導体研磨用組成物。 - 前記硬質砥粒を構成する材料は、ダイヤモンドであることを特徴とする請求項1記載の半導体研磨用組成物。
- 前記硬質砥粒を構成する材料は、前記低誘電率膜を構成する材料よりヌープ硬さで1.1倍以上3.2倍以下硬いことを特徴とする請求項1記載の半導体研磨用組成物。
- 前記硬質砥粒を構成する材料は、窒化インジウム、窒化ホウ素、窒化ケイ素、酸化アルミニウムおよび酸化ジルコニウムから選ばれる1種または2種以上であることを特徴とする請求項3記載の半導体研磨用組成物。
- 前記硬質砥粒の平均粒径は、0.05μm以上10μm以下であることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1つに記載の半導体研磨用組成物。
- 前記単分散粒子は、単分散コロイダルシリカ粒子であることを特徴とする請求項1〜5記載の半導体研磨用組成物。
- 前記低誘電率膜を構成する材料は、窒炭化ケイ素、炭化ケイ素、酸炭化ケイ素および酸窒化ケイ素から選ばれる1種または2種以上であることを特徴とする請求項1〜6のいずれか1つに記載の半導体研磨用組成物。
- 低誘電率膜および親水性膜が形成されている基板を研磨する研磨方法であって、
前記低誘電率膜を構成する材料より硬い材料で構成される硬質砥粒と単分散粒子とpH調整剤と水とを含み、pHが6以上10以下である半導体研磨用組成物を用いて、前記低誘電率膜を研磨する低誘電率膜研磨工程と、
ヒュームドシリカを含む塩基性の半導体研磨用組成物を用いて、前記親水性膜を研磨する親水性膜研磨工程とを含むことを特徴とする研磨方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005317292A JP2007123759A (ja) | 2005-10-31 | 2005-10-31 | 半導体研磨用組成物および研磨方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005317292A JP2007123759A (ja) | 2005-10-31 | 2005-10-31 | 半導体研磨用組成物および研磨方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007123759A true JP2007123759A (ja) | 2007-05-17 |
Family
ID=38147239
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005317292A Pending JP2007123759A (ja) | 2005-10-31 | 2005-10-31 | 半導体研磨用組成物および研磨方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2007123759A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008260815A (ja) * | 2007-04-10 | 2008-10-30 | Admatechs Co Ltd | 研磨材用砥粒及び研磨材 |
JP2012511251A (ja) * | 2008-12-04 | 2012-05-17 | キャボット マイクロエレクトロニクス コーポレイション | 炭化ケイ素膜を選択的に研磨する方法 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000208456A (ja) * | 1999-01-07 | 2000-07-28 | Fujitsu Ltd | 選択的化学機械研磨方法 |
JP2001064632A (ja) * | 1999-06-23 | 2001-03-13 | Jsr Corp | 研磨用組成物および研磨方法 |
JP2002338951A (ja) * | 2001-05-18 | 2002-11-27 | Nippon Chem Ind Co Ltd | 研磨剤用水熱処理コロイダルシリカ |
JP2003257902A (ja) * | 2002-03-07 | 2003-09-12 | Nippon Gureen Kenkyusho:Kk | 化学反応性研磨材 |
JP2004165434A (ja) * | 2002-11-13 | 2004-06-10 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法 |
WO2004072199A2 (en) * | 2003-02-11 | 2004-08-26 | Cabot Microelectronics Corporation | Mixed-abrasive polishing composition and method for using the same |
JP2004247605A (ja) * | 2003-02-14 | 2004-09-02 | Toshiba Corp | Cmp用スラリーおよび半導体装置の製造方法 |
JP2005175432A (ja) * | 2003-09-17 | 2005-06-30 | Rohm & Haas Electronic Materials Cmp Holdings Inc | 半導体ウェーハ用研磨組成物 |
JP2005236275A (ja) * | 2004-01-23 | 2005-09-02 | Jsr Corp | 化学機械研磨用水系分散体および化学機械研磨方法 |
-
2005
- 2005-10-31 JP JP2005317292A patent/JP2007123759A/ja active Pending
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000208456A (ja) * | 1999-01-07 | 2000-07-28 | Fujitsu Ltd | 選択的化学機械研磨方法 |
