JPH02212394A - サセプタ - Google Patents
サセプタInfo
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- JPH02212394A JPH02212394A JP3332489A JP3332489A JPH02212394A JP H02212394 A JPH02212394 A JP H02212394A JP 3332489 A JP3332489 A JP 3332489A JP 3332489 A JP3332489 A JP 3332489A JP H02212394 A JPH02212394 A JP H02212394A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本考案はシリコン等のクエへを保持するためのサセプタ
に係り、特にクエへとの密着性が良く、クエへを均一温
度に保持することができるサセプタに関する。
に係り、特にクエへとの密着性が良く、クエへを均一温
度に保持することができるサセプタに関する。
［従来の技術］
シリコンウェハ等を表面処理する際、ウェハを保持する
ための座ぐり面が形成されたサセプタが用いられる。こ
のサセプタには、パンケーキ型サセプタ等と称される、
サセプタ自体が高周波誘導により発熱するように構成さ
れたものが一般に使用されている。
ための座ぐり面が形成されたサセプタが用いられる。こ
のサセプタには、パンケーキ型サセプタ等と称される、
サセプタ自体が高周波誘導により発熱するように構成さ
れたものが一般に使用されている。
従来、このようなサセプタは、ウニへ保持用の座ぐり面
を形成した黒鉛基板の表面にＣＶＤ法によりＳｉＣコー
ティング膜を形成して作製されている。
を形成した黒鉛基板の表面にＣＶＤ法によりＳｉＣコー
ティング膜を形成して作製されている。
［発明が解決しようとする課題］
従来のサセプタでは、ウェハ保持面がＣＶＤ法によるＳ
ｉＣコーティングがなされたままの状態とされているた
め、ＣＶＤ法による被着膜に特有の凹凸に富んだ表面状
態となっている０例えば、市販品サセプタではウェハ保
持面の表面粗さは４０〜６０μｍ程度と相当に高い粗度
となっている。
ｉＣコーティングがなされたままの状態とされているた
め、ＣＶＤ法による被着膜に特有の凹凸に富んだ表面状
態となっている０例えば、市販品サセプタではウェハ保
持面の表面粗さは４０〜６０μｍ程度と相当に高い粗度
となっている。
このため、従来のサセプタでは、クエへとサセプタのウ
ェハ保持面との密着性が悪く、ミクロ的にみるとウェハ
はウェハ保持部の多数の凸頂部（ピーク）で支えられた
状態となる。従って、サセプタからのウェハへの直接的
な伝熱は、サセプタのウェハ保持面の凸頂部とクエへと
の接点のみで起こるものとなるため、ウェハには部分的
に温度差が生じる。（前記凸頂部と接する箇所では、非
接触箇所よりも加熱され易い。）このようなことから、
従来のサセプタではウェハをきわめて均一な温度には保
持することができないという欠点があった。ウェハの加
熱が不均一であると、エピタキシャル成長等も不均一な
ものとなり、最終製品のＬＳＩの歩留りも低下すること
となる。
ェハ保持面との密着性が悪く、ミクロ的にみるとウェハ
はウェハ保持部の多数の凸頂部（ピーク）で支えられた
状態となる。従って、サセプタからのウェハへの直接的
な伝熱は、サセプタのウェハ保持面の凸頂部とクエへと
の接点のみで起こるものとなるため、ウェハには部分的
に温度差が生じる。（前記凸頂部と接する箇所では、非
接触箇所よりも加熱され易い。）このようなことから、
従来のサセプタではウェハをきわめて均一な温度には保
持することができないという欠点があった。ウェハの加
熱が不均一であると、エピタキシャル成長等も不均一な
ものとなり、最終製品のＬＳＩの歩留りも低下すること
