TW201736042A - 晶圓的研磨方法、護墊的製造方法、護墊及具有該護墊的研磨頭 - Google Patents

晶圓的研磨方法、護墊的製造方法、護墊及具有該護墊的研磨頭 Download PDF

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Abstract

一種晶圓的研磨方法，係藉由研磨頭且經由貼附於該研磨頭的護墊而支承晶圓的背面，並且藉由將該晶圓的表面予以滑接於已貼附於定盤上的研磨布而研磨晶圓，其中，該護墊具有一基材層及一絨毛層，該基材層係貼附於該研磨頭，該絨毛層係接觸支承該晶圓的背面，並且該基材層係為使用自環氧樹脂玻璃或纖維素樹脂所構成者。藉此提供的晶圓的研磨方法，不會使研磨頭的護墊的厚度過大，再者由於抑制其彎曲而能均一地施加負重於晶圓，結果能得到高平坦度的晶圓。

Description

晶圓的研磨方法、護墊的製造方法、護墊及具有該護墊的研磨頭
本發明係關於晶圓的研磨方法、護墊的製造方法、護墊及具有該護墊的研磨頭。
在矽晶圓等的半導體晶圓的研磨方法之中，例如有使用貼附有研磨布的定盤及於定盤上方設置研磨頭的研磨裝置。研磨頭，例如能透過護墊而支承晶圓，再者，研磨頭可使用具有模板組件組件的研磨頭，該模板組件係為將護墊及將由環氧樹脂玻璃等的樹脂所構成的導引環予以為一體而成。如此的研磨頭能將晶圓的背面予以水貼而支承於模板組件的護墊，並且能藉由導引環支承晶圓的邊緣部。
再者，如同上述，模板組件係以導引環與護墊所組合而成。一般而言，護墊係形成有用於支承晶圓背面的絨毛層（NAP層）。例如，護墊係一般在厚度188μm的聚對苯二甲酸乙二酯（PET）膜上形成自發泡性胺基甲酸酯所構成的絨毛層者。再者，導引環係能將環氧樹脂玻璃予以環狀地切出而製作，能藉由感熱壓接的方法而貼附於護墊的絨毛層側。
在上述的研磨裝置之中，自研磨頭垂吊於定盤上部的狀態，至研磨頭下降移動到定盤上而使晶圓的表面接觸於研磨布，一邊使研磨漿介入其間，一邊將晶圓的表面滑接於研磨布而進行研磨。
作為配置於如同上述的研磨裝置的研磨頭，例如於專利文獻1揭示有：如第7圖，具有於內部已封入的水等的流體會直接按壓護墊101的壓力室106的研磨頭100。如此的研磨頭100相較於如專利文獻2、3所揭示（如第8圖），係具有護墊201的全表面貼附於陶瓷板209的構造的研磨頭200，或是（如第9圖），係具有護墊301的全表面貼附於橡膠膜310的構造的研磨頭300，能得到更高平坦度的晶圓。這是由於記載於專例文獻1的研磨頭，陶瓷板或橡膠膜的表面形狀的凹凸並未透過護墊轉印至晶圓的緣故。 ［先前技術文獻］ ［專利文獻］
［專利文獻1］日本特開2012-35393號公報 ［專利文獻2］WO2010/023829 ［專利文獻3］日本特開2010-247254號公報
［發明所欲解決之問題］ 另一方面，在如第7圖的研磨頭之中，護墊101主要僅以其外周部而固定。 再者，封入壓力室106的流體將會直接對護墊101施加負重，再者，流體本身的重量也直接施加於護墊101。這些事情等成為原因，造成於PET膜上形成有絨毛層的習知的護墊會大大地彎曲。因此，以護墊支承的晶圓無法均一地接觸於研磨布，結果研磨後的晶圓的平坦性惡化，特別是施加於晶圓外周部的研磨負重增加，而有晶圓的外周部的形狀變化會有變大的問題。
再者，雖然想到為了降低彎曲而提高PET膜的厚度，但是當為了充分降低彎曲而使必要的PET膜的厚度過度增大，會有由於PET膜的厚度的參差變大的緣故，而形成為不適合裝備於研磨頭的護墊。
