JP3916212B2 - 半導体ウエーハの製造方法 - Google Patents
半導体ウエーハの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3916212B2 JP3916212B2 JP2002023585A JP2002023585A JP3916212B2 JP 3916212 B2 JP3916212 B2 JP 3916212B2 JP 2002023585 A JP2002023585 A JP 2002023585A JP 2002023585 A JP2002023585 A JP 2002023585A JP 3916212 B2 JP3916212 B2 JP 3916212B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor wafer
- polishing
- wafer
- manufacturing
- back surface
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、片面鏡面を有する半導体ウエーハの製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、片面鏡面を有する半導体ウエーハの製造方法としては、図8に示すように、円柱状に加工した結晶をウエーハ状にスライスする工程と、スライスドウエーハの両面をラップ又は研削する工程と、加工によって生じた歪層を除去するためにエッチングする工程と、複数のエッチドウエーハをワックス等のウエーハ保持具によって片面バッチ研磨装置の研磨ヘッドに貼り付ける工程と、片面バッチ研磨装置を用いて各ウエーハのデバイス形成面である表面の一次研磨から仕上(最終)研磨まで行う工程と、仕上研磨されたウエーハを純水によって洗浄する工程とからなるのが一般的である。
【0003】
片面バッチ研磨装置は、図9に示すように、研磨ヘッド31にワックスやバッキング材等のウエーハ保持具32を介して複数のウエーハWを保持し、研磨定盤33に貼付された研磨布34にウエーハWを押し当てて回転させながらその表面を研磨するものである。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、従来の片面鏡面を有する半導体ウエーハの製造方法では、半導体ウエーハの保持方法と保持される裏面状態との関係で、ナノトポグラフィー(Nanotopography :微小なうねり)が悪化する場合があり、SFQR等の平坦度とナノトポグラフィーとの両立が困難となる不具合がある。
一方、半導体ウエーハの平坦度を高めるため、特開平9−27482号公報に記載されているように、半導体ウエーハの表面の厚さの厚い部分を選択的にプラズマエッチングして表面を平坦化させることも考えられるが、この方法では、SFQRやGBIR等の平坦度の良化は可能であるが、ナノトポグラフィーの修正が困難である。
【0005】
そこで、本発明は、SFQR等の平坦度とナノトポグラフィーの両方を良化可能な片面鏡面を有する半導体ウエーハの製造方法を提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】
前記課題を解決するため、本発明の半導体ウエーハの製造方法は、片面鏡面を有する半導体ウエーハの製造方法において、片面枚葉研磨装置を用いて半導体ウエーハをソフトチャッキングしながらその表面を一次研磨した後、半導体ウエーハの厚さ分布又は裏面の凹凸分布を測定し、厚さ分布のデータに基づいて半導体ウエーハの裏面の厚さの厚い部分を又は凹凸分布のデータに基づいて半導体ウエーハの裏面の凸部分を選択的にプラズマエッチングして裏面を平坦化し、しかる後に、片面枚葉研磨装置を用いて半導体ウエーハをソフトチャッキングしながらその表面を仕上研磨することを特徴とする。
【0007】
前記片面枚葉研磨装置による研磨に際しては、研磨ヘッドにリテーナリングを設けて行うことが好ましい。
又、前記厚さ分布又は裏面の凹凸分布の測定には、光センサ又は静電容量センサを用いることが好ましい。
【0008】
【作用】
本発明の半導体ウエーハの製造方法においては、ソフトチャッキングされる裏面の研削等による前処理又はプラズマエッチングで生じたナノトポグラフィーの影響が一次研磨又は仕上研磨される表面には及ばないと共に、厚さが均一化する。
【0009】
研磨ヘッドにリテーナリングを設けることにより、研磨ヘッドの外周部分への圧力の集中が緩和される。
リテーナリングは、研磨ヘッドの外周に上下動可能に嵌まり合う内径を有するものである。
【0010】
ソフトチャッキングするソフトチャックとしては、内部にエアを封入した偏平な円板状を呈し、半導体ウエーハを加圧するゴムチャックが用いられる。
一方、半導体ウエーハの表面が押し当てられる片面枚葉研磨装置の研磨定盤に貼られる研磨布は、硬度85(JIS−A)以上の発泡ウレタンであることが望ましい。
【0011】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について具体的な実施例を参照して説明する。
先ず、図1に示すように、円柱状に加工した結晶をウエーハ状にスライスした(スライス工程)後、所要の厚さとするため、スライスドウエーハの両面をラップ又は研削し(ラップ又は研削工程)、しかる後、加工によって生じた歪層を除去するため、アルカリ等によってエッチングした(エッチング工程)。
【0012】
次に、エッチングした半導体ウエーハを、後述する片面枚葉研磨装置を用いてソフトチャッキングしながらその表面(デバイス形成面)を一次研磨した(一次研磨工程)後、光センサ又は静電容量センサを用いて半導体ウエーハの形状に関する厚さ分布を測定し(形状測定工程)、厚さ分布のデータに基づいて半導体ウエーハの裏面の厚さの厚い部分を選択的にプラズマエッチングして(プラズマエッチング工程)裏面を平坦化し、しかる後に、再び片面枚葉研磨装置を用いて半導体ウエーハをソフトチャッキングしながら表面を仕上研磨して(仕上研磨工程)から、半導体ウエーハを純水によって洗浄し(洗浄工程)、片面鏡面を有する半導体ウエーハを得た。
【0013】
前記片面枚葉研磨装置は、図2、図3に示すように、研磨ヘッド1に取り付けられるウエーハ保持具として、内部にエアーを封入した偏平な円板状を呈し、半導体ウエーハWをソフトチャッキングするゴムチャック2と、研磨ヘッド1の外周部分への圧力の集中を緩和すべくゴムチャック2及び研磨ヘッド1の外周に上下動可能に嵌合したリテーナリング3と、研磨定盤4に貼付された硬度85(JIS−A)以上の発泡ウレタンからなる研磨布5とを有しており、研磨ヘッド1にゴムチャック2及びリテーナリング3を介して半導体ウエーハWを1枚保持し、研磨定盤4の研磨布5に半導体ウエーハWを押し当て、白抜き矢印で示すように研磨ヘッド1及び研磨定盤4を回転させながら研磨するものであり、このとき、リテーナリング3は、任意の圧力を負荷して研磨布5に摺接するものである。
