DE112010004736T5

DE112010004736T5 - Aufnahmefür cvd und verfahren zur herstellung eines films unterverwendung derselben

Info

Publication number: DE112010004736T5
Application number: DE112010004736T
Authority: DE
Inventors: Takashi Nakayama; Takayuki Kihara; Tomoyuki Kabasawa
Original assignee: Sumco Corp
Current assignee: Sumco Corp
Priority date: 2009-12-11
Filing date: 2010-11-29
Publication date: 2013-03-07
Anticipated expiration: 2030-11-30
Also published as: JPWO2011070741A1; US8685855B2; TW201131010A; WO2011070741A1; TWI461570B; KR101377238B1; JP5435039B2; US20120244703A1; DE112010004736B4; KR20120099756A

Abstract

Eine Aufnahme, die bei der Filmbildung durch ein CVD-Verfahren verwendet wird, umfasst einen Aufnahme-Hauptkörper (2), ein Lagerelement (3), das auf dem Aufnahme-Hauptkörper (2) angebracht ist zur Halterung eines Siliziumwafers (5), wobei das Lagerelement (3) mit einem Haltebereich (3c) versehen ist, auf dem der Siliziumwafer (5) direkt angeordnet ist, und darüber hinaus weist der Haltebereich (3c) dessen untere Fläche (3d) auf, die getrennt ist von einer Oberfläche (2a) des Aufnahme-Hauptkörpers, der gegenüberliegend und getrennt ist von dem gelagerten Siliziumwafer (5), wodurch die Dickenverteilung einer auf dem Siliziumwafer ausgebildeten Oxidschicht gleichmässig gefertigt werden kann. Die Aufnahme der vorliegenden Erfindung weist vorzugsweise eine Struktur zum Verringern der Kontaktfläche zwischen dem Lagerelement (3) und dem Aufnahme-Hauptkörper (2) auf. Weiterhin ist es bevorzugt, dass der Haltebereich (3c) so konfiguriert ist, dass er eine geneigte Fläche aufweist und derart, dass die innere Peripherieseite davon näher an der Aufnahme-Hauptkörperfläche (2a) liegt, die der Aufnahme-Hauptkörperfläche des Siliziumwafers gegenüberliegt.

Description

TECHNISCHES GEBIET
Die vorliegende Erfindung betrifft eine Aufnahmevorrichtung bzw. Aufnahme für CVD (Chemische Gasphasenabscheidung), auf der ein Siliziumwafer angeordnet ist, die bei der Filmbildung durch ein CVD-Verfahren verwendet wird, und ein Filmbildungsverfahren unter Verwendung derselben und insbesondere eine Aufnahme für CVD, die gleichmässige Dickenverteilung einer Oxidschicht auf einer Oberfläche des Siliziumwafers erlaubt, und ein Filmbildungsverfahren unter Verwendung desselben.
STAND DER TECHNIK
Bei einem Verfahren für eine Vorrichtung und einem Herstellungsverfahren für epitaktische Siliziumwafer-Herstellung werden ein Schutzfilm und ein isolierender Film auf einem Siliziumwafer ausgebildet. Zum Beispiel wird im Verfahren für eine Vorrichtung bzw. Vorrichtungsverfahren ein Oxidfilm und dergleichen als Zwischenschicht-Isolierfilm auf der Oberfläche des Siliziumwafers zur Verwendung als Bereich für die Herstellung einer Vorrichtung gebildet, und anschliessend die Bildung einer Schaltung bzw. Verdrahtung und dergleichen durchgeführt.
Darüber hinaus kann bei der Herstellung eines epitaktischen Wafers, wenn eine Silicium-Epitaxieschicht mit hohem spezifischen Widerstand auf einer Hauptfläche eines Silizium-Einkristall-Substrats mit niedrigem Widerstand Dampfphasen-abgeschieden wird, das Phänomen, dass das Dotierungsmittel von der hinteren Oberfläche etc. des Silicium-Einkristall-Substrats einmal in die Dampfphase des Silizium-Einkristall-Substrat abgegeben und dann in die Silizium-Epitaxieschicht dotiert wird, das sogenannte Auto-Dotieren, leicht auftreten. Daher wird vor dem Aufdampfen ein Siliziumoxidfilm als Schutzfilm zum Verhindern der Auto-Dotierung auf der Rückseite des Silizium-Einkristall-Substrats ausgebildet, wobei die Rückseite frei von einer Epitaxieschichtbildung ist.
Im Allgemeinen wird, wenn ein Oxidfilm als ein isolierender Film oder Schutzfilm auf einem Siliziumwafer gebildet wird, ein athmosphärisches CVD-Verfahren verwendet. Beim athmosphärischen CVD-Verfahren wird ein Siliziumwafer mit der Haupseite nach oben auf einer Aufnahme platziert, wobei die Filmbildungsfläche nach oben zeigt, und danach werden die Aufnahme und der Siliziumwafer erhitzt, während ein Quellgas dem Siliziumwafer zugeführt wird, wobei bestimmte Elemente je nach Quellgas auf dem Siliziumwafer abgeschiedenes werden, um die Filmbildung zu ermöglichen. Der Grund, warum das athmosphärische CVD-Verfahren weit verbreitet verwendet wird, ist, dass die notwendige Dauer zur Bildung eines Oxidfilms verkürzt werden kann, weil die Filmbildungs-Rate bzw. -geschwindigkeit hoch ist, und ausserdem ein Oxidfilm auf dem Siliziumwafer durch Einbeziehung einer Fördervorrichtung kontinuierlich ausgebildet werden kann.
Im oben beschriebenen athmosphärischen CVD-Verfahren wird ein Gasgemisch aus Monosilan (SiH₄) und Sauerstoff (O₂) oder einem Mischgas aus Tetraethoxysilan (TEOS, chemische Formel: Si(OC₂H₅)₄ und Ozon (O₃) als das Quellgas verwendet.
Wenn ein Oxidfilm durch ein athmosphärisches CVD-Verfahren gebildet wird, darf die Aufnahme, auf der ein Siliziumwafer angeordnet ist, sich durch Erhitzen bei der Bildung eines Films nicht verformen, und nicht die Ursache für die Erzeugung von Verunreinigungen auf der Siliziumwafer sein. Deswegen wird eine durch Sintern von SiC oder eine durch weitere Beschichtung von deren Oberfläche mit SiC-Film erhaltene Aufnahme eingesetzt. Als allgemeine Form der Aufnahme wird eine Aufnahme, bei der der Haltebereich für den Siliziumwafer flach ist, verwendet.
10 ist ein Querschnitt, der den Zustand zeigt, bei dem ein Siliziumwafer auf einer herkömmlichen Aufnahme, bei der der Haltebereich flach ist, angeordnet ist. Eine Aufnahme 1 in 10 hat eine flachen Haltebereich 1a, auf dem ein Siliziumwafer 5 angeordnet wird. Wenn die Filmbildung auf einer Filmbildungsoberfläche 5a des Siliziumwafers durch ein athmosphärisches CVD-Verfahren unter Verwendung der in 10 gezeigten Aufnahme durchgeführt wird, ist die gegenüberliegende Fläche 5c des Siliziumwafers, die frei von Filmbildung bzw. filmbildungsfrei ist, und die Filmbildung nicht zulässt, in Kontakt mit dem Haltebereich 1a der Aufnahme beim Platzieren des Siliziumwafers 5 auf der Aufnahme 1, und somit treten Defekte über die gesamte gegenüberliegende Oberfläche 5c des Siliziumwafers, die frei von Filmbildung ist, auf. Ein solcher kontaktinduzierter Defekt tritt mit einer Tiefe von etwa 3 bis 10 μm auf, während die Tiefe des Defekts abhängig von den Filmbildungsbedingungen variiert.
Wenn der gebildete Oxidfilm als Zwischenschicht-Isolierfilm verwendet wird, wenn der Siliziumwafer eine schnelle thermische Historie erfährt, wie z. B. Blitzlicht-Tempern im Vorrichtungs-Verfahren und dgl., besteht die Gefahr, dass die Kontaktdefekte initiiert von solchen Defekten eine Rissbildung im Siliziumwafer einleiten, und die Produktausbeute kann sich verschlechtern. Darüber hinaus ergibt sich, wenn der Oxidfilm als Schutzfilm verwendet wird, wenn eine Epitaxieschicht auf der Oberfläche des Siliziumwafers gebildet wird, wo kontaktinduzierte Defekte auftreten, ein Problem, dass Stapelfehler und dergleichen in der Epitaxieschicht erzeugt werden, was von solchen Defekten initiiert wird. Um einem solchen Problem der Erzeugung von kontaktinduzierten Defekten auf dem Siliziumwafer während der Filmbildung durch ein athmosphärisches CVD-Verfahren zu entgegnen, verwendet Patentliteratur 1 eine Aufnahme, die den Siliziumwafer in seinem peripheren Bereich trägt.
11 ist ein Querschnitt, der den Zustand zeigt, in dem ein Siliziumwafer auf einer herkömmlichen Aufnahme, die den Siliziumwafer im peripheren Bereich trägt, platziert ist. Eine Aufnahme 1, gezeigt in 11, weist einen sich verjüngenden Haltebereich 1a auf, wobei der Haltebereich 1a den Siliziumwafer in seinem peripheren Bereich 5b trägt, und ein Siliziumwafer 5 ist auf der Aufnahme 1 platziert.
Wenn die Aufnahme, die den Siliziumwafer in seinem peripheren Bereich trägt, verwendet wird, wird der Siliziumwafer gelagert, sodass die filmbildungsfreie Oberfläche 5c nicht in Kontakt mit der Aufnahme 1 kommt, und so das Auftreten von Kontaktdefekten wesentlich verringert werden kann.
Jedoch wurde gemäss einem Experiment der Erfinder festgestellt, dass, wenn die Aufnahme, die den Siliziumwafer in seinem peripheren Bereich trägt, verwendet wird, in einem Fall des Erhitzens während der Filmbildung durch ein athmosphärisches CVD-Verfahren die Oberflächentemperatur der Nähe der Peripherie des Siliziumwafers durch Wärmeleitung von der Aufnahme 1 auf dem Peripheriebereich 5b des Siliziumwafers unter Variation der Temperaturverteilung in der Filmbildungsoberfläche 5a des Siliziumwafers zunimmt, und somit gibt ergibt sich das Problem, dass die Dicke des gebildeten Oxidfilms ungleichmässig wird. Insbesondere wird ein auf der Filmbildungsoberfläche 5a des Siliziumwafers gebildeter Oxidfilm im Hauptkörper dünn und nahe der Peripherie dick, da die Zunahme in der Oberflächentemperatur die Wachstumsrate des Oxidfilms beschleunigt.
Daher ergibt sich im Verfahren für die Vorrichtung unter Verwendung des gebildeten Oxidfilms als Zwischenschicht-Isolierfilm, wenn der Silicium-Wafer mit einer nicht einheitlichen Dicke der Oxidschicht verwendet wird, ein Problem, dass die Eigenschafen der auf dem Oxidfilm gebildeten Vorrichtung merklich verschlechtert sind.
Darüber hinaus ist es in den letzten Jahren wünschenswert geworden, einen epitaktischen Siliziumwafer mit hoher Ebenheit zu schaffen; wenn die Dicke des Oxidfilms in einem Siliziumwafer für den Einsatz nicht einheitlich ist, ergibt sich das Problem, dass sich die Ebenheit des im Folgenden zu produzierenden epitaktischen Wafers verschlechtert.
Ferner können sich, wenn es einen Defekt auf der Oberfläche des Siliziumwafers gibt, auf der eine Epitaxieschicht wie oben beschrieben gebildet wird, Unvollkommenheiten in der gebildeten Epitaxieschicht bilden. Daher wird nach der Bildung eines Oxidfilms die filmbildungsfreie Oberfläche unter Ausführung eines Vorgangs zur Entfernung des Oxidfilms, der Defekte und dergleichen poliert (einseitiges Polieren), bevor eine Behandlung zum epitaktischen Wachstum durchgeführt wird.
Allerdings wird der Wafer bei der Behandlung mit einseitigem Polieren, da die Filmbildungsoberfläche gelagert wird und die filmbildungsfreie Oberfläche poliert werden soll, gelagert, während er elastisch verformt wird, wenn die Dickenverteilung des Oxidfilms nicht gleichmässig ist, und die nichteinheitliche Dickenverteilung des Oxidfilms wird auf die filmbildungsfreie Oberfläche nach dem Polieren übertragen, und somit verschlechtert sich die Ebenheit des Siliziumwafers. Je grösser das Polierausmass ist, desto grösser ist die Verschlechterung der Ebenheit, und dies wirkt sich auch auf die Ebenheit des epitaktischen Wafers aus, der anschliessend produziert wird.
LISTE DER ENTGEGENHALTUNGEN
PATENTDOKUMENT