在第7圖所示的研磨頭，係為於作為基材層的使用PET的護墊施加150g/cm2 的負重的情況，有關PET製的基材層的厚度與彎曲量的關係示於第10圖。另外，在此所謂的「彎曲量」係以護墊中心部的朝相對於護墊而垂直的方向的位移量而規定的值。一般的護墊，雖然PET製的基材層的厚度為188μm左右，在該情況下，如第10圖，彎曲量會變大到1.23mm左右。再者，雖然特別希望彎曲量為30μm以下，但是如自第10圖所知，使用PET的狀況，會變得必須要2500μm（2.5mm）左右的厚度。
鑒於如前述的問題，本發明的目的在於提供一種晶圓的研磨方法，並不過度增大研磨頭的護墊的厚度，再者藉由抑制其彎曲，能對晶圓施加均一的負重，結果能得到高平坦度的晶圓。再者，本發明的目的亦在於提供彎曲少的護墊及其製造方法，並且提供具備該護墊的研磨頭。 ［解決問題之技術手段］
為了達成上述目的，本發明提供一種晶圓的研磨方法，係藉由研磨頭且經由貼附於該研磨頭的護墊而支承晶圓的背面，並且藉由將該晶圓的表面予以滑接於已貼附於定盤上的研磨布而研磨，其中，該護墊具有一基材層及一絨毛層，該基材層係貼附於該研磨頭，該絨毛層係接觸支承該晶圓的背面，並且該基材層係為使用環氧樹脂玻璃或纖維素樹脂而構成。
如此一來，作為護墊的基材層，並非以PET而係以使用環氧樹脂玻璃或纖維素樹脂，因而減少由於負重所導致的護墊的延伸，而使護墊的彎曲能抑制為更小。藉此，施加於晶圓的負重能均一在晶圓背面的全表面，能得到外圍下垂少的高平坦的晶圓。再者，使用環氧樹脂玻璃或纖維素樹脂作為基材層的情況，其厚度不會過大而能充分地降低彎曲。
此時，在本發明之中，作為該護墊，係使用該基材層的厚度為0.2mm以上者為佳。
若環氧樹脂玻璃製或纖維素樹脂製的基材層的厚度為0.2mm以上，能更降低彎曲的量。在晶圓的研磨之中，彎曲量為30μm以下為特佳，而基材層的厚度為0.2mm以上則能更確實地使護墊的彎曲量降低為30μm以下。
再者，作為該研磨頭能包含：該護墊；一剛性環，係接著於該護墊的上表面；一中板，係接著於該剛性環的上表面；一壓力室，係由該護墊、該剛性環及該中板所區劃，該壓力室內部的壓力為可調整的；以及一導引環，係接著於該護墊的下表面，該導引環係用於支承該晶圓的邊緣部。
具有對護墊直接施加負重功能的研磨頭特別容易發生護墊的彎曲的緣故，本發明的研磨方法特別適用如此的研磨頭。
此時，作為該晶圓，直徑為300mm以上者予以研磨為佳。
在直徑為300mm以上者予以研磨的情況下，由於研磨頭會大型化，護墊的彎曲會容易變大的緣故，本發明的研磨方法特別合適於研磨如此的晶圓的情況。
再者，為了達成上述目的，本發明提供一種護墊的製造方法，係製造在研磨頭之中用於支承晶圓的背面的護墊，該護墊的製造方法包含下列步驟：形成一基材層，該基材層係貼附於該研磨頭且自環氧樹脂玻璃或纖維素樹脂所構成；以及於該基材層上形成一絨毛層，該絨毛層係接觸支承該晶圓的背面。
藉此能容易地製造基材層為自環氧樹脂玻璃或纖維素樹脂所構成的護墊。
此時，自環氧樹脂玻璃或纖維素樹脂所構成的該基材層能藉由於環氧樹脂或纖維素樹脂塗佈玻璃纖維而形成。
更具體而言，能藉此形成基材層。
再者，該基材層的厚度為0.2mm以上為佳。
若基材層的厚度為0.2mm以上，能確實地降低護墊的彎曲量。
再者，為了達成上述目的，本發明提供一種護墊，係在研磨頭之中用於支承晶圓的背面，該護墊包含：一基材層，係貼附於該研磨頭；以及一絨毛層，係接觸支承該晶圓的背面，其中，該基材層係為使用環氧樹脂玻璃或纖維素樹脂而構成。
