DE112008003535T5 - Suszeptor für das epitaxiale Wachstum - Google Patents

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Abstract

Suszeptor für das epitaxiale Wachstum mit einer Aussparung, die ein Einkristallsubstat in einer Vorrichtung für das epitaxiale Wachstum horizontal hält,
wobei die Aussparung
eine äußere Umfangszone, mit der das Einkristallsubstrat so in Kontakt gelangt, dass es gehalten wird; und
eine zentrale Zone, die von der äußeren Umfangszone umgeben ist und nicht mit dem Einkristallsubstrat in Kontakt gelangt, umfasst,
wobei eine oder mehrere Durchgangsöffnungen, die den Suszeptor für das epitaxiale Wachstum durchdringen, in der zentralen Zone der Aussparung ausgebildet sind und
die äußere Umfangszone der Aussparung eine konische Form hat, die mit einem Neigungswinkel, der größer als 0° und kleiner als 1° ist derart geneigt ist, dass die Tiefe in Richtung auf die zentrale Zone zunimmt, und auch eine horizontale Breite hat, die 3,3% oder mehr eines Durchmessers des zu haltenden Einkristallsubstrats beträgt.

Description

  • TECHNISCHES GEBIET
  • Die vorliegende Erfindung betrifft einen Suszeptor für das epitaxiale Wachstum (der nachfolgend einfach als Suszeptor bezeichnet werden kann), der so konfiguriert ist, dass er ein Einkristallsubstrat während des epitaxialen Wachstums in einer Vorrichtung für das epitaxiale Wachstum hält, bei der eine epitaxiale Schicht auf dem Einkristallsubstrat abgeschieden wird.
  • STAND DER TECHNIK
  • Bei der Methode des epitaxialen Wachstums handelt es sich um eine Technologie, bei der ein Dampfphasenwachstum im Hinblick auf eine Einkristall-Dünnfilmschicht durchgeführt wird, die zur Herstellung einer integrierten Schaltung, wie beispielsweise eines bipolaren Transistors oder eines MOSLSI, verwendet wird, und sie ist eine sehr wichtige Technologie, da ein gleichförmiger Einkristall-Dünnfilm auf einem reinen Halbleiter-Einkristallsubstrat in Übereinstimmung mit einer Kristallorientierung des Substrats wachsen gelassen werden kann oder ein sehr steiler Verunreinigungsgradient eines Übergangs, der einen großen Unterschied bei einer Dotierstoffkonzentration aufweist, gebildet werden kann.
  • Als Vorrichtungen, die so konfiguriert sind, dass sie ein solches epitaxiales Wachstum bewirken, sind drei Typen üblich, nämlich ein vertikaler Typ (ein Pfannkuchen-Typ), ein Tonnen-Typ (ein Zylinder-Typ) und ein horizontaler Typ. Diese. Wachstumsvorrichtungen besitzen das übliche Grundprinzip. Die Wachstumsvorrichtung ist so konfiguriert, dass sie eine Reaktionskammer mit einem Suszeptor für das epitaxiale Wachs tum, an dem ein Einkristallsubstrat darin angebracht ist, Heizelemente zum Beispiel in Form einer Halogenlampe, die außerhalb der Reaktionskammer vorgesehen ist, und andere Elemente umfasst, und eine vertikale Vorrichtung, die Wafer nacheinander verarbeitet, wird als Einzelwaferbearbeitungs-Epitaxialwachstumsvorrichtung bezeichnet.
  • Diese Einkristallverarbeitungs-Epitaxialwachstumsvorrichtung wird nun mit Bezug auf die 9 beispielhaft erläutert. Die 9 ist eine schematische Ansicht, die ein Beispiel für eine üblicherweise verwendete allgemeine Einzelwaferbearbeitungs-Epitaxialwachstumsvorrichtung ( japanische ungeprüfte Patentveröffentlichung (Kokai) Nr. 2004-319623 ) zeigt.
  • Diese Einzelwaferbearbeitungs-Epitaxialwachstumsvorrichtung 101 umfasst eine Reaktionskammer 103, in der ein Einkristallsubstrat 102 mit einer auf seiner Oberfläche abgeschiedenen epitaxialen Schicht angeordnet ist, und in der Reaktionskammer 103 sind eine Gaseinlassöffnung 104, durch die ein Rohstoffgas/Trägergas in die Reaktionskammer 103 eingeführt wird, und eine Gasauslassöffnung 105, durch die das Gas ausströmen gelassen wird, vorgesehen. Weiter ist ein Suszeptor 106, an dem ein Einkristallsubstrat 102 angebracht ist, in der Reaktionskammer 103 vorgesehen. Es ist zu beachten, dass eine obere Wand 107 der Reaktionskammer 103 aus Quarzglas gebildet ist.
  • Außerdem ist ein Heizelement 108, wie beispielsweise eine Halogenlampe, die das Einkristallsubstrat 102 erwärmt, mindestens außen an der Reaktionskammer 103 vorgesehen.
  • Der Suszeptor 106 wird nun näher beschrieben. Die 10 zeigen einen Umriss eines Beispiels für einen herkömmlichen Suszeptor. Die 10(A) ist eine Draufsicht und die 10(B) ist eine Querschnittsansicht im Bereich eines Teils des Suszeptors.
  • Wie in den 10 gezeigt, wird eine Aussparung 110 im Suszeptor 106 ausgebildet, hat die Aussparung 110 eine äußere Umfangszone 111 und eine zentrale Zone 112, die von der äußeren Umfangszone 111 umgeben ist, und ist eine Stufe 113 an einer Grenze zwischen der äußeren Umfangszone 111 und der zentralen Zone 112 ausgebildet.
  • Die äußere Umfangszone 111 hat eine konische Form, so dass das Einkristallsubstrat 102, das einem epitaxialen Wachstum unterworfen werden soll, mit dessen Oberfläche in Kontakt kommen kann und auf dieser gehalten wird. Allerdings ist die zentrale Zone 112 über die Stufe 113 tiefer als die äußere Umfangszone 111 ausgebildet, um zu verhindern, dass das Einkristallsubstrat 102 damit in Kontakt gelangt. Weiterhin sind Durchgangsöffnungen 114 in der zentralen Zone 112 ausgebildet, um einen naturlichen Oxidfilm auf der Rückfläche des Einkristallsubstrats 102 zu entfernen, eine Halobildung zu verhindern und anderes.
