JP2019537244A - タングステンのためのケミカルメカニカルポリッシング法 - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、下層の絶縁体のエロージョンを抑制すると共にタングステンのディッシングを抑制し、かつ、静的コロージョン速度を低減するための、タングステンのケミカルメカニカルポリッシングの分野を対象とする。より具体的には、本発明は、下層の絶縁体のエロージョンを抑制すると共にタングステンのディッシングを抑制し、かつ、静的コロージョン速度を低減するための、タングステンのケミカルメカニカルポリッシングのための方法であって:タングステンを含有する基板を提供すること;初期成分として:水;酸化剤;アルギン酸塩;ジカルボン酸、鉄イオン源;コロイダルシリカ砥粒;および、場合により、pH調整剤を含有する、研磨組成物を提供すること;研磨表面を有するケミカルメカニカルポリッシングパッドを提供すること;ポリッシングパッドと基板との間の界面に動的接触を生み出すこと;ならびに、研磨表面上、ポリッシングパッドと基板との間の界面にまたはその近くに研磨組成物を分注することによって、タングステンの一部が基板から研磨除去される、方法を対象とする。
集積回路および他の電子デバイスの組立において、導電材料、半導体材料および絶縁材料の複数層が、半導体ウェーハの表面に堆積されるかまたは表面から除去される。導電材料、半導体材料、および絶縁材料の薄層を、いくつかの堆積技術によって堆積することができる。現代の加工における一般的な堆積技術は、スパッタリングとしても知られている物理蒸着法(PVD)、化学蒸着法(CVD)、プラズマ増強化学蒸着法(PECVD)、および電気化学めっき法(ECP)を含む。
本発明は、タングステンをケミカルメカニカルポリッシングする方法であって:タングステンおよび絶縁体を含む基板を提供すること;初期成分として:水;酸化剤;アルギン酸塩;コロイダルシリカ砥粒;ジカルボン酸またはその塩;鉄(III)イオン源;および、場合により、pH調整剤を含む、ケミカルメカニカルポリッシング組成物を提供すること;研磨表面を有するケミカルメカニカルポリッシングパッドを提供すること;ケミカルメカニカルポリッシングパッドと基板との間の界面に動的接触を生み出すこと;ならびに、ケミカルメカニカルポリッシングパッドの研磨表面上、ケミカルメカニカルポリッシングパッドと基板との間の界面にまたはその近くにケミカルメカニカルポリッシング組成物を分注することを含み;タングステンの一部が基板から研磨除去される、方法を提供する。
本明細書全体を通して使用される場合、以下の略称は、文脈が別途指示しない限り以下の意味を有する:℃=摂氏度;g=グラム;L=リットル;mL=ミリリットル;μ=μm=ミクロン;kPa=キロパスカル;Å=オングストローム;mV=ミリボルト;DI=脱イオン;ppm=100万分の1=mg/L;mm=ミリメートル;cm=センチメートル;min=分;rpm=毎分回転数;lb=ポンド;kg=キログラム;W=タングステン;PO=プロピレンオキシド;EO=エチレンオキシド;ICP−OES=誘導結合プラズマ発光分光分析法;wt%=重量パーセント;およびRR=除去速度。
スラリー配合物
表1に列挙した量の成分(残部がDI水である)を合わせ、45wt%水酸化カリウムで組成物のpHを表1に列挙した最終pHに調整することによって、この実施例のケミカルメカニカルポリッシング組成物を調製した。
多糖CMPスラリーの静的コロージョン速度性能
Wブランケットウェーハ(1cm×4cm)をスラリー試料15g中に浸漬することによって静的コロージョン試験を実施した。10分後、Wウェーハを試験スラリーから取り出した。その後、溶液を9,000rpmで20分間遠心分離して、スラリー粒子を除去した。上清をICP−OESによって分析して、タングステンの重量を決定した。4cm2のエッチングウェーハ表面積を仮定して、Wの質量から静的コロージョン速度(Å/min)を換算した。静的コロージョン試験の結果は、表2である。
ケミカルメカニカルポリッシング−アルギン酸塩CMPスラリーのディッシングおよびエロージョン性能
Applied Materialsの200mm MIRRA(登録商標)研磨機に設置した200mmのブランケットウェーハ上で研磨実験を実施した。研磨除去速度実験は、200mmのブランケット15kÅ厚のTEOSシートウェーハ+Silicon Valley Microelectronicsから市販されているW、Ti、およびTiNブランケットウェーハ上で実施した。別途指定しない限り、全ての研磨実験は、SP2310サブパッドと合わせたIC1010(商標)ポリウレタンポリッシングパッド(Rohm and Haas Electronic Materials CMP Inc.から市販)を使用して、21.4kPa(3.1psi)の典型的なダウン圧、125mL/minのケミカルメカニカルポリッシング組成物流量、80rpmのテーブル回転速度および81rpmのキャリヤ回転速度で実施した。Kinik PDA33A-3ダイアモンドパッドコンディショナー(Kinik Companyから市販)を使用して、ポリッシングパッドをドレッシングした。ポリッシングパッドを、コンディショナーにより、80rpm(プラテン)/36rpm(コンディショナー)で、9.0lb(4.1kg)のダウンフォースを使用して15分間、7.0lb(3.2kg)のダウンフォースを使用して15分間ブレイクインした。研磨の前に、7lb(3.2kg)のダウンフォースを使用して24秒間、ポリッシングパッドをエクスサイチューでさらにコンディショニングした。研磨の前後でKLA-Tencor FX200計測ツールを使用して膜厚さを測定することによって、TEOSエロージョン深さを決定した。KLA-Tencor RS100C計測ツールを使用してW除去およびディッシング速度を決定した。ウェーハは、表3Aおよび3Bに示すような様々な標準ライン幅形状を有していた。この実施例の表中、分子はWを指し、分母はTEOSを指す。