PATENTDOKUMENT 1: Japanische Patentanmeldung Nr. 11-329 983

ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
TECHNISCHE AUFGABE
Wie oben beschrieben, ergibt sich bei der herkömmlichen Aufnahme, die bei der Bildung eines Oxidfilms durch ein athmosphärisches CVD-Verfahren verwendet wird, das Problem, dass kontaktinduzierte Defekte auf einer filmbildungsfreien Oberfläche eines Siliziumwafers auftreten, und das Problem, dass die Dickenverteilung einer auf einem Siliziumwafer ausgebildeten Oxidschicht ungleichmässig ist.
Die vorliegende Erfindung wurde in Anbetracht einer solchen Situation fertiggestellt, und es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Aufnahme für CVD, die bei Handhabung in der Filmbildung durch ein athmosphärisches CVD-Verfahren eine einheitliche Dickenverteilung einer Oxidschicht auf einem Siliziumwafer ohne Erzeugung einer Kontaktinduzierten Fehlstelle auf einer filmbildungsfreien Oberfläche des Siliciumwafers ermöglicht, sowie ein Filmbildungsverfahren unter Verwendung derselben, bereitzustellen.
LÖSUNG DER AUFGABE
Als ein Ergebnis der Durchführung verschiedener Tests und intensiver Untersuchungen durch die Erfinder zur Lösung der oben beschriebenen Probleme wurde festgestellt, dass eine gleichmässige Dickenverteilung eines auf dem Siliziumwafer ausgebildeten Oxidfilms erreicht werden kann durch Herstellen einer Aufnahme mit einem Aufnahme-Hauptkörper und einem auf dem Aufnahme-Hauptkörper angebrachten Lagerelement und Lager des Siliziumwafers, wobei das Lagerelement einen Haltebereich besitzt, auf dem der Siliziumwafer direkt angeordnet ist, während der Haltebereich mit seine untere Oberfläche abseits des bzw. getrennt vom Aufnahme-Hauptkörper(s) aufweist.
Darüber hinaus wurde gezeigt, dass die gleichmässige Dickenverteilung eines auf dem Siliziumwafer ausgebildeten Oxidfilms durch Konstruktion des Haltebereichs mit einer geneigten Oberfläche erreicht werden kann, ohne einen kontaktinduzierten Defekt auf dem Siliziumwafer zu erzeugen, wobei die Konfiguration derart ist, dass die innere Peripheriesseite desselben näher am der Oberfläche des Aufnahme-Hauptkörpers liegt, die abseits bzw. getrennt davon und gegenüber dem gelagerten Siliziumwafer liegt, und durch Verwendung dieses Haltebereichs zum Lager des Siliziumwafers in dessen Peripherie.
Darüber hinaus hat sich gezeigt, dass eine gleichmässigere Dickenverteilung eines Oxidfilms auf dem Siliziumwafer ausgebildet erreicht werden kann durch eine Aufnahme mit einer Anordnung zum Verringern der Kontaktfläche zwischen dem Lagerelement und dem Aufnahme-Hauptkörper.
Die vorliegende Erfindung wurde basierend auf der oben erwähnten Erkenntnis fertiggestellt, und zusammenfassend besteht die vorliegende Erfindung in Aufnahmen für CVD gemäss den folgenden Punkten (1) bis (9) und dem filmbildende Verfahren gemäss dem folgenden Punkt (10).

(1) Aufnahme für CVD, die in einem Filmbildungsverfahren durch CVD verwendet wird, umfasssend: einen Aufnahme-Hauptkörper; und ein Lagerelement, das auf dem Aufnahme-Hauptkörper angebracht ist und einen Siliziumwafer lagert, wobei das Lagerelement mit einem Haltebereich versehen ist, in dem der Siliziumwafer direkt platziert wird, und der Haltebereich eine untere Oberfläche besitzt, die abseits einer Oberfläche des Aufnahme-Hauptkörpers ist, die gegenüber und getrennt vom gelagerten Siliziumwafer liegt.
(2) Aufnahme für CVD, wobei die Aufnahme gemäss Punkt (1) oben eine Struktur zur Verringerung eines Kontaktbereichs zwischen dem Lagerelement und dem Aufnahme-Hauptkörper aufweist.
(3) Aufnahme für CVD gemäss Punkt (2) oben, wobei als Struktur zur Verringerung der Kontaktfläche die Aufnahme eine Struktur besitzt, in welcher der Aufnahme-Hauptkörper mit Stegabschnitten versehen ist, und das Lagerelement auf den Stegabschnitten angebracht ist.
(4) Aufnahme für CVD gemäss Punkt (2) oben, wobei als die Struktur zur Verringerung der Kontaktfläche die Aufnahme eine Struktur aufweist, bei der das Lagerelement auf dem Aufnahme-Hauptkörper unter Beibehaltung eines Punktkontakts oder Linienkontakts angebracht ist.
(5) Aufnahme für CVD, wobei die Aufnahme gemäss Punkt (2) oben ferner Spannvorrichtungen aufweist, die das Lagerelement abstützen, und als die Struktur zur Verringerung der Kontaktfläche, die Aufnahme eine Struktur aufweist, bei der das Lagerelement auf dem Aufnahme-Hauptkörper unter Aufrechtererhalten eines Punktkontakts oder Linienkontakts durch die Spannvorrichtungen angebracht ist.
(6) Aufnahme für CVD gemäss Punkt (3) oben, wobei der Aufnahme-Hauptkörper ein konkaves Aufnahmeteil aufweist, das das Lagerelement umgibt, und die innere Peripherie des Aufnahmeteils so konfiguriert ist, dass er eine geneigte Fläche hat, und derart, dass das obere Ende davon rückseitig entfernt ist von der Mitte des Aufnahmeteils.
(7) Aufnahme für CVD gemäss einem beliebigen der obigen Punkte (1) bis (6), wobei der Haltebereich so konfiguriert ist, dass er eine geneigte Oberfläche hat, und dass eine innere Peripheriesseite davon näher an der Oberfläche des Aufnahme-Hauptkörpers liegt, der gegenüberliegend und getrennt ist vom Siliziumwafer, wodurch der Siliziumwafer in seinem Peripheriebereich gelagert wird.
(8) Aufnahme für CVD gemäss einem der obigen Punkte (1) bis (7), wobei der Haltebereich eine Ringform aufweist.
(9) Aufnahme für CVD gemäss einem der obigen Punkte (1) bis (8), wobei der Haltebereich aus SiC hergestellt ist.
(10) Filmbildungsverfahren, gekennzeichnet durch die folgenden Schritte: Anordnen eines Siliziumwafers auf einer Aufnahme, und anschliessend Erhitzen des Siliciumwafers, während ein Quellgas dem Siliziumwafer zugeführt wird, um einen Film auf dem Siliziumwafer durch ein CVD-Verfahren zu bilden, wobei die gemäss einem der obigen Punkte (1) bis (9) definierte Aufnahme für CVD verwendet wird.