  • Bei Verwendung der Einzelwaferbearbeitungs-Epitaxialwachstumsvorrichtung 101, die den herkömmlichen, in der 9 gezeigten Suszeptor 106 zur Ausbildung einer epitaxialen Schicht auf dem Einkristallsubstrat 102 umfasst, wird das Einkristallsubstrat 102 in der Aussparung 110 des Suszeptors 106 angeordnet, und das Einkristallsubstrat 102 wird mittels der Heizelemente 108 auf eine vorbestimmte Temperatur erwärmt, während das Einkristallsubstrat 102 mittels einer Haltewelle 109, die den Suszeptor 106 hält, und eines nicht veranschaulichten Drehmechanismus, der die Haltewelle 109 dreht (die Haltewelle 109 in Drehung versetzt), gedreht wird. Wenn zum Beispiel eine Silizium-Einkristallschicht in der Reaktionskammer 103 epitaxial wachsen gelassen wird, wird darüber hinaus dieses epitaxiale Wachstum dadurch erzielt, dass eine vorbestimmte Strömungsrate eines Rohstoffgases, wie beispielsweise Trichlorsilan, das mit einem Trägergas, wie beispielsweise Was serstoff, verdünnt ist, für eine bestimmte Zeit von der Gaseinlassöffnung 104 zugeführt wird.
  • Wie oben beschrieben, kann ein epitaxiales Substrat, bei dem eine epitaxiale Schicht auf dem Einkristallsubstrat 102 abgeschieden ist, erhalten werden.
  • Wenn der herkömmliche Suszeptor 106 verwendet wird, um das Einkristallsubstrat 102 zu halten und das epitaxiale Wachstum zu erzielen, strömt allerdings das Rohstoffgas von den Durchgangsöffnungen 114, die in der zentralen Zone 112 des Suszeptors 106 ausgebildet sind, zur Rückfläche des Einkristallsubstrats 102, und es kann eine Abscheidung auf der Rückfläche des Einkristallsubstrats 102 auftreten. Es gab daher das Problem, dass die Ebenheit des äußeren Umfangsabschnitts des epitaxialen Substrats vermindert war.
  • OFFENBARUNG DER ERFINDUNG
  • Daher hat der vorliegende Erfinder ein Substrat nach dem epitaxialen Wachstum genau untersucht und dadurch herausgefunden, dass eine erhebliche Abscheidung lokal insbesondere auf der äußeren Umfangsseite einer Rückfläche eines epitaxialen Substrats festzustellen ist. Außerdem hat der Erfinder entdeckt, dass diese Abscheidung auf der äußeren Umfangsseite der Rückfläche in der Nähe einer Stelle konzentriert auftritt, bei der das Einkristallsubstrat mit der äußeren Umfangszone der Aussparung des Suszeptors in Kontakt gelangt (ein Abschnitt, wo das Einkristallsubstrat die äußere Umfangszone der Aussparung in einer horizontalen Breite überlappt) und dadurch eine lokale Änderung der Dicke auf der äußeren Umfangsseite des epitaxialen Substrats auftritt. Die 10(B) zeigt auch eine Abscheidungsschicht, die lokal auf der äußeren Umfangsseite der Rückfläche des Einkristallsubstrats abgeschieden ist. Obwohl sie von der Reaktionszeit abhängt, beträgt die Dicke dieser Abscheidungsschicht ungefähr 0,05 bis 0,3 μm.
  • Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, einen Suszeptor für das epitaxiale Wachstum zur Verfügung zu stellen, mit dem verhindert werden kann, dass eine erhebliche Abscheidung lokal auf einer äußeren Umfangsseite einer Rückfläche eines Einkristallsubstrats erzeugt wird.
  • Um die Aufgabe zu lösen, stellt die vorliegende Erfindung einen Suszeptor für das epitaxiale Wachstum, der eine Aussparung aufweist, die ein Einkristallsubstrat horizontal hält, in einer Vorrichtung für das epitaxiale Wachstum zur Verfügung, wobei die Aussparung eine äußere Umfangszone hat, mit der das Einkristallsubstrat so in Kontakt kommt, dass es gehalten wird; sowie eine zentrale Zone, die von der äußeren Umfangszone umgeben ist und mit dem Einkristallsubstrat nicht in Kontakt kommt, ein oder mehrere Durchgangsöffnungen, die den Suszeptor für das epitaxiale Wachstum durchdringen, in der zentralen Zone der Aussparung ausgebildet sind und die äußere Umfangszone der Aussparung eine konische Form hat, die mit einem Neigungswinkel geneigt ist, der größer als 0° und kleiner als 1° ist, und zwar auf eine solche Weise, dass die Tiefe zur zentralen Zone hin zunimmt, und weiterhin eine horizontale Breite aufweist, die 3,3% oder mehr eines Durchmessers des zu haltenden Einkristallsubstrats ausmacht.
  • Zuerst hat der vorliegende Erfinder eine Untersuchung durchgeführt und dabei festgestellt, dass das Verringern des Neigungswinkels der äußeren Umfangszone der Aussparung im Suszeptor, das Erweitern der äußeren Umfangszone über den eines herkömmlichen Produkts hinaus und das Erweitern eines Abschnitts, wo das Einkristallsubstrat die äußere Umfangszone der Aussparung im Suszeptor überlappt, so dass die Abscheidung auf der Rückfläche des Einkristallsubstrats allmählich und kontinuierlich herge stellt werden kann, und zwar von der Seite her, die sich näher an der zentralen Seite des Einkristallsubstrats befindet, bewirkt, dass die lokale Abscheidung auf der äußeren Umfangsseite der Rückfläche des Einkristallsubstrat verhindert wird.
  • Wenn also, wie bei der vorliegenden Erfindung, der Suszeptor vorgesehen ist, mit dem das Einkristallsubstrat so in Kontakt gelangt, dass es gehalten wird, und der die konische äußere Umfangszone mit einem Neigungswinkel von größer als 0° und kleiner als 1° aufweist und eine horizontale Breite hat, die gleich oder größer als 3,3% des Durchmessers des gehaltenen Einkristallsubstrats ist, kann es anders als bei den herkömmlichen Produkten verhindert werden, dass eine lokale dicke Abscheidung auf der äußeren Umfangsseite der Rückfläche des Einkristallsubstrats erzeugt wird. Daher kann ein epitaxiales Substrat hoher Qualität mit ausgezeichneter Ebenheit des äußeren Umfangsabschnitt des epitaxialen Substrats erhalten werden.