【0014】
ここで、上述した片面枚葉研磨装置を用いて一次研磨された半導体ウエーハの表面のナノトポグラフィーは、図4に示すようになった。
図4から分かるように、一次研磨後の半導体ウエーハの表面のナノトポグラフィーは、一次研磨前(研削後)に比べると明らかに良化している。
【0015】
又、一次研磨された半導体ウエーハのSFQRは、図5に示すようになった。
図5から分かるように、一次研磨後の半導体ウエーハのSFQRは、一次研磨前に比べると悪化している。
これは、片面研磨では、表面の厚い部分が選択的に除去され、半導体ウエーハ全体の厚さ均一性が研磨前よりも悪化することによる。
【0016】
更に、プラズマエッチング処理後の種類の異なる2枚の半導体ウエーハのSFQRは、図6、図7に示すようになった。
図6、図7から分かるように、裏面にプラズマエッチング処理後の半導体ウエーハのSFQRは、プラズマエッチング処理前に比べて格段に良化しており、又、比較のために表面にプラズマエッチング処理を施したもののそれと比べても同等以上のSFQRの改善が見られる。
【0017】
なお、上述した実施の形態においては、半導体ウエーハの形状に関する厚さ分布のデータに基づいて半導体ウエーハの裏面の厚さの厚い部分を選択的にプラズマエッチングして裏面を平坦化する場合について説明したが、これに限定されるものではなく、半導体ウエーハの形状に関する裏面の凹凸分布を測定し、凹凸分布のデータに基づいて半導体ウエーハの裏面の凸部分を選択的にプラズマエッチングして裏面を平坦化するようにしてもよく、同様の作用効果が得られる。
【0018】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の半導体ウエーハの製造方法によれば、ソフトチャッキングされる裏面の研削等による前処理又はプラズマエッチングで生じたナノトポグラフィーの影響が一次研磨又は仕上研磨される表面には及ばないと共に、厚さが均一化するので、SFQR等の平坦度とナノトポグラフィーの両方を良化することができ、片面鏡面を有する高品位の半導体ウエーハを製造することができる。
又、研磨ヘッドにリテーナリングを設けることにより、研磨ヘッドの外周部分への圧力の集中が緩和されるので、半導体ウエーハの外周ダレを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る半導体ウエーハの製造方法の実施の形態の一例を示すフローチャートである。
【図2】図1の方法の実施に供した片面枚葉研磨装置の一部を省略した正面図である。
【図3】図2の装置の要部の縦断面図である。
【図4】図1の方法における一次研磨後の半導体ウエーハの表面のナノトポグラフィーを一次研磨前と比較して示す説明図である。
【図5】図1の方法における一次研磨後の半導体ウエーハのSFQRを一次研磨前と比較して示す説明図である。
【図6】図1の方法におけるプラズマエッチング処理後の半導体ウエーハのSFQRをプラズマエッチング処理前及び表面へのプラズマエッチング処理後と比較して示す説明図である。
【図7】図1の方法におけるプラズマエッチング処理後の他の半導体ウエーハのSFQRをプラズマエッチング処理前及び表面へのプラズマエッチング処理後と比較して示す説明図である。
【図8】従来の半導体ウエーハの製造方法を示すフローチャートである。
【図9】図8の方法の実施に供した片面バッチ研磨装置の一部を省略した正面図である。
【符号の説明】
1 研磨ヘッド
2 ゴムチャック
3 リテーナリング
4 研磨定盤
5 研磨布
W 半導体ウエーハ
Claims (3)
- 片面鏡面を有する半導体ウエーハの製造方法において、片面枚葉研磨装置を用いて半導体ウエーハをソフトチャッキングしながらその表面を一次研磨した後、半導体ウエーハの厚さ分布又は裏面の凹凸分布を測定し、厚さ分布のデータに基づいて半導体ウエーハの裏面の厚さの厚い部分を又は凹凸分布のデータに基づいて半導体ウエーハの裏面の凸部分を選択的にプラズマエッチングして裏面を平坦化し、しかる後に、片面枚葉研磨装置を用いて半導体ウエーハをソフトチャッキングしながらその表面を仕上研磨することを特徴とする半導体ウエーハの製造方法。
- 前記片面枚葉研磨装置による研磨に際し、研磨ヘッドにリテーナリングを設けて行うことを特徴とする請求項1記載の半導体ウエーハの製造方法。
- 前記厚さ分布又は裏面の凹凸分布の測定に、光センサ又は静電容量センサを用いることを特徴とする請求項1又は2記載の半導体ウエーハの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002023585A JP3916212B2 (ja) | 2002-01-31 | 2002-01-31 | 半導体ウエーハの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002023585A JP3916212B2 (ja) | 2002-01-31 | 2002-01-31 | 半導体ウエーハの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003224096A JP2003224096A (ja) | 2003-08-08 |
JP3916212B2 true JP3916212B2 (ja) | 2007-05-16 |
Family
ID=27746256
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002023585A Expired - Fee Related JP3916212B2 (ja) | 2002-01-31 | 2002-01-31 | 半導体ウエーハの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3916212B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005228965A (ja) | 2004-02-13 | 2005-08-25 | Elpida Memory Inc | 半導体装置の製造方法およびその製造装置 |
JP2007149923A (ja) * | 2005-11-28 | 2007-06-14 | Speedfam Co Ltd | 半導体ウェーハの平坦化加工方法 |