如此的護墊，由於基材層並非為PET，而為環氧樹脂玻璃或纖維素樹脂的緣故，負重所致的護墊的延展為少，彎曲會更為減少。藉此，在使用於研磨頭的情況，附加於晶圓的負重能均一施於晶圓背面的全表面。再者，使用環氧樹脂玻璃或纖維素樹脂作為基材層的緣故，由於充分的降低護墊的彎曲而不須過度地加厚基材層。
此時，本發明的護墊，該基材層的厚度為0.2mm以上為佳。
若基材層的厚度為0.2mm以上，能更確實地降低護墊的彎曲量。
再者，為了達成上述目的，本發明提供一種研磨頭，係透過護墊而支承晶圓的背面，其中該護墊係為上述的護墊。
如此的研磨頭，由於具有於基材層使用環氧樹脂玻璃或纖維素樹脂的護墊的緣故，於研磨時，護墊難以彎曲。因此，能附加均一的負重於晶圓背面的全表面，而成為能得到平坦度高的晶圓的研磨頭。
此時，本發明的研磨頭包含：該護墊；一剛性環，係接著於該護墊的上表面；一中板，係接著於該剛性環的上表面；一壓力室，係由該護墊、該剛性環及該中板所區劃，該壓力室內部的壓力為可調整的；以及一導引環，係接著於該護墊的下表面，該導引環係用於支承該晶圓的邊緣部為佳。
即使為具有自壓力室直接對護墊施加負重的功能的研磨頭，藉由本發明的於基材層使用環氧樹脂玻璃或纖維素樹脂的護墊，而能抑制彎曲。 〔對照先前技術之功效〕
藉由本發明的晶圓的研磨方法、護墊的製造方法、護墊以及研磨頭，藉由抑制研磨頭的襯墊的彎曲，能對晶圓施加均一的負重，作為其結果，能得到高平坦度的晶圓。
雖然以下說明關於本發明的實施例，但是本發明並非限定於此。
如同上述，特別是在如第7圖所示的研磨頭之中，於研磨時護墊會大大地彎曲，而有無法使晶圓均一地接觸於研磨布的問題。
於此，本發明人們為了解決如此的問題而持續地努力檢討。其結果想到：於護墊的基材層，並非使用習知的PET而使用環氧樹脂玻璃或纖維素樹脂，而能降低護墊的彎曲，進而完成了本發明。
首先，說明本發明的護墊及其製造方法。如第1圖所示，本發明的護墊1具有貼附於研磨頭的基材層2及接觸晶圓的背面而支承的絨毛層3，基材層2係自環氧樹脂玻璃或纖維素樹脂所構成。
本發明的護墊係自環氧樹脂玻璃或纖維素樹脂所構成的緣故，變得因負重所致的護墊的延展少，彎曲更少。藉此，在使用於研磨頭的情況下，施加於晶圓的負重會均一施在晶圓的背面的全表面。再者，由於使用環氧樹脂玻璃或纖維素樹脂作為基材層的緣故，充分地降低護墊的彎曲，故基材層不須過度地增厚。
再者，基材層的厚度為0.2mm以上為佳。當環氧樹脂玻璃製或纖維素樹脂製的基材層的厚度為0.2mm以上，能更降低彎曲的量。在晶圓的研磨之中，彎曲量為30μm以下特佳，基材層的厚度若為0.2mm以上，則護墊的彎曲量能更確實地降低至30μm以下。另外，在考慮基材層的厚度的不均勻等的情況，基材層為1.5mm以下為所望。
如同以上的護墊1能以以下的順序製造。首先，形成自環氧樹脂玻璃或纖維素樹脂所構成的基材層2。更具體而言，基材層2能藉由於玻璃纖維布塗佈環氧樹脂或是纖維素樹脂而形成。
再者，基材層2形成為0.2mm以上的厚度為佳。如此一來，如同上述，能製造能更確實地將研磨時的護墊的彎曲降低為30μm以下的護墊1。
接下來，於基材層2上形成接觸晶圓的背面而支承的絨毛層3。作為絨毛層3，例如，形成自發泡性胺基甲酸酯等的發泡樹脂所構成的層即可。再者，藉由拋光研磨絨毛層3的表面而使絨毛層3的表面為開孔（open pore）亦可。