VORTEILHAFTE WIRKUNGEN DER ERFINDUNG
Da der Aufnahme-Hauptkörper und der Haltebereich aus einem Lagerelement, das einen Siliziumwafer trägt, abseits voneinander bzw. getrennt sind, kann die Aufnahme für CVD der vorliegenden Erfindung die Wärmeleitung von dem Haltebereich an der Peripherie des Siliziumwafers verringern und eine einheitliche Dickenverteilung des gebildeten Oxidfilms ermöglichen, wenn sie bei der Filmbildung auf dem Siliziumwafer durch ein athmosphärischen CVD-Verfahren verwendet wird.
Da zusätzlich der Haltebereich so konfiguriert ist, dass er eine geneigte Oberfläche hat und derart, dass die innere Umfangs- bzw. Peripherieseite davon näher an der Aufnahme-Hauptkörperfläche ist, wobei die Aufnahme-Hauptkörperfläche dem gelagerten Siliziumwafer gegenüberliegt, und den Siliziumwafer in seiner Peripherie lagert, kann eine gleichmässige Dickenverteilung des gebildeten Oxidfilms erreicht werden, ohne einen kontaktinduzierten Defekt auf einer filmbildungsfreien Oberfläche des Siliziumwafers zu erzeugen, wenn die Aufnahme bei der Filmbildung auf dem Siliziumwafer durch ein athmosphärisches CVD-Verfahren verwendet wird.
Darüber hinaus wird durch die Aufnahme mit einer Struktur zur Verringerung der Kontaktfläche zwischen dem Lagerelement und dem Aufnahme-Hauptkörper die Wärmeleitung aus dem Aufnahme-Hauptkörper auf das Lagerelement verringert, und damit die Wärmeleitung vom Haltebereich zur Peripherie des Siliziumwafers weiter verringert, und eine gleichmässigere Dickenverteilung des gebildeten Oxidfilms kann erreicht werden kann.
KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
1 sind Ansichten, die die Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung zeigen, umfassend einen Aufnahme-Hauptkörper und ein Lagerelement, wobei 1(a), 1(b), 1(c) und 1(d) einen Fall zeigen, in dem ein Aufnahme-Hauptkörper einen Aufnahmeteil aufweist, einen Fall, bei dem ein ebener Aufnahme-Hauptkörper verwendet wird, und ein Lagerelement in dessen Peripherie-Bereich abgestützt ist, einen weiteren Fall, wobei ein ebener Aufnahme-Hauptkörper verwendet wird und ein Lagerelement um die Mittelstellung herum abgestützt ist, und einen anderen Fall, bei dem ein konkaver Abschnitt in einer Aufnahme-Hauptkörperfläche vorliegt, die dem Siliziumwafer gegenüberliegt.
2 sind Ansichten, die eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigen, wobei ein Aufnahme-Hauptkörper Stegabschnitte besitzt, wobei 2(a) eine Draufsicht ist, 2(b) ein A-A-Querschnitt in der 2(a) ist, und 2(c) ist ein B-B-Querschnitt in der 2(a).
3 sind Querschnitte, die Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung zeigen, wobei der Aufnahme-Hauptkörper mit Stegabschnitten versehen ist, wobei 3(a), 3(b) und 3(c) jeweils einen Fall zeigen, bei dem eine ebener Aufnahme-Hauptkörper verwendet wird, einen Fall, bei dem der Aufnahme-Hauptkörper einen Aufnahmebereich aufweist, und einen weiteren Fall, bei dem ein konkaver Abschnitt auf dem Aufnahme-Hauptkörper unterhalb des Haltebereichs vorhanden ist.
4 sind Ansichten, die eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigen, wobei ein Lagerelement unter Beibehaltung von Punktkontakt und Linienkontakt angebracht ist, wobei 4(a) eine Draufsicht ist und 4(b) ein A-A-Querschnitt in 4(a) ist.
5 sind Querschnitte, welche Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung zeigen, wobei ein Lagerelement unter Beibehaltung von Linienkontakt angebracht ist, wobei 5(a) und 5(b) einen Fall zeigen, bei dem der Linienkontakt bei der Montage des Lagerelements auf einem Aufnahme-Hauptkörper mit einem konkaven Aufnahmeteil Beibehaltung wird, und einen anderen Fall, bei dem der Linienkontakt bei der Montage des Lagerelements auf einen ebenen Aufnahme-Hauptkörper beibehalten wird.
6 sind Querschnitte, die Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung zeigen, wobei ein Lagerelement unter Beibehaltung von Punktkontakt oder Linienkontakt durch Spannvorrichtungen angebracht ist, wobei 6(a) und 6(b) einen Fall zeigen, bei dem ein Lagerelement unter Beibehaltung von Punktkontakt angebracht ist, und den andere Fall, wobei ein Lagerelement unter Beibehaltung von Linienkontakt angebracht ist.
7 ist ein Diagramm, das die Dickenverteilung eines Oxidfilms bei der Bildung eines Films auf einem Siliziumwafer unter Verwendung der Aufnahme für CVD der vorliegenden Erfindung zeigt.
8 ist ein Diagramm, das die Dickenverteilung eines Oxidfilms bei der Bildung eines Films auf einem Siliziumwafer unter Verwendung einer herkömmlichen Aufnahme, das die Peripherie des Siliziumwafers lagert, zeigt.
9 ist ein Diagramm, das die Dickenverteilung einer Oxidschicht bei der Filmbildung durch ein CVD-Verfahren unter Verwendung einer Aufnahme mit einer Struktur zur Verringerung der Kontaktfläche oder einer normale Aufnahme, bei der eine solche Struktur fehlt, zeigt.
10 ist ein Querschnitt, der einen Zustand zeigt, in dem ein Siliziumwafer auf einer herkömmlichen Aufnahme, bei der der Haltebereich flach angeordnet ist, angeordnet ist.
11 ist ein Querschnitt, der einen Zustand zeigt, in dem ein Siliziumwafer auf einer herkömmlichen Aufnahme, die den Siliziumwafer im peripheren Bereich lagert, angeordnet ist.
BESCHREIBUNG DER AUSFÜHRUNGSFORMEN
Im Folgenden werden Konfigurationsbeispiele der Aufnahme für CVD gemäss der vorliegenden Erfindung gezeigt, und ebenso werden Einzelheiten zur Filmbildung unter Verwendung derselben beschrieben.
[Aufnahme für CVD gemäss der ersten Ausführungsform]
1 sind Ansichten, die die Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung zeigen, umfassend einen Aufnahme-Hauptkörper und ein Lagerelement, wobei 1(a), 1(b), 1(c) und 1(d) einen Fall zeigen, bei dem ein Aufnahme-Hauptkörper einen Aufnahmeteil aufweist, einen Fall, bei dem ein ebener Aufnahme-Hauptkörper verwendet wird, und ein Lagerelement in dessen Peripherie-Bereich abgestützt ist, einen weiteren Fall, bei dem ein ebener Aufnahme-Hauptkörper verwendet wird und ein Lagerelement um die Mittelstellung herum abgestützt ist, und einen anderen Fall, bei dem ein konkaver Abschnitt in einer Aufnahme-Hauptkörperfläche vorliegt, die dem Siliziumwafer gegenüberliegt.
Die jeweils in den 1(a) bis (d) gezeigte Aufnahme 1 umfasst einen Aufnahme-Hauptkörper 2 und ein Lagerelement 3, wobei ein Siliziumwafer 5 in einem Haltebereich 3c gelagert und angeordnet ist, der im Lagerelement 3 angeordnet ist.
Die Aufnahme für CVD gemäss der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist eine Aufnahme 1, die in einem CVD-Verfahren zur Filmbildung verwendet wird, und umfasst den Aufnahme-Hauptkörper 2 und ein Lagerelement 3, das auf dem Aufnahme-Hauptkörper 2 angebracht und einen Siliziumwafer 5 lagert, wobei das Lagerelement 3 mit einem Haltebereich 3c versehen ist, auf dem der Siliziumwafer 5 direkt platziert ist, und ferner weist der Haltebereich 3c eine untere Fläche 3d getrennt von der Aufnahme-Hauptkörperoberfläche 2a auf, die sich getrennt von und gegenüber dem gelagerten Siliziumwafer befindet.
Der Haltebereich 3c, auf dem der Siliziumwafer 5 direkt angeordnet ist, weist eine unteren Fläche 3d auf, und der Haltebereich 3c ist abseits der Aufnahme-Hauptkörperoberfläche 2a, die gegenüber dem Siliziumwafer liegt, wodurch die Menge der im Aufnahme-Hauptkörper 2 gespeicherten und anschliessend in den Haltebereich 3 geleiteten Wärme verringert werden kann, und somit kann die Wärmeleitung von der Aufnahme 1 auf die Peripherie 5b des Siliziumwafers verringert werden. Damit wird die Erhöhung der Temperatur in der Nähe der Peripherie des Siliziumwafers bei der Verwendung in der Filmbildung durch ein athmosphärisches CVD-Verfahren verringert, und die Dicke einer auf dem Siliziumwafer gebildeten Oxidschicht kann gleichmässig gefertigt werden.
Um die Konfiguration der unteren Fläche 3d in dem Haltebereich 3c des Trägerelements 3 zu ermöglichen, so dass der Haltbereich 3c sehr weit von der Aufnahme-Hauptkörperoberfläche 2a entfernt ist, die gegenüber dem Siliziumwafer liegt, können die in 1(a) bis (c) gezeigten Ausführungsformen angewendet werden. 1(a) zeigt eine Ausführungsform für den Fall, wobei ein Aufnahme-Hauptkörper mit einem konkaven Aufnahmeteil verwendet wird, wo das Lagerelement untergebracht ist, und 1(b) und (c) zeigen Ausführungsformen unter Verwendung eines flachen Aufnahme-Hauptkörpers. Die Aufnahme für CVD der vorliegenden Erfindung ist nicht auf die gezeigten Ausführungsformen beschränkt, sondern es können verschiedene Strukturen angewendet werden, damit das Halteteil 3c vom Aufnahme-Hauptkörper getrennt ist bzw. abseits davon liegt.
Die Aufnahme für CVD gemäss der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung weist vorzugsweise eine Anordnung zum Verringern der Kontaktfläche zwischen dem Lagerelement und dem Aufnahme-Hauptkörper auf.
In den Aufnahmen, die in 1(a) bis (d) wie oben beschrieben gezeigt sind, fliesst die Wärme aus dem Aufnahme-Hauptkörper zum Lagerelement, wenn die Aufnahme in bei der Filmbildung durch ein athmosphärisches CVD-Verfahren verwendet wird, und anschliessend wird die Wärme zum auf dem Lagerelement angeordneten Siliziumwafer fliessen. In diesem Fall nimmt ein Teil des Siliziumwafers in Kontakt mit dem Haltebereich des Lagerelements und dem Bereich nahe der Kontaktteils eine hohe Temperatur an, und schliesslich wird die Dickenverteilung einer auf dem Siliziumwafer ausgebildeten Oxidschicht ungleichmässig.
