JP2008100295A - 研磨ヘッド及び研磨装置 - Google Patents
研磨ヘッド及び研磨装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008100295A JP2008100295A JP2006282833A JP2006282833A JP2008100295A JP 2008100295 A JP2008100295 A JP 2008100295A JP 2006282833 A JP2006282833 A JP 2006282833A JP 2006282833 A JP2006282833 A JP 2006282833A JP 2008100295 A JP2008100295 A JP 2008100295A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polishing
- workpiece
- rubber film
- intermediate plate
- polishing head
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Abstract
【解決手段】 少なくとも、略円盤状の中板と、該中板の少なくとも下面部と側面部とを覆うラバー膜からなり、前記中板と前記ラバー膜で囲まれた空間部を有し、圧力調整機構で前記空間部の圧力を変化させることができるように構成され、前記ラバー膜の下面部にワークの裏面を保持し、該ワークの表面を定盤上に貼り付けた研磨布に摺接させて研磨する研磨ヘッドにおいて、前記中板と前記ラバー膜は、前記中板の少なくとも下面部の全体において接触しておらず、隙間を有するものである研磨ヘッド。
【選択図】 図1
Description
一般的な片面研磨装置は、例えば図9に示したように、研磨布94が貼り付けられた定盤93と、研磨剤供給機構96と、研磨ヘッド92等から構成されている。このような研磨装置91では、研磨ヘッド92でワークWを保持し、研磨剤供給機構96から研磨布94上に研磨剤95を供給するとともに、定盤93と研磨ヘッド92をそれぞれ回転させてワークWの表面を研磨布94に摺接させることにより研磨を行う。
このように構成された研磨ヘッドを用いて、ラバー膜73の下面部でバッキングパッド77を介してワークWを保持し、中板を押圧して定盤93の上面に貼り付けられた研磨布94にワークWを摺接させて研磨する。
このように、中板の下面部とラバー膜との隙間が1mm未満であれば、空間部の圧力をより安定した上でワークの研磨を行うことができる。
このように、中板とラバー膜は、中板の側面部の全体においても接触しておらず、隙間を有するものであれば、側面部においても接触していないので、中板の側面部の剛性や形状によるラバー膜への影響をさらに低減することができるので、より効果的にワークの裏面を均一の研磨荷重で押圧して研磨を行うことができる。その結果、より効果的にワークの表面の平坦性を維持して研磨を行うことができる。
このように、ラバー膜のうち中板の側面部を覆う部分の内径が、ワークの平坦度保証エリアよりも大きいものであれば、ラバー膜のワーク保持面へのラバー膜のうち中板の側面部を覆う部分の剛性の影響を低減して研磨することができ、研磨代均一性をより効果的に向上させてワークを研磨することができる。
このように、ワークを確実に研磨ヘッドに保持するとともに、裏面のキズ等が発生するのを防止するためにバッキングパッドを具備する場合であっても、バッキングパッドの直径をワークよりも大きいものとすれば、バッキングパッドによるラバー膜の膨張の制限がワークに影響することを低減できるので、より均一の研磨荷重でワークを押圧することができる。
前述のように、ラバーチャック方式の研磨ヘッドによってワークを保持して、ワークの表面を研磨する場合において、研磨されたワークの表面平坦性は一層高い水準が求められており、従来、特に外周部分において研磨ダレ等が発生するという問題があった。
このような問題を解決するため、本発明者らは、実験及び検討を行った。
図1は、本発明に係る研磨ヘッドの一例(第1の態様)を示している。この研磨ヘッド11は、略円盤状の中板12と、中板12の少なくとも下面部12a、側面部12bを覆うラバー膜(弾性膜)13を具備する。ラバー膜13は中板の上面の周辺部12cで中板12に固定されている。ラバー膜を中板の上面の周辺部12cに固定するには、例えば接着剤等を用いて接着するとともに裏板18を挟みボルト等を用いて固定すればよい。このとき、中板12は、ラバー膜13と、少なくとも下面部12aの全体で接触しておらず、隙間14aを有するようにする。このような形状のラバー膜13を用意するためには、公知の方法でラバー膜を成型すればよい。ラバー膜の厚さは特に限定されるものではなく、適宜都合の良い厚さを選ぶことができるが、例えば1mm厚程度とすることができる。
なお、図2のように中板の側面部12bの全体においてもラバー膜13と接触せず、隙間14bを有するものではなく、中板の側面部12bとラバー膜13の間に隙間を有さず、両者が接触している場合も、両者を接着などにより固定しないことが望ましい。