依上述方式，能製造本發明的護墊。再者，本發明的護墊，於習知的護墊的PET膜之側（與絨毛層相反側的表面）形成自環氧樹脂玻璃或纖維素樹脂所構成的基材層亦可。亦即，本發明的護墊係藉由環氧樹脂玻璃或纖維素樹脂而補強習知的護墊而製造亦可。接下來說明具有此護墊的本發明的研磨頭。
本發明的研磨頭係透過護墊而支承晶圓的背面，作為護墊具有本發明的護墊1。具有如此的護墊的研磨頭，由於在研磨時護墊不易彎曲的緣故，能得到更高平坦度的晶圓。
更具體而言，例如，如第2圖所示，本發明的研磨頭10具有本發明的護墊1、接著於該護墊1的上表面的剛性環4、接著於該剛性環4的上表面的中板5、由護墊1與剛性環4與中板5所區劃且內部的壓力為可調整的壓力室6及接著於護墊1的下表面且用於支承晶圓W的邊緣部的導引環7。再者，於壓力室6，例如能藉由流體供給機構8供給規定的壓力的流體，護墊1藉由流體而並不透過其它構件而進行直接推壓。
如此一來，在藉由流體等直接對護墊施加負重的類型的研磨頭之中，雖然研磨時的護墊的彎曲特別容易變大，但是，若具有本發明的護墊1，即使在這樣的情況下，確實地降低護墊的彎曲亦為可能。再者，這種類型的研磨頭，透過護墊，研磨頭的構件的表面形狀不會轉印至晶圓的緣故，而能得到特別高平坦的晶圓。
接下來，說明使用如此的本發明的研磨頭的情況的本發明的晶圓的研磨方法。首先，說明具有本發明的研磨頭的研磨裝置。
如第3圖所示，研磨裝置20係由貼附有研磨布21的定盤22、研磨劑供給機構23及具有本發明的護墊1的研磨頭10等所構成。
本發明的晶圓的研磨方法，在如同上述的研磨裝置20之中，以研磨頭10透過本發明的護墊1支承晶圓W的背面，在研磨劑供給機構23供給研磨劑於研磨布21上的同時，分別旋轉定盤22及研磨頭10，藉由使晶圓W的表面滑接於研磨布21而能進行研磨。亦即，本發明的晶圓的研磨方法，作為護墊，具有貼附於研磨頭10的基材層2及接觸於晶圓W的背面而支承的絨毛層3，並且基材層2係使用自環氧樹脂玻璃或纖維素樹脂所構成的護墊1而進行研磨。
如此一來，作為護墊的基材層，並非PET而藉由使用環氧樹脂玻璃或纖維素樹脂，使負重所致的護墊的延展少，護墊的彎曲變得更少。藉此，施加於晶圓的負重能均一地在晶圓的背面全表面。再者，使用環氧樹脂玻璃或纖維素樹脂作為基材層2的情況，其厚度不會過大即能充分地降低彎曲。
此時，在本發明之中，作為護墊1，使用基材層2的厚度為0.2mm以上者為佳。環氧樹脂玻璃製或纖維素樹脂製的基材層2的厚度若為0.2mm以上，則能更降低彎曲的量。在晶圓W的研磨之中，於施加研磨負重於護墊1時，對於護墊1的中心部的高度方向的位移所規定的彎曲量為30μm以下為特佳，基材層的厚度若為0.2mm以上，則能更確實地將護墊1的彎曲量降低為30μm以下。
再者，本發明的晶圓的研磨方法係合適於將作為該晶圓W，直徑為300mm以上者予以研磨的情況的研磨方法。直徑為300mm以上的晶圓W，例如在研磨直徑300mm或直徑450mm的晶圓W的情況，由於研磨頭10大型化、封入壓力室內的流體量的增加等的影響，護墊1的彎曲容易變大，若應用本發明的研磨方法，能降低彎曲的量。 ［實施例］
以下，雖然表示本發明的實施例及比較例而更具體地說明本發明，但是本發明並非限定於這些實施例。
［實施例1］ 首先，於厚度為0.2mm（200μm）的環氧樹脂玻璃上形成自發泡性胺基甲酸酯所構成的絨毛層，而製作如第1圖所示的本發明的護墊。接著，於護墊的絨毛層之側，藉由熱壓著而將環氧樹脂玻璃製的導引環予以接著，而製作模板組件。
於此，對此模板組件的護墊施加150g/cm2 的負重，並且測定此時的彎曲量。其結果，如第4圖所示，得知施加150g/cm2 的負重時的彎曲量，相較於後述的比較例1的護墊的彎曲量，被抑制為非常地小。