Hierbei ist bzgl. der aus dem Aufnahme-Hauptkörper auf das Lagerelement geleiteten Wärme der Anteil der durch den Kontaktteil zwischen dem Aufnahme-Hauptkörper und dem Lagerelement abgeleiteten Wärme gross. Daher kann die Menge der in dem Aufnahme-Hauptkörper gespeicherten und dann auf das Lagerelement abgeführten Wärme verringert werden, indem die Aufnahme mit einer Anordnung zum Verringern der Kontaktfläche zwischen dem Lagerelement und dem Aufnahme-Hauptkörper versehen wird. Hiermit wird verhindert, dass die Wärme des Aufnahme-Hauptkörpers an das Lagerelement abfliesst, und daher kann die Erhöhung der Temperatur des Kontaktteils und der Umgebung davon zwischen dem Siliziumwafer und dem Lagerelement unterdrückt werden. Im Ergebnis kann die Dicke einer auf dem Siliziumwafer ausgebildeten Oxidschicht gleichmässiger gefertigt werden.
Als ein Verfahren zur Unterdrückung der Erhöhung der Temperatur des Kontaktteils durch die Wärme, die von dem Bereich abgeleitet wird, in dem der Aufnahme-Hauptkörper und das Lagerelement in Kontakt sind, und seiner Umgebung zwischen dem Siliziumwafer und dem Lagerelement, wird ein Verfahren zur Verlängerung des Abstands von dem Teil des Lagerelements, das in Kontakt mit dem Aufnahme-Hauptkörper steht, zu dem Haltebereich in Betracht gezogen. Um allerdings den Abstand von dem Teil des Lagerelements im Kontakt mit dem Aufnahme-Hauptkörper zu dem Haltebereich zu vergrössern, ist es notwendig, einen Aufnahme-Hauptkörper und ein Lagerelement mit einer Grösse, die den Durchmesser des gelagerten Siliziumwafers bei weitem übersteigt, zu verwenden.
In diesem Fall ergibt sich bei einem athmosphärischen CVD-Verfahren, bei dem im allgemeinen kontinuierlich Filme unter Verwendung einer spezifischen Fördervorrichtung gebildet werden, ein Problem, da sich die Produktivität verschlechtert, wenn die Aufnahme eine beträchtliche Grösse annimmt, und es ergibt sich auch ein Problem, da eine wesentliche Veränderung des bei der Filmbildung verwendeten CVD-Systems nötig wird, und die Apparaturkosten erhöhen sich. Wenn das obige Verfahren, das die Aufnahme mit einer Struktur zur Verringerung der Kontaktfläche zwischen dem Lagerelement und dem Aufnahme-Hauptkörper versieht, verwendet wird, kann eine gleichmässige Dickenverteilung des Oxidfilms auf dem Siliziumwafer erreicht werden, ohne dass die Probleme bzgl. Verschlechterung der Produktivität und Erhöhung der Apparaturkosten entstehen.
Die Ausführungsformen der Aufnahmes für CVD der vorliegenden Erfindung, die als die Struktur zur Verringerung der Kontaktfläche zwischen dem Lagerelement und dem Aufnahme-Hauptkörper eingesetzt werden können, sind in der folgenden zweiten Ausführungsform bis vierten Ausführungsform gezeigt.
[Aufnahme für CVD gemäss der zweiten Ausführungsform]
2 sind Ansichten, die eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigen, wobei ein Aufnahme-Hauptkörper Stegabschnitte besitzt, wobei 2(a) eine Draufsicht ist, 2(b) ein A-A-Querschnitt in der 2(a) ist, und 2(c) ist ein B-B-Querschnitt in der 2(a). Die jeweils in 2 gezeigte Aufnahme umfasst einen Aufnahme-Hauptkörper 2 und ein Lagerelement 3, das auf dem Aufnahme-Hauptkörper 2 angebracht ist und den Siliziumwafer 5 trägt. Darüber hinaus ist das Lagerelement 3 mit einem Haltebereich 3c, auf dem der Siliziumwafer 5 direkt platziert ist, versehen, dessen untere Fläche 3d abseits ist vom Aufnahme-Hauptkörper 2.
Die Aufnahme für CVD gemäss der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, dass der Aufnahme-Hauptkörper 2 mit Stegabschnitten 2e versehen ist, und die Aufnahme verfügt über eine Struktur, bei der das Lagerelement 3 auf den Stegabschnitten 2e angebracht ist als der Struktur zur Verringerung der Kontaktfläche zwischen dem Lagerelement 3 und dem Aufnahme-Hauptkörper 2. In der in 2 gezeigten Aufnahme sind sechs Stegabschnitte 2f vorhanden an der Stelle, an der das Lagerelement 3 auf dem Aufnahme-Hauptkörper 2 sich in Ruhelage befindet, wie in der Draufsicht von 2(a) durch gestrichelte Linien gezeigt, wobei sechs Stegabschnitte 2e ausgebildet sind. Daher ist das festgelegte Lagerelement 3 in Kontakt mit dem Aufnahme-Hauptkörper an den Stegabschnitten 2e, ohne dass die Rillen 2f in Kontakt mit dem Aufnahme-Hauptkörper 2 kommen, und so kann die Kontaktfläche zwischen dem Lagerelement 3 und dem Aufnahme-Hauptkörper 2 verringert werden.
Die Aufnahme für CVD gemäss der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist nicht auf die Ausführungsform in 2 begrenzt, jedoch kann eine Ausführungsform, wobei die innere Peripherie eines Aufnahmeteils des Aufnahme-Hauptkörpers, bei der das untergebrachte und angeordnete Lagerelement so konfiguriert ist, dass es eine geneigte Oberfläche hat, und eine Ausführungsform unter Verwendung eines flachen Aufnahme-Hauptkörpers ebenfalls eingesetzt werden.
3 sind Querschnitte, die Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung zeigen, wobei der Aufnahme-Hauptkörper mit Stegabschnitten versehen ist, wobei 3(a), 3(b) und 3(c) jeweils einen Fall zeigen, wobei eine ebener Aufnahme-Hauptkörper verwendet wird, einen Fall, wobei der Aufnahme-Hauptkörper einen Aufnahmebereich aufweist, und einen weiteren Fall, wobei ein konkaver Abschnitt auf dem Aufnahme-Hauptkörper unterhalb des Haltebereichs vorhanden ist. In den in 3(a) bis (c) gezeigten Aufnahme (obwohl nicht dargestellt), sind sechs Rillen vorgesehen, wobei das Lagerelement des Aufnahme-Hauptkörpers in der gleichen Weise wie bei der in 2 gezeigten Aufnahme sich in Ruhelage befindet, während sechs Stegabschnitte gebildet sind. Daher ist das gewählte Lagerelement 3 an den Stegabschnitten in Kontakt mit dem Aufnahme-Hauptkörper, ohne dass die Rillen 2f in Kontakt mit dem Aufnahme-Hauptkörper 2 kommen, und so kann die Kontaktfläche zwischen dem Lagerelement und dem Aufnahme-Hauptkörper verringert werden.
Wie oben beschrieben, kann der Kontaktbereich zwischen dem Lagerelement und dem Aufnahme-Hauptkörper durch Versehen der Aufnahme mit einer Struktur, wobei der Aufnahme-Hauptkörper mit Stegabschnitten versehen ist an der Stelle, an der das Lagerelement auf den Stegabschnitten angebracht ist, verringert werden. Daher kann, wenn die Aufnahme für CVD gemäss der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung bei der Filmbildung eines Siliziumwafers durch ein athmosphärisches CVD-Verfahren verwendet wird, eine gleichmassigere Dickenverteilung des ausgebildeten Oxidfilms erreicht werden.
Die Aufnahme für CVD gemäss der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung sollte mit mindestens drei Stegabschnitten versehen werden. Darüber hinaus können die Stegabschnitte zu verschiedenen Formen ausgebildet sein, solange das Lagerelement stabil angebracht werden kann.
Bei der Aufnahme für CVD gemäss der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, wie in 3(b) gezeigt, wird es bevorzugt, dass wenn der Aufnahme-Hauptkörper 2 einen konkaven Teil der Aufnahmeoberfläche besitzt, der das Lagerelement 3 umgibt, dass die innere Peripherie 2b des Aufnahmeteils des Aufnahme-Hauptkörpers so konfiguriert ist, dass eine geneigte Oberfläche vorliegt und auch so, dass das obere Ende davon rückseitig entfernt ist von der Mitte des Aufnahmeteils. Dadurch erhält das Lagerelement 3 den Linienkontakt mit der inneren Peripherie aufrecht, ohne dass das Lagerelement 3 in Kontakt mit dem Hauptkörper der inneren Peripherie 2b des konkaven Aufnahmeteils kommt, und so kann die Kontaktfläche zwischen dem Lagerelement 3 und dem Aufnahme-Hauptkörper 2 weiter verringert werden.
Als die Struktur zur Verringerung der Kontaktfläche zwischen der inneren Peripherie des Aufnahmeteils des Aufnahme-Hauptkörpers und dem Lagerelement kann neben der oben genannten Struktur eine alternative Struktur verwendet werden, bei der die innere Peripherie des Aufnahmeteils des Aufnahme-Hauptkörpers so konfiguriert ist, dass sie eine geneigte Oberfläche besitzt und derart, dass das untere Ende davon von der Mitte des Aufnahmeteils. rückseitig entfernt ist. Darüber hinaus kann eine weitere alternative Struktur verwendet werden, bei der die Oberfläche des Aufnahmeteils im Kontakt mit der inneren Peripherie des Aufnahmeteils geneigt ist, und eine Struktur, bei der eine Mehrzahl von Rillen auf der inneren Peripherie des Aufnahmeteils oder der Oberfläche des Lagerelements im Kontakt mit der inneren Peripherie ebenfalls verwendet werden. Die Aufnahme für CVD der vorliegenden Erfindung verwendet bevorzugt die Struktur, bei der die innere Peripherie des Aufnahmeteils des Aufnahme-Hauptkörpers so konfiguriert ist, dass sie eine geneigte Oberfläche hat, und derart, dass der obere Teil davon rückseitig entfernt ist von der Mitte des Aufnahmeteils, da es am einfachsten ist, die Aufnahme herzustellen, und die Herstellungskosten verringert werden können.
[Aufnahme für CVD gemäss der dritten Ausführungsform]
4 sind Ansichten, die eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigen, wobei ein Lagerelement unter Beibehaltung von Punktkontakt und Linienkontakt angebracht ist, wobei 4(a) eine Draufsicht ist und 4(b) ein A-A-Querschnitt in 4(a) ist. Die in 4 gezeigte Aufnahme umfasst den Aufnahme-Hauptkörper 2 mit einem konkaven Aufnahmeteil, der das Lagerelement 3 umgibt, und das auf dem Aufnahme-Hauptkörper 2 angebrachte Lagerelement 3, in dem ein Siliziumwafer 5 gelagert ist. Darüber hinaus ist das Lagerelement 3 mit einem Haltebereich 3c versehen, auf dem der Siliziumwafer 5 direkt platziert ist, und weist auch die untere Fläche 3d auf, die getrennt ist von dem Aufnahme-Hauptkörper 2 liegt.