JP2001064632A (ja) * | 1999-06-23 | 2001-03-13 | Jsr Corp | 研磨用組成物および研磨方法 |
JP2002338951A (ja) * | 2001-05-18 | 2002-11-27 | Nippon Chem Ind Co Ltd | 研磨剤用水熱処理コロイダルシリカ |
JP2003257902A (ja) * | 2002-03-07 | 2003-09-12 | Nippon Gureen Kenkyusho:Kk | 化学反応性研磨材 |
JP2004165434A (ja) * | 2002-11-13 | 2004-06-10 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法 |
WO2004072199A2 (en) * | 2003-02-11 | 2004-08-26 | Cabot Microelectronics Corporation | Mixed-abrasive polishing composition and method for using the same |
JP2004247605A (ja) * | 2003-02-14 | 2004-09-02 | Toshiba Corp | Cmp用スラリーおよび半導体装置の製造方法 |
JP2005175432A (ja) * | 2003-09-17 | 2005-06-30 | Rohm & Haas Electronic Materials Cmp Holdings Inc | 半導体ウェーハ用研磨組成物 |
JP2005236275A (ja) * | 2004-01-23 | 2005-09-02 | Jsr Corp | 化学機械研磨用水系分散体および化学機械研磨方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008260815A (ja) * | 2007-04-10 | 2008-10-30 | Admatechs Co Ltd | 研磨材用砥粒及び研磨材 |
JP2012511251A (ja) * | 2008-12-04 | 2012-05-17 | キャボット マイクロエレクトロニクス コーポレイション | 炭化ケイ素膜を選択的に研磨する方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP1210395B1 (en) | Compositions for insulator and metal cmp and methods relating thereto | |
JP5002175B2 (ja) | 研磨スラリーおよびウエハ再生方法 | |
US6267909B1 (en) | Planarization composition for removing metal films | |
JP4113282B2 (ja) | 研磨組成物及びそれを用いたエッジポリッシング方法 | |
US20130186850A1 (en) | Slurry for cobalt applications | |
JP5493956B2 (ja) | 半導体ウェーハの製造方法 | |
JP2019036714A (ja) | タングステンのための化学的機械的研磨法 | |
JP5319887B2 (ja) | 研磨用スラリー | |
JP3668046B2 (ja) | 研磨布及びこの研磨布を用いた半導体装置の製造方法 | |
JP2015063687A (ja) | 低欠陥化学機械研磨組成物 | |
JP3668647B2 (ja) | 半導体ウエハ基板の再生法および半導体ウエハ基板再生用研磨液 | |
KR20050057208A (ko) | 반도체 집적회로용 절연막 연마제 조성물 및 반도체 집적회로의 제조방법 | |
JP2004165424A (ja) | 研磨剤組成物とそれによる研磨方法 | |
KR102392596B1 (ko) | 연마제, 연마제용 저장액 및 연마 방법 | |
JP6685744B2 (ja) | 半導体基板を研磨する方法 | |
JP2013165088A (ja) | 研磨剤および研磨方法 | |
JP2019537244A (ja) | タングステンのためのケミカルメカニカルポリッシング法 | |
JP2007123759A (ja) | 半導体研磨用組成物および研磨方法 | |
JP2001118815A (ja) | 半導体ウェーハエッジ研磨用研磨組成物及び研磨加工方法 | |
TWI733755B (zh) | 鎢之化學機械研磨方法 | |
US6319095B1 (en) | Colloidal suspension of abrasive particles containing magnesium as CMP slurry | |
JP6721704B2 (ja) | 半導体基材をケミカルメカニカル研磨する方法 | |
WO2017147767A1 (en) | Chemical mechanical polishing method | |
JP2004128112A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
TWI573188B (zh) | 化學機械硏磨半導體基板之方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20081010 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20090909 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110412 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110414 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20110809 |