接著，使用已製作的模板組件，製作如第2圖所示的研磨頭。然後，在如第3圖所示的研磨裝置之中，使用此研磨頭實施矽晶圓的研磨。之後，評價藉由研磨的矽晶圓的削去量。
再者，研磨條件如下。 ［研磨條件］ 研磨裝置：不二越機械製單面研磨機 SRED 矽晶圓：直徑300mm，P－ 品，＜100＞ 研磨布：不織布 研磨漿：KOH基底膠體二氧化矽。
再者，矽晶圓的削去量的評價如同以下進行。首先，使用KLA-Tencor公司製WaferSight2，測定研磨前後的矽晶圓的相對於缺口的0°/45°/90°/135°的直徑上的剖面曲線。 接著，分別將已測定的剖面曲線平均化之後，藉由自研磨前減去研磨後的值，而作成削去量的剖面曲線。自如此得到的剖面曲線進行矽晶圓的削去量的評價。
如第5圖所示，得知矽晶圓的削去量在矽晶圓的全表面之中略為均一。再者，若實施例1相較於後述的比較例1，矽晶圓的外周部的削去量的變化量非常地小，特別是外周下垂量小，亦確認能得到外周部的平坦度高的矽晶圓。
［比較例1］ 除了作為護墊的基材層，使用厚度為0.188mm（188μm）的PET的模板組件以外，以與實施例1相同的條件研磨矽晶圓。再者，以與實施例1相同的方法評價矽晶圓的削去量。
再者，在比較例1之中，亦與實施例1相同，對模板組件的護墊施加150g/cm2 的負重，並且測定此時的彎曲量。其結果，如第4圖所示，相較於實施例1，彎曲量大幅地增加。
再者，如第5圖所示，在比較例1之中，矽晶圓的中央部附近的削去量與外周部的削去量發生大的差異。
［實施例2］ 將護墊的環氧樹脂玻璃製的基材層的厚度為125μm，研磨矽晶圓。再者，以與實施例1相同的方法評價矽晶圓的削去量。
再者，在實施例2之中，亦與實施例1相同，對模板組件的護墊施加150g/cm2 的負重，並且測定此時的彎曲量。其結果，如第4圖所示，能確認相較於使用比實施例2更厚的基材層的比較例1，彎曲量能大幅地降低。
再者，如第6圖所示，得知實施例2的矽晶圓的削去量，在矽晶圓的全表面略為均一。再者，實施例2相較於後述的比較例2的情況，矽晶圓的外周部的削去量的變化量非常地小，特別是外周下垂量小，亦確認能得到高外周部的平坦度的矽晶圓。
［比較例2］ 除了使用與比較例1相同的護墊以外，以與實施例2相同的研磨條件研磨矽晶圓。再者，以與實施例1相同的方法評價矽晶圓的削去量。
再者，如第6圖所示，在比較例2之中，矽晶圓的中央部附近的削去量與外周部的削去量發生大的差異。
藉由以上的實施例及比較例的結果而確認：若為本發明的研磨方法，能有效地降低護墊的彎曲，藉由研磨而得到更高平坦度的晶圓。再者，確認到：若為本發明，基材層的厚度即使與習知的PET製的基材層為同等或更薄的情況，也能比習知有更小的彎曲。
此外，本發明並不限定於上述的實施例。上述實施例為舉例說明，凡具有與本發明的申請專利範圍所記載之技術思想實質上同樣之構成，產生相同的功效者，不論為何物皆包含在本發明的技術範圍內。
1‧‧‧護墊
2‧‧‧基材層
3‧‧‧絨毛層
4‧‧‧剛性環
5‧‧‧中板
6‧‧‧壓力室
7‧‧‧導引環
8‧‧‧流體供給機構
10‧‧‧研磨頭
20‧‧‧研磨裝置
21‧‧‧研磨布
22‧‧‧定盤
23‧‧‧研磨劑供給機構
100‧‧‧研磨頭
101‧‧‧護墊
106‧‧‧壓力室
200‧‧‧研磨頭
201‧‧‧護墊
209‧‧‧陶瓷板
300‧‧‧研磨頭
301‧‧‧護墊
310‧‧‧橡膠膜
W‧‧‧晶圓