Die Aufnahme für CVD gemäss der dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, dass die Aufnahme eine Struktur als die Struktur zur Verringerung der Kontaktfläche zwischen dem Lagerelement 3 und dem Aufnahme-Hauptkörper 2 aufweist, bei der das Lagerelement 3 auf dem Aufnahme-Hauptkörper 2 unter Beibehaltung von Punktkontakt oder Linienkontakt angebracht ist. In der in 4 gezeigten Aufnahme ist das Lagerelement 3 mit zylindrischen Träger-Stützen 3e ausgestattet, und die Stütze 3e und der untere Teil der Stützen 3e besitzt konische Form, und damit verjüngt sich die Querschnittsfläche in Richtung der unteren Kante. Wie in 4(a) gezeigt werden sechs Stützen 3e konzentrisch mit dem gehaltenen Siliziumwafer 5 in vorbestimmten Winkelabständen angebracht. Ausserdem besitzt eine äussere Periherie 3b des Lagerelements in Kontakt mit einer inneren Peripherie 2b des Aufnahmeteils des Aufnahme-Hauptkörpers eine geneigte Fläche, so dass der untere Teil davon rückseitig entfernt zu der inneren Peripherie des Aufnahmeteils im Aufnahme-Hauptkörper liegt.
Wenn das oben beschriebene Lagerelement 3 auf dem Aufnahme-Hauptkörper 2 angebracht wird, wird das Lagerelement 3 auf dem Aufnahme-Hauptkörper 2 unter Beibehaltung von Punktkontakt durch Unterkanten einer Mehrzahl von Stützen 3e und Linienkontakt durch die geneigten äussere Peripherie 3b des Lagerelement 3 montiert. Daher kann die Kontaktfläche zwischen dem Lagerelement 3 und dem Aufnahme-Hauptkörper 2 verringert werden. Während sechs Stützen 3e in der in 4 gezeigten Aufnahme vorhanden sind, sollten mindestens drei Stützen 3e vorgesehen werden, wenn das Lagerelement 3 auf dem Aufnahme-Hauptkörper unter Beibehaltung von Punktkontakt durch die Stützen 3e des Lagerelements 3 montiert wird. Die Aufnahme für CVD gemäss der dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist nicht auf die in 4 gezeigten Ausführungsformen beschränkt, jedoch kann eine Ausführungform mit einem Planaren Aufnahme-Hauptkörper und eine Ausführungsform unter Verwendung der Anordnung des Lagerelements unter Beibehaltung von Linienkontakt verwendet werden.
5 sind Querschnitte, welche Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung zeigen, wobei ein Lagerelement unter Beibehaltung von Linienkontakt angebracht ist, wobei 5(a) und 5(b) einen Fall zeigen, wobei der Linienkontakt bei der Montage des Lagerelements auf einem Aufnahme-Hauptkörper mit einem konkaven Aufnahmeteil Beibehaltung wird, und einen anderen Fall, wobei der Linienkontakt bei der Montage des Lagerelements auf einen ebenen Aufnahme-Hauptkörper beibehalten wird.
Die in 5(a) gezeigte Aufnahme umfasst einen Aufnahme-Hauptkörper 2 mit einer konkaven Aufnahmeteil zur Aufnahme eines Lagerelements 3, und das Lagerelement 3. Ein Haltebereich 3c und ein Siliziumwafer 5 werden durch einen peripheren zylindrischen Lagerteil 3f des Lagerelements 3 getragen. In der in 5(a) gezeigten Aufnahme ist eine innere Peripherie 2b des konkaven Aufnahmteils des Aufnahme-Hauptkörpers so konfiguriert, dass sie eine geneigte Fläche hat, und derart, dass das obere Ende davon rückseitig entfernt ist von vom zentralen Abschnitt des Aufnahmeteils, und ein unteres Ende 3g des zylindrischen Lagerteils des Lagerelements, dass im Lagerelement 3 vorgesehen ist, ist geneigt, so dass die innere Pertpheriekante rückseitig entfernt ist von einem Aufnahme-Hauptkörper 2a, der dem Siliziumwafer 5 gegenüberliegt.
Damit ist bei der in 5(a) gezeigten Aufnahme das Lagerelement 3 auf dem Aufnahme-Hauptkörper 2 unter Beibehaltung von Linienkontakt mittels der unteren Kante des zylindrischen Lagerteils 3f des Lagerelements 3 angebracht, ohne dass der grösste Teil der äusseren Peripherie und die Fläche des unteren Endes des Lagerteils 3f des Lagerelements 3 in Kontakt mit dem Aufnahme-Hauptkörper 2 kommen. Daher kann die Kontaktfläche zwischen dem Lagerelement 3 und die Aufnahme-Hauptkörper 2 verringert werden.
Die in 5(b) gezeigte Aufnahme umfasst einen ebenen Aufnahme-Hauptkörper 2 und ein Lagerelement 3 mit einem zylindrischen Lagerteil 3f. In der in 5(b) gezeigten Aufnahme hat das zylindrische Lagerteil 3f des Lagerelements 3 geneigte innere und äussere Peripherien an seinem unteren Teil, und damit verjüngt sich die Querschnittsfläche davon in Richtung der unteren Kante. Dabei ist bei der in 5(b) gezeigten Aufnahme das Lagerelement 3 auf dem ebenen Aufnahme-Hauptkörper 2 angebracht unter Beibehaltung von Linienkontakt zwischen der unteren Kante des zylindrischen Lagerteils 3f des Lagerelements 3 und dem ebenen Aufnahme-Hauptkörper 2. Daher kann die in 5(b) gezeigte Aufnahme die Kontaktfläche zwischen dem Lagerelement 3 und dem Aufnahme-Hauptkörper 2 reduzieren.
Wie oben beschrieben kann der Kontaktbereich zwischen dem Lagerelement und dem Aufnahme-Hauptkörper durch Versehen der Aufnahme mit einer Struktur, bei der das Lagerelement auf dem Aufnahme-Hauptkörper angebracht wird unter Beibehaltung von Punktkontakt oder Linienkontakt, verringert werden. Daher kann, wenn die Aufnahme für CVD gemäss der dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung bei der Filmbildung eines Siliziumwafers durch ein athmosphärisches CVD-Verfahren verwendet wird, eine gleichmässigere Verteilung der Dicke des ausgebildeten Oxidfilms erreicht werden.
[Aufnahme für CVD gemäss der vierten Ausführungsform]
6 sind Querschnitte, die Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung zeigen, wobei ein Lagerelement unter Beibehaltung von Punktkontakt oder Linienkontakt durch Spannvorrichtungen angebracht ist, wobei 6(a) und 6(b) einen Fall zeigen, wobei ein Lagerelement unter Beibehaltung von Punktkontakt angebracht ist, und den anderen Fall, wobei ein Lagerelement unter Beibehaltung von Linienkontakt angebracht ist. Die Aufnahmen in den 6(a) und (b) umfassen einen Aufnahme-Hauptkörper 2, ein Lagerelement 3 zum Lager eines Siliziumwafers, und Spannvorrichtungen 4, die das Lagerelement 3 tragen.
Die Aufnahme für CVD gemäss der vierten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, dass die Aufnahme mit Spannvorrichtungen 4 zur Halterung eines Lagerelements 3 versehen ist, und eine Struktur besitzt, bei der das Lagerelement 3 auf einem Aufnahme-Hauptkörper 2 angebracht ist unter Beibehaltung ovn Punkt- oder Linienkontakt mit Hilfe der Spannvorrichtungen 4 als Struktur zur Verringerung der Kontaktfläche zwischen dem Lagerelement 3 und dem Aufnahme-Hauptkörper 2. In der in 6(a) gezeigten Aufnahme sind die Spannvorrichtungen 4 von einer zylindrischen Form und der obere Teil davon jeweils zu einer konischen Form ausgebildet, wobei sich die Querschnittsfläche davon in Richtung der oberen Kante verjüngt. Die oben beschriebenen zylindrischen Spannvorrichtungen 4 sind in einer Aufnahme-Hauptkörperoberfläche 2a angeordnet, die dem gelagerten Siliziumwafer gegenüberliegt. In der in 6(a) gezeigten Aufnahmenvorrichtung sind neben den dargestellten zwei zylindrischen Spannvorrichtungen 4 vier nicht dargestellte zylindrische Spannvorrichtungen 4 konzentrisch mit dem gelagerten Siliziumwafer 5 in vorbestimmten Winkelintervallen angeordnet, und das Lagerelement 3 so mit den insgesamt sechs Spannvorrichtungen angebracht.
In der in 6(a) gezeigten Aufnahme ist eine Mehrzahl zylindrischer Spannvorrichtungen 4 im Aufnahme-Hauptkörper 2 angeordnet, und das Lagerelement 3 ist auf der konischen oberen Kante der zylindrischen Spannvorrichtungen 4 angebracht. Daher kann in der in 6(a) gezeigten Aufnahme, da das Lagerelement 3 auf dem Aufnahme-Hauptkörper 2 angebracht ist unter Beibehaltung von Punktkontakt durch die Spannvorrichtungen 4, die Kontaktfläche zwischen dem Lagerelement 3 und dem Aufnahme-Hauptkörper 2 verringert werden. Während die sechs Spannvorrichtungen 4 in der in 6(a) gezeigten Aufnahme angeordnet sind, sollten mindestens drei Spannvorrichtungen 4 angeordnet werden, wenn das Lagerelement 3 auf dem Aufnahme-Hauptkörper 2 unter Beibehaltung von Punktkontakt durch die Spannvorrichtungen 4 angebracht ist.
Wenn der Aufnahme-Hauptkörper 2 eine konkaven Aufnahmeteil aufweist, der das Lagerelement 3 aufnimmt, wie in 6(a) gezeigt, ist es bevorzugt, um die Kontaktfläche zwischen einem äusseren Peripherie 3b des Lagerelements und einem inneren Peripherie 2b der konkaven Aufnahme eines Teils der Aufnahme-Hauptkörper zu verringern, dass die äussere Peripherie 3b des Lagerelements zu einer gekippte Oberfläche ausgebildet ist, und so angebracht ist, dass der untere Teil davon von der inneren Peripherie 2b des Aufnahmeteils getrennt ist, wie in 6(a) gezeigt.
Hierbei kann, wenn die äussere Peripherie des Lagerelements zu einer geneigten Oberfläche gefertigt ist, ein Verfahren zum Anordnen verwendet werden, so dass der obere Teil davon getrennt von der inneren Peripherie des Aufnahmeteils ist. Bei dem Verfahren für die Anordnung des oberen Teils abseits der inneren Peripherie des Aufnahmeteils wird der Fluss des Quellgases beim Zuführen eines Quellgases auf den Siliziumwafer, um einen Film durch ein CVD-Verfahren zu bilden, durch eine durch die geneigte Fläche gebildeten Ausbuchtung gestört, und es gibt Bedenken bezüglich der Verursachung nachteiliger Auswirkungen auf die Dickenverteilung einer Oxidschicht.