W、TEOS除去速度およびW、TEOS最大研磨温度
WおよびTEOS除去速度についての研磨実験は、実質的に実施例3に記載の通り、同じ装置およびパラメーターを使用して実施した。ウェーハは、Silicon Valley Microelectronicsのものであった。結果は、表4である。
Claims (8)
- タングステンをケミカルメカニカルポリッシングする方法であって:
タングステンおよび絶縁体を含む基板を提供すること;
初期成分として:
水;
酸化剤;
アルギン酸塩;
コロイダルシリカ砥粒;
ジカルボン酸、
鉄(III)イオン源;および
場合により、pH調整剤を含む、ケミカルメカニカルポリッシング組成物を提供すること;
研磨表面を有するケミカルメカニカルポリッシングパッドを提供すること;
ケミカルメカニカルポリッシングパッドと基板との間の界面に動的接触を生み出すこと;ならびに
ケミカルメカニカルポリッシングパッドの研磨表面上、ケミカルメカニカルポリッシングパッドと基板との間の界面にまたはその近くにケミカルメカニカルポリッシング組成物を分注して、タングステンの少なくとも一部を除去することを含む、方法。 - 提供されるケミカルメカニカルポリッシング組成物が、200mm研磨機上、毎分80回転のプラテン速度、毎分81回転のキャリヤ速度、125mL/minのケミカルメカニカルポリッシング組成物流量、21.4kPaの公称ダウンフォースで≧1,000Å/minのタングステン除去速度を有し;そして、ケミカルメカニカルポリッシングパッドが、ポリマー中空コア微粒子を含有するポリウレタン研磨層およびポリウレタン含浸不織布サブパッドを含む、請求項1に記載の方法。
- 提供されるケミカルメカニカルポリッシング組成物が、初期成分として:
水;
0.01〜10wt%の酸化剤(ここで、酸化剤は、過酸化水素である);
50〜1000ppmのアルギン酸塩;
0.01〜10wt%のコロイダルシリカ砥粒;
1〜2,600ppmのジカルボン酸;
100〜1,000ppmの鉄(III)イオン源(ここで、鉄(III)イオン源は、硝酸鉄九水和物である);および
場合により、pH調整剤を含み;
ケミカルメカニカルポリッシング組成物が1〜7のpHを有する、請求項1に記載の方法。 - 提供されるケミカルメカニカルポリッシング組成物が、200mm研磨機上、毎分80回転のプラテン速度、毎分81回転のキャリヤ速度、125mL/minのケミカルメカニカルポリッシング組成物流量、21.4kPaの公称ダウンフォースで≧1,000Å/minのタングステン除去速度を有し;そして、ケミカルメカニカルポリッシングパッドが、ポリマー中空コア微粒子を含有するポリウレタン研磨層およびポリウレタン含浸不織布サブパッドを含む、請求項3に記載の方法。
- 提供されるケミカルメカニカルポリッシング組成物が、初期成分として:
水;
0.1〜5wt%の酸化剤(ここで、酸化剤は、過酸化水素である);
600〜1000ppmのアルギン酸塩;
0.05〜7.5wt%のコロイダルシリカ砥粒;
100〜1,400ppmのジカルボン酸;
150〜750ppmの鉄(III)イオン源(ここで、鉄(III)イオン源は、硝酸鉄である);および
場合により、pH調整剤を含み;
ケミカルメカニカルポリッシング組成物が1.5〜4.5のpHを有する、請求項1に記載の方法。 - 提供されるケミカルメカニカルポリッシング組成物が、200mm研磨機上、毎分80回転のプラテン速度、毎分81回転のキャリヤ速度、125mL/minのケミカルメカニカルポリッシング組成物流量、21.4kPaの公称ダウンフォースで≧1,000Å/minのタングステン除去速度を有し;そして、ケミカルメカニカルポリッシングパッドが、ポリマー中空コア微粒子を含有するポリウレタン研磨層およびポリウレタン含浸不織布サブパッドを含む、請求項5に記載の方法。
- 提供されるケミカルメカニカルポリッシング組成物が、初期成分として:
水;
0.1〜3wt%の酸化剤(ここで、酸化剤は、過酸化水素である);
600〜900ppmのアルギン酸塩;
0.1〜5wt%のコロイダルシリカ砥粒;
120〜1,350ppmのジカルボン酸(ここで、ジカルボン酸は、マロン酸である);
200〜500ppmの鉄(III)イオン源(ここで、鉄(III)イオン源は、硝酸鉄である);および
場合により、pH調整剤を含み;
ケミカルメカニカルポリッシング組成物が1.5〜3.5のpHを有する、請求項1に記載の方法。 - 提供されるケミカルメカニカルポリッシング組成物が、200mm研磨機上、毎分80回転のプラテン速度、毎分81回転のキャリヤ速度、125mL/minのケミカルメカニカルポリッシング組成物流量、21.4kPaの公称ダウンフォースで≧1,000Å/minのタングステン除去速度を有し;そして、ケミカルメカニカルポリッシングパッドが、ポリマー中空コア微粒子を含有するポリウレタン研磨層およびポリウレタン含浸不織布サブパッドを含む、請求項7に記載の方法。
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