第1圖係顯示本發明的襯墊的一範例的側面示意圖。 第2圖係顯示本發明的研 磨頭的一範例的側面剖面圖。 第3圖係顯示在本發明的研磨方法之中能使用的研磨裝置的一範例的示意圖。 第4圖係顯示實施例1、2及比較例1的襯墊的彎曲量的圖。 第5圖係顯示實施例1比較例1的削去量的剖面曲線。 第6圖係顯示實施例2及比較例2的削去量的剖面曲線。 第7圖係顯示具有以流體直接推壓護墊的構造的研磨頭的一範例的示意圖。 第8圖係顯示具有間接地推壓護墊的構造的研磨頭的一態樣的示意圖。 第9圖係顯示具有間接地推壓護墊的構造的研磨頭的另一態樣的示意圖。 第10圖係顯示PET製的基材層的厚度與彎曲量的關係的圖。
1‧‧‧護墊
2‧‧‧基材層
3‧‧‧絨毛層

Claims (12)

  1. 一種晶圓的研磨方法，係藉由研磨頭且經由貼附於該研磨頭的護墊而支承晶圓的背面，並且藉由將該晶圓的表面予以滑接於已貼附於定盤上的研磨布而研磨，其中， 該護墊具有一基材層及一絨毛層，該基材層係貼附於該研磨頭，該絨毛層係接觸支承該晶圓的背面，並且該基材層係為使用環氧樹脂玻璃或纖維素樹脂而構成。
  2. 如請求項1所述的晶圓的研磨方法，其中作為該護墊，係使用該基材層的厚度為0.2mm以上者。
  3. 如請求項1所述的晶圓的研磨方法，其中該研磨頭包含： 該護墊； 一剛性環，係接著於該護墊的上表面； 一中板，係接著於該剛性環的上表面； 一壓力室，係由該護墊、該剛性環及該中板所區劃，該壓力室內部的壓力為可調整的；以及 一導引環，係接著於該護墊的下表面，該導引環係用於支承該晶圓的邊緣部。
  4. 如請求項2所述的晶圓的研磨方法，其中該研磨頭包含： 該護墊； 一剛性環，係接著於該護墊的上表面； 一中板，係接著於該剛性環的上表面； 一壓力室，係由該護墊、該剛性環及該中板所區劃，該壓力室內部的壓力為可調整的；以及 一導引環，係接著於該護墊的下表面，該導引環係用於支承該晶圓的邊緣部。
  5. 如請求項1至4中任一項所述的晶圓的研磨方法，其中係將作為該晶圓，直徑為300mm以上者予以研磨。
  6. 一種護墊的製造方法，係製造在研磨頭之中用於支承晶圓的背面的護墊，該護墊的製造方法包含下列步驟： 形成一基材層，該基材層係貼附於該研磨頭且自環氧樹脂玻璃或纖維素樹脂所構成；以及 於該基材層上形成一絨毛層，該絨毛層係接觸支承該晶圓的背面。
  7. 如請求項6所述的護墊的製造方法，其中自環氧樹脂玻璃或纖維素樹脂所構成的該基材層係藉由於環氧樹脂或纖維素樹脂塗佈玻璃纖維而形成。
  8. 如請求項6或7所述的護墊的製造方法，其中該基材層的厚度為0.2mm以上。
  9. 一種護墊，係在研磨頭之中用於支承晶圓的背面，該護墊包含： 一基材層，係貼附於該研磨頭；以及 一絨毛層，係接觸支承該晶圓的背面， 其中，該基材層係為使用環氧樹脂玻璃或纖維素樹脂而構成。
  10. 如請求項9所述的護墊，其中該基材層的厚度為0.2mm以上。
  11. 一種研磨頭，係透過護墊而支承晶圓的背面，其中該護墊係為如請求項9或10所述的護墊。
  12. 如請求項11所述的研磨頭，其中該研磨頭包含： 該護墊； 一剛性環，係接著於該護墊的上表面； 一中板，係接著於該剛性環的上表面； 一壓力室，係由該護墊、該剛性環及該中板所區劃，該壓力室內部的壓力為可調整的；以及 一導引環，係接著於該護墊的下表面，該導引環係用於支承該晶圓的邊緣部。
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