となる。
本発明は上記従来の問題点を解決し、ウェハとの密着性
が良く、クエへの全体をきわめて均一な温度に保持する
ことができるサセプタを提供することを目的とする。
が良く、クエへの全体をきわめて均一な温度に保持する
ことができるサセプタを提供することを目的とする。
［課題を解決するための手段］
本発明のサセプタは、平板状の黒鉛基板にＣＶＤコーテ
ィング膜を形成すると共に、さらに少なくともウェハ保
持部となる面を研磨処理してなるサセプタ本体と、該サ
セプタ本体のウェハ保持面側に取り付けられた、ウェハ
と同一厚さを有する炭化珪素、もしくは窒化珪素、もし
くはシリコン、もしくは石英の板よりなるクエへの挿入
部材とを有することを特徴とする。
ィング膜を形成すると共に、さらに少なくともウェハ保
持部となる面を研磨処理してなるサセプタ本体と、該サ
セプタ本体のウェハ保持面側に取り付けられた、ウェハ
と同一厚さを有する炭化珪素、もしくは窒化珪素、もし
くはシリコン、もしくは石英の板よりなるクエへの挿入
部材とを有することを特徴とする。
［作用］
本発明のサセプタは、そのウェハ保持面が研磨処理され
たＣＶＤコーティング膜面であるため、極めて平滑性が
高く、ウェハを密着性良く保持することができる。この
ため、クエへを均一温度に保持することができる。
たＣＶＤコーティング膜面であるため、極めて平滑性が
高く、ウェハを密着性良く保持することができる。この
ため、クエへを均一温度に保持することができる。
サセプタのウェハ保持面を研磨して平滑性を高める目的
で、ウェハ保持用の座ぐり面を形成した黒鉛基板の表面
にＣＶＤコーティング膜を形成して作製された従来のサ
セプタのウェハ保持面を研磨する場合、座ぐり形状とさ
れた部分を研磨するのは技術的に非常に難しいことから
、高度な技術と長い処理時間を要し、しかも相当にＩｉ
！密な処理を行なった場合においても、ウェハ保持面の
端部は十分に研磨することができず、未研磨面として残
される場合が多い。
で、ウェハ保持用の座ぐり面を形成した黒鉛基板の表面
にＣＶＤコーティング膜を形成して作製された従来のサ
セプタのウェハ保持面を研磨する場合、座ぐり形状とさ
れた部分を研磨するのは技術的に非常に難しいことから
、高度な技術と長い処理時間を要し、しかも相当にＩｉ
！密な処理を行なった場合においても、ウェハ保持面の
端部は十分に研磨することができず、未研磨面として残
される場合が多い。
しかしながら、本発明のサセプタによれば、平板状の黒
鉛基板に形成された平面状のＣＶＤコーティング膜を研
磨処理すれば良いことから、ＳＪＦ＋かつ確実に研磨を
行なうことが可能とされる。
鉛基板に形成された平面状のＣＶＤコーティング膜を研
磨処理すれば良いことから、ＳＪＦ＋かつ確実に研磨を
行なうことが可能とされる。
［実施例］
以下、図面を参照して本発明のサセプタについて、詳細
に説明する。
に説明する。
第１図は本発明の一実施例に係るサセプタを示す断面図
、第２図（ａ）〜（ｅ）は本発明のサセプタの製造方法
の一例を示す断面図である。
、第２図（ａ）〜（ｅ）は本発明のサセプタの製造方法
の一例を示す断面図である。
図示の如く、本発明のサセプタ１は平板状の黒鉛基板２
にＣＶＤコーティング膜３を形成した後、少なくともウ
ェハ保持部となる面３ａを研磨処理してなるサセプタ本
体４と、該サセプタ本体４のウェハ保持面３ａ側に取り
付けられた、ＣＶＤ−３Ｉ Ｃよりなるウェハの挿入部
材５とを有するものである。
にＣＶＤコーティング膜３を形成した後、少なくともウ
ェハ保持部となる面３ａを研磨処理してなるサセプタ本
体４と、該サセプタ本体４のウェハ保持面３ａ側に取り
付けられた、ＣＶＤ−３Ｉ Ｃよりなるウェハの挿入部
材５とを有するものである。
このような本発明のサセプタ１は、例えば第２図（ａ）
〜（６）に示す方法により容易に製造することができる
