EP3659173A1 - Epitaktisch beschichtete halbleiterscheibe aus einkristallinem silizium und verfahren zu deren herstellung - Google Patents

Epitaktisch beschichtete halbleiterscheibe aus einkristallinem silizium und verfahren zu deren herstellung

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EP3659173A1
EP3659173A1 EP18740798.6A EP18740798A EP3659173A1 EP 3659173 A1 EP3659173 A1 EP 3659173A1 EP 18740798 A EP18740798 A EP 18740798A EP 3659173 A1 EP3659173 A1 EP 3659173A1
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EP
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epitaxial layer
substrate wafer
semiconductor wafer
wafer
monocrystalline silicon
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EP18740798.6A
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Reinhard Schauer
Jörg HABERECHT
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Siltronic AG
Original Assignee
Siltronic AG
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Publication date
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Abstract

Halbleiterscheibe aus einkristallinem Silizium mit einem Durchmesser von nicht weniger als 300 mm und Verfahren zur Herstellung einer beschichteten Halbleiterscheibe aus einkristallinem Silizium. Die Halbleiterscheibe umfasst eine Substratscheibe aus einkristallinem Silizium und eine auf der Substratscheibe liegende epitaktische Schicht aus einkristallinem Silizium, die Dotierstoff enthält, wobei eine Ungleichmäßigkeit der Dicke der epitaktischen Schicht nicht mehr als 0,5 % und eine Ungleichmäßigkeit des spezifischen elektrischen Widerstands der epitaktischen Schicht nicht mehr als 2 % beträgt.

Description

Epitaktisch beschichtete Halbleiterscheibe aus einkristallinem Silizium und
Verfahren zu deren Herstellung
Gegenstand der Erfindung ist eine epitaktisch beschichtete Halbleiterscheibe aus einkristallinem Siliziunn mit einem Durchmesser von nicht weniger als 300 mm. Des Weiteren betrifft die Erfindung ein Verfahren zur Herstellung einer epitaktisch beschichteten Halbleiterscheibe aus einkristallinem Silizium mit einem Durchmesser von nicht weniger als 300 mm.
Stand der Technik / Probleme
Epitaktisch beschichtete Halbleiterscheiben aus einkristallinem Silizium werden als Vorprodukte zur Herstellung von elektronischen Bauelementen benötigt. Wegen überlegener elektrischer Eigenschaften werden sie häufig polierten Halbleiterscheiben aus einkristallinem Silizium vorgezogen. Das trifft beispielsweise zu, wenn es um die Herstellung von Bildsensoren geht, die auf CMOS-Technik beruhen, sogenannte CMOS image sensors oder kurz CIS-Bauelemente.
Epitaktisch beschichtete Halbleiterscheiben aus einkristallinem Silizium werden üblicherweise durch Gasphasenabscheidung (CVD) der epitaktischen Schicht auf einer Substratscheibe bei Temperaturen von 1 100 °C bis 1250 °C hergestellt.
Substratscheiben aus einkristallinem Silizium mit einem Durchmesser von nicht weniger als 300 mm werden üblicherweise in einer Vorrichtung zum Beschichten einzelner Scheiben beschichtet.
In US 2010/006261 1 A1 ist ein Verfahren zum Dünnen der Rückseite einer
Halbleiterscheibe beschrieben, das im Zuge der Herstellung von Bildsensoren, die auf der Rückseite beleuchtet werden (backside-illuminated image sensors), eingesetzt werden kann.
Um als Vorprodukt zur Herstellung von CIS-Bauelementen in Frage zu kommen, muss die epitaktisch beschichtete Halbleiterscheibe besonderen Anforderungen genügen. Die Anforderungen sind besonders anspruchsvoll, was die Dicke und den spezifischen elektrischen Widerstand (resistivity) der epitaktischen Schicht betrifft. Sowohl die Dicke als auch der spezifische elektrische Widerstand, nachfolgend Widerstand genannt, müssen über den Radius der Halbleiterscheibe möglichst gleichmäßig sein. Ein Maß zur Beschreibung der Ungleichmaßigkeit ist der Quotient der Differenz von größter und kleinster Dicke (größtem und kleinstem Widerstand) und der Summe von größter und kleinster Dicke (größtem und kleinstem Widerstand) multipliziert mit dem Faktor 100 %.