また、研磨ヘッド11、31は、中板12(または研磨ヘッド11、31全体)を押圧する手段(図示せず)を具備している。
また、前述の第2の態様のように、中板の側面部12bをラバー膜13と接触させないようにして研磨ヘッド31を構成すれば、上記の中板の下面部12aからラバー膜13への影響のみならず、側面部12cからのラバー膜13への影響も防止することができる。
ワークの平坦度保証エリアは、ワーク全面のうち所定の平坦度が保証される領域のことであり、仕様により決定されるが、例えば、直径300mmのシリコン単結晶ウエーハの場合は、通常、最外周1〜2mm程度を除いた領域である。
しかしながら、このようにわずかであってもバッキングパッド17の直径をワークWの直径よりも大きくすることにより、より効果的にワークWの研磨代均一性を向上させることができる。
この研磨装置61を用いてワークWを研磨するには、まず、ラバー膜13にワークWを保持する。また、バッキングパッド17がラバー膜13に貼設されている場合には、水を含ませたバッキングパッド17にワークWを貼りつけてワークWの裏面をラバー膜13に保持してもよい。また、リテーナリングがラバー膜13の周囲に配設されている場合には、ワークWのエッジ部がリテーナリングによって保持される。
また、図3中の研磨ヘッド11を、図2に示した研磨ヘッド31としても同様の効果が得られる。
(実施例1)
図1に示したような構成の研磨ヘッド11を以下のように作製した。
外径298mmの中板12に、厚さ1mm、下面部の外径300mmのラバー膜13を嵌め込み、裏板18を挟んでボルトで固定し、中板の下面部12aとラバー膜13との隙間14aが0.5mmになるようにした。また、ラバー膜13の下面部に直径298mmのバッキングパッド17を貼設し、ラバー膜13の周囲にリテーナリングの内径を302mmとして配設した。
図2に示したような、研磨ヘッド31を、実施例1と同様に、ただし、中板12として外径296mmのものを用い、中板の側面部12bとラバー膜13との隙間14bが1mmとなるようにして作製した。
この研磨ヘッド31を用いて、実施例1と同様にシリコン単結晶ウエーハの研磨を行った。
この結果得られたワークの研磨代均一性を図5中に示す。15〜25%程度の研磨代均一性が得られ、実施例1の場合よりもさらに研磨代均一性が向上した。
図8に示したような従来の研磨ヘッド71を用いて、実施例1と同じようにシリコン単結晶ウエーハの研磨を行った。
上記実施例2と同様に、ワークWとして直径300mmのシリコン単結晶ウエーハを用い、ただし、ラバー膜側部13bの内径を、296.9〜299.5mmの範囲で変化させたものを作製した研磨ヘッド31を用い、研磨荷重を30kPaとして、それぞれ1枚ずつワークの研磨を行った。なお、ラバー膜側部の外径及びラバー膜の下面部の外径は、ラバー膜の厚さが1mmであるので、298.9〜301.5mmである。また、ワークWの平坦度保証エリアは、ワーク最外周部幅1mmを除外する場合は直径298mm、ワーク最外周部幅2mmを除外する場合は直径296mmとなる。
この結果得られたワークの研磨代均一性を図6に示した。ラバー膜側部13bの内径が大きいほど研磨代均一性が向上する傾向が見られた。
上記実施例2と同様に、ワークWとして直径300mmのシリコン単結晶ウエーハを用い、ただし、ラバー膜側部13bの内径を299.5mm、研磨荷重を30kPaとし、バッキングパッド17の外径を298〜300.4mmの範囲で変化させてそれぞれ1枚ずつワークの研磨を行った。
この結果得られたワークの研磨代均一性を図7に示した。バッキングパッド17の外径がワークWの直径である300mmよりも大きい場合に、研磨代均一性がより向上した。
また、研磨装置の構成も図3に示したものに限定されず、例えば、本発明に係る研磨ヘッドを複数備えた研磨装置とすることもできる。
12…中板、 12a…中板の下面部、 12b…中板の側面部、
12c…中板の上面の周辺部、
13…ラバー膜、 13b…ラバー膜側部、
14…空間部、 14a、14b…隙間、
15…圧力調整機構、 16…貫通孔、
17…バッキングパッド、 18…裏板、
19…リテーナリング、 19a、ガイドリング、 19b…ドレスリング、
21…定盤、 22…研磨布、
61…研磨装置、 65…研磨剤、 66…研磨剤供給機構、
W…ワーク。
Claims (7)
- 少なくとも、略円盤状の中板と、該中板の少なくとも下面部と側面部とを覆うラバー膜からなり、前記中板と前記ラバー膜で囲まれた空間部を有し、圧力調整機構で前記空間部の圧力を変化させることができるように構成され、前記ラバー膜の下面部にワークの裏面を保持し、該ワークの表面を定盤上に貼り付けた研磨布に摺接させて研磨する研磨ヘッドにおいて、
前記中板と前記ラバー膜は、前記中板の少なくとも下面部の全体において接触しておらず、隙間を有するものであることを特徴とする研磨ヘッド。 - 前記中板の下面部とラバー膜との隙間が1mm未満であることを特徴とする請求項1に記載の研磨ヘッド。