Darüber hinaus kann ein Verfahren zur Herstellung der inneren Peripherie 2b des Aufnahmeteils des Aufnahme-Hauptkörpers als eine geneigte Fläche verwendet werden. Bei diesem Verfahren wird, wenn der obere Teil der inneren Peripherie des Aufnahmeteils von der Mitte des Aufnahmeteils entfernt ist, die Strömung des Quellgases durch die Ausbuchtung aufgrund der geneigten Fläche gestört, und es gibt Probleme bezüglich der Verursachung nachteiliger Auswirkungen auf die Dickenverteilung einer Oxidschicht. Auf der anderen Seite wird auch in Betracht gezogen, so anzuordnen, dass der untere Teil des inneren Peripherie des Aufnahmeteils getrennt ist von der Mitte des Aufnahmeteils, jedoch macht dies die Herstellung des Aufnahme-Hauptkörpers schwierig, und die Produktausbeute verschlechtert sich.
Der äussere Peripherie des Lagerelements wird als geneigte Oberfläche hergestellt und so angebracht, dass der untere Teil davon entfernt ist von der inneren Peripherie des Aufnahmeteils, denn dann kann den Problemen bezüglich der Dickenverteilung einer Oxidschicht aufgrund einer Störung der Strömung des Quellgases entgegnet werden, und es wird auch die Herstellung der Aufnahme erleichtert. Um daher die Kontaktfläche der äusseren Peripherie des Lagerelements mit der inneren Peripherie des Lagerteils des Lagerelements Hauptkörper zu verringern, wird bevorzugt, dass die äussere Peripherie des Lagerelements als eine geneigte Oberfläche hergestellt wird und so angebracht wird, dass der untere Teil davon getrennt ist von der inneren Peripherie des Aufnahmeteils.
Die in 6(b) gezeigte Aufnahme verwendet eine zylinderförmige Spannvorrichtung 4. Bei dieser zylinderförmigen Spannvorrichtung 4 ist die obere Fläche in Kontakt mit einem Lagerelement 3 zu einer geneigten Fläche gefertigt und ist derart angebracht, dass die innere Umfangsseite davon näher zur Aufnahme-Hauptkörperfläche 2a liegt, die dem Siliziumwafer 5 zugewandt ist. Wenn die oben beschriebene zylinderförmige Spannvorrichtung 4 auf einem Aufnahme-Hauptkörper 2 angeordnet ist, und das Lagerelement 3 ist durch die Spannvorrichtung 4 angebracht, so ist das Lagerelement 3 in einem Zustand in Linienkontakt mit der oberen Kante der oberen Fläche der zylinderförmigen Vorrichtung 4 angebracht. Daher kann die Kontaktfläche zwischen dem Lagerelement 3 und die Aufnahme-Hauptkörper 2 verringert werden.
Wie oben beschrieben, kann die Fläche des Lagerelements in Kontakt mit dem Aufnahme-Hauptkörper durch die Spannvorrichtungen verringert werden durch Ausstatten der Aufnahme mit einer Struktur, bei der das Lagerelement auf dem Aufnahme-Hauptkörper unter Beibehaltung von Punktkontakt oder Linienkontakt durch die Spannvorrichtungen angebracht ist. Daher kann, wenn die Aufnahme für CVD gemäss der vierten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung bei der Filmbildung durch ein athmosphärisches CVD-Verfahren auf einem Siliziumwafer verwendet wird, eine gleichmässigere Verteilung der Dicke des ausgebildeten Oxidfilms erreicht werden.
[Bevorzugte zu verwendende Ausführungsform für den Haltebereich etc.]
Die Aufnahme für CVD gemäss der oben beschriebenen vorliegenden Erfindung verwendet bevorzugt die folgenden Ausführungsformen.
Bei der Aufnahme für CVD gemäss der vorliegenden Erfindung wird, um die Peripherie 5b eines Siliziumwafers 5 zu lagern, es bevorzugt, dass ein Haltebereich 3c eine geneigte Fläche aufweist und so konfiguriert ist, dass die innere Umfangsseite davon näher an der Aufnahme-Hauptkörperfläche 2a liegt, die abseits und gegenüber dem gelagerten Siliziumwafer 5 liegt. Hiermit kann der Siliziumwafer gelagert werden, ohne dass die filmbildungsfreie Oberfläche 5c des Siliziumwafers in Kontakt mit der Aufnahme kommt, und somit wird die Dicke einer Oxidschicht auf einem Film zur Oberfläche 5a des Siliziumwafers gleichmässig gefertigt, ohne einen Kontaktdefekt auf der filmbildungsfreien Oberfläche 5c des Siliziumwafers zu erzeugen.
Bei der Aufnahme für CVD gemäss der vorliegenden Erfindung ist der Haltebereich 3c vorzugsweise zu einer Ringform gefertigt. Während bei Verwendung einer Vielzahl von Befestigungs- bzw. Haltemitteln ein Siliziumwafer auch so angeordnet werden kann, dass er an mehreren Stellen in vorbestimmten winkelmässigen Abständen in der Peripherie des Siliziumwafers gelagert wird, sind in diesem Fall Öffnungen zwischen dem Befestigungsmittel und dem Siliziumwafer vorhanden. Wenn die Filmbildung mit einem Quellgas, das bei Filmbildung durch ein CVD-Verfahren von den Öffnungen zur filmbildungsfreien Oberfläche 5c des Siliziumwafers gelangt, durchgeführt wird, so wird die Temperaturverteilung einer Filmbildungsoberfläche 5a des Siliziumwafers ungleichmässig, und die Dickenverteilung eines Oxidfilms kannn sich verschlechtern. Darüber wird die Menge an Filmbildung auf der filmbildungsfreien Oberfläche 5c des Siliziumwafers erhöht, und die durch hernach auszuführendes Polieren zu entfernende Menge wird vergrössert.
Da der Siliziumwafer 5 in Kontakt mit dem Haltebereich 3c über die gesamte Peripherie hinweg durch Ausbilden des Haltebereichs 3c zu einer Ringform steht, kann verhindert werden, dass das Quellgas um die filmbildungsfreie Oberfläche des Siliziumwafers herum gelangt, und den oben beschriebenen Problemen kann begegnet werden.
Wie oben beschrieben, darf eine Aufnahme für CVD sich beim Erhitzen bei der Bildung eines Films nicht verformen, und nicht die Ursache für die Erzeugung von Verunreinigungen auf dem Siliziumwafer sein. Um darüberhinaus die Wärmeleitung von dem Haltebereich 3c an der Peripherie 5b des Siliziumwafers zu verringern, besitzt der Haltebereich 3c vorzugsweise eine dünnwandige Struktur mit einer Dicke von 1 mm oder weniger. Bei der Aufnahme für CVD gemäss der vorliegenden Erfindung wird, um diese Anforderungen zu erfüllen, der Haltebereich 3c bevorzugt aus SiC und vorzugsweise aus SiC allein, oder durch Ausbilden einer SiC-Schicht auf der Oberfläche eines Kohlenstoff-Substrats durch ein CVD-Verfahren, oder nur aus einem durch ein CVD-Verfahren gefertigten SiC-Film gefertigt, und der Haltebereich 3c kann alternativ aus einem anderen Material ausser SiC gefertigt werden, solange das Material die obigen Anforderungen erfüllt.
Bei der Aufnahme für CVD gemäss der vorliegenden Erfindung werden die Höhenniveaus des der Filmbildungsoberfläche 5a des Siliziumwafers und der oberen Fläche 3a des Lagerelements bevorzugt beim Platzieren des Siliziumwafers durch Einstellen der Höhe einer oberen Fläche 3a des Lagerelements oder der Tiefe des Haltebereichs 3c ausgeglichen. Darüber hinaus werden, wenn der Aufnahme-Hauptkörper ein konkaves Aufnahmeteil, welches das Lagerelement umgibt, die Höhenniveaus der Filmbildungsoberfläche 5a des Siliziumwafers und der oberen Fläche 2c des Aufnahmeteils bevorzugt beim Platzieren des Siliziumwafers ausgeglichen. Aus dem Grund, dass das Höhenniveau der oberen Fläche 3a des Lagerelements oder der oberen Fläche 2c des Aufnahmeteils und das Höhenniveau der Filmbildungsoberfläche 5a des Siliziumwafers unterschiedlich sind, wird anschliessend der Fluss des Quellgases, das der Waferoberfläche zugeführt wird, gestört, und die Dicke einer auf der Filmbildungsoberfläche 5a ausgebildeten Oxidschicht ist lokal dick oder dünn, und die Dickenverteilung wird ungleichmässig.
Bei der Aufnahme für CVD gemäss der vorliegenden Erfindung wird es bevorzugt, dass ein konkaver Abschnitt, der eine weitere Strecke von dem Haltebereich entfernt ist, auf einer Aufnahme-Hauptkörperfläche vorliegt, die dem gelagerten Siliziumwafer gegenüberliegt und im Gebiet unterhalb des Haltebereichs. Wie in 1(d) oder 3(c) gezeigt, liegt ein konkaver Bereich 2d, der weiter entfernt vom Haltebereich in einer Aufnahme-Hauptkörperfläche 2a liegt, die abseits und gegenüberliegend zu dem gelagerten Siliziumwafer vorliegt und im Bereich unterhalb eines Haltebereichs 3c, wodurch eine Erhöhung der Temperatur des Haltebereichs 3c durch Strahlungswärme aus der Aufnahme-Hauptkörperfläche 2a, die dem Siliziumwafer gegenüberliegt, verringert werden kann. Hiermit wird die Wärmeleitung von dem Haltebereich 3c zu der Peripherie 5b des Siliziumwafers weiter verringert, der Anstieg der Temperatur in der Nähe der Peripherie des Siliziumwafers wird weiter unterdrückt, und die Dicke einer auf einer Filmbildungsoberfläche 5a des Siliziumwafers gebildeten Oxidschicht kann gleichmässiger gefertigt werden.
[Filmbildungsverfahren mit Aufnahme für CVD]
Das Filmbildungsverfahren gemäss der vorliegenden Erfindung ist ein Filmbildungsverfahren unter Verwendung der erfindungsgemässen Aufnahme für CVD. Wie oben beschrieben, ist die Aufnahme für CVD der vorliegenden Erfindung eine Aufnahme, bei der ein Haltebereich einer Lagerelements, das einen Siliziumwafer aufnimmt, eine untere Fläche besitzt, die getrennt ist von einer Aufnahme-Hauptkörperfläche 2a, die dem Siliziumwafer gegenüber liegt, und es gibt bei der Verwendung keinen Unterschied in Betrieb und Handhabung zu den üblicherweise verwendeten Aufnahmen.
Gemäss dem Filmbildungsverfahren der vorliegenden Erfindung kann eine Oxidschicht mit einer gleichmässigen Dicke auf dem Siliziumwafer gefertigt werden, da die Wärmeleitung von der Aufnahme zum Siliziumwafer verringert wird. Darüber hinaus, wenn die Aufnahme für CVD gemäss der vorliegenden Erfindung, wobei ein Haltebereich eine geneigte Oberfläche umfasst, verwendet wird, wird die Peripherie des Siliziumwafers gelagert, und damit das Auftreten von Kontaktdefekten auf der Siliziumwafer-Oberfläche kann so weit wie möglich verringert werden.