。
〜（６）に示す方法により容易に製造することができる
。
即ち、まず、適当な大きさの平板状の黒鉛基板２を用意
しく第２図（ａ））、この表面に常法に従ってＣＶＤコ
ーティング膜３を形成する０次いで、このＣＶＤコーテ
ィングｌｌｌｌ３の、少なくともウェハ保持面３ａとな
る部分を研削、研磨処理し、表面粗さの十分に低い良好
な平滑面とし、サセプタ本体４とする。（第２図（ｂ
））、例えば、黒鉛基板２に常法に従ってＣＶＤ法によ
るコーティング膜３を３００μｍ程度の厚さに形成した
後、ウェハ保持面３ａ側のＳｉＣコーティング膜３を厚
さ５μｍ程度精密研磨して所望の表面粗さとなるように
表面加工して、サセプタ本体４とする。
しく第２図（ａ））、この表面に常法に従ってＣＶＤコ
ーティング膜３を形成する０次いで、このＣＶＤコーテ
ィングｌｌｌｌ３の、少なくともウェハ保持面３ａとな
る部分を研削、研磨処理し、表面粗さの十分に低い良好
な平滑面とし、サセプタ本体４とする。（第２図（ｂ
））、例えば、黒鉛基板２に常法に従ってＣＶＤ法によ
るコーティング膜３を３００μｍ程度の厚さに形成した
後、ウェハ保持面３ａ側のＳｉＣコーティング膜３を厚
さ５μｍ程度精密研磨して所望の表面粗さとなるように
表面加工して、サセプタ本体４とする。
別に、ウェハの挿入部材を製造する。即ち、まずＣＶＤ
−５ｉＣよりなる平板６を製造する（第２図（ｃ））、
ＣＶＤ析出物よりなる平板６は、例えば、黒鉛等の燃焼
除去可能な基体７の表面にＣＶＤ法により析出物の層を
形成し、必要に応じて研削等の処理を施した後、基体７
を燃焼除去し、さらに、クエへと同一厚さになるように
研削等により厚さを調整することにより容易に製造する
ことができる。その他、ＣＶＤ析出物と熱膨張率の大き
く異なる材料よりなる基体を用い、熱膨張差を利用して
ＣＶＤ析出物の層を基体から分離することによりＣＶＤ
析出物よりなる平板を製造することもできる。
−５ｉＣよりなる平板６を製造する（第２図（ｃ））、
ＣＶＤ析出物よりなる平板６は、例えば、黒鉛等の燃焼
除去可能な基体７の表面にＣＶＤ法により析出物の層を
形成し、必要に応じて研削等の処理を施した後、基体７
を燃焼除去し、さらに、クエへと同一厚さになるように
研削等により厚さを調整することにより容易に製造する
ことができる。その他、ＣＶＤ析出物と熱膨張率の大き
く異なる材料よりなる基体を用い、熱膨張差を利用して
ＣＶＤ析出物の層を基体から分離することによりＣＶＤ
析出物よりなる平板を製造することもできる。
次いで、このＣＶＤ析出物よりなる平板６に、ウェハ挿
入部となる適宜形状（例えば円形）の孔５ａを形成して
、ウェハの挿入部材５を製造する（第２図（ｄ ））、
孔５ａは、例えば、超音波加工等によりくり抜きして設
けることができる。なお、その後、必要に応じ孔の内周
壁面を研磨するなどして寸法調整しても良い。
入部となる適宜形状（例えば円形）の孔５ａを形成して
、ウェハの挿入部材５を製造する（第２図（ｄ ））、
孔５ａは、例えば、超音波加工等によりくり抜きして設
けることができる。なお、その後、必要に応じ孔の内周
壁面を研磨するなどして寸法調整しても良い。
このようにして製造したクエへの挿入部材５を前記サセ
プタ本体４に必要に応じて適当な接着剤又は接合具を用
いて取り付け、本発明のサセプタ１を製造することがで
きる。
プタ本体４に必要に応じて適当な接着剤又は接合具を用
いて取り付け、本発明のサセプタ１を製造することがで
きる。
本発明のサセプタにおいて、ＣＶＤコーティング膜３と
しては、通常の場合ＣＶＤ−３ｉ Ｃコーティング膜を
通用するのが好ましい、また、つ工への挿入部材５とし
ては、ＣＶＤ−３ｉＣの他にも、ＣＶＤ−３ｉｓ Ｎ４
、シリコン、石英などでも良いが、耐熱性、耐食性を考
慮すると、ＣＶＤ−３ｉ Ｃ，ＣＶＤ−３ｉｓ Ｎ４が
良い。
しては、通常の場合ＣＶＤ−３ｉ Ｃコーティング膜を