- 前記中板と前記ラバー膜は、前記中板の側面部の全体においても接触しておらず、隙間を有するものであることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の研磨ヘッド。
- 前記ラバー膜のうち前記中板の側面部を覆う部分の内径が、前記ワークの平坦度保証エリアよりも大きいことを特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれか一項に記載の研磨ヘッド。
- 前記ラバー膜が前記ワークを保持する面にバッキングパッドを具備することを特徴とする請求項1ないし請求項4のいずれか一項に記載の研磨ヘッド。
- 前記バッキングパッドの直径は、前記ワークよりも大きいものであることを特徴とする請求項5に記載の研磨ヘッド。
- ワークの表面を研磨する際に使用する研磨装置であって、少なくとも、定盤上に貼り付けられた研磨布と、該研磨布上に研磨剤を供給するための研磨剤供給機構と、前記ワークを保持するための研磨ヘッドとして、請求項1ないし請求項6のいずれか一項に記載の研磨ヘッドを具備するものであることを特徴とする研磨装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006282833A JP2008100295A (ja) | 2006-10-17 | 2006-10-17 | 研磨ヘッド及び研磨装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006282833A JP2008100295A (ja) | 2006-10-17 | 2006-10-17 | 研磨ヘッド及び研磨装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008100295A true JP2008100295A (ja) | 2008-05-01 |
Family
ID=39435006
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006282833A Pending JP2008100295A (ja) | 2006-10-17 | 2006-10-17 | 研磨ヘッド及び研磨装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2008100295A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009010227A (ja) * | 2007-06-28 | 2009-01-15 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | ウェーハ変形抑制装置及びウェーハ変形抑制方法 |
KR101767272B1 (ko) * | 2010-08-31 | 2017-08-10 | 후지코시 기카이 고교 가부시키가이샤 | 연마 장치 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10270538A (ja) * | 1997-02-13 | 1998-10-09 | Integrated Process Equip Corp | 柔軟なキャリアプレートを有する半導体ウェハポリシング装置 |
JPH11163101A (ja) * | 1997-11-27 | 1999-06-18 | Nec Corp | 半導体ウエハー取付基台 |
JP2000326212A (ja) * | 1999-05-14 | 2000-11-28 | Hitachi Ltd | 半導体基板の平坦化研磨装置および平坦化研磨方法 |
US6162116A (en) * | 1999-01-23 | 2000-12-19 | Applied Materials, Inc. | Carrier head for chemical mechanical polishing |
JP2002527894A (ja) * | 1998-10-09 | 2002-08-27 | スピードファム−アイピーイーシー コーポレイション | 可変研磨圧キャリヤヘッドを備えた半導体ウエハ研磨装置 |
JP2004154933A (ja) * | 2002-11-07 | 2004-06-03 | Ebara Technologies Inc | ピボット機構を有する垂直方向に調整可能な化学機械研磨ヘッドおよびその利用のための方法 |
JP2004311506A (ja) * | 2003-04-02 | 2004-11-04 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | ウエーハ研磨装置及びその研磨ヘッド並びにウエーハ研磨方法 |
US20050245181A1 (en) * | 2000-09-08 | 2005-11-03 | Applied Materials, Inc. | Vibration damping during chemical mechanical polishing |
-
2006
- 2006-10-17 JP JP2006282833A patent/JP2008100295A/ja active Pending