BEISPIELE
Der folgende Test wurde durchgeführt, um die Wirkung der Aufnahmes für CVD der vorliegenden Erfindung und des Filmbildungsverfahrens unter Verwendung derselben zu bestätigen.
[Testbedingungen]
Als Beispiel 1 der vorliegenden Erfindung wurde ein Siliciumwafer auf einer in 1(a) gezeigten Aufnahme angeordnet, anschliessend ein Quellgas auf den Siliziumwafer geleitet, während der Siliciumwafer erhitzt wurde, und ein Oxidfilm (SiO₂) wurde auf dem Siliziumwafer durch ein CVD-Verfahren unter Normaldruck ausgebildet, und danach wurde die Dicke des Oxidfilms gemessen.
Im Vergleichsbeispiel 1 der Erfindung wurde die Filmbildung eines Oxidfilms durch ein CVD-Verfahren unter Verwendung eines kontinuierlichen Atmosphärendruck-CVD-Systems (AMAX1200, hergestellt von Amaya Co., Ltd), mit einem Siliziumwafer mit einem Durchmesser von 300 mm als Probe und einem Mischgas aus Monosilan (SiH₄) und Sauerstoff (O₂) als Quellgas durch Erhitzen in dem CVD-System durchgeführt, durch Erhitzen des Siliziumwafers auf 430°C, mit dem Sollwert der Dicke einer Oxidschicht von 3500 Å.
Die Dicke des Oxidfilms wurde an 121 Stellen mit einem Spektralellipsometer ausschliesslich einer 5 mm breiten äußeren Peripheriezone auf der Waferoberfläche gemessen.
Als Vergleichsbeispiel 1 wurde ein Siliciumwafer auf einer Aufnahme, wie in 11 oben gezeigt, angeordnet, dann wurde ein Oxidfilm auf dem Siliziumwafer durch ein CVD-Verfahren unter Normaldruck gebildet, und danach die Dicke des Oxidfilms in der gleichen Weise wie im erfindungsgemässen Beispiel 1 gemessen.
[Testergebnis]
7 ist ein Diagramm, das die Dickenverteilung eines Oxidfilms bei der Bildung eines Films auf einem Siliziumwafer unter Verwendung der Aufnahme für CVD der vorliegenden Erfindung zeigt. Basierend auf der in 7 gezeigten Dickenverteilung ergab sich für das erfindungsgemässe Beispiel 1 eine Verteilung der Dicke der Oxidschicht im Bereich von 3400 bis 3800 Å, und die Breite der Dickenvariation betrug etwa 400 Å.
8 ist ein Diagramm, das die Dickenverteilung eines Oxidfilms bei der Bildung eines Films auf einem Siliziumwafer unter Verwendung einer herkömmlichen Aufnahme, die die Peripherie des Siliziumwafers stützt, zeigt. Basierend auf der in 8 gezeigten Dickenverteilung ergab sich für das Vergleichsbeispiel 1 eine Verteilung der Dicke der Oxidschicht im Bereich von 3200 Å bis 3900 Å, und die Breite der Dickenvariation betrug etwa 700 Å.
Aus diesen Ergebnissen wurde bestätigt, dass, mit der Aufnahme für CVD gemäss der vorliegenden Erfindung und dem Filmbildungsverfahren unter Verwendung derselben die Dickenvariation des auf dem Siliziumwafer ausgebildeten Films verringert werden konnte, und genauer gesagt, die Dicke einer Oxidschicht gleichmässig gefertigt werden konnte.
Als nächstes wurde der folgende Test durchgeführt, um den Effekt bestätigen, dass die Aufnahme eine Struktur zum Verringern der Kontaktfläche zwischen dem Lagerelement und dem Aufnahme-Hauptkörper besitzt.
[Testbedingungen]
Ein Siliziumwafer wurde auf einer Aufnahme platziert, dann wurde ein Quellgas dem Siliziumwafer zugeführt, während der Siliciumwafer erhitzt wurde, und ein Oxidfilm (SiO₂) wurde auf dem Siliziumwafer durch ein CVD-Verfahren unter Normaldruck ausgebildet und danach wurde der Test durchgeführt, um die Dicke des Oxidfilms zu messen. In der vorliegenden Untersuchung wurde die Filmbildung eines Oxidfilms durch ein CVD-Verfahren unter Verwendung eines kontinuierlichen Atmosphärendruck-CVD-Systems (AMAX1200, hergestellt von Amaya Co., Ltd), mit einem Siliziumwafer mit einem Durchmesser von 300 mm als Probe und einem Mischgas aus Monosilan (SiH₄) und Sauerstoff (O₂) als Quellgas durch Erhitzen in dem CVD-System durchgeführt, durch Erhitzen des Siliziumwafers auf 430°C, mit dem Sollwert der Dicke einer Oxidschicht von 3500 Å.
Im erfindungsgemässen Beispiel 2 wurde als eine Struktur zur Verringerung der Kontaktfläche zwischen dem Lagerelement und dem Aufnahme-Hauptkörper eine Aufnahme mit einer Struktur verwendet, in der ein Aufnhahme-Hauptkörper 2 mit Stegabschnitten versehen war, und das Lagerelement auf den Stegabschnitten 2e angebracht, wie in 3(b) oben gezeigt. Als Vergleich wurde im erfindungsgemässen Beispiel 3 eine Aufnahme, die nicht über eine Struktur zum Verringern der Kontaktfläche zwischen dem Lagerelement und dem Aufnahme-Hauptkörper verfügte, wie in 1(a) gezeigt, verwendet. Der Durchmesser der Lagerelemente in den erfindunngsgemässen Beispielen 2 und 3 wurde auf das gleiche Mass eingestellt.
In den erfindungsgemässen Beispielen 2 und 3 wurde die Dicke einer auf dem Siliziumwafer ausgebildeten Oxidschicht unter Verwendung eines spektroskopischen Ellipsometers gemessen. Darüber hinaus wurde die Messung der Dicke der Oxidschicht in einer solchen Weise durchgeführt, dass mehrfache Messungen an 121 Stellen einschliesslich dem Zentrum des Siliziumwafers durchgeführt wurden, gemittelt und anhande des Abstands vom Zentrum des Siliziumwafers geordnet, um einen Vergleich zwischen den erfindungsgemässen Beispielen 2 und 3 durchzuführen. Dabei wurde die für den Wafer ausgeschlossene periphere Zone auf einen 5 mm breiten Rand festgesetzt.
[Testergebnis]
9 ist ein Diagramm, das die Dickenverteilung eines gebildeten Oxidfilms zeigt, wenn ein Film durch ein CVD-Verfahren gebildet wird unter Verwendung der Aufnahme mit einer Struktur zum Verringern des Kontaktbereich bzw. unter Verwendung einer solchen, die keine solchen Struktur besitzt. In 9 ist der Abstand von der Mitte des Siliziumwafers (mm) dargestellt durch die horizontale Achse, und der Anteil bzw. die Rate (%) des Unterschieds bei jeder gemessenen Filmdicke von derjenigen im Zentrum des Siliziumwafer dargestellt durch die vertikale Achse. Hierbei bedeutet die Differenzrate (%) in der Filmdicke zu derjenigen im Zentrum des Siliziumwafers das Verhältnis der Differenz der Filmdicke relativ zur Filmdicke im Zentrum des Siliziumwafers (Å).
Basierend auf der in 9 gezeigten Dickenverteilung des Oxidfilms wurde im erfindungsgemässen Beispiel 3 eine CVD-Aufnahme, die nicht über eine Anordnung zum Verringern der Kontaktfläche zwischen dem Lagerelement und dem Aufnahme-Hauptkörper verfügte, verwendet, und die Dicke der Oxidschicht in der Nähe der Peripherie des Siliziumwafer wurde um etwa 8,6% im Vergleich zu derjenigen in der Mitte erhöht. Andererseits wurde im erfindungsgemässen Beispiel 2 eine CVD-Aufnahme mit einer Anordnung zum Verringern der Kontaktfläche zwischen dem Lagerelement und dem Aufnahme-Hauptkörper verwendet, und die Dicke der Oxidschicht in der Nähe der Peripherie des Siliziumwafers wurde um etwa 1,1% da im Vergleich zu derjenigen im Zentrum erhöht.
Anhand dieser Ergebnisse zeigte sich, dass durch die Bereitstellung der Aufnahme für CVD gemäss der vorliegenden Erfindung mit einer Struktur zum Verringern der Kontaktfläche zwischen dem Lagerelement und dem Aufnahme-Hauptkörper, eine Erhöhung der Dicke der Oxidschicht in der Nähe der Peripherie, im Vergleich zur Mitte des Siliziumwafers verringert werden, und eine gleichmässige Dickenverteilung der gebildeten Oxidschicht bei der Verwendung in der Filmbildung durch ein athmosphärisches CVD-Verfahren kann erreicht werden.
GEWERBLICHE ANWENDBARKEIT
Da der Aufnahme-Hauptkörper und ein Haltebereich eines Lagerelements, das einen Siliziumwafer trägt, abseits voneinander bzw. voneinander getrennt sind, kann die Aufnahme für CVD gemäss der vorliegenden Erfindung die Wärmeleitung von dem Haltebereich zur Peripherie des Siliziumwafers verringern und erlaubt, dass die Dickenverteilung des gebildeten Oxidfilms gleichmässig wird, wenn die Aufnahme in der Filmbildung auf einem Siliziumwafer durch einen athmosphärisches CVD-Verfahren verwendet wird.
Darüber hinaus ist der Haltebereich so konfiguriert, dass er eine geneigte Fläche aufweist und derart, dass die innere Peripherieseite davon näher an der Aufnahme-Hauptkörperfläche ist, die dem Siliziumwafer gegenüberliegt. Bei Verwendung in der Filmbildung auf einem Siliziumwafer durch ein athmosphärisches CVD-Verfahren wird die Peripherie des Siliziumwafers gestützt und eine einheitliche Dickenverteilung des gebildeten Oxidfilms kann erreicht werden, ohne einen Kontaktdefekt auf einer filmbildungsfreien Oberfläche des Siliziumwafers zu erzeugen.
Darüber hinaus wird durch die Ausstattung der Aufnahme mit einer Struktur zur Verringerung der Kontaktfläche zwischen dem Lagerelement und dem Aufnahme-Hauptkörper die Wärmeleitung aus dem Aufnahme-Hauptkörper auf das Lagerelement verringert und damit wird die Wärmeleitung von dem Haltebereich zur Peripherie des Siliziumwafers weiter verringert, und eine gleichmässigere Verteilung der Dicke des gebildeten Oxidfilms kann erreicht werden.
Darüber hinaus kann mit dem Filmbildungsverfahren gemäss der vorliegenden Erfindung ein Film auf dem Siliziumwafer mit gleichmässigerer Dickenverteilung durch Verwendung der Aufnahme für CVD gemäss der vorliegenden Erfindung erreicht werden.
Daher können die Ablage für CVD gemäss der vorliegenden Erfindung und das Filmbildungsverfahren in geeigneter Weise in der Herstellung eines Siliziumwafers verwendet werden.
Bezugszeichenliste