通用するのが好ましい、また、つ工への挿入部材５とし
ては、ＣＶＤ−３ｉＣの他にも、ＣＶＤ−３ｉｓ Ｎ４
、シリコン、石英などでも良いが、耐熱性、耐食性を考
慮すると、ＣＶＤ−３ｉ Ｃ，ＣＶＤ−３ｉｓ Ｎ４が
良い。
ＣＶＤコーティング膜３のウェハ保持面３ａの研磨方法
としては特に制限はなく、ホーニング、超仕上げ、研磨
布加工、ラッピング、ボリシング、バレル加工、超音波
加工、ＥＥＭ （エラスティックエミッションマシニン
グ）、メカノケミカルボリジング、フロートポリジング
など各種の方法が採用できる。
としては特に制限はなく、ホーニング、超仕上げ、研磨
布加工、ラッピング、ボリシング、バレル加工、超音波
加工、ＥＥＭ （エラスティックエミッションマシニン
グ）、メカノケミカルボリジング、フロートポリジング
など各種の方法が採用できる。
本発明においては、このような研磨処理を、ＣＶＤコー
ティング［３の平面状表面に施すため、容易かつ効率的
に研磨処理することができる。
ティング［３の平面状表面に施すため、容易かつ効率的
に研磨処理することができる。
本発咀においては、このような研磨処理により、ウェハ
保持面３ａの表面粗さＲａを５μｍ以下とするのが好ま
しい、ウェハ保持面３ａの表面粗さＲａが５μｍを超え
ると、クエへとの密着性が不十分となる。ウェハ保持面
３ａの表面粗さＲａは０．１〜５μｍ１特に１〜２μｍ
程度とするのが好ましい。
保持面３ａの表面粗さＲａを５μｍ以下とするのが好ま
しい、ウェハ保持面３ａの表面粗さＲａが５μｍを超え
ると、クエへとの密着性が不十分となる。ウェハ保持面
３ａの表面粗さＲａは０．１〜５μｍ１特に１〜２μｍ
程度とするのが好ましい。
以下、具体的な実験例について示す。
実験例！
第２図（ａ）〜（ｅ）に示す方法に従って、本発明のサ
セプタを製造した。
セプタを製造した。
まず、黒鉛基板表面にＣＶＤ法によりＳｉＣコーティン
グ膜を形成した。即ち、黒鉛基板に、温度：１５００℃
、原料ガス： Ｓ ｌＣｆ１４及びＣａＨａ、キャリア
ガス：Ｈ２、ガス流量：６、ＯＩＬ／ｍｉｎなる条件の
下で３００μｍ厚さのＳｉＣコーティング膜を形成した
０次いで、ウェハ保持面側のＳｉＣコーティング膜をラ
ッピング法により約３０μｍ表面研磨して、表面粗さＲ
ａを約０．２μｍに加工し、サセプタ本体とした。
グ膜を形成した。即ち、黒鉛基板に、温度：１５００℃
、原料ガス： Ｓ ｌＣｆ１４及びＣａＨａ、キャリア
ガス：Ｈ２、ガス流量：６、ＯＩＬ／ｍｉｎなる条件の
下で３００μｍ厚さのＳｉＣコーティング膜を形成した
０次いで、ウェハ保持面側のＳｉＣコーティング膜をラ
ッピング法により約３０μｍ表面研磨して、表面粗さＲ
ａを約０．２μｍに加工し、サセプタ本体とした。
別に、上記と同様の条件で厚さ０．６ｍｍのＣＶＤ−３
ｉＣを黒鉛基体の表面に析出させた後、黒鉛基体を燃焼
除去した０次いで、得られたＳｉＣ板に超音波加工によ
り孔をくり抜き、さらに孔の内周孔を研磨して直径５０
ｍｍの孔を形成し、クエへの挿入部材を製造した。
ｉＣを黒鉛基体の表面に析出させた後、黒鉛基体を燃焼
除去した０次いで、得られたＳｉＣ板に超音波加工によ
り孔をくり抜き、さらに孔の内周孔を研磨して直径５０
ｍｍの孔を形成し、クエへの挿入部材を製造した。
得られた挿入部材を研削加工し、クエへと同じ０゜５ｍ
ｍ厚さとし、サセプタ本体に載置した。
ｍ厚さとし、サセプタ本体に載置した。
このようにして得られたサセプタは、クエへを密着性良
く保持することができ、従来品に比べ、製品の歩留りを
大幅に向上させることができた。
く保持することができ、従来品に比べ、製品の歩留りを
大幅に向上させることができた。
［発明の効果］
以上詳述した通り、本発明のサセプタは、ウェハ保持面
の平滑性が極めて高く、クエへを密着性良く保持するこ
とができる。このため、ウェハを均一温度に加熱係持す