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10270538A (ja) * | 1997-02-13 | 1998-10-09 | Integrated Process Equip Corp | 柔軟なキャリアプレートを有する半導体ウェハポリシング装置 |
JPH11163101A (ja) * | 1997-11-27 | 1999-06-18 | Nec Corp | 半導体ウエハー取付基台 |
JP2002527894A (ja) * | 1998-10-09 | 2002-08-27 | スピードファム−アイピーイーシー コーポレイション | 可変研磨圧キャリヤヘッドを備えた半導体ウエハ研磨装置 |
US6162116A (en) * | 1999-01-23 | 2000-12-19 | Applied Materials, Inc. | Carrier head for chemical mechanical polishing |
JP2000326212A (ja) * | 1999-05-14 | 2000-11-28 | Hitachi Ltd | 半導体基板の平坦化研磨装置および平坦化研磨方法 |
US20050245181A1 (en) * | 2000-09-08 | 2005-11-03 | Applied Materials, Inc. | Vibration damping during chemical mechanical polishing |
JP2004154933A (ja) * | 2002-11-07 | 2004-06-03 | Ebara Technologies Inc | ピボット機構を有する垂直方向に調整可能な化学機械研磨ヘッドおよびその利用のための方法 |
JP2004311506A (ja) * | 2003-04-02 | 2004-11-04 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | ウエーハ研磨装置及びその研磨ヘッド並びにウエーハ研磨方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009010227A (ja) * | 2007-06-28 | 2009-01-15 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | ウェーハ変形抑制装置及びウェーハ変形抑制方法 |
KR101767272B1 (ko) * | 2010-08-31 | 2017-08-10 | 후지코시 기카이 고교 가부시키가이샤 | 연마 장치 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4374370B2 (ja) | 研磨ヘッド及び研磨装置 | |
KR101607099B1 (ko) | 연마 헤드 및 연마 장치 | |
JP5303491B2 (ja) | 研磨ヘッド及び研磨装置 | |
JP5995825B2 (ja) | 少なくとも1つのウエハを研磨する方法 | |
JP5807580B2 (ja) | 研磨ヘッド及び研磨装置 | |
JP5454513B2 (ja) | 研磨ヘッドの高さ方向の位置の調整方法及びワークの研磨方法 | |
JP5042778B2 (ja) | ワーク研磨用ヘッド及びこの研磨ヘッドを備えた研磨装置 | |
WO2013001719A1 (ja) | 研磨ヘッド及び研磨装置 | |
JP5145131B2 (ja) | 研磨ヘッドの製造方法 | |
KR20100088143A (ko) | 연마 헤드, 연마 장치 및 워크의 박리 방법 | |
JP2008100295A (ja) | 研磨ヘッド及び研磨装置 | |
KR20100094466A (ko) | 연마 헤드 및 연마 장치 | |
KR100728887B1 (ko) | 실리콘 웨이퍼 양면 연마방법 | |
WO2017125987A1 (ja) | ウェーハの研磨方法、バックパッドの製造方法、バックパッド、及びそのバックパッドを具備する研磨ヘッド | |
JP5238293B2 (ja) | 研磨ヘッド及び研磨装置並びに研磨方法 | |
KR20110076163A (ko) | 기포 방지 연마 패드 및 이의 제조방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090619 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110810 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110811 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111005 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20120207 |