1: Aufnahme für CVD,
1a: Haltebereich,
2: Aufnahme-Hauptkörper,
2a: Oberfläche gegenüber dem gelagerten platzierten Siliziumwafer
2b: Innere Peripherie des Aufnahmebereichs,
2c: Obere Fläche des Aufnahmebereichs
2d: Konkaver Bereich,
2e: Stegabschnitt,
2f: Rille,
3: Lagerelement,
3a: Obere Fläche des Lagerelements,
3b: Äussere Peripherie des Lagerelements,
3c: Haltebereich des Lagerelements,
3d: Untere Fläche des Haltebereichs,
3e: Stütze,
3f: Lagerteil,
3g: Untere Fläche des Trägerelements,
4: Spannvorrichtung,
5: Siliziumwafer,
5a: Filmbildungsoberfläche,
5b: Peripherie,
5c: Filmbildungsfreie Oberfläche

ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
Zitierte Patentliteratur

JP 11-329983 [0016]

Claims

Aufnahme für CVD, die in einem Filmbildungsverfahren durch CVD verwendet wird, gekennzeichnet dadurch, dass sie folgendes umfasst: einen Aufnahme-Hauptkörper; und ein Lagerelement, das auf dem Aufnahme-Hauptkörper angebracht ist und einen Siliziumwafer lagert, wobei das Lagerelement mit einem Haltebereich versehen ist, in dem der Siliziumwafer direkt platziert wird, und der Haltebereich eine untere Oberfläche besitzt, die von einer Oberfläche des Aufnahme-Hauptkörpers getrennt ist, die gegenüber und abseits vom gelagerten Siliziumwafer liegt.
Aufnahme für CVD, dadurch gekennzeichnet, dass die Aufnahme gemäss Anspruch 1 eine Struktur zur Verringerung eines Kontaktbereichs zwischen dem Lagerelement und dem Aufnahme-Hauptkörper aufweist.
Aufnahme für CVD gemäss Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass als Struktur zur Verringerung der Kontaktfläche die Aufnahme eine Struktur besitzt, in welcher der Aufnahme-Hauptkörper mit Stegabschnitten versehen ist, und das Lagerelement auf den Stegabschnitten angebracht ist.
Aufnahme für CVD gemäss Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass als die Struktur zur Verringerung der Kontaktfläche die Aufnahme eine Struktur aufweist, bei der das Lagerelement auf dem Aufnahme-Hauptkörper unter Beibehaltung eines Punktkontakts oder Linienkontakts angebracht ist.
Aufnahme für CVD, dadurch gekennzeichnet, dass die Aufnahme gemäss Anspruch 2 ferner Spannvorrichtungen aufweist, die das Lagerelement abstützen, und dass als die Struktur zur Verringerung der Kontaktfläche die Aufnahme eine Struktur aufweist, bei der das Lagerelement auf dem Aufnahme-Hauptkörper unter Aufrechtererhalten eines Punktkontakts oder Linienkontakts durch die Spannvorrichtungen angebracht ist.
Aufnahme für CVD gemäss Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass der Aufnahme-Hauptkörper ein konkaves Aufnahmeteil aufweist, das das Lagerelement umgibt, und die innere Peripherie des Aufnahmeteils ist so konfiguriert, dass sie eine geneigte Fläche hat und derart, dass ein oberes Ende davon rückseitig entfernt ist von der Mitte des Aufnahmeteils.
Aufnahme fünr CVD gemäss einem beliebigen der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass der Haltebereich so konfiguriert ist, dass er eine geneigte Oberfläche hat, und dass eine innere Peripherieseite davon näher an der Oberfläche des Aufnahme-Hauptkörpers liegt, der gegenüberliegend und abseits vom Siliziumwafer liegt, wodurch der Siliziumwafer in seinem Peripheriebereich gelagert wird.
Aufnahme für CVD gemäss einem beliebigen der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass der Haltebereich eine Ringform aufweist.
Aufnahme für CVD gemäss einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass der Haltebereich aus SiC hergestellt ist.
Filmbildungsverfahren, gekennzeichnet durch die folgenden Schritte: Anordnen eines Siliziumwafers auf einer Aufnahme, und anschliessend Erhitzen des Silicium-Wafers, während ein Quellgas dem Siliziumwafer unter Bildung eines Films auf dem Siliziumwafer durch ein CVD-Verfahren zugeführt wird, wobei die gemäss einem der Ansprüche 1 bis 9 definierte Aufnahme für CVD als Aufnahme verwendet wird.