ることができ、クエへの表面処理を安定かつ効率的に行
ない、高品質の製品を提供することが可能とされる。
の平滑性が極めて高く、クエへを密着性良く保持するこ
とができる。このため、ウェハを均一温度に加熱係持す
ることができ、クエへの表面処理を安定かつ効率的に行
ない、高品質の製品を提供することが可能とされる。
しかも、本発明のサセプタは、研磨処理を容易に行なう
ことができることから、製造効率を高めることができ、
また高特性、高品質の製品を容易に提供することができ
る。
ことができることから、製造効率を高めることができ、
また高特性、高品質の製品を容易に提供することができ
る。
第１図は本発明のサセプタの一実施例を示す断面図、第
２図（ａ）〜（ｅ）は本発明のサセプタの製造方法の一
例を示す断面図である。 １・・・サセプタ、 ２・・・黒鉛基板、 ３・・・ＣＶＤコーティング膜、 ４・・・サセプタ本体、 ５・・・ウェハの挿入部材。
２図（ａ）〜（ｅ）は本発明のサセプタの製造方法の一
例を示す断面図である。 １・・・サセプタ、 ２・・・黒鉛基板、 ３・・・ＣＶＤコーティング膜、 ４・・・サセプタ本体、 ５・・・ウェハの挿入部材。
Claims (1)
- （１）平板状の黒鉛基板にＣＶＤコーティング膜を形成
すると共に、さらに少なくともウェハ保持部となる面を
研磨処理してなるサセプタ本体と、該サセプタ本体のウ
ェハ保持面側に取り付けられた、ウェハと同一厚さを有
する炭化珪素、もしくは窒化珪素、もしくはシリコン、
もしくは石英の板よりなるウェハの挿入部材とを有する
ことを特徴とするサセプタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3332489A JPH02212394A (ja) | 1989-02-13 | 1989-02-13 | サセプタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3332489A JPH02212394A (ja) | 1989-02-13 | 1989-02-13 | サセプタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02212394A true JPH02212394A (ja) | 1990-08-23 |
Family
ID=12383379
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3332489A Pending JPH02212394A (ja) | 1989-02-13 | 1989-02-13 | サセプタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02212394A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004507619A (ja) * | 2000-09-01 | 2004-03-11 | アイクストロン、アーゲー | Ｃｖｄコーティング装置 |
| JP2014103364A (ja) * | 2012-11-22 | 2014-06-05 | Toyoda Gosei Co Ltd | 化合物半導体の製造装置およびウェハ保持体 |
| JP2019091750A (ja) * | 2017-11-13 | 2019-06-13 | 昭和電工株式会社 | ＳｉＣエピタキシャルウェハの製造方法 |
-
1989
- 1989-02-13 JP JP3332489A patent/JPH02212394A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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