In US 2010/0213168 A1 sind verschiedene Maßnahmen zur Verbesserung der Gleichmäßigkeit der Dicke einer epitaktischen Schicht aus einkristallinem Silizium beschrieben.
In US 201 1/01 14017 A1 wird ein Verfahren zur Herstellung einer epitaktisch beschichteten Halbleiterscheibe aus einkristallinem Silizium beschrieben, wobei eine epitaktische Schicht abgeschieden wird, und die Ungleichmäßigkeit des Widerstands 4 % oder weniger ist.
Ungeachtet solcher Lehren besteht weiterhin ein Bedarf an der Verbesserung der Gleichmäßigkeit von Schichtdicke und Widerstand, insbesondere deshalb, weil es bisher an einer zufriedenstellenden Lösung mangelt, die Schichtdicke und den Widerstand in einem problematischen Randbereich, der einen Abstand bis 15 mm zum Rand der Halbleiterscheibe hat, an die Schichtdicke und den Widerstand von Bereichen mit größerem Abstand zum Rand anzugleichen. Im problematischen Randbereich nimmt die Temperatur der Substratscheibe zum Rand hin ab, weil die Substratscheibe in Randnähe Wärme durch Wärmeabstrahlung verliert. Werden keine Gegenmaßnahmen unternommen, wird die Schichtdicke einer epitaktischen Schicht, die mit einem Dotierstoff vom p-Typ dotiert ist, in diesem Bereich kleiner und der Widerstand größer. Ist der Dotierstoff vom n-Typ, wird der Widerstand kleiner.
Bekannte Gegenmaßnahmen, wie der Versuch der Einflussnahme auf das
Temperaturfeld, gehen bisher zu Lasten der Gleichmäßigkeit der Dicke der epitaktischen Schicht in Bereichen außerhalb des problematischen Randbereichs und/oder erhöhen die Anfälligkeit der Halbleiterscheibe hinsichtlich des Entstehens von Gleitungen (slip). Gleitungen entstehen insbesondere, wenn Spannungen relaxieren, die durch Temperaturunterschiede hervorgerufen wurden. Solche
Temperaturunterschiede treten vor allem im Randbereich als radiale und axiale Temperaturgradienten in Erscheinung, also als zum Rand der Substratscheibe gerichteter Temperaturabfall und als Temperaturunterschied zwischen der dort kälteren Substratscheibe und dem dort wärmeren Suszeptor.
Spannungen im Kristallgitter können mittels SIRD (scanning infrared depolarization) gemessen werden. US 2012/0007978 A1 enthält eine Beschreibung, wie SIRD- Spannungen gemessen und in Depolarisationseinheiten DU ausgedrückt werden können, sowie einen Verweis auf ein geeignetes Messinstrument.
Die Erfinder der vorliegenden Erfindung haben es sich zur Aufgabe gemacht, die Ungleichmäßigkeit der Dicke der epitaktischen Schicht und die Ungleichmäßigkeit des Widerstands der epitaktischen Schicht weiter zu verringern, ohne dass die
Halbleiterscheibe anfälliger wird, Gleitungen auszubilden.
Die Aufgabe der Erfindung wird gelöst durch eine Halbleiterscheibe aus
einkristallinem Silizium mit einem Durchmesser von nicht weniger als 300 mm, umfassend eine Substratscheibe aus einkristallinem Silizium und eine auf der
Substratscheibe liegende epitaktische Schicht aus einkristallinem Silizium, die
Dotierstoff enthält, wobei eine Ungleichmäßigkeit der Dicke der epitaktischen Schicht nicht mehr als 0,5 % und eine Ungleichmäßigkeit des spezifischen elektrischen Widerstands der epitaktischen Schicht nicht mehr als 2 % beträgt. Dicke und Widerstand der epitaktischen Schicht der Halbleiterscheibe sind demnach besonders gleichmäßig. Die Dicke der epitaktischen Schicht beträgt vorzugsweise 1 bis 20 μιτι. Die Substratscheibe enthält vorzugsweise auch einen Dotierstoff und kann darüber hinaus mit Kohlenstoff oder mit Stickstoff zusätzlich dotiert sein. Die
Halbleiterscheibe ist vorzugsweise eine pp+-Scheibe oder eine nn~-Scheibe.
Die Halbleiterscheibe hat in einem Randbereich mit einem Abstand bis 15 mm zum Rand der Halbleiterscheibe bei einem Randausschluss von 0,5 mm SIRD- Spannungen, die einen Grad an Depolarisation von vorzugsweise nicht mehr als 30 Depolarisationseinheiten hervorrufen .
Des Weiteren wird die Aufgabe gelöst durch ein Verfahren zur Herstellung einer beschichteten Halbleiterscheibe aus einkristallinem Silizium, umfassend
das Bereitstellen einer Substratscheibe aus einkristallinem Silizium mit einem
Durchmesser von nicht weniger als 300 mm;
das Ablegen der Substratscheibe auf einem Suszeptor einer Vorrichtung zum
Beschichten einzelner Scheiben, wobei die Vorrichtung einen oberen Deckel mit einem ringförmigen Bereich aufweist, der durch den ringförmigen Bereich
durchgestrahlte Strahlung in einem Randbereich der Substratscheibe bündelt;
das Erhitzen der Substratscheibe auf eine Abscheidetemperatur durch eine
Strahlungsquelle, die über dem oberen Deckel der Vorrichtung angeordnet ist;
das Abscheiden einer epitaktischen Schicht aus Silizium durch Leiten von Prozessgas über die erhitze Substratscheibe, wobei das Prozessgas Wasserstoff, Inertgas und ein Abscheidegas enthält, und das Abscheidegas Dotierstoff und eine Siliziumquelle enthält.
Das Verfahren beinhaltet Maßnahmen, welche das Abscheiden der epitaktischen Schicht im problematischen Randbereich so beeinflussen, dass der Einfluss weitgehend lokal begrenzt bleibt. So wird dafür gesorgt, dass in diesem Bereich der Widerstand ansteigt und das Temperaturfeld angepasst wird, wobei gleichzeitig vermieden wird, dass Temperaturgradienten entstehen, die Gleitungen nach sich ziehen.
Um das Abscheideergebnis insbesondere hinsichtlich des Widerstands positiv zu beeinflussen, enthält das Prozessgas neben Wasserstoff auch Inertgas. Als Inertgas kommt insbesondere Argon in Frage. Es ist aber auch möglich, ein anderes Edelgas oder eine beliebige Mischung zweier oder mehrerer Edelgase als Inertgas
einzusetzen. Vorzugsweise werden Wasserstoff und Inertgas im Volumen-Verhältnis von nicht weniger als 6 und nicht mehr als 20 über die Substratscheibe geleitet. Der zusätzliche Einsatz von Inertgas bewirkt überraschenderweise eine Zunahme des Widerstands im problematischen Randbereich und eine gewisse Verbesserung im Hinblick auf eine Vergleichmäßigung der Dicke der epitaktischen Schicht. Darüber hinaus wird die Dicke der epitaktischen Schicht im problematischen Randbereich der Substratscheibe gezielt verbessert, indem die Substratscheibe in einer Vorrichtung zum Beschichten einzelner Scheiben beschichtet wird, deren oberer Deckel in besonderer Weise strukturiert ist. Er weist einen ringförmigen Bereich auf, der, im Unterschied zu benachbarten Bereichen, durchtretende Strahlung bündelt. Der Querschnitt durch den ringförmigen Bereich des oberen Deckels ist vorzugsweise konvex nach oben gewölbt oder hat die Kontur einer Fresnel-Linse. Die gebündelte Strahlung trifft im problematischen Randbereich der Substratscheibe auf, wodurch dort die Temperatur selektiv erhöht wird. Die lokale Temperaturerhöhung im problematischen Randbereich der Substratscheibe kompensiert den Wärmeverlust, der dort durch Wärmeabstrahlung entsteht, und führt dazu, dass
Temperaturunterschiede zu weiter innen liegenden Bereichen geringer werden.
Letztendlich wird auf diese Weise die Dicke der epitaktischen Schicht im Randbereich der Substratscheibe angeglichen an die Dicke der epitaktischen Schicht in weiter innen liegenden Bereichen der Substratscheibe.
Die Erfindung wird nachfolgend unter Bezugnahme auf Zeichnungen weiter erläutert.
Kurzbeschreibung der Zeichnungen
Fig. 1a und Fig.1 b zeigen den Einfluss von Argon im Prozessgas auf die
Vergleichmäßigung der Dicke der epitaktischen Schicht.
Fig. 2 zeigt den Einfluss von Argon im Prozessgas auf die Vergleichmäßigung des Widerstands der epitaktischen Schicht.
Fig. 3 zeigt den Querschnitt einer Vorrichtung, die zum Beschichten einzelner Scheiben mittels CVD geeignet ist. Fig. 4 zeigt schematisch die Wirkungsweise eines oberen Deckels mit einem ringförmigen Bereich, der durchtretende Strahlung bündelt.
Fig. 5 zeigt die geometrische Beziehung zwischen der Position des ringförmigen Bereichs des oberen Deckels und des Randbereichs der Substratscheibe, in dem Strahlung gebündelt wird, wenn sie durch den ringförmigen Bereich des Deckels durchtritt.
Fig. 6 und Fig. 7 zeigen Aufnahmen von SIRD-Messungen an einer erfindungsgemäß hergestellten Halbleiterscheibe (Fig.6) und an einer Halbleiterscheibe (Fig.7), die nicht in erfindungsgemäßer Weise hergestellt wurde.
Fig. 8 zeigt über den Radius R den Verlauf der Abweichung Vth der Schichtdicke von einem Zielwert bei einer erfindungsgemäß hergestellten Halbleiterscheibe
(durchgezogene Linie) mit erfindungsgemäßer Schichtdicke und bei einer
Halbleiterscheibe (gestrichelte Linie), die nicht in erfindungsgemäßer Weise
hergestellt wurde.
Fig. 9 zeigt über den Radius R den Verlauf der Abweichung Vr des Widerstands von einem Zielwert einer erfindungsgemäß hergestellten Halbleiterscheibe
(durchgezogene Linie) mit erfindungsgemäßer Schichtdicke und einer
Halbleiterscheibe (gestrichelte Linie), die nicht in erfindungsgemäßer Weise
hergestellt wurde. Liste der verwendeten Bezugszeichen
1 oberer Deckel
2 unterer Deckel
3 Seitenwand
4 Substratscheibe
5 Suszeptor
6 Strahlungsquelle
7 ringförmiger Bereich des oberen Deckels
8 durchtretende Strahlung
9 epitaktische Schicht
10 Material Fig. 1 a und Fig.1 b zeigen den Einfluss von Argon im Prozessgas auf die Vergleichmäßigung der Dicke der epitaktischen Schicht. Dargestellt ist jeweils ein typischer Verlauf Abweichung der Dicke der epitaktischen Schicht von einer Zieldicke Δ über den Durchmesser d der Substratscheibe. Der Verlauf der Dicke der
epitaktischen Schicht ist im Fall von Fig. 1 b gleichmäßiger als im Fall von Fig. 1 a. Dieser Unterschied ist darauf zurückzuführen, dass das Prozessgas beim Abscheiden der epitaktischen Schicht zusätzlich Argon enthielt (Fig. 1 b), beziehungsweise kein Argon enthielt (Fig. 1 a). Argon wurde mit einem Anteil von 3 slm zugeführt. Der Anteil an Wasserstoff betrug in beiden Fällen 50 slm. Das Abscheidegas war in beiden Fällen dasselbe, ebenso die Abscheidetemperatur, nämlich 1 1 15 °C.
Fig. 2 zeigt den Einfluss von Argon im Prozessgas auf die Vergleichmäßigung des Widerstands der epitaktischen Schicht. Dargestellt sind zwei Kurven, die den Verlauf des Widerstands p über den Durchmesser d der Halbleiterscheibe zeigen. Der gleichmäßigere Widerstandsverlauf (Kurve mit quadratischen Datenpunkten) ist darauf zurückzuführen, dass das Prozessgas beim Abscheiden der epitaktischen Schicht zusätzlich Argon enthielt und im Vergleichsfall (Kurve mit rautenförmigen Datenpunkten) nicht. Argon wurde mit einem Anteil von 3 slm zugeführt. Der Anteil an Wasserstoff betrug in beiden Fällen 60 slm.
Die in Fig.3 gezeigte Vorrichtung umfasst eine Reaktorkammer, die von einem oberen Deckel („upper dorne") 1 , einem unteren Deckel („lower dorne") 2 und einer
Seitenwand 3 begrenzt wird. Der obere und untere Deckel 1 , 2 sind durchlässig für Wärmestrahlung, die von über und unter der Reaktorkammer angeordneten
Strahlungsquellen 6 abgestrahlt wird. Die epitaktische Schicht wird aus der Gasphase auf der oberen Seite der Substratscheibe 4 abgeschieden, indem Prozessgas über die durch Wärmestrahlung erhitzte Substratscheibe geleitet wird. Das Prozessgas wird durch einen Gaseinlass in der Seitenwand 3 zugeführt und das nach der
Reaktion verbleibende Abgas durch einen Gasauslass in der Seitenwand 3 abgeführt. Die dargestellte Vorrichtung repräsentiert eine Ausführungsform, die einen weiteren Gaseinlass und einen weiteren Gasauslass hat, um beispielsweise ein Spülgas in das unter der Substratscheibe vorhandene Volumen der Reaktorkammer ein- und auszuleiten zu können. Der weitere Gaseinlass und der weitere Gasauslass tragen jedoch nichts zur Lösung der vorliegenden Aufgabe bei. Während des Abscheidens der epitaktischen Schicht liegt die Substratscheibe 4 auf der Ablagefläche eines Suszeptors 5 und wird zusannnnen mit dem Suszeptor um eine Drehachse in der Mitte der Substratscheibe gedreht.
Der obere Deckel 1 weist einen ringförmigen Bereich 7 auf (Fig.4), der durchtretende Strahlung bündelt. Die Dicke des oberen Deckels 1 ist im ringförmigen Bereich 7 dicker als in den angrenzenden Bereichen. Der Querschnitt durch den ringförmigen Bereich des oberen Deckels ist vorzugsweise konvex nach oben gewölbt oder hat die Kontur einer Fresnel Linse. Auf die durchtretende Strahlung 8 wirkt der ringförmige Bereich 7 wie eine Sammellinse, die die Strahlung bündelt. Die gebündelte Strahlung trifft im Randbereich der Substratscheibe auf, der vorzugsweise einen Abstand bis 15 mm zum Rand Substratscheibe 4 hat. Die auftreffende Strahlung hebt im
Randbereich einen radialen Temperaturabfall auf, so dass dort eine vorgesehene Menge an Material 10 abgeschieden wird und die Dicke der epitaktischen Schicht 9 einen vorgesehenen Wert erreicht.
Die Position des ringförmigen Bereichs 7 des oberen Deckels und die des
Randbereichs der Substratscheibe korrelieren nach den Regeln der Strahlenoptik, wie das in Fig.5 skizziert ist. Die Länge ro bezeichnet den Abstand des ringförmigen Bereichs 7 des oberen Deckels 1 zur Senkrechten durch die Mitte des oberen
Deckels und ergibt sich aus der Differenz der Längen rs und x. Die Länge ro kann mit vorgegebenen Höhen b und h, vorgegebener Länge a und vorgegebenem Winkel α näherungsweise berechnet werden, wobei die Höhe b den Abstand der
Strahlungsquelle zur Ebene der Substratscheibe bezeichnet, die Länge rs den Abstand der Lichtquelle zur Senkrechten durch die Mitte des oberen Deckels, die Höhe h den Abstand des oberen Deckels 1 zur Substratscheibe 4, die Länge x den Abstand des ringförmigen Bereichs 7 zur Höhe b, die Länge a den größten Abstand des Randbereichs der Substratscheibe zur Höhe b und der Winkel α den der Basis gegenüberliegenden Winkel eines Dreiecks mit der Höhe b und der Länge a als Basis. Detaillierte Beschreibung erfindungsgemäßer Ausführungsbeispiele
Es wurden Halbleiterscheiben aus einkristallinem Silizium nach dem
erfindungsgemäßen Verfahren hergestellt und zum Zweck eines Vergleichs auch Halbleiterscheiben nach einem davon abweichenden Verfahren.
Substratscheiben aus einkristallinem Silizium mit einem Durchmesser von 300 mm wurden in einer Einzelscheibenvorrichtung gemäß Fig. 3 mit einer epitaktischen Schicht aus Silizium beschichtet, nachdem sie von einem Einkristall abgetrennt, geschliffen, geätzt und poliert worden waren.
Bei Anwendung des erfindungsgemäßen Verfahrens hatte die Vorrichtung einen oberen Deckel mit einem ringförmigen Bereich, der durchgestrahlte Strahlung in einem Randbereich der Substratscheibe bündelte. Bei Anwendung des abweichenden Verfahrens fehlt dem oberen Deckel diese Struktur.
Bei Anwendung des erfindungsgemäßen Verfahrens bestand das Prozessgas aus Wasserstoff (70 slm), Argon (5 slm) und Abscheidegas (Tnchlorsilan (6 slm), Diboran (50 ppm in Wasserstoff (180 sccm)) verdünnt in 4 I Wasserstoff ), und die epitaktische Schicht wurde bei einer Temperatur von 1 130 °C abgeschieden.
Bei Anwendung des abweichenden Verfahrens bestand das Prozessgas nur aus Wasserstoff (55 slm) und Abscheidegas (Tnchlorsilan (10 slm), Diboran (50 ppm in Wasserstoff (180 sccm)) verdünnt in 4 I Wasserstoff), und die epitaktische Schicht wurde bei einer Temperatur von 1 125 °C abgeschieden.
Fig. 6 zeigt die Aufnahme einer SIRD-Messung an einer erfindungsgemäß
hergestellten Halbleiterscheibe. Der Grad der Depolarisation blieb im bevorzugten Umfang. In keiner der Messzellen war der Grad an Depolarisation größer als 30 DU. Im Fall der Halbleiterscheibe, die nach dem abweichenden Verfahren hergestellt wurde, waren 0,907 % der Messzellen wegen eines Grads an Depolarisation von mehr als 30 DU auffällig (Fig.7). Die SIRD-Messung wurde mit einem Instrument SIRD-AB300 der PVA TePla AG durchgeführt, wobei zur Auswertung ein
Polarkoordinaten-Gitter mit einer Zellgröße von 1 mm (Radius) und 2 mm (Azimut) über die Messfläche gelegt wurde. Für jede Zelle des Gitters wurde der Grad der Depolarisation bestimmt. Eine Depolarisationseinheit DU entspricht einem Grad an Depolarisation von 1 x 10"6. Dargestellt ist jeweils der ausgerollte Umfangsbereich der Halbleiterscheibe mit einem Abstand von 4,5 mm und weniger zum Rand der
Halbleiterscheibe und mit der Notch-Position (pos = 0°) in der Mitte. Der
Umfangsbereich mit einem Abstand von 15 mm bis 4,5 mm zum Rand der
Halbleiterscheibe ist nicht dargestellt, weil dort in beiden Fällen die SIRD-Spannung unauffällig war. Fig. 8 zeigt über den Radius R den Verlauf der Abweichung Vth der Schichtdicke von einem Zielwert bei einer erfindungsgemäß hergestellten Halbleiterscheibe
(durchgezogene Linie) und bei einer Halbleiterscheibe (gestrichelte Linie), die nach dem abweichenden Verfahren hergestellt wurde. Nur die erfindungsgemäß
hergestellte Halbleiterscheibe erfüllte das erfindungsgemäße Kriterium bezüglich der Schichtdicke.
Fig. 9 zeigt über den Radius R den Verlauf der Abweichung Vr des Widerstands von einem Zielwert bei einer erfindungsgemäß hergestellten Halbleiterscheibe
(durchgezogene Linie) und bei einer Halbleiterscheibe (gestrichelte Linie), die nach dem abweichenden Verfahren hergestellt wurde. Nur die erfindungsgemäß
hergestellte Halbleiterscheibe erfüllte das erfindungsgemäße Kriterium bezüglich des Widerstands.
Die vorstehende Beschreibung beispielhafter Ausführungsformen ist exemplarisch zu verstehen. Die damit erfolgte Offenbarung ermöglicht es dem Fachmann einerseits, die vorliegende Erfindung und die damit verbundenen Vorteile zu verstehen, und umfasst andererseits im Verständnis des Fachmanns auch offensichtliche
Abänderungen und Modifikationen der beschriebenen Strukturen und Verfahren. Daher sollen alle derartigen Abänderungen und Modifikationen sowie Äquivalente durch den Schutzbereich der Ansprüche abgedeckt sein.

Claims

Patentansprüche
1 . Halbleiterscheibe aus einkristallinem Siliziunn mit einem Durchmesser von nicht weniger als 300 mm, umfassend
eine Substratscheibe aus einkristallinem Silizium und eine auf der Substratscheibe liegende epitaktische Schicht aus einkristallinem Silizium, die Dotierstoff enthält, wobei eine Ungleichmäßigkeit der Dicke der epitaktischen Schicht nicht mehr als 0,5 % und eine Ungleichmäßigkeit des spezifischen elektrischen Widerstands der epitaktischen Schicht nicht mehr als 2 % beträgt.
2. Halbleiterscheibe nach Anspruch 1 , wobei die Dicke der epitaktischen Schicht nicht weniger als 1 μιτι und nicht mehr als 20 μιτι beträgt.
3. Halbleiterscheibe nach Anspruch 1 oder Anspruch 2, wobei die Halbleiterscheibe in einem Randbereich mit einem Abstand bis 15 mm zum Rand der Halbleiterscheibe bei einem Randausschluss von 0,5 mm SIRD-Spannungen aufweist, die einen Grad an Depolarisation von nicht mehr als 30 Depolarisationseinheiten hervorrufen.
4. Verfahren zur Herstellung einer beschichteten Halbleiterscheibe aus einkristallinem Silizium, umfassend
das Bereitstellen einer Substratscheibe aus einkristallinem Silizium mit einem
Durchmesser von nicht weniger als 300 mm;
das Ablegen der Substratscheibe auf einem Suszeptor einer Vorrichtung zum
Beschichten einzelner Scheiben, wobei die Vorrichtung einen oberen Deckel mit einem ringförmigen Bereich aufweist, der durch den ringförmigen Bereich
durchgestrahlte Strahlung in einem Randbereich der Substratscheibe bündelt;
das Erhitzen der Substratscheibe auf eine Abscheidetemperatur durch eine
Strahlungsquelle, die über dem oberen Deckel der Vorrichtung angeordnet ist;
das Abscheiden einer epitaktischen Schicht aus Silizium durch Leiten von Prozessgas über die erhitze Substratscheibe, wobei das Prozessgas Wasserstoff, Inertgas und ein Abscheidegas enthält, und das Abscheidegas Dotierstoff und eine Siliziumquelle enthält.
5. Verfahren nach Anspruch 4, wobei der Randbereich der Substratscheibe einen Abstand bis 15 mm zu einem Rand der Substratscheibe hat.
6. Verfahren nach Anspruch 4 oder Anspruch 5, umfassend das Leiten von Wasserstoff und Inertgas im Volumen-Verhältnis von nicht weniger als 6 und nicht mehr als 20 über die erhitzte Substratscheibe.
7. Verfahren nach einem der Ansprüche 4 bis 6, wobei der Querschnitt durch den ringförmigen Bereich des oberen Deckels konvex nach oben gewölbt ist oder die Kontur einer Fresnel-Linse hat.
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102019216267A1 (de) 2019-10-23 2021-04-29 Siltronic Ag Verfahren zur Herstellung von Halbleiterscheiben
FI3940124T3 (fi) 2020-07-14 2024-04-03 Siltronic Ag Kidekappale yksikiteisestä piistä
CN114093989B (zh) * 2021-09-30 2023-11-14 华灿光电（浙江）有限公司 深紫外发光二极管外延片及其制造方法

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6441212A (en) * 1987-08-07 1989-02-13 Nec Corp Semiconductor crystal growth method
JP2781616B2 (ja) 1989-09-29 1998-07-30 株式会社日立製作所 半導体ウエハの熱処理装置
US5227330A (en) * 1991-10-31 1993-07-13 International Business Machines Corporation Comprehensive process for low temperature SI epit axial growth
JP2822756B2 (ja) * 1992-03-10 1998-11-11 日本電気株式会社 気相成長装置およびその薄膜形成方法
JP2000091237A (ja) 1998-09-09 2000-03-31 Shin Etsu Handotai Co Ltd 半導体ウェーハの製造方法
JP2002064069A (ja) 2000-08-17 2002-02-28 Tokyo Electron Ltd 熱処理装置
US6437290B1 (en) * 2000-08-17 2002-08-20 Tokyo Electron Limited Heat treatment apparatus having a thin light-transmitting window
DE10065895C1 (de) * 2000-11-17 2002-05-23 Infineon Technologies Ag Elektronisches Bauteil mit Abschirmung und Verfahren zu seiner Herstellung
US6879777B2 (en) * 2002-10-03 2005-04-12 Asm America, Inc. Localized heating of substrates using optics
JP5216183B2 (ja) * 2004-04-13 2013-06-19 日産自動車株式会社 半導体装置
US8501594B2 (en) * 2003-10-10 2013-08-06 Applied Materials, Inc. Methods for forming silicon germanium layers
DE102004054564B4 (de) * 2004-11-11 2008-11-27 Siltronic Ag Halbleitersubstrat und Verfahren zu dessen Herstellung
DE102006055038B4 (de) 2006-11-22 2012-12-27 Siltronic Ag Epitaxierte Halbleiterscheibe sowie Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer epitaxierten Halbleiterscheibe
US7820527B2 (en) * 2008-02-20 2010-10-26 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Cleave initiation using varying ion implant dose
DE102008023054B4 (de) 2008-05-09 2011-12-22 Siltronic Ag Verfahren zur Herstellung einer epitaxierten Halbleiterscheibe
US8048807B2 (en) 2008-09-05 2011-11-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method and apparatus for thinning a substrate
JP5141541B2 (ja) 2008-12-24 2013-02-13 株式会社Ｓｕｍｃｏ エピタキシャルウェーハの製造方法
DE102009010556B4 (de) 2009-02-25 2013-11-07 Siltronic Ag Verfahren zur Herstellung von epitaxierten Siliciumscheiben
JP5446760B2 (ja) 2009-11-16 2014-03-19 株式会社Ｓｕｍｃｏ エピタキシャル成長方法
KR20110087440A (ko) * 2010-01-26 2011-08-03 주식회사 엘지실트론 반도체 제조용 서셉터 및 이를 포함하는 반도체 제조 장치
DE102010026351B4 (de) 2010-07-07 2012-04-26 Siltronic Ag Verfahren und Vorrichtung zur Untersuchung einer Halbleiterscheibe
JP2012146697A (ja) 2011-01-06 2012-08-02 Shin Etsu Handotai Co Ltd エピタキシャルウェーハの製造装置及び製造方法
JP5470414B2 (ja) 2012-03-09 2014-04-16 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置及び電子機器
CN104142259A (zh) * 2013-05-10 2014-11-12 河南协鑫光伏科技有限公司 一种太阳能单晶硅测试样片的制作方法

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SG11202000675TA (en) 2020-02-27
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