  • Da eine oder mehrere Durchgangsöffnungen, die den Suszeptor für das epitaxiale Wachstum durchdringen, an der zentralen Zone der Aussparung ausgebildet sind, kann weiterhin der natürliche Oxidfilm auf der Rückfläche des Einkristallsubstrats wirksam entfernt werden.
  • Da die äußere Umfangszone der Aussparung eine konische Form hat, die mit einem Neigungswinkel von größer als 0° so geneigt ist, dass die Tiefe zum zentralen Abschnitt hin zunimmt, gelangt weiterhin der innere Rand der äußeren Umfangszone nicht in Kontakt mit der Rückfläche des Einkristallsubstrats, und es daher kann verhindert werden, dass die Rückfläche des Einkristallsubstrats verkratzt wird. Außerdem kann eine Abscheidung auf der äußeren Umfangsseite der Rückfläche aufgrund des Neigungswinkels, der weniger als 1° beträgt, unterbunden werden.
  • Dabei ist es insbesonders bevorzugt, dass die horizontale Breite der äußeren Umfangszone, die einem Bereich von der zentralen Zone zum äußersten Umfangsabschnitt des an der äußeren Umfangszone gehaltenen Einkristallsubstrats entspricht, gleich oder größer als 3,3% des Durchmessers des Einkristallsubstrats beträgt.
  • Eine solche Konfiguration ermöglicht es, dass sicher verhindert wird, dass eine lokale dicke Abscheidung auf der äußeren Umfangsseite der Rückfläche des Einkristallsubstrats erzeugt wird.
  • Dabei ist es bevorzugt, dass die zentrale Zone der Aussparung eine konkave Form hat, die aus einer gebogenen Fläche ausgebildet ist.
  • Das zu haltende Einkristallsubstrat kann sich aufgrund seines Eigengewichts durchbiegen, und in diesem Fall kann das Einkristallsubstrat mit der zentralen Zone der Aussparung in Kontakt gelangen, und ein Schaden, wie beispielsweise ein Kratzer oder ein Rutschen, kann in der Rückfläche des Einkristallsubstrats vergrößert werden.
  • Wenn allerdings die zentrale Zone der Aussparung die konkave Form hat, die aus der gebogenen Fläche gebildet ist, gelangt das Einkristallsubstrat nicht mit dem zentralen Bereich der Aussparung in Kontakt, welbst wenn sich das Einkristallsubstrat durchbiegt, wodurch der Zustand der Rückfläche des Einkristallsubstrats ausgezeichnet erhalten bleibt.
  • Außerdem ist es bevorzugt, dass die horizontale Breite der äußeren Umfangszone der Aussparung gleich oder größer als 5,5% und gleich oder kleiner als 7% des Durchmessers des zu haltenden Einkristallsubstrats ist.
  • Wenn die horizontale Breite der äußeren Umfangszone der Aussparung gleich oder größer als 5,5% des Durchmessers des zu haltenden Einkristallsubstrats ist, wie oben beschrieben, kann die lokale Abscheidung auf der äußeren Umfangsseite der Rückfläche des Einkristallsubstrats ausreichend verhindert werden. Wenn diese horizontale Breite gleich oder kleiner als 7% ist, wird darüber hinaus die Breite der äußeren Umfangszone nicht über Bedarf erhöht, d. h. die zentrale Zone mit den darin ausgebildeten Durchgangsöffnungen kann mit einer ausreichenden Größe sichergestellt werden, wodurch der natürliche Oxidfilm auf der Rückfläche des Einkristallsubstrats wirksam entfernt werden kann.
  • Weiter ist es bevorzugt, dass die horizontale Breite der äußeren Umfangszone, die dem Bereich von der zentralen Zone zum äußersten Umfangsabschnitt des Einkristallsubstrats, das an der äußeren Umfangszone gehalten ist, entspricht, gleich oder größer als 5,5% und gleich oder kleiner als 7% des Durchmessers des Einkristallsubstrats ist.
  • Eine solche Konfiguration ermöglicht es weiter, die lokale Abscheidung wirksam zu verhindern und den natürlichen Oxidfilm auf der Rückfläche des Einkristallsubstrats zu entfernen.
  • Weiterhin ist es möglich, dass der Suszeptor für das epitaxiale Wachstum für ein Einkristallsubstrat mit einem Durchmesser von 300 mm oder darüber verwendet wird.
  • Ein solcher Suszeptor kann wirksam verwendet werden, wenn das epitaxiale Wachstum im Hinblick auf ein Einkristallsubstrat mit einem Durchmesser von 300 mm oder darüber in Reaktion auf einen in letzter Zeit stattfindenden Durchmesseranstieg des Einkristallsubstrats durchgeführt wird.
  • Es ist bevorzugt, dass in der Aussparung die Tiefe eines inneren Rands der äußeren Umfangszone mit der Tiefe eines äußeren Rands der zentralen Zone zusammenfällt, oder eine Stufe mit einer Höhe, die weniger als 0,05 mm ist, derart ausgebildet wird, dass die Tiefe vom inneren Rand der äußeren Umfangszone zum äußeren Rand der zentralen Zone hin ansteigt.
  • Wenn eine solche Konfiguration übernommen wird, tritt eine abrupte Änderung einer Tiefenrichtung von der äußeren Umfangszone in Richtung auf die zentrale Zone der Aussparung nicht auf, und es kann eine Verschlechterung der Nanotopologie der Rückfläche des Einkristallsubstrats aufgrund dieser abrupten Änderung der Tiefenrichtung verhindert werden.
  • Wenn der Suszeptor für das epitaxiale Wachstum gemäß der vorliegenden Erfindung übernommen wird, kann der natürliche Oxidfilm auf der Rückfläche des Einkristallsubstrats wirksam während des epitaxialen Wachstums entfernt werden, und die Erzeugung einer lokalen erheblichen Abscheidung kann auf der äußeren Umfangsseite der Rückfläche des Einkristallsubstrats stark unterbunden werden, wodurch das epitaxiale Substrat mit ausgezeichneter Ebenheit des äußeren Umfangsabschnitts erhalten wird.
  • KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • 1 sind schematische Ansichten, die ein Beispiel für einen Suszeptor gemäß der vorliegenden Erfindung zeigen, worin (A) eine Draufsicht ist, (B) eine Querschnittsansicht ist und (C) eine Querschnittsansicht ist, die ein Beispiel für einen anderen Suszeptor gemäß der vorliegenden Erfindung zeigt;
  • 2 sind schematische Ansichten, worin (A) ein Beispiel für einen Suszeptor gemäß der vorliegenden Erfindung zeigt, der eine flache zentrale Zone aufweist, und (B) ein Beispiel für einen Suszeptor gemäß der vorliegenden Erfindung zeigt, der eine konkave zentrale Zone mit einer durchgebogenen Fläche hat;
  • 3 ist eine schematische Ansicht, die ein Beispiel für eine Einzelwaferbearbeitungs-Epitaxialwachstumsvorrichtung mit einem Suszeptor gemäß der vorliegenden Erfindung zeigt;
  • 4 zeigt ein Ergebnis, das ein Verhältnis zwischen einer Suszeptorform und einem Rückflächen-ZDD-Wert im Beispiel und im Vergleichsbeispiel darstellt;
  • 5 ist ein Kurve, die ein Beispiel für ein Verhältnis zwischen einem äußeren Abschnitt, der in einer radialen Richtung mehr als 120 mm vom Zentrum eines Substrats entfernt ist, und einen Rückflächen-ZDD-Wert im Beispiel zeigt;
  • 6 ist eine Kurve, die ein Beispiel eines Ergebnisses zeigt, das durch Messen eines Rückflächen-ZDD-Werts an einer Stelle erhalten wird, die in einer radialen Richtung 148 mm vom Zentrum auf dem ganzen Umfang eines Substrats in einer Umfangsrichtung im Beispiel entfernt ist;
  • 7 ist eine Kurve, die ein Beispiel für ein Verhältnis zwischen einem äußeren Abschnitt, der in einer radialen Richtung mehr als 120 mm vom Zentrum eines Substrats entfernt ist, und einem Rückflächen-ZDD-Wert im Vergleichsbeispiel zeigt;
  • 8 ist eine Kurve, die ein Beispiel für ein Ergebnis zeigt, das durch Messen eines Rückflächen-ZDD-Werts an einer Stelle erhalten wird, die 148 mm vom Zentrum in einer radialen Richtung auf dem ganzen Umfang eines Substrats in einer Umfangsrichtung im Vergleichsbeispiel entfernt ist;
  • 9 ist eine schematische Ansicht, die ein Beispiel für eine allgemeine herkömmliche Einzelwaferbearbeitungs-Epitaxialwachstumsvorrichtung zeigt; und
  • 10 sind schematische Ansichten, die ein Beispiel für einen herkömmlichen Suszeptor zeigen, worin (A) eine Draufsicht ist und (B) eine Querschnittsansicht ist.
  • BESTES VERFAHREN ZUM DURCHFÜHREN DER ERFINDUNG
  • Obwohl eine Ausführungsform gemäß der vorliegenden Erfindung nun nachfolgend beschrieben wird, ist die vorliegende Erfindung nicht darauf beschränkt.
  • Die 1 zeigen einen Umriss eines Beispiels für einen Suszeptor für das epitaxiale Wachstum gemäß der vorliegenden Erfindung. Die 1(A) ist eine Draufsicht und die 1(B) ist eine Querschnittsansicht im Bereich eines Teils des Suszeptors. Weiter ist die 1(C) eine Querschnittsansicht im Bereich eines Teils eines anderen Suszeptors.
  • Wie in den 1 gezeigt ist, wird zuerst eine Aussparung 10, die ein Einkristallsubstrat 2 aufnimmt und dasselbe horizontal hält, in einem Suszeptor 6 gemäß der vorliegenden Erfindung ausgebildet. Weiterhin hat diese Aussparung 10 eine äußere Umfangszone 11 und eine zentrale Zone 12, die von der äußeren Umfangszone 11 umgeben ist.
  • Die äußere Umfangszone 11 hat eine konische Form, und das Einkristallsubstrat 2, das einem epitaxialen Wachstum unterworfen werden soll, kommt mit dieser äußeren Umfangszone in Kontakt und wird horizontal auf ihr gehalten. Demgegenüber wird die zentrale Zone 12 an einer Stelle ausgebildet, die tiefer als die der äußeren Umfangszone 11 ist, um so zu verhindern, dass das Einkristallsubstrat 2 mit der äußeren Umfangszone 11 in Kontakt gelangt.
  • Es wird nun die zentrale Zone 12 beschrieben. Durchgangsöffnungen 14, die den Suszeptor 6 durchdringen, sind in dieser zentralen Zone 12 ausgebildet. Die Zahl der Durchgangsöffnungen 14 ist nicht besonders beschränkt, es kann ausreichen, eine oder mehrere Durchgangsöffnungen auszubilden, allerdings ist es bevorzugt, viele Durchgangsöffnungen in der ganzen Fläche der zentralen Zone 12 auszubilden. Wenn die Durchgangsöffnungen in der ganzen Fläche der zentralen Zone 12 ausgebildet sind, kann ein natürlicher Oxidfilm auf einer Rückfläche des Einkristallsubstrats 2 während des epitaxialen Wachstums von der ganzen Rückfläche entfernt werden, wodurch eine Halobildung verhindert wird.
  • Es ist zu beachten, dass die Querschnittsform, die Größe etc. der Durchgangsöffnung 14 nicht besonders beschränkt sind, und sie können jedes Mal in geeigneter Weise bestimmt werden. Sie können zum Beispiel gleich wie bei herkömmlichen Produkten sein.
  • Außerdem ist die Form (die ebene Form) der zentralen Zone 12 nicht besonders beschränkt, solange sie sich nicht mit dem Einkristallsubstrat 2 in Kontakt befindet, das mit der äußeren Umfangszone 11 in Kontakt gelangt, um gehalten zu werden. Zum Beispiel kann eine ebene Form übernommen werden. Die 2(A) zeigt ein Beispiel für eine ebene zentrale Zone 12.
  • Wenn allerdings das Einkristallsubstrat 2 auf der äußeren Umfangszone 11 gehalten wird, kann sich die zentrale Seite des Einkristallsubstrats 2 aufgrund ihres Eigengewichts tatsächlich nach unten biegen. In Anbetracht einer solchen Situation ist es bevorzugt, dass die zentrale Zone 12 eine konkave Form hat, die aus einer gebogenen Fläche gebildet wird, wie in der 2(B) gezeigt ist.
  • Wenn eine solche Konfiguration übernommen wird, selbst wenn sich das Einkristallsubstrat 2 durchbiegt, kommt die zentrale Zone 12 der Aussparung 10 im Suszeptor 6 nicht mit dem Einkristallsubstrat 2 in Kontakt, wodurch der Zustand der Rückfläche des Einkristallsubstrats 2 ausgezeichnet erhalten bleibt.
  • Es wird nun die äußere Umfangszone 11 beschrieben. Wie in der 1(B) gezeigt ist, hat die äußere Umfangszone 11 eine konische Form, die mit einem Neigungswinkel θ geneigt ist, der größer als 0° und kleiner als 1° ist, und sie ist so ausgebildet, dass ihre Tiefe in Richtung auf die zentrale Zone 12 zunehmen kann. Beim Halten des Einkristallsubstrats 2 kommt die äußere Umfangszone 11 mit einem äußeren Umfangsabschnitt einer Rückfläche des Einkristallsubstrats 2 in Kontakt.
  • Wenn hier der Neigungswinkel θ gleich oder kleiner als 0° ist, gelangt ein innerer Rand 15 der äußeren Umfangszone 11 mit der Rückfläche des Einkristallsubstrats 2 in Kontakt, und es wird ein Kratzer auf der Rückfläche des Einkristallsubstrats 2 erzeugt. Wenn andererseits der Neigungswinkel θ gleich oder größer als 1° ist, wird eine lokale Abscheidung (z. B. eine Siliziumabscheidung, wenn Trichlorsilan als Rohstoffgas verwendet wird) auf der äußeren Umfangsseite der Rückfläche des Einkristallsubstrats 2 erzeugt. Um dies zu verhindern, muss daher der Neigungswinkel θ auf einen Wert eingestellt werden, der größer als 0° und kleiner als 1° ist.
  • Darüber hinaus ist eine horizontale Breite dieser äußeren Umfangszone 11 gleich oder größer als 3,3% eines Durchmessers des Einkristallsubstrats 2. Bei einem herkömmlichen Produkt ist die horizontale Breite der äußeren Umfangszone 11 ungefähr 1%, ein Bereich, bei dem das Einkristallsubstrat 2 und die äußere Umfangszone 11 einander überlappen, schmal ist, und daher wird eine lokal dicke Abscheidung auf der äußeren Umfangsseite der Rückfläche des Einkristallsubstrats 2 erzeugt, wodurch die Ebenheit des äußeren Umfangsabschnitts eines epitaxialen Substrats negativ beeinflusst wird.
  • Wenn allerdings, wie in der vorliegenden Erfindung, der Bereich der horizontalen Breite größer als beim herkömmlichen Produkt ist, ist der Bereich, wo das Einkristallsubstrat 2 und die äußere Umfangszone 11 einander überlappen, größer, und daher kann die Abscheidung auf der Rückfläche des Einkristallsubstrats 2 allmählich und kontinuierlich von der Seite nahe dem Zentrum des Einkristallsubstrats 2 erzeugt werden (siehe 1(B)), wodurch die lokal dicke Abscheidung, wie es bei herkömmlichen Beispielen der Fall ist, nicht erzeugt wird und auf der äußeren Umfangsseite keine abrupte Änderung der Dicke auftritt.
  • Die horizontale Breite der äußeren Umfangszone 11, die gleich oder größer als 3,3% des Durchmessers des Einkristallsubstrats 2 ist, kann ausreichen, und ihre obere Grenze und andere Abmessungen sind nicht beschränkt, solange die zentrale Zone sichergestellt werden kann, aber es ist eine horizontale Breite, die gleich oder größer als 5,5% und kleiner als 7% ist, besonders bevorzugt. Wenn die horizontale Breite in einen solchen Bereich fällt, kann die lokale Abscheidung auf der äußeren Umfangsseite des Einkristallsubstrats sehr wirksam unterbunden werden, und der Bereich der zentralen Zone 12 kann auch ausreichend sichergestellt werden. Wenn der Bereich der zentralen Zone 12 ausreichend sichergestellt werden kann, kann zusammen mit der Wirkung, die durch die Durchgangsöffnungen 14 ermöglicht wird, über den umfangreichen Bereich der Rückfläche des Einkristallsubstrats 2 ein natürlicher Oxidfilm entfernt und eine Halobildung verhindert werden.
  • Weiter es ist besonders in der horizontalen Richtung bevorzugt, dass die horizontale Breite der äußeren Umfangszone 11, die dem Bereich von der zentralen Zone 12 zum äußersten Umfangsabschnitt des Einkristallsubstrats 2 entspricht, das an der äußeren Umfangszone 11 gehalten ist, eine Breite ist, die 3,3% oder mehr ist, oder eine Breite ist, die gleich oder größer als 5,5% und gleich oder kleiner als 7% des Durchmessers des Einkristallsubstrats 2 ist. Wenn eine solche Konfiguration übernommen wird, kann der Bereich, in dem das Einkristallsubstrat 2 und die äußere Umfangszone 11 einander überlappen, im Vergleich zum herkömmlichen Beispiel sicher vergrößert werden, wodurch weiter die lokale Abscheidung sicher unterbunden wird.
  • Es ist zu beachten, dass ein Spalt (Abstand) zwischen dem äußeren Rand der äußeren Umfangszone 11 und dem äußersten Umfangsabschnitt des gehaltenen Einkristallsubstrats 2 üblicherweise sehr klein ist. Im Allgemeinen wird eine Konfiguration, die an eine Größe des Einkristallsubstrats 2 angepasst ist, das über die Aussparung des Suszeptors bearbeitet wird, zweckmäßig in Bezug auf die Produktivität und anderes angepasst.
  • Außerdem ist es bei einer Beschreibung bezüglich einer Grenze zwischen der äußeren Umfangszone 11 und der zentralen Zone 12 bevorzugt, dass eine Tiefe des inneren Rands 15 der äußeren Umfangszone mit der des äußeren Rands 16 der zentralen Zone zusammenfällt, wie in der 1(B) gezeigt ist, oder dass eine Stufe 13, die eine Höhe aufweist, die weniger als 0,05 mm ist, auf eine solche Weise gebildet wird, dass die Tiefe vom inneren Rand 15 der äußeren Umfangszone zum äußeren Rand 16 der zentralen Zone hin zunimmt, wie in der 1(C) gezeigt ist. Es ist daher vorzugsweise unterbunden, dass eine Änderung der Tiefenrichtung von der äußeren Umfangszone 11 in Richtung auf die zentrale Zone 12 weniger als 0,05 mm beträgt.
  • Wenn der Neigungswinkel der äußeren Umfangszone 11 wie bei der vorliegenden Erfindung weniger als 1° beträgt, ist es möglich, wirksam zu verhindern, dass sich die Nanotopologie aufgrund eines Versatzes verschlechtert, der während des epitaxialen Wachstums an einem Abschnitt erzeugt wird, der der Grenze zwischen der äußeren Umfangszone 11 und der zentralen Zone 12 der Aussparung 10 auf der Rückfläche des Einkristallsubstrats 2 entspricht, indem unterbunden wird, dass die Änderung der Tiefenrichtung von der äußeren Umfangszone 11 zur zentralen Zone 12 hin weniger als 0,05 mm beträgt.
  • Es ist zu beachten, dass, wenn die Stufe 13 mit einer Höhe von weniger als 0,05 mm auf eine solche Weise gebildet wird, dass die Tiefe vom inneren Rand 15 der äußeren Umfangszone in Richtung auf den äußeren Rand 16 der zentralen Zone zunimmt, wie in der 1(C) gezeigt ist, die Durchgangsöffnungen 14 in der zentralen Zone 12 relativ weit von der Rückfläche des Einkristallsubstrats 2 abgesetzt sind, wodurch wirksam verhindert wird, dass eine Übertragung, die mit den Durchgangsöffnungen 14 zusammenhängt, auf die Rückfläche des Einkristallsubstrats 2 erfolgt.
  • Weiterhin kann der Suszeptor 6 gemäß der vorliegenden Erfindung mit verschiedenen Arten von Einkristallsubstraten 2 kompatibel sein, und zum Beispiel kann die Größe des Suszeptors 6 als solchem mit der Größe des zu haltenden Einkristallsubstrats 2 in Übereinstimmung gebracht werden. Der Suszeptor kann natürlich mit einem Einkristallsubstrat, das einen Durchmesser von 300 mm oder mehr hat, kompatibel sein, und er kann in Verbindung mit den jüngsten Anforderungen zur Herstellung von epitaxialen Substraten mit jeweils großem Durchmesser verwendet werden.
  • Daneben ist das Material etc. des Suszeptors 6 als solchem nicht besonders beschränkt, und der Suszeptor 6 kann beispielsweise in Abhängigkeit vom zu haltenden Einkristallsubstrat aus einem geeigneten Material ausgebildet werden. Zum Beispiel gibt es einen Suszeptor, der durch Überziehen eines Grundstoffs aus Graphit mit SiC erhalten wird.
  • Wenn das Einkristallsubstrat 2 gehalten wird und durch Verwendung des oben beschriebenen Suszeptors 6 gemäß der vorliegenden Erfindung einem epitaxialen Wachstum unterworfen wird, kann darüber hinaus der Suszeptor 6 in einer Einzelwaferbearbeitungs-Epitaxialwachstumsvorrichtung 1 zur Durchführung der Bearbeitung so angeordnet sein, wie in der 3 gezeigt ist.
  • Bei dieser Vorrichtung 1 für das epitaxiale Wachstum sind eine Reaktionskammer 3, eine Gaseinlassöffnung 4, eine Gasauslassöffnung 5, eine obere Wand 7, Heizelemente 8, eine Haltewelle 9 und anderes mit Ausnahme des Suszeptors 6 gemäß der vorliegenden Erfindung nicht besonders beschränkt, und es können Elemente, die gleich denen im herkömmlichen Beispiel sind, verwendet werden. Zusätzlich kann das Verfahren zum Ausführen des epitaxialen Wachstums als solches mit demselben Verfahren wie im herkömmlichen Beispiel durchgeführt werden.
  • Obwohl die vorliegende Erfindung nun näher auf der Grundlage von Beispielen erläutert wird, ist die vorliegende Erfindung nicht darauf beschränkt.
  • (Beispiel)
  • Es wurde eine Einzelwaferbearbeitungs-Epitaxialwachstumsvorrichtung, die in der 3 gezeigt ist und den Suszeptor gemäß der vorliegenden Erfindung umfasst, verwendet, um das epitaxiale Wachstum im Hinblick auf ein Einkristallsubstrat durchzuführen, und dann wurde eine Abscheidungsschicht auf der Rückfläche eines erhaltenen epitaxialen Substrats bewertet.
  • Ein Silizium-Einkristallsubstrat mit einem Durchmesser von 300 mm wurde als Einkristallsubstat hergestellt, Trichlorsilan wurde als Rohstoffgas verwendet und ein Wasserstoffgas wurde als Trägergas verwendet.
  • Als Suszeptor wurde einer mit einer Konfiguration hergestellt, bei dem mehrere Durchgangsöffnungen in der ganzen Oberfläche einer zentralen Zone mit einer konkaven Form ausgebildet sind, die aus einer gebogenen Fläche ohne Stufe besteht, der Neigungswinkel einer äußeren Umfangszone 0,5° oder 0,75° ist, eine horizontale Breite der äußeren Umfangszone 3,4% (horizontale Breite der äußeren Umfangszone/Durchmesser eines Silizium-Einkristallsubstrats = 0,034), 5,7% (0,057) oder 6,7% (0,067) eines Durchmessers des hergestellten Silizium-Einkristallsubstrats ist. Es ist zu beachten, dass die horizontale Breite der äußeren Umfangszone, die dem Bereich von der zentralen Zone des Suszeptors zum äußersten Umfangsabschnitt des Einkristallsubstrats entspricht, 3,1%, 5,4% bzw. 6,4% des Durchmessers des Einkristallsubstrats betrug.
  • Weiterhin wurde im Hinblick auf die Bewertung einer gewachsenen Dicke der Abscheidungsschicht auf der Rückfläche des epitaxialen Substrats ein Instrument vom optischen Interferenztyp zur Messung der Ebenheit verwendet, um eine randnahe Krümmungsgeometrie-Messmethode (ein als „ZDD” bezeichneter Geometrieparameter) zum Durchführen einer Differenzierung zweiter Ordnung im Hinblick auf einen Oberflächenversatzbetrag mit einem Radius anzuwenden. Da der ZDD eine Differenzierung zweiter Ordnung eines Radiusvektors ist, stellt er eine beschleunigte Änderung des Versatzbetrags der Rückfläche im Hinblick auf den Radius dar.
  • Die 4 zeigt ein Verhältnis zwischen einer Suszeptorform und einem erhaltenen Rückflächen-ZDD-Wert. Es ist zu beachten, dass der Rückflächen-ZDD-Wert der 4 ein Beispiel für ei nen Wert an einer Stelle ist, die in der radialen Richtung 148 mm vom Zentrum entfernt ist.
  • Wie oben beschrieben, wird unterbunden, dass jeder Wert in den Bereich von 0 nm/mm2 bis –5 nm/mm2 fällt. Es kann davon ausgegangen werden, dass ein absoluter Wert des Rückflächen-ZDD-Werts kleiner als der in dem nachfolgend beschriebenen Vergleichsbeispiel ist, und es kann unterbunden werden, dass die Abscheidungsschicht aus Silizium an der Messtelle erheblich wächst.
  • Darüber hinaus ist insbesondere der Rückflächen-ZDD-Wert 0, wenn der Neigungswinkel 0,5° ist und die horizontale Breite 5,7% oder 6,7% beträgt, und es kann davon ausgegangen werden, dass diese Fälle besonders geeignet sind, um eine lokale starke Siliziumabscheidung auf der äußeren Umfangsseite der Rückfläche zu verhindern.
  • Zusätzlich zeigt die 5 ein Beispiel für ein Verhältnis zwischen einem äußeren Abschnitt, der in der radialen Richtung mehr als 120 mm vom Zentrum des Substrats entfernt ist, und dem Rückflächen-ZDD-Wert. Dies entspricht einem Beispiel, bei dem ein Suszeptor mit einem Neigungswinkel von 0,5° und einer horizontalen Breite von 5,7% verwendet wird. Das Ausmaß der Abscheidung in der radialen Richtung des Substrats kann aus dieser Zeichnung ersehen werden.
  • In der 5 stellt die Abszisse einen Substratradius (mm) dar und die Ordinate stellt den ZDD (nm/mm2) der Rückfläche des epitaxialen Substrats dar. Wie oben beschrieben, entspricht der Rückflächen-ZDD, der durch die Ordinate dargestellt wird, einem Ergebnis, das durch das Durchführen einer Differenzierung zweiter Ordnung im Hinblick auf einen Oberflächenversatzbetrag mit einem Radius erhalten wird, und gibt eine beschleunigte Änderung des Versatzbetrags an. Da diese 5 die Rückfläche betrifft, stellt die (+)-Richtung den Versatz in Richtung auf die Vorderseite des Substrats dar und die (–)-Richtung stellt den Versatz in Richtung auf die Rückseite des Substrats dar.
  • Eine Schwankung des Rückflächen-ZDD-Werts war selbst bei einem Radiusbereich von 145 nm bis 148 nm klein, wo bei Verwendung eines herkömmlichen Suszeptors eine dicke Abscheidung abrupt erzeugt wurde, und ein lokal signifikanter Anstieg der Dicke der Abscheidungsschicht wurde nicht beobachtet.
  • Weiter zeigt die 6 ein Ergebnis, das durch Messen des Rückflächen-ZDD-Werts an einer Stelle erhalten wurde, die vom Zentrum in der radialen Richtung auf dem ganzen Umfang der Rückfläche des Substrats entlang der Umfangsrichtung 148 mm entfernt war.
  • Eine Stelle, bei der der Rückflächen-ZDD-Wert abrupt stark schwankt, wurde auf dem ganzen Umfang der Rückfläche des Substrats nicht beobachtet. Das bedeutet, dass die Abscheidung nicht lokal dick auf dem ganzen Umfang der Rückfläche des Substrats abgeschieden wurde und eine Rückfläche mit einem gleichförmigen Versatzbetrag erhalten wurde.
  • Diese Tendenzen, die in den 5 und 6 gezeigt sind, wurden auch in den Beispielen beobachtet, die einen anderen Suszeptor gemäß der vorliegenden Erfindung mit anderem Neigungswinkel und horizontaler Breite verwenden.
  • (Vergleichsbeispiel)
  • Es wurde eine Einzelwaferbearbeitungs-Epitaxialwachstumsvorrichtung, die einen Suszeptor mit einem Neigungswinkel und einer horizontalen Breite einer äußeren Umfangszone umfasst, die sich von denen der vorliegenden Erfindung unterscheiden, verwendet, um das epitaxiale Wachstum im Hinblick auf dasselbe Silizium-Einkristallsubstrat, das im Beispiel benutzt wurde, durchzuführen. Die Betriebsbedingungen mit Ausnahme des Suszeptors sind dieselben wie im Beispiel.
  • Es ist zu beachten, dass, wie in der 4 gezeigt ist, der Neigungswinkel der äußeren Umfangszone im Bereich von 0,5° bis 4° und die horizontale Breite derselben im Bereich von 1,1% bis 6,7% (0,8% bis 6,4% bei einer horizontalen Breite der äußeren Umfangszone, die dem Bereich von einer zentralen Zone des Suszeptors zum äußersten Umfangsabschnitt des Einkristallsubstrats entspricht) kombiniert wurden, um den Vorgang durchzuführen. Allerdings waren die Kombinationen im Bereich gemäß der vorliegenden Erfindung natürlich ausgeschlossen.
  • Weiterhin wurde die Untersuchung einer Abscheidungsschicht auf der Rückfläche wie beim Beispiel durchgeführt.
  • Die 4 zeigt das Verhältnis zwischen einer Suszeptorform und einem erhaltenen Rückflächen-ZDD-Wert wie im Beispiel.
  • Wie in der 4 veranschaulicht, liegt jeder Wert bei –9 nm/mm2 oder darunter, und es kann davon ausgegangen werden, dass ein absoluter Wert des Rückflächen-ZDD-Werts größer als der im Beispiel ist und eine Abscheidung an der Messstelle stark wächst. Es kann den 7 und 8 auch entnommen werden, dass die Abscheidungsschicht auf der äußeren Umfangsseite des Substrats lokal wächst.
  • Die 7 ist eine Kurve, die ein Beispiel für ein Verhältnis zwischen einem äußeren Abschnitt, der in der radialen Richtung mehr als 120 mm vom Zentrum des Substrats entfernt liegt, und dem Rückflächen-ZDD-Wert zeigt, wenn der Neigungswinkel 1° und die horizontale Breite 1,1% beträgt. Darüber hinaus zeigt die 8 ein Ergebnis, das durch Messen des Rückflächen-ZDD-Werts an jeder Stelle, die in der radialen Richtung 148 mm vom Zentrum auf dem ganzen Umfang des Substrats in der Umfangsrichtung entfernt ist, erhalten wurde.
  • Wie in der 7 gezeigt ist, kann davon ausgegangen werden, dass der Rückflächen-ZDD-Wert lokal stark variierte, d. h. die Abscheidungsschicht wuchs abrupt und dick an der äußeren Umfangsseite (nahe 148 mm) des Substrats an.
  • Außerdem schwankte, wie in der 8 gezeigt ist, der Rückflächen-ZDD-Wert stark in der Umfangsrichtung, und es kann davon ausgegangen werden, dass die Abscheidungsschicht mit einer nicht gleichförmigen Dicke abgeschieden wurde. Wenn die Siliziumabscheidung auf diese Weise nicht gleichförmig durchgeführt wurde, ist natürlich die Ebenheit des äußeren Umfangsabschnitts des Substrats verschlechtert.
  • Wie aus dem oben beschriebenen Beispiel und Vergleichsbeispiel ersichtlich ist, kann die lokal signifikante Siliziumabscheidung auf der äußeren Umfangsseite der Rückfläche des Einkristallsubstrats verhindert werden, das einem epitaxialen Wachstum unterworfen werden soll, wenn der Suszeptor für das epitaxiale Wachstum gemäß der vorliegenden Erfindung verwendet wird. Daher kann das epitaxiale Substrat mit ausgezeichneter Ebenheit des äußeren Umfangsabschnitts erhalten werden.
  • Es ist zu beachten, dass die vorliegende Erfindung nicht auf die vorstehende Ausführungsform beschränkt ist. Die vorstehende Ausführungsform stellt nur eine Veranschaulichung dar, und alle Beispiele, die weitgehend dieselbe Konfiguration haben und dieselben Funktionen und Wirkungen wie das technische, in den Ansprüchen der vorliegenden Erfindung beschriebene Konzept zeigen, sind vom technischen Umfang der vorliegenden Erfindung umfasst.
  • ZUSAMMENFASSUNG
  • Die vorliegende Erfindung stellt einen Suszeptor für das epitaxiale Wachstum mit einer Aussparung zur Verfügung, die ein Einkristallsubstrat in einer Vorrichtung für das epitaxiale Wachstum horizontal hält, wobei die Aussparung eine äußere Umfangszone, mit der das Einkristallsubstrat so in Kontakt gelangt, dass es gehalten wird; und eine zentrale Zone, die von der äußeren Umfangszone umgeben ist und nicht mit dem Einkristallsubstrat in Kontakt gelangt, umfasst, wobei eine oder mehrere Durchgangsöffnungen, die den Suszeptor für das epitaxiale Wachstum durchdringen, in der zentralen Zone der Aussparung ausgebildet sind und die äußere Umfangszone der Aussparung eine konische Form hat, die mit einem Neigungswinkel, der größer als 0° und kleiner als 1° ist, derart geneigt ist, dass die Tiefe in Richtung auf die zentrale Zone zunimmt, und auch eine horizontale Breite hat, die 3,3% oder mehr eines Durchmessers des zu haltenden Einkristallsubstrats beträgt. Als Ergebnis kann mit dem Suszeptor für das epitaxiale Wachstum verhindert werden, dass eine starke Abscheidung lokal auf einer äußeren Umfangsseite einer Rückfläche des Einkristallsubstrats entsteht.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • - JP 2004-319623 [0004]

Claims (7)

  1. Suszeptor für das epitaxiale Wachstum mit einer Aussparung, die ein Einkristallsubstat in einer Vorrichtung für das epitaxiale Wachstum horizontal hält, wobei die Aussparung eine äußere Umfangszone, mit der das Einkristallsubstrat so in Kontakt gelangt, dass es gehalten wird; und eine zentrale Zone, die von der äußeren Umfangszone umgeben ist und nicht mit dem Einkristallsubstrat in Kontakt gelangt, umfasst, wobei eine oder mehrere Durchgangsöffnungen, die den Suszeptor für das epitaxiale Wachstum durchdringen, in der zentralen Zone der Aussparung ausgebildet sind und die äußere Umfangszone der Aussparung eine konische Form hat, die mit einem Neigungswinkel, der größer als 0° und kleiner als 1° ist derart geneigt ist, dass die Tiefe in Richtung auf die zentrale Zone zunimmt, und auch eine horizontale Breite hat, die 3,3% oder mehr eines Durchmessers des zu haltenden Einkristallsubstrats beträgt.
  2. Suszeptor für das epitaxiale Wachstum nach Anspruch 1, wobei die horizontale Breite der äußeren Umfangszone, die einem Bereich von der zentralen Zone zum äußersten Umfangsabschnitt des Einkristallsubstrats entspricht, das an der äußeren Umfangszone gehalten ist, gleich oder größer als 3,3% des Durchmessers des Einkristallsubstrats ist.
  3. Suszeptor für das epitaxiale Wachstum nach Anspruch 1 oder Anspruch 2, wobei die zentrale Zone der Aussparung eine konkave Form hat, die aus einer gebogenen Fläche gebildet ist.
  4. Suszeptor für das epitaxiale Wachstum nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei die horizontale Breite der äußeren Umfangszone der Aussparung gleich oder größer als 5,5% und gleich oder kleiner als 7% des Durchmessers des zu haltenden Einkristallsubstrats ist.
  5. Suszeptor für das epitaxiale Wachstum nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei die horizontale Breite der, äußeren Umfangszone, die dem Bereich von der zentralen Zone zum äußersten Umfangsabschnitt des Einkristallsubstrats entspricht, das auf der äußeren Umfangszone gehalten wird, gleich oder größer als 5,5% und gleich oder kleiner als 7% des Durchmessers des Einkristallsubstrats ist.
  6. Suszeptor für das epitaxiale Wachstum nach einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei der Suszeptor für das epitaxiale Wachstum für ein Einkristallsubstrat mit einem Durchmesser von 300 mm oder mehr gedacht ist.
  7. Suszeptor für das epitaxiale Wachstum nach einem der Ansprüche 1 bis 6, wobei in der Aussparung eie Tiefe eines inneren Rands der äußeren Umfangszone mit der Tiefe eines äußeren Rands der zentralen Zone zusammenfällt, oder eine Stufe mit einer Höhe von weniger als 0,05 mm auf eine solche Weise ausgebildet ist, dass die Tiefe vom inneren Rand der äußeren Umfangszone in Richtung auf den äußeren Rand der zentralen Zone zunimmt.
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