CN105097516B (zh) * | 2014-04-25 | 2019-01-18 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种FinFET器件及其制造方法、电子装置 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2917992B1 (ja) * | 1998-04-10 | 1999-07-12 | 日本電気株式会社 | 研磨装置 |
JP3491589B2 (ja) * | 1999-12-22 | 2004-01-26 | 三菱住友シリコン株式会社 | 高平坦度半導体ウェーハの製造方法及び高平坦度半導体ウェーハ |
JP3610860B2 (ja) * | 2000-01-28 | 2005-01-19 | 三菱住友シリコン株式会社 | 半導体ウェーハの製造方法及び半導体ウェーハ |
JP2002176013A (ja) * | 2000-12-06 | 2002-06-21 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 半導体基板の平坦化方法 |
JP2002329690A (ja) * | 2001-04-27 | 2002-11-15 | Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp | 半導体ウェーハの製造方法 |
-
2002
- 2002-01-31 JP JP2002023585A patent/JP3916212B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2003224096A (ja) | 2003-08-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9293318B2 (en) | Semiconductor wafer manufacturing method | |
US7582221B2 (en) | Wafer manufacturing method, polishing apparatus, and wafer | |
JP4192482B2 (ja) | シリコンウェーハの製造方法 | |
EP1808887B1 (en) | Production method of semiconductor wafer | |
KR20000035712A (ko) | 반도체 웨이퍼 및 그 제조방법 | |
JPH06104229A (ja) | ウェーハの製造方法 | |
JP5061694B2 (ja) | 研磨パッドの製造方法及び研磨パッド並びにウエーハの研磨方法 | |
JPH09270401A (ja) | 半導体ウェーハの研磨方法 | |
JPH11277408A (ja) | 半導体ウエーハの鏡面研磨用研磨布、鏡面研磨方法ならびに鏡面研磨装置 | |
JP6027346B2 (ja) | 半導体ウェーハの製造方法 | |
KR20140056046A (ko) | 각형 금형용 기판 | |
JP2007067179A (ja) | 半導体ウエーハの鏡面研磨方法及び鏡面研磨システム | |
JP3916212B2 (ja) | 半導体ウエーハの製造方法 | |
JP4103808B2 (ja) | ウエーハの研削方法及びウエーハ | |
JP5074845B2 (ja) | 半導体ウェハの研削方法、及び半導体ウェハの加工方法 | |
JP4615182B2 (ja) | 半導体ウェーハの製造方法 | |
JP4110801B2 (ja) | 半導体ウェーハの研磨方法 | |
JP2002329690A (ja) | 半導体ウェーハの製造方法 | |
JP2002025950A (ja) | 半導体ウェーハの製造方法 | |
JP3611029B2 (ja) | 半導体基板の研磨用保持板 | |
JP2011091143A (ja) | シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 | |
JP3584824B2 (ja) | 高平坦度半導体ウェーハおよびその製造方法 | |
JP2004319717A (ja) | 半導体ウェーハの製造方法 | |
JP2004087522A (ja) | 半導体ウェーハの製造方法 | |
JPWO2010119833A1 (ja) | シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040908 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20041026 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070123 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070205 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070205 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100216 Year of fee payment: 3 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100216 Year of fee payment: 3 |
|
R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100216 Year of fee payment: 3 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100216 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110216 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120216 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120216 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130216 Year of fee payment: 6 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |