DE102016113874B4 - Substratträger - Google Patents

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Abstract

Substratträger (100b), umfassend:
eine Trägerplatte (102), umfassend mindestens eine Substrataufnahmeregion (104, 114), die mindestens einen ersten Vertiefungsabschnitt (104a, 114a) umfasst, der eine erste Tiefe (124a) aufweist, und mindestens einen zweiten Vertiefungsabschnitt (104b, 114b), der eine zweite Tiefe (124b) aufweist, wobei die zweite Tiefe (124b) größer als die erste Tiefe (124a) ist,
wobei der mindestens eine zweite Vertiefungsabschnitt (104b, 114b) mindestens teilweise den mindestens einen ersten Vertiefungsabschnitt (104a, 114a) umgibt; und
eine Trägerplatten-Montagestruktur, die zum Abstützen der Trägerplatte (102) konfiguriert ist,
wobei die mindestens eine Substrataufnahmeregion (104, 114) mindestens ein lösbares Abstützelement (602) aufweist, das den mindestens einen ersten Vertiefungsabschnitt mindestens teilweise bildet;
mindestens eine Öffnung (502), in der das mindestens eine Abstützelement (602) aufgenommen ist, wobei sich die Öffnung von der zweiten Tiefe (124b) aus in die Trägerplatte (102) hinein erstreckt.

Description

  • Verschiedene Ausführungsformen betreffen allgemein einen Substratträger.
  • Allgemein kann ein Wafer (auch als Substrat bezeichnet) verarbeitet, z. B. beschichtet, dotiert oder strukturiert, werden, um Halbleiterchips zu bilden (auch als integrierte Schaltung, IC, Chip oder Mikrochip bezeichnet). Zum Handhaben des Wafers während der Verarbeitung kann der Wafer in einer Wafertasche eines Waferhalters (auch als Waferträger bezeichnet) angeordnet werden, wobei ein Waferhalter auch mehr als eine Wafertasche zum Halten von mehr als einem Wafer aufweisen kann. Der Waferhalter muss hohen Temperaturen standhalten, wobei der Waferhalter während der Verarbeitung des Wafers freigelegt werden kann. Daher weist der Waferhalter typischerweise eine Beschichtung aus Siliciumcarbid (SiC) auf, die hochtemperaturbeständig ist. Die US 3 539 759 A beschreibt einen Suszeptor aus Graphit mit abgestuften Vertiefungen. Die JPS55- 121 648 A beschreibt eine Trägerplatte mit Vertiefungen, von denen jede Vertiefungen mit einer noch tiefer gehenden Bohrung überlappt. Die EP 0 092 435 A1 beschreibt eine Trägerplatte mit einer abgestuften Vertiefung. Die JPS61-288 416 A beschreibt eine Trägerplatte mit einer Vertiefung, die einen konkaven oder geriffelten Boden aufweist. Die KR 10 2002 0 058 152 A beschreibt eine Trägerplatte mit einer abgestuften Vertiefung. Die US 2010/0 227 455 A1 beschreibt eine Trägerplatte mit einer Vertiefung, deren Rand nach oben hervorgestülpt ist. Die US 2010/0 055 318 A1 beschreibt eine Trägerplatte aus Karbid mit einer abgestuften Vertiefung, deren Boden konvex gewölbt ist. Die WO 2015/ 044 748 A1 beschreibt einen Suszeptor aus Graphit mit einer abgestuften Vertiefung, wobei der Suszeptor an Stellen neben der Vertiefung mit Siliziumkarbid beschichtet ist. In den Suszeptor soll eine Suszeptoreinlage eingelegt werden, welche das Substrat mechanisch von der Trägerplatte entkoppelt hält. DE 10 2013 114 203 A1 beschreibt einen Waferträger, dessen Grundkörper aus Graphit ist, eine abgestufte Vertiefung aufweist sowie vollständig mit Bornitrid ummantelt ist. Ferner seien die US 2012/0 107 990 A1 , die JP 2012 - 84 683 A und die US 2008 /0 314 319 A1 erwähnt.
  • Der Wafer kann in der Halbleitertechnologie verarbeitet werden, z. B. in der SiC-Technologie, in der eine Epitaxie-SiC-Schicht auf einem SiC-Wafer ausgebildet werden kann. In diesem Fall kann die benötigte Prozesstemperatur auch den Waferhalter beeinträchtigen, z. B. die SiC-Beschichtung, die teilweise verdampfen und auf den Wafer abscheiden kann.
  • Die Aufnahme von SiC auf der Waferrückseite führt zu einer SiC-WaferRückseitenabscheidung, welche die Topologie des Wafers verändert. Zum Beispiel kann die SiC-Rückseitenabscheidung die weiteren Verarbeitungsschritte stören, und kann u.a. eine Rückseitenmetallisierung bilden, welche die elektrischen Eigenschaften der einsatzbereiten verarbeiteten Chips stören kann, z. B. den Vorwärtsspannungsabfall (VR-Abfall) im hergestellten Bauelement. Des Weiteren bewirkt die SiC-Rückseitenabscheidung eine wesentliche lokale Waferdickenvariation, welche den präzisen Fokus des Wafers für die Lithografie komplizierter machen kann. All diese Verschlechterungen können den Topologieveränderungen aufgrund der Rückseitenabscheidung zugeschrieben werden.
  • Aufgrund der hohen Prozesstemperatur in der SiC-Technologie kann der Wafer hohen Wärmespannungen ausgesetzt sein, die den Wafer verformen können, z. B. den Wafer verbiegen und/oder auswölben. Die Verformung des Wafers kann die Dickenhomogenität der Epitaxieschicht und die Homogenität der Schichtdotierungskonzentration beeinträchtigen. Des Weiteren neigt der verformte Wafer dazu, aus der Wafertasche zu rutschen, wodurch der Prozess unkontrollierbar wird, insbesondere in Zusammenhang mit der Dickenhomogenität der Epitaxieschichten, die auf dem Wafer ausgebildet sind, oder der Homogenität der Dotierungskonzentration. Daher ist die Eignung einer herkömmlichen Herstellungsumgebung für das Epitaxieschichtwachstum in der SiC-Technologie stark eingeschränkt.
  • Des Weiteren dreht in einer herkömmlichen Waferprozessumgebung der Halter während der SiC-Verarbeitung um seine Achse, z. B. während des Epitaxieschichtwachstums. Die relative Position des Wafers im Hinblick auf den Waferhalter ist jedoch fest. Mit anderen Worten wird der Wafer im Hinblick auf den Waferhalter selbst nicht gedreht. Daher zeigen die On-Wafer-Dicke und Dotierungsprofile keine Drehsymmetrie und ihre Homogenität ist folglich eingeschränkt, was das Potential für die Prozessverbesserung einschränkt.
  • Die sich daraus ergebende Aufgabe wird gelöst durch den Gegenstand gemäß dem Patentanspruch 1. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein Substratträger aufweisen: eine Trägerplatte, die mindestens einen ersten Vertiefungsabschnitt bzw. eine Vielzahl von Substrataufnahmeregionen aufweist, wobei jede Substrataufnahmeregion mindestens einen ersten Vertiefungsabschnitt aufweist, der eine erste Tiefe aufweist, und mindestens einen zweiten Vertiefungsabschnitt, der eine zweite Tiefe aufweist, wobei die zweite Tiefe größer als die erste Tiefe ist; wobei der mindestens eine zweite Vertiefungsabschnitt mindestens teilweise den mindestens einen ersten Vertiefungsabschnitt umgibt; und eine Trägerplatten-Montagestruktur, die zum Abstützen der Trägerplatte konfiguriert ist; wobei die mindestens eine Substrataufnahmeregion mindestens ein lösbares Abstützelement aufweist, das den mindestens einen ersten Vertiefungsabschnitt mindestens teilweise bildet; mindestens eine Öffnung, in der das mindestens eine Abstützelement aufgenommen ist, wobei sich die Öffnung von der zweiten Tiefe aus in die Trägerplatte hinein erstreckt.
  • In den Zeichnungen verweisen gleiche Bezugszeichen im Allgemeinen auf dieselben Teile in den verschiedenen Ansichten. Die Zeichnungen sind nicht notwendigerweise maßstabsgetreu; stattdessen wird allgemein Wert auf Veranschaulichung der Grundsätze der Erfindung gelegt. In der folgenden Beschreibung werden diverse Ausführungsformen der Erfindung unter Bezugnahme auf die folgenden Zeichnungen beschrieben, in welchen:
    • 1A einen Substratträger in einer Draufsicht gemäß einem Vergleichsbeispiel, welches bis auf das Abstützelement verschiedene Aspekte gemäß verschiedenen Ausführungsformen erläutert, zeigt;
    • 1B und 1C jeweils einen Substratträger in einer Querschnittsansicht gemäß einem Vergleichsbeispiel, welches bis auf das Abstützelement verschiedene Aspekte gemäß verschiedenen Ausführungsformen erläutert, zeigen;
    • 2A einen Substratträger in einer Draufsicht gemäß einem Vergleichsbeispiel, welches bis auf das Abstützelement verschiedene Aspekte gemäß verschiedenen Ausführungsformen erläutert, zeigt;
    • 2B einen Substratträger in einer Querschnittsansicht gemäß einem Vergleichsbeispiel, welches bis auf das Abstützelement verschiedene Aspekte gemäß verschiedenen Ausführungsformen erläutert, zeigt;
    • 3A bis 3D jeweils einen Substratträger in einer Querschnittsansicht gemäß einem Vergleichsbeispiel, welches bis auf das Abstützelement verschiedene Aspekte gemäß verschiedenen Ausführungsformen erläutert, zeigen;
    • 4 einen Substratträger in einer Draufsicht gemäß einem Vergleichsbeispiel, welches bis auf das Abstützelement verschiedene Aspekte gemäß verschiedenen Ausführungsformen erläutert, zeigt;
    • 5A bis 5D jeweils einen Substratträger in einer Querschnittsansicht gemäß einem Vergleichsbeispiel, welches bis auf das Abstützelement verschiedene Aspekte gemäß verschiedenen Ausführungsformen erläutert, zeigen;
    • 6A und 6B jeweils einen Substratträger in einer Querschnittsansicht gemäß verschiedenen Ausführungsformen zeigen;
    • 6C einen Substratträger in einer Querschnittsansicht gemäß einem Vergleichsbeispiel, welches bis auf die Öffnung zum Aufnehmen des Abstützelements verschiedene Aspekte gemäß verschiedenen Ausführungsformen erläutert, zeigt;
    • 6D ein Abstützelement in einer Draufsicht gemäß verschiedenen Ausführungsformen zeigt;
    • 7A bis 7D jeweils Abstützelemente in einer Draufsicht gemäß verschiedenen Ausführungsformen zeigen;
    • 8 ein Verarbeitungsbauelement in einer Querschnittsansicht gemäß einem Vergleichsbeispiel zeigt; und
    • 9 ein Verfahren in einem schematischen Flussdiagramm gemäß einem Vergleichsbeispiel zeigt.
  • Die folgende ausführliche Beschreibung bezieht sich auf die beigefügten Zeichnungen, die zur Veranschaulichung spezifische Einzelheiten und Ausführungsformen zeigen, in denen die Erfindung ausgeübt werden kann.
  • Das Wort „beispielhaft“ wird hier mit der Bedeutung „als ein Beispiel, eine Instanz oder Veranschaulichung dienend“ verwendet. Irgendeine Ausführungsform oder ein Konzept, das hier als „beispielhaft“ beschrieben ist, darf nicht notwendigerweise als bevorzugt oder vorteilhaft gegenüber anderen Ausführungsformen oder Konzepten ausgelegt werden.
  • Das Wort „über“, das in Zusammenhang mit einem abgelagerten Material, das „über“ einer Seite oder Oberfläche gebildet wird, verwendet wird, kann hier mit der Bedeutung verwendet werden, dass das abgelagerte Material „direkt auf‟, zum Beispiel in direktem Kontakt mit der betreffenden Seite oder Oberfläche gebildet werden kann. Das Wort „über“, das in Zusammenhang mit einem abgelagerten Material, das „über“ einer Seite oder Oberfläche gebildet wird, verwendet wird, kann hier mit der Bedeutung verwendet werden, dass das abgelagerte Material „indirekt auf‟ der betreffenden Seite oder Oberfläche mit einer oder mehreren zusätzlichen Schichten, die zwischen der betreffenden Seite oder Oberfläche und dem abgelagerten Material eingerichtet sind, gebildet werden kann.
  • Das Wort „lateral“, das in Zusammenhang mit „lateraler“ Ausdehnung einer Struktur (oder eines Substrats, eines Wafers oder eines Trägers) oder als „lateral“ neben verwendet wird, kann sich auf Ausdehnung oder eine Positionsbeziehung entlang einer Oberfläche eines Substrats, eines Wafers oder eines Trägers beziehen. Das bedeutet, dass eine Oberfläche eines Substrats (z. B. eine Oberfläche eines Trägers, oder eine Oberfläche eines Wafers) als Referenz dienen kann, die allgemein als die Hauptverarbeitungsoberfläche des Substrats bezeichnet wird (oder die Hauptverarbeitungsfläche des Trägers oder Wafers). Das Wort „Breite“, das in Zusammenhang mit einer „Breite“ einer Struktur (oder eines Strukturelements) verwendet wird, kann hierin ferner in der Bedeutung der lateralen Ausdehnung einer Struktur verwendet werden. Das Wort „Höhe“, das in Zusammenhang mit einer Höhe einer Struktur (oder eines Strukturelements) verwendet wird, kann hierin in der Bedeutung einer Ausdehnung einer Struktur entlang einer Richtung verwendet werden, die senkrecht zu der Oberfläche eines Substrats verläuft (z. B. senkrecht zu der Hauptverarbeitungsoberfläche eines Substrats). Das Wort „Dicke“, das in Zusammenhang mit einer „Dicke“ einer Schicht verwendet wird, kann hierin in der Bedeutung der räumlichen Ausdehnung der Schicht, die senkrecht zu der Oberfläche der Stütze (des Materials) verläuft, auf welche die Schicht abgeschieden wird, verwendet werden. Wenn die Oberfläche der Stütze parallel zu der Oberfläche des Substrats (z. B. zur Hauptverarbeitungsoberfläche) verläuft, kann die „Dicke“ der Schicht, die auf der Stütze abgeschieden wird, der Höhe der Schicht entsprechen. Ferner bezieht sich eine „vertikale“ Struktur auf eine Struktur, die sich in einer Richtung erstreckt, die senkrecht zur lateralen Richtung verläuft (z. B. senkrecht zur Hauptbearbeitungsoberfläche eines Substrats) und eine „vertikale“ Ausdehnung kann sich auf eine Ausdehnung entlang einer Richtung beziehen, die senkrecht zur lateralen Richtung (z. B. einer Ausdehnung, die senkrecht zur Hauptbearbeitungsoberfläche eines Substrats ist) verläuft.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen können einer oder mehrere Halbleiterchips (auch integrierte Schaltung, IC, Chip oder Mikrochip genannt) in oder auf dem Wafer (auch Substrat) ausgebildet werden, z. B. durch Verarbeitung des Wafers, z. B. nach dem Epitaxieprozess. Der Epitaxieprozess kann das Ausbilden einer epitaxialen SiC-Schicht auf dem Wafer einschließen, z. B. mithilfe der chemischen Dampfabscheidung (chemical vapor deposition = CVD). Zur Veranschaulichung kann die epitaxiale SiC-Schicht eine hohe Kristallqualität, hohe Reinheit und/oder hohe Homogenität bereitstellen. Die epitaxiale SiC-Schicht kann weiter verarbeitet werden, z. B. dotiert, strukturiert, beschichtet, elektrisch verbunden usw., um eine oder mehrere Schaltungskomponenten des einen oder der mehreren Halbleiterchips zu bilden.
  • Die Halbleiterchips können von dem Wafer durch Entfernen von Material aus einer Schnittfugenregion des Wafers (auch Trennschleifen oder Schneiden des Wafers genannt) vereinzelt werden. Mit anderen Worten kann der Halbleiterchip durch ein Wafertrennschleifverfahren vereinzelt werden. Nach dem Wafertrennschleifverfahren kann der Halbleiterchip elektrisch kontaktiert und in einem Chipträger (auch Chipgehäuse genannt) verkapselt werden, z. B. durch Gussmaterialien, der dann für die Verwendung in elektronischen Bauelementen wie Computern, Lichtquellen oder Leistungselektronik-Bauelementen verwendet werden kann. Zum Beispiel kann der Halbleiterchip über Drähte an einen Chipträger gebondet werden und der Chipträger kann auf eine Druckleiterplatte gelötet werden. Wahlweise kann das Substrat gedünnt werden, z. B. nach dem Epitaxieprozess und vor den nachfolgenden Prozessschritten und/oder vor der Verkapselung. Das Dünnen des Wafers kann höhere Produktionskosten verursachen und, wenn die Verarbeitung nach dem Epitaxieprozess erfolgt, möglicherweise Fehler aufgrund der zusätzlichen Behandlung des Wafers mit einer nicht verkapselten Epitaxieschicht, die auf der Vorderseite des Wafers freiliegt, erhöhen.
  • 1A zeigt einen Substratträger 100a in einer Draufsicht gemäß einem Vergleichsbeispiel, welches bis auf das Abstützelement verschiedene Aspekte gemäß verschiedenen Ausführungsformen erläutert, z. B. entlang einer Blickrichtung senkrecht zu einer lateralen Plattenebene (die laterale Plattenebene kann sich in Richtung 103 und Richtung 101 erstrecken).
  • Der Substratträger 100a kann eine Trägerplatte 102 aufweisen. Die Trägerplatte 102 kann ein Material einschließen oder daraus gebildet sein (auch als festes Material oder Plattenmaterial bezeichnet), das bei Prozesstemperatur chemisch stabil ist, das z. B. bei Prozesstemperatur fest bleibt. Die Trägerplatte 102 kann ferner eine Beschichtung (Plattenbeschichtung) aufweisen, die z. B. das Plattenmaterial mindestens teilweise bedeckt. Die Plattenbeschichtung kann bei Prozesstemperatur chemisch stabil sein, z. B. bei Prozesstemperatur fest bleiben. In der Darstellung kann die Plattenbeschichtung die mechanische Robustheit und/oder chemische Robustheit der Trägerplatte 102, z. B. ihres Plattenmaterials, erhöhen. Zum Beispiel kann die Plattenbeschichtung die Diffusion von Gasen in die Trägerplatte 102 vermeiden.
  • Das Plattenmaterial und/oder die Plattenbeschichtung können bis zu einer Temperatur von größer als oder gleich 1450°C fest sein, z. B. größer als oder gleich 1600°C, z. B. größer als oder gleich 1800°C, z. B. größer als oder gleich 2000°C, z. B. größer als oder gleich 2200°C, z. B. in dem Bereich von 1450°C bis 1850°C, z. B. etwa 1630 °C. Mit anderen Worten können das Plattenmaterial und/oder die Plattenbeschichtung eine Aggregatzustand-Übergangstemperatur (z. B. von fest zu flüssig oder von fest zu gasförmig) von größer als oder gleich 1450°C aufweisen, z. B. größer als oder gleich 1600°C, z. B. größer als oder gleich 1800°C, z. B. größer als oder gleich 2000°C, z. B. größer als oder gleich 2200°C, z. B. in dem Bereich von 1450°C bis 1850°C, z. B. etwa 1630 °C. Das Plattenmaterial und/oder die Plattenbeschichtung können Kohlenstoff aufweisen. Das Plattenmaterial kann mindestens eines von Kohlenstoff, z. B. in Form von Grafit, oder Carbid, z. B. in Form von SiC, aufweisen oder daraus gebildet sein, wobei das Carbid wahlweise Polykristallin sein kann. Mit anderen Worten kann das Plattenmaterial Kohlenstoff aufweisen, z. B. in Form von mindestens einem Grafit oder Carbid. Die Plattenbeschichtung kann ein Carbidmaterial, z. B. Siliciumcarbid und/oder Tantalcarbid (TaC) aufweisen oder daraus gebildet sein. Alternativ oder zusätzlich kann die Plattenbeschichtung anders als das Plattenmaterial sein. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Plattenmaterial Grafit oder SiC sein.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Trägerplatte 102 einen kreisförmigen Querschnitt parallel zur lateralen Plattenebene aufweisen. Alternativ kann die Trägerplatte 102 einen polygonalen Querschnitt parallel zur lateralen Plattenebene aufweisen, z. B. einen hexagonalen Querschnitt oder einem dekagonalen Querschnitt.
  • Die Trägerplatte 102 kann einen laterale Ausdehnung 102d (z. B. parallel zur Plattenebene) aufweisen, z. B. einen Durchmesser 204d (siehe 2A) im Fall eines kreisförmigen Querschnitts von größer als etwa 300 mm, z. B. 344 mm oder größer als etwa 344 mm, z. B. größer als etwa 350 mm, z. B. größer als etwa 400 mm, z. B. größer als etwa 450 mm, z. B. größer als etwa 500 mm, z. B. größer als etwa 600 mm, z. B. größer als etwa 700 mm, z. B. größer als etwa 800 mm, z. B. in dem Bereich von etwa 300 mm bis etwa 1 m, z. B. in dem Bereich von etwa 300 mm bis etwa 400 mm.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Trägerplatte 102 eine Vielzahl von Substrataufnahmeregionen 104, 114 aufweisen (auch Wafertaschen genannt), z. B. mindestens eine erste Substrataufnahmeregion 104 und eine zweite Substrataufnahmeregion 114. Die erste Substrataufnahmeregion 104 kann eine laterale Ausdehnung 104d aufweisen und/oder die zweite Substrataufnahmeregion 114 kann eine laterale Ausdehnung 114d (z. B. parallel zur Plattenebene) von größer als oder gleich etwa 100 mm aufweisen, z. B. von größer als oder gleich etwa 150 mm, z. B. von größer als oder gleich etwa 200 mm, z. B. von größer als oder gleich etwa 250 mm, z. B. von größer als oder gleich etwa 300 mm, z. B. in dem Bereich von etwa 100 mm bis etwa 125 mm (z. B. zum Verarbeiten eines Wafers von 100 mm oder größer), oder im Bereich von 125 mm bis etwa 150 mm (z. B. zum Verarbeiten eines Wafers von 125 mm oder größer), oder im Bereich von etwa 150 mm bis etwa 200 mm (z. B. zum Verarbeiten eines Wafers 150 mm oder größer), oder im Bereich von etwa 200 mm bis etwa 300 mm (z. B. zum Verarbeiten eines Wafers von 200 mm oder größer) oder im Bereich von 300 mm bis etwa 450 mm (z. B. zum Verarbeiten eines Wafers von 300 mm oder größer) oder im Bereich von etwa 450 mm bis etwa 500 mm (z. B. zum Verarbeiten eines Wafers von 450 mm oder größer).
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Trägerplatte 102 mindestens eine Substrataufnahmeregion (mit anderen Worten eine Substrataufnahmeregion oder eine Vielzahl von Substrataufnahmeregionen) aufweisen. Zum Beispiel kann die Vielzahl von Substrataufnahmeregionen zwei, drei, vier, fünf, sechs, sieben, acht, neun oder zehn Substrataufnahmeregionen oder mehr als zehn Substrataufnahmeregionen aufweisen, z. B. mehr als 15 Substrataufnahmeregionen, z. B. mehr als 20 Substrataufnahmeregionen. Die im Folgenden für die Substrataufnahmeregionen gegebene Beschreibung, z. B. für zwei Substrataufnahmeregionen (siehe 1A) oder für drei Substrataufnahmeregionen (siehe 2A und 4) kann auch auf eine andere Anzahl von Substrataufnahmeregionen angepasst werden, z. B. auf eine Substrataufnahmeregion oder jede Substrataufnahmeregion einer Vielzahl von Substrataufnahmeregionen. Mindestens eine, z. B. jede, Substrataufnahmeregion kann in dem Substratträger 102 versenkt sein. Mit anderen Worten kann der Substratträger 102 eine Vertiefung in mindestens einer, z. B. jeder, Substrataufnahmeregion aufweisen.
  • Zum Beispiel kann die Trägerplatte 102 etwa drei Substrataufnahmeregionen zum Verarbeiten von 15,24 cm (6 Inch) Substraten aufweisen oder etwa sieben Substrataufnahmeregionen zum Verarbeiten von 10,16 cm (4 Inch) Substraten. Zum Beispiel kann die laterale Ausdehnung 104d, 114d jeder Substrataufnahmeregion 104, 114 kleiner als 50 % der lateralen Ausdehnung 102d der Trägerplatte 102 betragen, z. B. kleiner als 30 % der lateralen Ausdehnung 102d der Trägerplatte 102 sein. Alternativ kann die laterale Ausdehnung 104d der Substrataufnahmeregion 104 größer als 50 % der lateralen Ausdehnung 102d der Trägerplatte 102 sein, z. B. im Fall, dass die Trägerplatte 102 nur eine Substrataufnahmeregion 104 aufweist, in der Darstellung, wenn große Substrate verarbeitet werden müssen.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen können die erste Substrataufnahmeregion 104 und/oder die zweite Substrataufnahmeregion 114 mindestens einen ersten Vertiefungsabschnitt 104a, 114a und mindestens einen zweiten Vertiefungsabschnitt 104b, 114b aufweisen. Der mindestens eine erste Vertiefungsabschnitt 104a und der mindestens eine zweite Vertiefungsabschnitt 104b der ersten Substrataufnahmeregion 104 können Teil einer Vertiefung in der ersten Substrataufnahmeregion 104 sein. Der mindestens eine erste Vertiefungsabschnitt 114a und der mindestens eine zweite Vertiefungsabschnitt 114b der zweiten Substrataufnahmeregion 114 können Teil einer Vertiefung in der zweiten Substrataufnahmeregion 114 sein.
  • Wahlweise weicht eine Oberflächeneigenschaft des mindestens einen ersten Vertiefungsabschnitts 104a, 114a von einer Oberflächeneigenschaft des mindestens einen zweiten Vertiefungsabschnitts 104b, 114b ab. Zum Beispiel kann die Plattenbeschichtung der Trägerplatte 102 in dem mindestens einen zweiten Vertiefungsabschnitt 104b, 114b anders als die Plattenbeschichtung der Trägerplatte 102 in dem mindestens einen zweiten Vertiefungsabschnitt 104b, 114b sein (z. B. eine andere chemische Zusammensetzung, Oberflächenrauigkeit und/oder Oberflächentopologie aufweisen). Zum Beispiel kann die Plattenbeschichtung der Trägerplatte 102 in dem mindestens einen zweiten Vertiefungsabschnitt 104b, 114b TaC aufweisen oder daraus gebildet sein und die Plattenbeschichtung der Trägerplatte 102 in dem mindestens einen ersten Vertiefungsabschnitt 104a, 114a kann SiC aufweisen oder daraus gebildet sein, oder alternativ umgekehrt.
  • Alternativ oder zusätzlich weicht eine Oberflächeneigenschaft der ersten Substrataufnahmeregion 104 und/oder der zweiten Substrataufnahmeregion 114 von einer Oberflächeneigenschaft eines Abschnitts der Trägerplatte 102 außerhalb der ersten Substrataufnahmeregion 104 und/oder außerhalb der zweiten Substrataufnahmeregion 114 ab, z. B. von der restlichen Trägerplatte 102. Zum Beispiel kann die Plattenbeschichtung der Trägerplatte 102 in der Substrataufnahmeregion 104, 114 TaC aufweisen oder daraus gebildet sein und die Plattenbeschichtung der Trägerplatte 102 außerhalb der Substrataufnahmeregionen 104, 114 kann SiC aufweisen oder daraus gebildet sein. Dies kann die Sublimierung von SiC aus der Plattenbeschichtung und die zugehörige Adsorption von SiC durch die Waferrückseite reduzieren. Zum Beispiel kann die Trägerplatte 102 SiC- und TaC-beschichtetes Grafit (auch als Hybrid-Waferhalter bezeichnet) aufweisen oder daraus gebildet sein.
  • Gemäß verschiedener Ausführungsformen, kann eine Umfangsform des mindestens einen ersten Vertiefungsabschnitts 104a, 114a und/oder des mindestens einen zweiten Vertiefungsabschnitts 104b, 114b kreisförmig sein. Mit anderen Worten können der mindestens eine erste Vertiefungsabschnitt 104a, 114 und/oder der mindestens eine zweite Vertiefungsabschnitt 104b, 114b einen kreisförmigen Querschnitt aufweisen (z. B. parallel zur Plattenebene). Alternativ können der mindestens eine erste Vertiefungsabschnitt 104a, 114 und/oder der mindestens eine zweite Vertiefungsabschnitt 104b, 114b einen polygonalen Querschnitt aufweisen (z. B. parallel zur lateralen Plattenebene), z. B. einen hexagonalen oder dekagonalen Querschnitt. Wahlweise können der mindestens eine erste Vertiefungsabschnitt 104a, 114a und/oder der mindestens eine zweite Vertiefungsabschnitt 104b, 114b segmentiert sein. Mit anderen Worten können der mindestens eine erste Vertiefungsabschnitt 104a, 114a und/oder der mindestens eine zweite Vertiefungsabschnitt 104b, 114b jeweils mehr als einen Vertiefungsabschnitt (mit einer Tiefe) aufweisen, die voneinander getrennt sind, z. B. durch den anderen Vertiefungsabschnitt (mit einer anderen Tiefe). In diesem Fall können der mindestens eine erste Vertiefungsabschnitt 104a, 114a und/oder der mindestens eine zweite Vertiefungsabschnitt 104b, 114b einen Vielzahl von Vertiefungsabschnitten aufweisen, z. B. zwei, drei, vier, fünf, sechs, sieben, neun oder zehn Vertiefungsabschnitte, oder mehr als zehn Vertiefungsabschnitte, z. B. mehr als 15 Vertiefungsabschnitte, z. B. mehr als 20 Vertiefungsabschnitte usw.
  • 1B zeigt einen Substratträger 100b in Querschnittsansicht gemäß einem Vergleichsbeispiel, welches bis auf das Abstützelement verschiedene Aspekte gemäß verschiedenen Ausführungsformen erläutert, z. B. entlang einer Blickrichtung parallel zur Trägerplatte.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen können die erste Substrataufnahmeregion 104 und/oder die zweite Substrataufnahmeregion 114 abgestuft sein. Mit anderen Worten können die erste Substrataufnahmeregion 104 und/oder die zweite Substrataufnahmeregion 114 eine erste Stufe aufweisen, die mindestens teilweise den mindestens einen ersten Vertiefungsabschnitt 104a, 114a umgibt und/oder eine zweite Stufe, die mindestens teilweise den mindestens einen zweiten Vertiefungsabschnitt 104b, 114b umgibt (z. B. an ihrer Schnittstelle). Zum Beispiel kann der Umfang des mindestens einen ersten Vertiefungsabschnitt 104a, 114a eine Stufe aufweisen und/oder der Umfang des mindestens einen zweiten Vertiefungsabschnitt 104b, 114b kann eine Stufe aufweisen.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen können der mindestens eine erste Vertiefungsabschnitt 104a, 114 und/oder der mindestens eine zweite Vertiefungsabschnitt 104b, 114b eine Basisoberfläche aufweisen (z. B. parallel zur Trägerplatte, z. B. ihrer Plattenebene). Eine erste Seitenwand 104p des mindestens einen ersten Vertiefungsabschnitts 104a, 114a (wobei die erste Seitenwand 104r z. B. die erste Stufe aufweist oder daraus gebildet ist) kann sich zwischen der Basisoberfläche des mindestens einen ersten Vertiefungsabschnitts 104a, 114a und einer oberen Oberfläche der Trägerplatte 102 erstrecken. Eine zweite Seitenwand 104p des mindestens einen zweiten Vertiefungsabschnitts 104b, 114b (wobei die zweite Seitenwand 104r z. B. die zweite Stufe aufweist oder daraus gebildet ist) kann sich zwischen der Basisoberfläche des mindestens einen zweiten Vertiefungsabschnitts 104b, 114b und der Basisoberfläche des mindestens einen zweiten Vertiefungsabschnitts 104b, 114b erstrecken. Die erste Seitenwand 104p des mindestens einen ersten Vertiefungsabschnitts 104a, 114a kann einen Umfang der ersten Substrataufnahmeregion 104 und/oder der zweiten Substrataufnahmeregion 114 definieren.
  • Gemäß verschiedener Ausführungsformen kann eine erste Tiefe 124a des mindestens einen ersten Vertiefungsabschnitts 104a, 114a, mit anderen Worten, die Ausdehnung 124a des mindestens einen ersten Vertiefungsabschnitts 104a, 114a in die Trägerplatte 102 (z. B. entlang einer Richtung senkrecht zur Plattenebene) weniger als eine zweite Tiefe 124b des mindestens einen zweiten Vertiefungsabschnitts 104b, 114b sein, mit anderen Worten, die Ausdehnung 124a des mindestens einen zweiten Vertiefungsabschnitts 104b, 114b in die Trägerplatte 102 (z. B. entlang einer Richtung senkrecht zur Plattenebene).
  • Mit anderen Worten kann die erste Tiefe 124a anders als die zweite Tiefe 124b sein. Die erste Tiefe 124a kann einer vertikalen Ausdehnung der ersten Seitenwand 104p entsprechen. Die Differenz zwischen der ersten Tiefe 124a und der zweiten Tiefe 124b kann einer vertikalen Ausdehnung der zweiten Seitenwand 104r entsprechen. Die Differenz zwischen der ersten Tiefe 124a und der zweiten Tiefe 124b kann größer als etwa 50 µm sein, z. B. größer als etwa 75 µm, z. B. größer als etwa 100 µm, z. B. größer als etwa 150 µm, z. B. größer als etwa 200 µm, z. B. größer als etwa 250 µm, z. B. größer als etwa 300 µm, z. B. in dem Bereich von etwa 50 µm bis 300 µm, z. B. in dem Bereich von etwa 100 µm bis 200 µm.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die erste Tiefe 124a kleiner als oder gleich etwa 400 µm sein, z. B. kleiner als oder gleich 350 µm, z. B. kleiner als oder gleich 300 µm, z. B. in dem Bereich von etwa 300 µm bis 400 µm.Die erste Tiefe 124a kann in dem Bereich im Bereich der Waferdicke sein, z. B. gleich der Waferdicke. Zum Beispiel kann die Waferdicke in dem Bereich von 350 µm plus/minus 25 µm sein. Alternativ kann die erste Tiefe 124a größer als die Waferdicke sein, z. B., wenn der Wafer zum Rutschen aus der Substrataufnahmeregion 104, 114 neigt.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die zweite Tiefe 124b größer als etwa 400 µm sein, z. B. größer als etwa 450 µm, z. B. größer als etwa 500 µm, z. B. größer als etwa 550 µm, z. B. größer als etwa 600 µm, z. B. größer als etwa 700 µm, z. B. größer als etwa 1 mm, z. B. größer als etwa 1,5 mm, z. B. größer als etwa 2 mm, z. B. in dem Bereich von etwa 400 µm bis etwa 4 mm, z. B. in dem Bereich von etwa 400 µm bis etwa 2 mm, z. B. in dem Bereich von etwa 400 µm bis etwa 1 mm, z. B. in dem Bereich von etwa 400 µm bis etwa 600 µm. In der Darstellung kann die zweite Tiefe 124a größer als die Waferdicke sein, z. B. größer als das Zweifache der Waferdicke.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die zweite Tiefe 124b mit der lateralen Ausdehnung 104d, 114d der Substrataufnahmeregion 104, 114 korrelieren. In der Darstellung kann die zweite Tiefe 124b größer als die Dicke eines Substrats sein, das in der Substrataufnahmeregion 104, 114 aufgenommen ist. Ein Verhältnis der zweiten Tiefe 124b zur lateralen Ausdehnung 104d, 114d der Substrataufnahmeregion 104, 114 kann größer als oder gleich etwa 2,5·10-3 sein, z. B. größer als oder gleich etwa 2,75·10-3, z. B. größer als oder gleich etwa 3·10-3, z. B. größer als oder gleich etwa 3,25·10-3, z. B. größer als oder gleich etwa 3,5·10-3, z. B. größer als oder gleich etwa 3,75·10-3, z. B. größer als oder gleich etwa 4·10-3, z. B. größer als oder gleich etwa 4,25·10-3, z. B. größer als oder gleich etwa 4,5 ·10-3, z. B. größer als oder gleich etwa 4,75·10-3, z. B. größer als oder gleich etwa 5·10-3, z. B. größer als oder gleich etwa 6·10-3, z. B. größer als oder gleich etwa 7·10-3, z. B. größer als oder gleich etwa 8·10-3. In der Darstellung kann das Verhältnis zwischen der zweiten Tiefe 124b und der lateralen Ausdehnung 104d, 114d der Substrataufnahmeregion 104, 114 das Seitenverhältnis der Substrataufnahmeregion 104, 114 definieren.
  • In dem Fall kann die laterale Ausdehnung 104d, 114d der Substrataufnahmeregion 104, 114 kleiner als oder gleich etwa 150 mm sein, z. B. kleiner als oder gleich etwa 100 mm, die zweite Tiefe 124b kann größer als etwa 400 µm, z. B. größer als etwa 450 µm sein, z. B. größer als etwa 500 µm, z. B. größer als etwa 600 µm, z. B. größer als etwa 700 µm, z. B. größer als etwa 800 µm, z. B. in dem Bereich von etwa 400 µm oder etwa 4 mm, z. B. in dem Bereich von etwa 400 µm bis etwa 2 mm, z. B. in dem Bereich von etwa 450 µm bis etwa 1 mm. In dem Fall kann die laterale Ausdehnung 104d, 114d der Aufnahmeregion 104, 114 kleiner als oder gleich etwa 200 mm sein, die zweite Tiefe 124b kann größer als etwa 500 µm sein, z. B. größer als etwa 550 µm, z. B. größer als etwa 600 µm, z. B. größer als etwa 700 µm, z. B. größer als etwa 800 µm, z. B. in dem Bereich von etwa 400 µm oder etwa 4 mm, z. B. in dem Bereich von etwa 400 µm bis etwa 2 mm, z. B. in dem Bereich von etwa 450 µm bis etwa 1 mm.
  • Das Wort gleich „etwa“ eines Wertes, z. B. im Zusammenhang mit der lateralen Ausdehnung, kann als einen Bereich um den Wert umfassend verstanden werden, z. B. einen Bereich von plus oder minus 10 % des Wertes, z. B. einen Bereich von plus oder minus 5 % des Wertes, z. B. einen Bereich von plus oder minus 1 % des Wertes, z. B. einen Bereich von plus oder minus 0,5 % des Wertes. Zum Beispiel kann eine laterale Ausdehnung gleich oder etwa 200 mm eine laterale Ausdehnung von 220 mm aufweisen, eine laterale Ausdehnung von 210 mm eine laterale Ausdehnung von 202 mm und eine laterale Ausdehnung von 201 mm. In der Darstellung kann eine laterale Ausdehnung gleich „etwa“ einem Wert im Zusammenhang mit einer Substrataufnahmeregion als die Substrataufnahmeregion verstanden werden, die derart ausgebildet ist, dass ein Wafer, der eine Breite des Wertes aufweist, in die Substrataufnahmeregion passt.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann der mindestens eine erste Vertiefungsabschnitt 104a, 114a monolithisch mit der Trägerplatte 102 verbunden sein. Mit anderen Worten kann der mindestens eine erste Vertiefungsabschnitt 104a, 114a monolithisch Teil der Trägerplatte 102 sein. Zum Beispiel kann der mindestens eine erste Vertiefungsabschnitt 104a, 114a und/oder der mindestens eine zweite Vertiefungsabschnitt 104b, 114b durch Entfernen von Material von der Trägerplatte 102 gebildet werden, z. B. in der ersten Substrataufnahmeregion 104 und/oder in der zweiten Substrataufnahmeregion 114.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Trägerplatte 102 eine Dicke 102t, z. B. eine Ausdehnung 102t senkrecht zur Plattenebene von größer als etwa 1 mm, z. B. größer als etwa 2 mm aufweisen, z. B. größer als etwa 3 mm, z. B. größer als etwa 4 mm, z. B. größer als etwa 5 mm, z. B. größer als etwa 6 mm, z. B. größer als etwa 10 mm, z. B. in dem Bereich von etwa 2 mm bis etwa 4 mm, z. B. in dem Bereich von etwa 3 mm bis etwa 4 mm oder in dem Bereich von etwa 4 mm bis etwa 10 mm.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen umgibt der mindestens eine erste Vertiefungsabschnitt 104a, 114a mindestens teilweise (mit anderen Worten teilweise oder vollständig) den mindestens einen zweiten Vertiefungsabschnitt 104b, 114b. Der mindestens eine zweite Vertiefungsabschnitt 104b, 114b kann sich in einer zentralen Region der ersten Substrataufnahmeregion 104 und/oder der zweiten Substrataufnahmeregion 114 erstrecken. Der mindestens eine erste Vertiefungsabschnitt 104a, 114a kann sich in einer Umfangsregion der ersten Substrataufnahmeregion 104 und/oder der zweiten Substrataufnahmeregion 114, z. B. benachbart zu einem Umfang der ersten Substrataufnahmeregion 104 und/oder der zweiten Substrataufnahmeregion 114 erstrecken.
  • Wahlweise können der mindestens eine erste Vertiefungsabschnitt 104a, 114a und/oder der mindestens eine zweite Vertiefungsabschnitt 104b, 114b segmentiert sein. In diesem Fall kann sich der mindestens eine zweite Vertiefungsabschnitt 104b, 114b mindestens teilweise in eine Umfangsregion der ersten Substrataufnahmeregion 104 und/oder der zweiten Substrataufnahmeregion 114, z. B. benachbart zu einem Umfang der ersten Substrataufnahmeregion 104 und/oder der zweiten Substrataufnahmeregion 114, erstrecken.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann eine laterale Ausdehnung 124d (z. B. parallel zur Plattenebene, z. B. in einer radialen Richtung) des mindestens einen ersten Vertiefungsabschnitts 104a, 114a größer als etwa 1 mm sein, z. B. größer als etwa 1,5 mm, z. B. größer als etwa 2 mm, z. B. größer als etwa 3 mm, z. B. größer als etwa 4 mm, z. B. größer als etwa 5 mm, z. B. größer als etwa 10 mm, z. B. größer als etwa 20 mm, z. B. in dem Bereich von etwa 1 mm bis etwa 10 mm, z. B. in dem Bereich von etwa 1 mm bis etwa 5 mm, z. B. in dem Bereich von etwa 2 mm bis etwa 4 mm.
  • 1C zeigt einen Substratträger 100b in Querschnittsansicht gemäß einem Vergleichsbeispiel, welches bis auf das Abstützelement verschiedene Aspekte gemäß verschiedenen Ausführungsformen erläutert.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen können die erste Substrataufnahmeregion 104 und/oder die zweite Substrataufnahmeregion 114 mindestens zwei zweite Vertiefungsabschnitte 104b, 114b (einschließlich mindestens eines zweiten Umfangsvertiefungsabschnitts 104b', 114b' und mindestens eines zentralen zweiten Vertiefungsabschnitts 104b, 114b) aufweisen, wobei der mindestens eine erste Vertiefungsabschnitt 104a, 114a zwischen den mindestens zwei zweiten Vertiefungsabschnitten 104b, 114b angeordnet ist (oder sich erstrecken kann). In der Darstellung kann der mindestens eine erste Vertiefungsabschnitt 104a, 114a in die erste Substrataufnahmeregion 104 und/oder die zweite Substrataufnahmeregion 114 vorstehen (mit anderen Worten in Form eines Vorsprungs sein).
  • In diesem Fall kann der mindestens eine zweite Umfangsvertiefungsabschnitt 104b', 114b' den mindestens einen zentralen zweiten Vertiefungsabschnitt 104b, 114b und den mindestens einen ersten Vertiefungsabschnitt 104a, 114a umgeben. Der mindestens eine erste Vertiefungsabschnitt 104a, 114a kann den mindestens einen zentralen zweiten Vertiefungsabschnitt 104b, 114b umgeben. Der mindestens eine zentrale zweite Vertiefungsabschnitt 104b, 114b kann sich in einer zentralen Region der ersten Substrataufnahmeregion 104 und/oder der zweiten Substrataufnahmeregion 114 erstrecken. Der mindestens eine zweite Umfangsvertiefungsabschnitt 104b', 114b' kann sich in einer Umfangsregion der ersten Substrataufnahmeregion 104 und/oder der zweiten Substrataufnahmeregion 114, z. B. benachbart zu einem Umfang der ersten Substrataufnahmeregion 104 und/oder der zweiten Substrataufnahmeregion 114 erstrecken. Der mindestens eine erste Vertiefungsabschnitt 104a kann sich in einer Umfangsregion der ersten Substrataufnahmeregion 104 und/oder der zweiten Substrataufnahmeregion 114, z. B. benachbart des mindestens einen zweiten Umfangsvertiefungsabschnitts 104b', 114b' erstrecken.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann eine laterale Ausdehnung 124d (z. B. parallel zur Plattenebene, z. B. in einer radialen Richtung) des mindestens einen ersten Vertiefungsabschnitts 104a, 114a in dem Bereich von etwa 0,1 mm bis etwa 10 mm sein, z. B. in dem Bereich von etwa 0,1 mm bis etwa 5 mm, z. B. in dem Bereich von etwa 0,1 mm bis etwa 2 mm, z. B. in dem Bereich von etwa 0,5 mm bis etwa 2 mm, z. B. in dem Bereich von etwa 1 mm bis etwa 2 mm oder in dem Bereich von etwa 0,1 mm bis etwa 1 mm.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein Abstand 134d (z. B. parallel zur Plattenebene, z. B. in einer radialen Richtung) zwischen dem mindestens einen ersten Vertiefungsabschnitt 104a, 114a und dem Umfang 134 der ersten Substrataufnahmeregion 104 und/oder dem Umfang 134 der zweiten Substrataufnahmeregion 114 in dem Bereich von etwa 0,1 mm bis etwa 10 mm sein, z. B. in dem Bereich von etwa 0,1 mm bis etwa 5 mm, z. B. in dem Bereich von etwa 0,1 mm bis etwa 2 mm, z. B. in dem Bereich von etwa 0,5 mm bis etwa 2 mm, z. B. in dem Bereich von etwa 1 mm bis etwa 2 mm oder in dem Bereich von etwa 0,1 mm bis etwa 1 mm.
  • 2A zeigt einen Substratträger 200a in einer Draufsicht gemäß einem Vergleichsbeispiel, welches bis auf das Abstützelement verschiedene Aspekte gemäß verschiedenen Ausführungsformen erläutert, wobei der Substratträger 200a drei Substrataufnahmeregionen 204 aufweist, z. B. zum Verarbeiten eines 150 mm-Wafers.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann eine Form des Umfangs 134 (Umfangsform) jeder Substrataufnahmeregion 204 einen gekrümmten Abschnitt 134c und einen nicht gekrümmten Abschnitt 1341 aufweisen. Der gekrümmte Abschnitt 134c kann einer teilweise runden Form entsprechen. Die Substrataufnahmeregion 204 kann einen Ausdehnung (in 2A durch eine Ausdehnung 214d zum Mittelpunkt dargestellt) aufweisen, z. B. einen Durchmesser, in dem nicht gekrümmten Abschnitt 1341, der kleiner als eine Ausdehnung 204d, z. B. ein Durchmesser, in dem gekrümmten Abschnitt 134c ist.
  • Die Substrataufnahmeregion 204 am Substratträger 200a nimmt die Form des Wafers annehmen, einschließlich der Hauptfläche des Wafers (die dem nicht gekrümmten Abschnitt 1341 entspricht). Der nicht gekrümmte Abschnitt 1341 hält den Wafer in einer definierten Position und Ausrichtung im Hinblick auf die Trägerplatte 102. Mit anderen Worten wird die Drehung des Wafers um seine eigene Mitte verhindert. Dies kann eine gewisse Prozessstabilität bereitstellen.
  • 2B zeigt einen Substratträger 200b in Querschnittsansicht gemäß einem Vergleichsbeispiel, welches bis auf das Abstützelement verschiedene Aspekte gemäß verschiedenen Ausführungsformen erläutert, wobei ein Wafer 202 in einer Substrataufnahmeregion 204 des Substratträgers 200b aufgenommen ist.
  • Das von dem Wafer 202 adsorbierte SiC-Material an der Rückseite 202b (Waferrückseitenabscheidung) kann die Topologie der Waferrückseite verändern. Die Waferrückseitenabscheidung und/oder die Topologiemerkmale des auf der Waferrückseite abgeschiedenen Films können Verarbeitungsschwierigkeiten in den weiteren Waferverarbeitungsschritten wie Lithografie verursachen und ferner zu einer Verschiebung der Vorwärtsspannung (VF) des hergestellten Bauelements führen. Der Transfer von SiC von der Trägerplatte 102 zur Waferrückseite 202b und/oder der Verschlechterung der Waferrückseiten-Oberflächenglätte kann aufgrund der Waferrückseite 202b verbessert werden, welche die Trägerplatte 102, z. B. in der Substrataufnahmeregion 204 (Wafertasche 204) berührt (mit anderen Worten, direkt kontaktiert). Zum Reduzieren Übertragung von SiC von der Trägerplatte 102 und zur Waferrückseite 202b und zum Reduzieren der Verschlechterung der Waferrückseiten-Oberflächenglätte wird der Wafer 202 vom Rand (Umfangsregion) der Substrataufnahmeregion 204, die z. B. den mindestens einen ersten Vertiefungsabschnitt 104a, 114a aufweist oder daraus gebildet wird, abgestützt (liegt z. B. nur darauf auf). Der Hauptteil (zentrale Region) der Substrataufnahmeregion 204 kann tiefer eingesenkt sein. Mit anderen Worten ist ein Hohlraum 201 zwischen dem Wafer 202 und der Trägerplatte 102 in dem mindestens einen zweiten Vertiefungsabschnitt 104b, 114b ausgebildet, z. B. zwischen dem Wafer 202 und der Basisoberfläche des mindestens einen zweiten Vertiefungsabschnitts 104b, 114b.
  • Dies reduziert den direkten Kontakt zwischen dem Wafer und der Trägerplatte 102 (z. B. ihre Bedeckung), z. B. mindestens in der Substrataufnahmeregion 204. Mit anderen Worten kann der direkte Kontakt zwischen dem Wafer 202 und der Trägerplatte 102 in dem aktiven Gebiet des Wafers 202 reduziert werden. Des Weiteren bewirkt eine Verformung von Wafer 202 (z. B. Verbiegung und/oder Auswölbung), die bei Prozesstemperaturen (z. B. in dem Bereich von etwa 1450 °C bis 1850 °C, z. B. etwa 1630 °C) auftritt, eine Verschiebung (in der Darstellung ein Absenken oder Erhöhen) des Wafers 202 (z. B. seiner Oberfläche) in der zentralen Region des Wafers 202 (z. B. der aktiven Region des Wafers 202), z. B. ohne den Rand des Wafers freizulegen und/oder den Wafer in seiner Position zu destabilisieren. Die Verschiebung des Randes des Wafers 202 (in der Darstellung der Umfangsregion des Wafers 202) aufgrund einer Verformung des Wafers 202 kann in der Darstellung unerheblich sein. In der Darstellung steht der Waferrand nicht aus der Substrataufnahmeregion 204 vor, wodurch die Epitaxieschicht-Dickengleichmäßigkeit und Dotierungsgleichmäßigkeit verbessert wird.
  • Erfindungsgemäß ist mindestens ein weiterer erster Vertiefungsabschnitt 104a, 114a (durch den gestrichelten Pfeil dargestellt) in der Substrataufnahmeregion 204 angeordnet (z. B. in der Mitte der Substrataufnahmeregion 204) in Form eines Substratabstützelements 602 (siehe z. B. 6A).
  • 3A zeigt einen Substratträger 300a in einer Querschnittsansicht gemäß einem Vergleichsbeispiel, welches bis auf das Abstützelement verschiedene Aspekte gemäß verschiedenen Ausführungsformen erläutert, z. B. entlang einer Ebene 201a (siehe 2A), wobei eine Seitenwand 302 (auch Taschenrand) der Substrataufnahmeregion 204 wahlweise einen schrägen Abschnitt 302s aufweist. Die Substrataufnahmeregion 204 kann einen Vertiefungsabschnitt 304 (z. B. eine Vertiefung) aufweisen, der sich in die Trägerplatte 102 erstreckt. Der Vertiefungsabschnitt 304 kann eine laterale Ausdehnung 204d aufweisen, die im Wesentlichen der lateralen Ausdehnung 204d der Substrataufnahmeregion 204 entspricht. Eine Tiefe 324b des Vertiefungsabschnitts 304 (mit anderen Worten die Ausdehnung in die Trägerplatte 102, z. B. senkrecht zur Plattenebene) kann größer als etwa 400 µm sein, z. B. größer als etwa 450 µm, z. B. größer als etwa 500 µm, z. B. größer als etwa 600 µm, z. B. größer als etwa 700 µm, z. B. größer als etwa 800 µm, z. B. im Bereich von etwa 400 µm bis etwa 4 mm, z. B. im Bereich von etwa 400 µm bis etwa 2 mm, z. B. im Bereich von etwa 450 µm bis etwa 1 mm. Dies kann eine Tendenz des Herausrutschens des Wafers reduzieren, der in der Substrataufnahmeregion 204 aufgenommen ist.
  • Die Substrataufnahmeregion 204 kann ferner eine laterale Ausdehnung (z. B. parallel zur Plattenebene) von kleiner als oder gleich 200 mm aufweisen, z. B. kleiner als oder gleich etwa 125 mm, z. B. kleiner als oder gleich etwa 100 mm, z. B. im Bereich von etwa 100 mm bis etwa 125 mm (z. B. zum Verarbeiten eines Wafers von 100 mm oder größer) oder im Bereich von etwa 125 mm bis etwa 150 mm (z. B. zum Verarbeiten eines Wafers von 125 mm oder größer) oder im Bereich von etwa 150 mm bis etwa 200 mm (z. B. zum Verarbeiten eines Wafers von 150 mm oder größer). Gemäß verschiedenen alternativen Ausführungsformen kann die Substrataufnahmeregion 204 eine laterale Ausdehnung von größer als oder gleich 100 mm aufweisen, z. B. größer als oder gleich etwa 125 mm, z. B. größer als oder gleich etwa 200 mm, z. B. im Bereich von etwa 100 mm bis etwa 125 mm (z. B. zum Verarbeiten eines Wafers von 100 mm oder größer) oder im Bereich von etwa 125 mm bis etwa 150 mm (z. B. zum Verarbeiten eines Wafers von 125 mm oder größer) oder im Bereich von etwa 150 mm bis etwa 200 mm (z. B. zum Verarbeiten eines Wafers von 150 mm oder größer) oder im Bereich von etwa 200 mm bis etwa 300 mm.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Tiefe 324b des Vertiefungsabschnitts 304 mit der lateralen Ausdehnung 204d der Substrataufnahmeregion 204 korrelieren (z. B. der lateralen Ausdehnung des Vertiefungsabschnitts 304). In der Darstellung kann die Tiefe 324b des Vertiefungsabschnitts 204 größer als die Dicke eines Substrats sein, das in der Substrataufnahmeregion 204 aufgenommen ist. Das Verhältnis der Tiefe 324b des Vertiefungsabschnitts 204 zur lateralen Ausdehnung 204d der Substrataufnahmeregion 204 (z. B. der lateralen Ausdehnung 204d des Vertiefungsabschnitts 304) kann größer als oder gleich etwa 2,5·10-3 sein, z. B. größer als oder gleich etwa 2,75·10-3, z. B. größer als oder gleich etwa 3·10-3, z. B. größer als oder gleich etwa 3,25·10-3, z. B. größer als oder gleich etwa 3,5·10-3, z. B. größer als oder gleich etwa 3,75·10-3, z. B. größer als oder gleich etwa 4·10-3, z. B. größer als oder gleich etwa 4,25·10-3, z. B. größer als oder gleich etwa 4,5·10-3, z. B. größer als oder gleich etwa 4,75·10-3, z. B. größer als oder gleich etwa 5·10-3, z. B. größer als oder gleich etwa 6·10-3, z. B. größer als oder gleich etwa 7·10-3, z. B. größer als oder gleich etwa 8·10-3. In der Darstellung kann das Verhältnis von Tiefe 324b des Vertiefungsabschnitts 204 und lateraler Ausdehnung 204d der Substrataufnahmeregion 204 (z. B die laterale Ausdehnung des Vertiefungsabschnitts 304) das Seitenverhältnis der Substrataufnahmeregion 204 (z. B. ihres Vertiefungsabschnitts 304) definieren.
  • In dem Fall kann die laterale Ausdehnung 204d der Substrataufnahmeregion 204 (z. B. der lateralen Ausdehnung ihres Vertiefungsabschnitts 304) kleiner als oder gleich etwa 150 mm sein, z. B. kleiner als oder gleich etwa 100 mm, die Tiefe 324b des Vertiefungsabschnitts 204 kann größer als etwa 400 µm sein, z. B. größer als etwa 450 µm, z. B. größer als etwa 500 µm, z. B. größer als etwa 600 µm, z. B. größer als etwa 700 µm, z. B. größer als etwa 800 µm, z. B. in dem Bereich von etwa 400 µm oder etwa 4 mm, z. B. in dem Bereich von etwa 400 µm bis etwa 2 mm, z. B. in dem Bereich von etwa 450 µm bis etwa 1 mm. In dem Fall kann die laterale Ausdehnung 204d der Substrataufnahmeregion 204 (z. B. der lateralen Ausdehnung ihres Vertiefungsabschnitts 304) kleiner als oder gleich etwa 200 mm sein, die Tiefe 324b des Vertiefungsabschnitts 204 kann größer als etwa 500 µm sein, z. B. größer als etwa 600 µm, z. B. größer als etwa 700 µm, z. B. größer als etwa 800 µm, z. B. in dem Bereich von etwa 400 µm oder etwa 4 mm, z. B. in dem Bereich von etwa 400 µm bis etwa 2 mm, z. B. in dem Bereich von etwa 450 µm bis etwa 1 mm.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen weist jede Substrataufnahmeregion 204 einen Vertiefungsabschnitt 304 mit einer Tiefe von größer als etwa 400 µm auf, wobei jede Substrataufnahmeregion 204 (z. B. ihr Vertiefungsabschnitt 304) eine laterale Ausdehnung von kleiner als oder gleich etwa 150 mm aufweist (z. B. kleiner als 155 mm). Alternativ weist jede Substrataufnahmeregion 204 einen Vertiefungsabschnitt 304 mit einer Tiefe von größer als etwa 500 µm auf, wobei jede Substrataufnahmeregion 204 (z. B. ihr Vertiefungsabschnitt 304) eine laterale Ausdehnung von kleiner als oder gleich etwa 200 mm aufweist (z. B. kleiner als 205 mm).
  • 3B zeigt einen Substratträger 300b in einer Querschnittsansicht gemäß einem Vergleichsbeispiel, welches bis auf das Abstützelement verschiedene Aspekte gemäß verschiedenen Ausführungsformen erläutert, z. B. entlang einer Ebene 201b (siehe 2A), wobei eine Seitenwand 302 der Substrataufnahmeregion 204 wahlweise schräg sein kann (mit anderen Worten weist die Substrataufnahmeregion 204 wahlweise eine schräge Seitenwand 302 auf).
  • Die Seitenwand 302 kann die Seitenwand des mindestens einen ersten Vertiefungsabschnitts 104a, 114a (siehe 3B) oder des mindestens einen zweiten Vertiefungsabschnitts 104b, 114b (siehe 3A) sein. Die Seitenwand 302 kann einen Umfang der Substrataufnahmeregion 204 definieren, z. B. an ihrer Berührungslinie mit einer Basisoberfläche der Substrataufnahmeregion 204.
  • Mit anderen Worten kann die Seitenwand 302 mindestens eine Oberfläche aufweisen oder aus dieser gebildet sein, die sich in einem ersten Kippwinkel 302a in Bezug auf die Trägerplatte 102 erstreckt, z. B. in Bezug auf die Plattenebene und/oder in Bezug auf eine Basisoberfläche des mindestens einen ersten Vertiefungsabschnitts 104a, 114a und/oder des mindestens einen zweiten Vertiefungsabschnitts 104b, 114b. Der erste Winkel kann in dem Bereich von etwa 20° bis etwa 80° sein, z. B. in dem Bereich von etwa 30° bis etwa 60°, z. B. in dem Bereich von etwa 40° bis etwa 50°.
  • 3C zeigt einen Substratträger 300c in einer Querschnittsansicht gemäß einem Vergleichsbeispiel, welches bis auf das Abstützelement verschiedene Aspekte gemäß verschiedenen Ausführungsformen erläutert, z. B. entlang einer Ebene 201c (siehe 2A), wobei eine erste Seitenwand 312 des mindestens einen ersten Vertiefungsabschnitts 104a, 114a und eine zweite Seitenwand 322 des mindestens einen zweiten Vertiefungsabschnitts 104b, 114b schräg sind, z. B. in einem nicht gekrümmten Abschnitt der Substrataufnahmeregion 204. Der zugehörige Winkel, mit dem die erste Seitenwand 312 gekippt ist, und der zugehörige Winkel, mit dem die zweite Seitenwand 322 gekippt ist, können unterschiedlich oder gleich sein, wobei mindestens einer davon in dem Bereich von 20° bis etwa 80° liegen kann, z. B. im Bereich von etwa 30° bis etwa 60°, z. B. im Bereich von etwa 40° bis etwa 50°.
  • Zum Beispiel kann die laterale Ausdehnung 124d des mindestens einen ersten Vertiefungsabschnitts 104a, 114a im Bereich von etwa 3 mm bis etwa 4 mm sein, z. B. etwa 3,5 mm. Zum Beispiel kann die Differenz zwischen der ersten Tiefe und der zweiten Tiefe im Bereich von etwa 250 µm bis etwa 350 µm betragen, z. B. etwa 300 µm. Zum Beispiel kann die erste Tiefe im Bereich von etwa 350 µm bis etwa 450 µm sein, z. B. etwa 400 µm.
  • Der Substratträger 300c kann auch die in 3C dargestellte Geometrie in einem gekrümmten Abschnitt der Substrataufnahmeregion 204 aufweisen.
  • 3D zeigt einen Substratträger 300d in einer Querschnittsansicht gemäß einem Vergleichsbeispiel, welches bis auf das Abstützelement verschiedene Aspekte gemäß verschiedenen Ausführungsformen erläutert, z. B. entlang einer Ebene 201d (siehe 2A), wobei eine erste Seitenwand 312 des mindestens einen ersten Vertiefungsabschnitts 104a, 114a und eine zweite Seitenwand 322 des mindestens einen zweiten Vertiefungsabschnitts 104b, 114b schräg sind, z. B. in einem gekrümmten Abschnitt der Substrataufnahmeregion 204, ähnlich wie in 3C. Der Substratträger 300d kann auch die in 3D dargestellte Geometrie in einem nicht gekrümmten Abschnitt der Substrataufnahmeregion 204 aufweisen.
  • 4 zeigt einen Substratträger 400 in einer Draufsicht gemäß einem Vergleichsbeispiel, welches bis auf das Abstützelement verschiedene Aspekte gemäß verschiedenen Ausführungsformen erläutert, wobei der Substratträger 400 drei Substrataufnahmeregionen 204 aufweist, z. B. zum Verarbeiten eines 6 Inch-Wafers. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann eine Form des Umfangs 134 (Umfangsform) jeder Substrataufnahmeregion 204 kreisförmig sein.
  • Mit anderen Worten kann die Substrataufnahmeregion 204 eine runde Form aufweisen, die eine Drehung des Wafers in der Substrataufnahmeregion 204 ermöglichen kann, z. B. um die Mitte des Wafers. Dies ermöglicht die Überlagerung der Drehung der Trägerplatte 102 und die Drehung des Wafers, was zu einer Umdrehung des Wafers in Kombination mit einer Drehung des Wafers führt.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann eine Reibung zwischen dem Wafer und der Trägerplatte 102, z. B. ihrer Abdeckung, reduziert werden. Dies minimiert die Energie oder das Drehmoment, die für eine Drehung des Wafers benötigt werden, z. B. um die Drehung des Wafers zu starten. In diesem Zusammenhang kann die Bewegung von Gas, das von dem Wafer abgestützt wird, z. B. während der Verarbeitung des Wafers, kinetische Energie auf den Wafer übertragen, die ausreichen kann, um den Wafer in eine Drehung zu versetzen.
  • Daher Wahlweise kann eine Oberflächeneigenschaft des mindestens einen ersten Vertiefungsabschnitts 104a, 114a von einer Oberflächeneigenschaft des mindestens einen zweiten Vertiefungsabschnitts 104b, 114b abweichen. Zum Beispiel kann die Plattenbeschichtung der Trägerplatte 102 in dem mindestens einen zweiten Vertiefungsabschnitt 104b, 114b anders als die Plattenbeschichtung der Trägerplatte 102 in dem mindestens einen zweiten Vertiefungsabschnitt 104b, 114b sein (z. B. eine andere chemische Zusammensetzung, Oberflächenrauigkeit und/oder Oberflächentopologie aufweisen). Zum Beispiel kann die Oberflächenrauheit des mindestens einen ersten Vertiefungsabschnitts 104, 114a kleiner sein als eine Oberflächenrauheit des mindestens einen zweiten Vertiefungsabschnitts 104b, 114b oder eine Oberflächenrauheit der Trägerplatte 102 außerhalb der Substrataufnahmeregionen 204. Alternativ oder zusätzlich kann ein Berührungsbereich zwischen einem Wafer und einem Substratträger 400 (mit anderen Worten ein Waferabstützbereich) durch Reduzieren der lateralen Ausdehnung des mindestens einen ersten Vertiefungsabschnitts 104a, 114a reduziert werden. Alternativ oder zusätzlich kann eine Reibung (z. B. Reibungskoeffizient) zwischen dem Substrat und dem mindestens einen ersten Vertiefungsabschnitt 104a, 114a reduziert werden, z. B. im Vergleich zu der Reibung (z. B. Reibungskoeffizient) zwischen dem Substrat und dem mindestens einen zweiten Vertiefungsabschnitt 104b, 114b.
  • In der Darstellung kann der Substratträger 102 den aufgenommenen Wafern erlauben, sich während der Verarbeitung des Wafers zu verformen (z. B. zu verbiegen und/oder zu wölben), ohne eine verheerende Auswirkung auf die epitaxiale Schichthomogenität zu haben, und kann wahlweise die Drehung des Wafers um seine eigene Mitte ermöglichen. Dies kann das Erhalten einer höheren On-Wafer-Dicke und höherer Dotierungshomogenitäten ermöglichen.
  • 5A zeigt einen Substratträger 500a in einer Querschnittsansicht gemäß einem Vergleichsbeispiel, welches bis auf das Abstützelement verschiedene Aspekte gemäß verschiedenen Ausführungsformen erläutert, z. B. entlang einer Ebene 201a (siehe 2A) und/oder einer Ebene 401a (siehe 4A), wobei der mindestens erster Vertiefungsabschnitt 104a, 114a eine sich verjüngende Form aufweist, z. B. einen sich verjüngenden Querschnitt (z. B. senkrecht zu einer Plattenebene), z. B. einen dreieckigen Querschnitt. Eine sich verjüngende Form kann z. B. so verstanden werden, dass in mindestens einer Richtung (z. B. senkrecht zur Plattenebene z. B. entgegen Richtung 105) ein Querschnitt, eine Breite oder eine Länge senkrecht zu der Richtung (z. B. parallel zur Richtung 105) zunehmen.
  • Der mindestens eine erster Vertiefungsabschnitt 104a, 114a kann einen Vorsprung aufweisen, der mindestens zwei Oberflächen aufweist, die schräg zueinander und zur Plattenebene verlaufen. Der Vorsprung kann eine erste Tiefe, z. B. im Rand des Vorsprungs, definieren, in der Darstellung am höchsten Punkt des Vorsprungs. Die zwei Oberflächen können sich in den mindestens einen ersten Vertiefungsabschnitt 104a, 114a erstrecken und können einen Winkel dazwischen definieren. Zum Beispiel kann sich eine erste Oberfläche der zwei Oberflächen von der schrägen (Umfangs-) Seitenwand 302 der Substrataufnahmeregion 204 zum Rand des Vorsprungs erstrecken, der einen Winkel 501 in Bezug auf die Basisoberfläche (die z. B. parallel zur Plattenebene ist) des zentralen Vertiefungsabschnitts 104b, 114b aufweist im Bereich von etwa 10° bis etwa 80° aufweist, z. B. im Bereich von etwa 30° bis etwa 60°, z. B. im Bereich von etwa 40° bis etwa 50°. Zum Beispiel kann sich eine zweite Oberfläche der zwei Oberflächen vom Rand des Vorsprungs zur Basisoberfläche des zentralen Vertiefungsabschnitts 104b, 114b erstrecken, der einen Winkel 503 in Bezug auf eine vertikale Richtung (z. B. senkrecht zu einer Plattenebene, z. B. in Richtung 105) im Bereich von etwa 10° bis etwa 80° aufweist, z. B. im Bereich von etwa 30° bis etwa 60°, z. B. im Bereich von etwa 40° bis etwa 50°. Wahlweise kann mindestens ein zweiter Vertiefungsabschnitt (nicht dargestellt) zwischen dem Vorsprung und dem Umfang 134 der Substrataufnahmeregion 204 angeordnet sein (z. B. der ersten Substrataufnahmeregion 104 und/oder der zweiten Substrataufnahmeregion 114).
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein Abstand 502d (z. B. parallel zur Plattenebene, z. B. in einer radialen Richtung) zwischen dem Rand des Vorsprungs und dem Umfang 134 der Substrataufnahmeregion 204 im Bereich von etwa 0,1 mm bis etwa 10 mm sein, z. B. in dem Bereich von etwa 0,1 mm bis etwa 5 mm, z. B. in dem Bereich von etwa 0,1 mm bis etwa 2 mm, z. B. in dem Bereich von etwa 0,5 mm bis etwa 2 mm, z. B. in dem Bereich von etwa 0,5 mm bis etwa 1 mm.
  • 5B zeigt einen Substratträger 500b in einer Querschnittsansicht gemäß einem Vergleichsbeispiel, welches bis auf das Abstützelement verschiedene Aspekte gemäß verschiedenen Ausführungsformen erläutert, z. B. entlang einer Ebene 401b (siehe 4A), z. B. ähnlich wie in 3A. Die Seitenwand 302 (auch als Taschenrand bezeichnet) der Substrataufnahmeregion 204 weist wahlweise einen schrägen Abschnitt 302s auf. Dies ermöglicht das Minimieren des Kontakts zwischen dem Wafer (seinem Rand) und dem Substratträger 500b. Dies kann in der Darstellung ferner die Reibung während der Waferdrehung reduzieren. Die Substrataufnahmeregion 204 kann in die Trägerplatte 102 eingesenkt sein (in der Darstellung tief angeordnet), z. B. als ganze, z. B. wahlweise tiefer als der Träger 200a (siehe 2A). Mit anderen Worten können die erste Tiefe 124a und/oder eine zweite Tiefe 1246 des Substratträgers 500a wahlweise größer als der Träger 200a sein. Wahlweise kann mindestens ein weiterer erster Vertiefungsabschnitt(nicht dargestellt) in der Substrataufnahmeregion 204 angeordnet sein, der z. B. mindestens ein Substratabstützelement aufweist oder von diesem gebildet wird.
  • 5C zeigt einen Substratträger 500c in einer Querschnittsansicht gemäß einem Vergleichsbeispiel, welches bis auf das Abstützelement verschiedene Aspekte gemäß verschiedenen Ausführungsformen erläutert, z. B. entlang einer Ebene 401c (siehe 4A), z. B. ähnlich wie in 3C. Die Seitenwand 302 der Substrataufnahmeregion 204 kann wahlweise schräg sein. Dies ermöglicht das Minimieren des Kontakts zwischen dem Wafer (seinem Rand) und dem Substratträger 500c. Dies kann in der Darstellung ferner die Reibung während der Waferdrehung reduzieren. Die mindestens eine Öffnung 502 kann sich in die Trägerplatte 102 erstrecken, z. B. in eine Basisoberfläche der Substrataufnahmeregion 204. Die Substrataufnahmeregion 204 kann in die Trägerplatte 102 eingesenkt sein (in der Darstellung tief angeordnet), z. B. als ganze, z. B. wahlweise tiefer als der Träger 200a (siehe 2A). Mit anderen Worten kann die Tiefe 3246 der Substrataufnahmeregion 204 des Substratträgers 500a wahlweise größer als die Substrataufnahmeregion 204 des Trägers 200a sein. Dies kann eine Tendenz des Wafers, z. B. aufgrund der Verformung (z. B. Verbiegen/Wölben) aus der Substrataufnahmeregion 204 zu rutschen, reduzieren. Wahlweise kann mindestens ein weiterer erster Vertiefungsabschnitt (nicht dargestellt) in der Substrataufnahmeregion 204 angeordnet sein, der z. B. mindestens ein Substratabstützelement aufweist oder von diesem gebildet wird.
  • 5D zeigt einen Substratträger 500d in einer Querschnittsansicht gemäß einem Vergleichsbeispiel, welches bis auf das Abstützelement verschiedene Aspekte gemäß verschiedenen Ausführungsformen erläutert, z. B. entlang einer Ebene 401d (siehe 4A). Die Substrataufnahmeregion 204 weist eine Öffnung 502 auf, z. B. in dem mindestens einen zweiter Vertiefungsabschnitt 104b, 114b. Die mindestens eine Öffnung 502 kann sich in die Trägerplatte 102 erstrecken, z. B. in eine Basisoberfläche der Substrataufnahmeregion 204. Die mindestens eine Öffnung 502 kann mindestens teilweise von dem mindestens einen ersten Vertiefungsabschnitt 104b, 114b umgeben sein. Dies kann verhindern, dass die Wafer, z. B. aufgrund der Verformung (z. B. Verbiegen/Wölben) aus der Substrataufnahmeregion 204 zu rutschen.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann eine laterale Ausdehnung 5021 der Öffnung 502 (z. B. parallel zur Plattenebene, z. B. in einer radialen Richtung) im Bereich von etwa 0,1 mm bis etwa 20 mm sein, z. B. im Bereich von etwa 0,5 mm bis etwa 10 mm, z. B. im Bereich von etwa 1 mm bis etwa 5 mm.
  • Die mindestens eine Öffnung 502 kann zum Aufnehmen mindestens einen Abstützelements (z. B. in Form eines Stifts) konfiguriert sein. Die mindestens eine Öffnung 502 kann in der Mitte der Substrataufnahmeregion 204 angeordnet sein, z. B. im Hinblick auf den Umfang der Substrataufnahmeregion 204.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann eine vertikale Ausdehnung 502v (z. B. senkrecht zur Plattenebene) der mindestens einen Öffnung 502 größer als etwa 0,5 mm sein, z. B. größer als etwa 1 mm, z. B. größer als etwa 1,5 mm, z. B. größer als etwa 2 mm, z. B. größer als etwa 3 mm, z. B. in dem Bereich von etwa 0,5 mm bis etwa 3 mm, z. B. in dem Bereich von etwa 1 mm bis etwa 2 mm. Wahlweise kann sich die mindestens eine Öffnung 502 durch die Trägerplatte 102 erstrecken.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die mindestens eine Öffnung 502 zum Aufnehmen mindestens eines Abstützelements (z. B. in Form eines Stifts) unabhängig von seiner Länge bereitgestellt sein. Mit anderen Worten kann eine Vielzahl von Abstützelementen unterschiedliche Längen aufweisen, die jeweils kompatibel sind, in der mindestens einen Öffnung 502 aufgenommen zu werden. Dies kann die Anpassung der Abstützgeometrie gemäß der Substratgeometrie (z. B. der Dicke, der Tendenz zur Verformung und/oder der Tendenz des Herausrutschens) ermöglichen.
  • 6A zeigt einen Substratträger 600a in einer Querschnittsansicht (z. B. senkrecht zur Plattenebene) gemäß verschiedenen Ausführungsformen. Die Substrataufnahmeregion 204 weist mindestens ein Abstützelements 602 auf, z. B. in Form eines Stifts. Das mindestens eine Abstützelement 602 ist lösbar. Ferner ist das mindestens eine Abstützelement 602 in der mindestens einen Öffnung 502 aufgenommen, z. B. eingesteckt oder eingeschraubt.
  • Das mindestens eine Abstützelement 602 kann mindestens einen ersten Vertiefungsabschnitt (z. B. mindestens einen zentralen ersten Vertiefungsabschnitt 104, 114a) mindestens teilweise (mit anderen Worten teilweise oder vollständig) umgeben, z. B. in einer Mitte der Substrataufnahmeregion 204 (alternativ oder zusätzlich in einer anderen Position in der Substrataufnahmeregion 204). Wahlweise kann die Substrataufnahmeregion 204 mindestens weiteren ersten Vertiefungsabschnitt (z. B. mindestens einen ersten Umfangsvertiefungsabschnitt 104a', 114a') aufweisen. Der mindestens eine zweiter Vertiefungsabschnitt 104b, 114b kann zwischen den mindestens zwei Vertiefungsabschnitten (zwischen dem mindestens einen zentralen ersten Vertiefungsabschnitt 104a, 114a und dem mindestens einen ersten Umfangsvertiefungsabschnitt 104a', 114a') angeordnet sein (oder sich dazwischen erstrecken).
  • In diesem Fall kann der mindestens eine erste Umfangsvertiefungsabschnitt 104a', 114a' den mindestens einen zentralen ersten Vertiefungsabschnitt 104a, 114a und den mindestens einen zweiten Vertiefungsabschnitt 104b, 114b umgeben. Der mindestens eine zweite Vertiefungsabschnitt 104b, 114b kann den mindestens einen zentralen zweiten Vertiefungsabschnitt 104a, 114a umgeben. Der mindestens eine zentrale erster Vertiefungsabschnitt 104a, 114a kann in eine zentrale Region der Substrataufnahmeregion 204 vorstehen. Der mindestens eine erste Umfangsvertiefungsabschnitt 104a', 114a' kann sich an den Umfang 134 der Substrataufnahmeregion 204 anfügen.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann in verschiedenen optionalen Modifikationen des Substratträgers 600a der mindestens eine erste Umfangsvertiefungsabschnitt 104a', 114a' unnötig sein und daher wahlweise kein Teil der Substrataufnahmeregion 204 des Substratträgers 600a sein. Alternativ oder zusätzlich kann die Substrataufnahmeregion 204 des Substratträgers 600a mindestens einen zweiten Umfangsvertiefungsabschnitt (nicht dargestellt) aufweisen, der mindestens teilweise den mindestens einen ersten Umfangsvertiefungsabschnitt 104a', 114a' (analog zu 1C oder 6B) umgibt. In diesem Fall kann sich der mindestens eine zweite Umfangsvertiefungsabschnitt zwischen dem mindestens einen ersten Umfangsvertiefungsabschnitt 104a', 114a' und dem Umfang 134 der Substrataufnahmeregion 204 erstrecken. Wahlweise kann der mindestens eine erste Umfangsvertiefungsabschnitt 104a', 114a' segmentiert sein.
  • Wahlweise können der mindestens eine zentrale erster Vertiefungsabschnitt 104a, 114a (z. B. das mindestens eine Abstützelement 602) und oder der mindestens eine erste Umfangsvertiefungsabschnitt 104a', 114a' eine sich verjüngende Form aufweisen (nicht dargestellt, siehe 5A). Zum Beispiel kann der mindestens ein erster Vertiefungsabschnitt 104a, 114a (z. B. das mindestens eine Abstützelement 602) kegelförmig ausgebildet sein. Dies kann den Kontaktbereich des Wafers (auch Substrat), der in der Substrataufnahmeregion 204 aufgenommen ist, weiter reduzieren.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann der mindestens eine erster Vertiefungsabschnitt 104a, 114a (z. B. das mindestens eine Abstützelement 602) eine dritte Tiefe aufweisen. Die erste Tiefe kann größer als die dritte Tiefe sein. In der Darstellung kann das mindestens eine Abstützelement 602 höher als der mindestens eine erste Umfangsvertiefungsabschnitt 104a', 114a' zum Abstützen einer Wafer punktartig (in der Darstellung in der Mitte) sein und die Reibung des Wafers am Rand des Wafers reduzieren. Alternativ kann die erste Tiefe kann kleiner als die dritte Tiefe sein. In der Darstellung kann das mindestens eine Abstützelement 602 weniger hoch als der mindestens eine erste Umfangsvertiefungsabschnitt 104a', 114a' zum Abstützen eines Wafers, der zur Verformung tendiert, sein, indem z. B. zugelassen wird, dass sich der Wafer in der zentralen Region der Substrataufnahmeregion 204 absenkt. Die dritte Höhe kann durch die Länge des mindestens einen Abstützelements 602 und/oder durch die vertikale Ausdehnung 502v der mindestens einen Öffnung 502 angepasst werden.
  • Das mindestens eine Abtützelement 602 kann den Wafer in seiner Mitte abstützen. Dies kann eine Gewichtsverteilung des Wafers auf das mindestens eine Abstützelement 602 ermöglichen. Dies wird die Reibung weiter verringern, die zwischen dem Wafer und dem Substratträger 600a auftritt, z. B. zwischen dem Wafer und dem mindestens einen ersten Umfangsvertiefungsabschnitt 104a', 114a', z. B., wenn der Wafer dreht. Die Substrataufnahmeregion 204 kann in die Trägerplatte 102 eingesenkt sein (in der Darstellung tief angeordnet), z. B. als ganze, z. B. wahlweise tiefer als der Träger 200a (siehe 2A). Mit anderen Worten können die erste Tiefe und/oder zweite Tiefe des Substratträgers 500a wahlweise größer als der Träger 200a sein. Dies kann die Tendenz der Wafer, aus der Substrataufnahmeregion 204 zu rutschen, z. B. aufgrund der Verformung (z. B. Verbiegen/Auswölben), z. B. während der Expitaxieverarbeitung, z. B. wenn der Wafer von dem mindestens einen Abstützelement 602 in der Wafermitte abgestützt wird, reduzieren.
  • Das Abstützelement 602 kann ein Material aufweisen, das bis zu einer Temperatur von größer als oder gleich 1450 °C fest bleibt, z. B. im Bereich von etwa 1450 °C bis 1850 °C, z. B. etwa 1630 °C, z. B. ein Carbidmaterial (z. B. SiC oder TaC) und/oder ein Kohlenstoffmaterial (z. B. Grafit), das z. B. von dem Carbidmaterial beschichtet ist. In der Darstellung ermöglicht die Ausgestaltung der Substrataufnahmeregion 204 das Positionieren eines Stifts aus geeignetem Material (z. B. Grafit, SiC, usw.), der den Wafer in seiner Mitte abstützt, wodurch die Reibung zwischen dem Waferhalter und dem Waferrand weiter verringert wird.
  • Erfindungsgemäß erstreckt sich die mindestens eine Öffnung 502 in eine Trägerplatte 102, z. B. in eine Basisoberfläche der Substrataufnahmeregion 204 in mindestens einem der zuvor beschriebenen Substratträger, z. B. Substratträger 100a, 200a, 400. Alternativ oder zusätzlich kann mindestens ein Substratabstützelement (nicht dargestellt) mindestens in der Substrataufnahmeregion 204 angeordnet sein, z. B. in der mindestens einen Öffnung 502, wenn vorhanden, z. B. in einem der zuvor beschriebenen Substratträger, z. B. Substratträger 100a, 200a, 400.
  • 6B zeigt einen Substratträger 600b in einer Querschnittsansicht (z. B. senkrecht zur Plattenebene) gemäß verschiedenen Ausführungsformen. Die Substrataufnahmeregion 204 kann mindestens ein Abstützelements 602 aufweisen.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das mindestens eine Abstützelement 602 in Form eines Rings (siehe 6D) vorliegen. In diesem Fall können ein erster Abschnitt 602a des mindestens einen Abstützelements 602 und ein zweiter Abschnitt 602b des mindestens einen Abstützelements 602 miteinander verbunden sein, z. B. monolithisch.
  • Alternativ kann das mindestens eine Abstützelement 602 segmentiert sein, mit anderen Worten, eine Vielzahl von Abstützelementen aufweisen, z. B. ein erstes Abstützelement 602a und ein zweites Abstützelement 602b (siehe 7A bis 7D). In diesem Fall können das erste Abstützelement 602a und das zweite Abstützelement 602b voneinander getrennt sein, z. B. durch mindestens einen zweiter Vertiefungsabschnitt 104b, 114b. In diesem Fall kann die mindestens eine Öffnung 502 entsprechend des mindestens einen Abstützelements 602 segmentiert sein. Zum Beispiel kann die Substrataufnahmeregion 204 eine oder mehrere weitere Öffnungen umfassen, z. B. eine weitere Öffnung in einer zentralen Region und/oder in einer Umfangsregion der Substrataufnahmeregion 204, analog zu 5D oder 6A, und eines oder mehrere weitere Abstützelemente, z. B. in Form eines Stifts, der in der einen oder den mehreren weiteren Öffnungen aufgenommen wird. Das mindestens eine Abstützelement 602 kann lösbar sein. Zum Beispiel kann das mindestens eine Abstützelement 602 in der mindestens einen Öffnung 502 aufgenommen sein, z. B. eingesteckt oder eingeschraubt sein.
  • Das mindestens eine Abstützelement 602 kann den mindestens einen ersten Vertiefungsabschnitt 104a, 114a mindestens teilweise bilden. Die Substrataufnahmeregion 204 kann ferner mindestens zwei zweite Vertiefungsabschnitte aufweisen, z. B. einen zweiten Umfangsvertiefungsabschnitt 104b', 114b' und einen zentralen Vertiefungsabschnitt 104b, 114b. Der mindestens eine erste Vertiefungsabschnitt 104a, 114a kann zwischen den mindestens zwei zweiten Vertiefungsabschnitten angeordnet sein (oder sich dazwischen erstrecken).
  • Der mindestens eine erste Vertiefungsabschnitt 104a, 114a, z. B. das Abstützelement 602 (und/oder weitere Abstützelemente, wenn vorhanden) kann eine sich verjüngende Form (nicht dargestellt) aufweisen. Zum Beispiel können das erste Abstützelement 602a und/oder das zweite Abstützelement 602b kegelförmig ausgebildet sein.
  • Der mindestens eine erste Vertiefungsabschnitt 104a, 114a, z. B. das Abstützelement 602 (und/oder weitere Abstützelemente, wenn vorhanden) kann ein Material aufweisen, das bis zu einer Temperatur von größer als oder gleich 1450 °C fest bleibt, z. B. im Bereich von etwa 1450 °C bis 1850 °C, z. B. etwa 1630 °C, z. B. ein Carbidmaterial (z. B. SiC oder TaC) und/oder ein Kohlenstoffmaterial (z. B. Grafit), das z. B. von dem Carbidmaterial bedeckt ist. In der Darstellung ermöglicht die Ausgestaltung der Substrataufnahmeregion 204 das Positionieren eines Rings oder einer Vielzahl von Stiften aus geeignetem Material (z. B. Grafit, SiC, usw.), die den Wafer in seiner zentralen Region und/oder in seiner Umfangsregion (z. B. an seinem Rand) abstützen, damit die Reibung zwischen dem Waferhalter und dem Wafer, z. B. am Waferrand, weiter verringert wird.
  • 6C zeigt einen Substratträger 600c in einer Querschnittsansicht gemäß einem Vergleichsbeispiel, welches bis auf die Öffnung verschiedene Aspekte gemäß verschiedenen Ausführungsformen erläutert. Die Substrataufnahmeregion kann mindestens ein Abstützelement 602 aufweisen, z. B. in Form eines Rings 602a, 602b und/oder mindestens ein erstes Abstützelement 602a und ein zweites Abstützelement 602b aufweisen. Das mindestens eine Abstützelement 602 kann lösbar sein und an einer Basisoberfläche der Substrataufnahmeregion 204 angeordnet sein, z. B. in direktem Kontakt damit. Die Basisoberfläche kann von dem mindestens einen zweiten Vertiefungsabschnitt 104b, 114b definiert sein. In der Darstellung ist die Öffnung wahlweise nicht notwendig, um das mindestens eine Abstützelement 602 zu verwenden. Dies kann das leichte Modifizieren der Geometrien der Substrataufnahmeregion 204 ermöglichen, wie hierin beschrieben. Zum Beispiel kann die Substrataufnahmeregion 204 des Substratträgers 600c ähnlich der Substrataufnahmeregion 204 des Substratträgers 500b sein.
  • 6D zeigt ein Abstützelement 602 in einer Draufsicht gemäß verschiedenen Ausführungsformen. Das Abstützelement 602 kann ringförmig sein (z. B. ein kreisförmiger Ring), z. B. eine Öffnung 612 aufweisen, die sich durch das Abstützelement 602 erstreckt. Das erste Abstützelement 602 kann einen ersten Abschnitt 602a und einen zweiten Abschnitt 602b aufweisen, die miteinander verbunden sind, z. B. monolithisch.
  • Das Abstützelement 602 kann in einer Öffnung 502 der Substrataufnahmeregion 204 aufgenommen sein oder alternativ auf der Basisoberfläche eines Vertiefungsabschnitts 104b, 114b, 204 angeordnet sein. Die Öffnung 612 des Abstützelements 602 kann die Basisoberfläche eines Vertiefungsabschnitts 104b, 114b, 204, z. B. eine Basisoberfläche mindestens eines zweiten Vertiefungsabschnitts 104b, 114b freilegen. Mit anderen Worten kann der mindestens eine zweite Vertiefungsabschnitt 104b, 114b in dem Ring angeordnet sein.
  • 7A zeigt zwei Abstützelemente 602, z. B. ein erstes Abstützelement 602a und ein zweites Abstützelement 602b in einer Draufsicht gemäß verschiedenen Ausführungsformen. Das erste Abstützelement 602a und das zweite Abstützelement 602b können im Wesentlichen halbringförmig sein (z. B. ein halber kreisförmiger Ring), z. B. eine Öffnung 612 aufweisen, die sich durch das Abstützelement 602 erstreckt. Das erste Abstützelement 602a und das zweite Abstützelement 602b können voneinander getrennt sein, z. B. durch mindestens einen Spalt 712.
  • Die zwei Abstützelemente 602 können in einer Öffnung 502 der Substrataufnahmeregion 204 aufgenommen sein oder alternativ auf der Basisoberfläche eines Vertiefungsabschnitts 104b, 114b, 204 angeordnet sein. Die Öffnung 612 und der Spalt 712 können die Basisoberfläche eines Vertiefungsabschnitts 104b, 114b, 204, z. B. eine Basisoberfläche mindestens eines zweiten Vertiefungsabschnitts 104b, 114b freilegen. Mit anderen Worten kann mindestens ein zweiter Vertiefungsabschnitt 104b, 114b das erste Abstützelement 602a und das zweite Abstützelement 602b voneinander trennen.
  • 7B zeigt eine Vielzahl von Abstützelementen 602, die z. B. ein erstes Abstützelement 602a, ein zweites Abstützelement 602b, ein drittes Abstützelement 602c und ein viertes Abstützelement 602d aufweisen, in einer Draufsicht gemäß verschiedenen Ausführungsformen. Die Vielzahl von Abstützelementen 602 kann jeweils im Wesentlichen viertelringförmig sein (z. B. ein Viertel eines kreisförmigen Rings), z. B. eine Öffnung 612 aufweisen, die sich durch das Abstützelement 602 erstreckt. Die Vielzahl von Abstützelementen 602 kann jeweils voneinander getrennt sein, z. B. durch einen Spalt 712.
  • Die Vielzahl von Abstützelementen 602 kann in einer Öffnung 502 der Substrataufnahmeregion 204 aufgenommen sein oder alternativ auf einer Basisoberfläche eines Vertiefungsabschnitts 104b, 114b, 204 angeordnet sein. Die Öffnung 612 und der Spalt 712 können die Basisoberfläche eines Vertiefungsabschnitts 104b, 114b, 204, z. B. eine Basisoberfläche mindestens eines zweiten Vertiefungsabschnitts 104b, 114b freilegen. Mit anderen Worten kann mindestens ein zweiter Vertiefungsabschnitt 104b, 114b von der Vielzahl von Abstützelementen 602 voneinander getrennt sein, z. B. mindestens paarweise.
  • 7C zeigt eine Vielzahl Abstützelemente 602, z. B. die ein erstes Abstützelement 602a und ein zweites Abstützelement 602b und weitere Abstützelemente aufweist, in einer Draufsicht gemäß verschiedenen Ausführungsformen. Die Vielzahl von Abstützelementen 602 kann jeweils im Wesentlichen kreisförmig sein, z. B. eine Öffnungsregion 612 umgeben, die sich durch das Abstützelement 602 erstreckt. Die Vielzahl von Abstützelementen 602 kann jeweils voneinander getrennt sein, z. B. durch einen Spalt 712. Die Öffnung 612 und der Spalt 712 können die Basisoberfläche eines Vertiefungsabschnitts 104b, 114b, 204, z. B. eine Basisoberfläche mindestens eines zweiten Vertiefungsabschnitts 104b, 114b freilegen. Mit anderen Worten kann mindestens ein zweiter Vertiefungsabschnitt 104b, 114b von der Vielzahl von Abstützelementen 602 voneinander getrennt sein, z. B. mindestens paarweise.
  • 7D zeigt zwei Abstützelemente 602, die z. B. ein erstes Abstützelement 602a und ein zweites Abstützelement 602b aufweisen. Die zwei Abstützelemente 602 können jeweils kreisförmig sein, z. B. entfernt voneinander angeordnet sein. Die zwei Abstützelemente 602 können jeweils voneinander getrennt sein, z. B. durch einen Spalt 712. Der Spalt 712 kann die Basisoberfläche eines Vertiefungsabschnitts 104b, 114b, 204, z. B. eine Basisoberfläche mindestens eines zweiten Vertiefungsabschnitts 104b, 114b freilegen. Mit anderen Worten kann mindestens ein zweiter Vertiefungsabschnitt 104b, 114b von den zwei Abstützelementen 602 voneinander getrennt sein.
  • 8 zeigt ein Verarbeitungsbauelement 800 in einer Querschnittsansicht gemäß einem Vergleichsbeispiel. Das Verarbeitungsbauelement 800 kann einen Verarbeitungskammer 802, z. B. eine Vakuumkammer, aufweisen. Die Verarbeitungskammer 802 kann mit einem Pumpensystem gekoppelt sein. Das Pumpensystem kann mindestens eine Hochvakuumpumpe und/oder eine Vorvakuumpumpe aufweisen. Die Verarbeitungskammer 802 kann zum Bereitstellen einer Vakuumregion 801 in der Verarbeitungskammer 802 konfiguriert sein. Das Verarbeitungsbauelement 800 kann zum Bilden eines Vakuums in der Vakuumregion 801 konfiguriert sein.
  • Ferner kann die Verarbeitungsvorrichtung 800 einen Substratträger 812 wie hierin beschrieben aufweisen. Der Substratträger 812 kann eine Trägerplatte 102 aufweisen, die mindestens eine Substrataufnahmeregion aufweist. Ferner kann der Substratträger 812 eine Montagestruktur 804 aufweisen, die zum Abstützen der Trägerplatte 102 konfiguriert ist.
  • Des Weiteren kann das Verarbeitungsbauelement 800 eine Materialquelle 812 aufweisen, die zum Zuführen eines gasförmigen Materials zur Verarbeitungskammer konfiguriert ist. Das gasförmige Material kann mindestens Kohlenstoff (auch als gasförmige Kohlenstoffquelle bezeichnet) aufweisen. Zum Beispiel kann das gasförmige Material ein kohlenstoffbasiertes Gas aufweisen oder daraus gebildet sein, z. B. ein Polymer, das Kohlenstoff, z. B. Kohlenwasserstoff, z. B. Propan und/oder Ethylen aufweist. Wahlweise kann die Materialquelle 812 ferner zum Zuführen mindestens eines von Folgenden konfiguriert sein: eines gasförmigen Trägers (z. B. Wasserstoff und/oder eines Edelgases), einer gasförmigen Dotierungsquelle (z. B. ein Gas, das Stickstoff und/oder Aluminium aufweist, z. B. ein metallorganisches gasähnliches Trimethylaluminium oder einen gasförmigen Stickstoff), einer gasförmigen Siliciumquelle (z. B. Silan), einer gasförmigen Chloridquelle (ein Gas, das Chlorid aufweist, z. B. Methyltrichlorosilan, Silciumtetrachlorid und/oder Trichlorosilan). Zum Beispiel kann die Materialquelle 812 zum Zuführen einer gasförmigen Kohlenstoffquelle, einer gasförmigen Siliciumquelle, einer gasförmigen Dotierungsquelle und eines gasförmigen Trägers (Trägergases) konfiguriert sein, in Reihe oder mindestens teilweise parallel.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Materialquelle 812 mindestens eine Gasabstützleitung 806 und mindestens eine Gasquelle 808 aufweisen (die mit der Gasstützleitung 806 gekoppelt ist), z. B. mindestens einen Gastank für jedes gasförmige Material (in der Darstellung für jedes Gas). Wahlweise kann die Materialquelle 812 eine Gasströmungssteuerung aufweisen, die zum Steuern einer Gasströmung basierend auf einem Steuerungsparameter (z. B. innerhalb der Vakuumregion und/oder über die Trägerplatte 102) konfiguriert ist. Die Steuerungsparameter können mindestens eines von Folgenden einschließen: Druck, Teildruck, Gasströmungsrate (entsprechend einer Gasströmungsmenge von mindestens in oder durch die Verarbeitungskammer 802 pro Zeitraum), Gasströmungsgeschwindigkeit, Gasströmungsrichtung, Gasströmungsmenge, Drehzahl eines Substrats. Die Gasströmung (z. B. mindestens eines von Rate, Geschwindigkeit, Richtung, Menge) und der Prozesskammerdruck können zum Steuern der Drehzahl des Substrats konfiguriert sein, z. B. durch Einstellen mindestens eines von Gasströmungsrate oder Gasströmungsgeschwindigkeit.
  • Mindestens eines von Gasströmungsgeschwindigkeit oder Gasströmungsmenge können von mindestens einem von Gasdruck innerhalb der Verarbeitungskammer 802 oder Gasströmungsrate mindestens eines von in oder durch die Verarbeitungskammer 802 definiert werden. Mindestens eines von Gasströmungsgeschwindigkeit oder Gasmenge können durch Einstellen von mindestens einem von Gasdruck innerhalb der Verarbeitungskammer 802 oder sie Gasströmungsrate mindestens eines von in oder durch die Verarbeitungskammer 802 gesteuert werden. Die Gasströmungsrate kann von der Gasströmungssteuerung gesteuert werden, z. B. gemäß einem vorbestimmten Steuerungsparameter, der z. B. zum Steuern der Gasströmungsrate eingestellt werden kann. Zum Steuern des Gasdrucks innerhalb der Verarbeitungskammer 802 kann das Verarbeitungsbauelement 800 ein Ventil aufweisen, z. B. ein Schmetterlingsventil, das die Kopplung von Verarbeitungskammer 802 und Pumpenanordnung steuern kann. Zum Beispiel kann die Pumpenanordnung mit der Verarbeitungskammer 802 über eine Ableitung verbunden sein, in der das Ventil angeordnet sein kann. Durch Schließen des Ventils kann die Kopplung zwischen der Pumpenanordnung und der Verarbeitungskammer 802 reduziert werden, sodass die Ansaugleistung, die der Verarbeitungskammer 802 bereitgestellt wird, reduziert werden kann. Durch Öffnen des Ventils kann die Kopplung zwischen der Pumpenanordnung und der Verarbeitungskammer 802 erhöht werden, sodass die Ansaugleistung, die der Verarbeitungskammer 802 bereitgestellt wird, erhöht werden kann. Eine maximale Ansaugleistung kann der Verarbeitungskammer 802 bei einer vollständig offenen Ventilkonfiguration bereitgestellt werden, die zu einem minimalen Gasdruck innerhalb der Verarbeitungskammer 802 führt (mit anderen Worten kann die Verarbeitungskammer 802 vollständig mit der Pumpenanordnung gekoppelt sein). Eine minimale Ansaugleistung kann der Verarbeitungskammer 802 bei einer vollständig geschlossenen Ventilkonfiguration bereitgestellt werden, die zu einem maximalen Gasdruck innerhalb der Verarbeitungskammer 802 führt (mit anderen Worten kann die Verarbeitungskammer 802 vollständig von der Pumpenanordnung abgekoppelt sein). Durch Reduzieren des Gasdrucks innerhalb der Verarbeitungskammer 802 kann mindestens eines von Gasströmungsgeschwindigkeit oder Gasströmungsrate erhöht werden.
  • Das Aktivierungsmoment des Wafers, das das minimale Drehmoment (in der Darstellung notwendigerweise an den Wafer anzulegen) zum Aktivieren der Drehung des Wafers darstellt, kann durch eine Reibung zwischen dem Wafer und dem Substratträger definiert werden. Das an den Wafer angelegte Drehmoment kann durch eine Reibung zwischen der Gasströmung und dem Wafer definiert werden und kann durch Einstellen mindestens eines von Gasströmungsrate von mindestens einem von in oder durch die Verarbeitungskammer 802, Gasströmungsgeschwindigkeit von mindestens einem von in oder durch die Verarbeitungskammer 802 oder Gasdruck innerhalb der Verarbeitungskammer 802 gesteuert werden. In der Darstellung kann zum Aktivieren der Drehung des Wafers das Drehmoment, das an den Wafer angelegt wird (von der Gasströmung) größer als das Aktivierungsmoment sein, z. B. in einem Transfer der kinetischen Energie zum Wafer resultieren, z. B. durch Erhöhen der Drehenergie des Wafers. Das an den Wafer angelegte Drehmoment kann durch Erhöhen der Gasströmungsrate von mindestens einem von in und durch die Verarbeitungskammer 802 erhöht werden. Alternativ oder zusätzlich kann das an den Wafer angelegte Drehmoment durch Erhöhen der Gasströmungsgeschwindigkeit von mindestens einem von in und durch die Verarbeitungskammer 802 erhöht werden. Alternativ oder zusätzlich kann das an den Wafer angelegte Drehmoment durch Reduzieren des Gasdrucks innerhalb der Verarbeitungskammer 802 erhöht werden.
  • Wahlweise kann das Verarbeitungsbauelement 800 ein Heizsystem 822 aufweisen, das zum Erwärmen des Substratträgers auf eine Temperatur von größer als oder gleich 1450 °C konfiguriert ist, z. B. im Bereich von etwa 1450 °C bis 1850 °C, z. B. etwa 1630 °C. Das Heizsystem 822 kann mindestens eines von einer Strahlungsquelle (z. B. eine Heizstrahlungsquelle oder einer Lichtquelle, z. B. einen Laser), einem Induktionsheizelement, einem elektrischen Widerstandheizelement aufweisen. Zum Erreichen einer höheren Temperatur, z. B, im Bereich von etwa 1450 °C bis 1850 °C können mindestens eines von Induktionsheizelement oder elektrischem Widerstandheizelement verwendet werden. Das Heizsystem 822 kann elektrisch mit einer Stromversorgung verbunden sein. Das Heizsystem 822 kann zum Übertragen von Wärmeenergie zum Substratträger 812 und/oder einem oder mehreren Substraten konfiguriert sein, die in dem Substratträger 812 aufgenommen sind.
  • Wahlweise kann das Verarbeitungsbauelement 800 ein Betätigungssystem 814 aufweisen, das mit der Trägerplatten-Montagestruktur 804 gekoppelt ist und zum Drehen des Substratträgers konfiguriert ist. Zum Beispiel kann das Betätigungssystem 814 einen Motor und eine Welle aufweisen. Die Welle kann den Motor mit der Trägerplatten-Montagestruktur 804 zum Übertragen eines Drehmoments koppeln, das von dem Motor an der Trägerplatten-Montagestruktur 804 erzeugt wird.
  • 9 zeigt ein Verfahren 900 in einem schematischen Flussdiagramm gemäß einem Vergleichsbeispiel.
  • Das Verfahren 900 kann bei 901 das Anordnen mindestens eines Substrats, das ein Carbidmaterial aufweist, in mindestens eine Substrataufnahmeregion eines Substratträgers einschließen, wobei die mindestens eine Substrataufnahmeregion mindestens einen Vertiefungsabschnitt (der auch als mindestens ein zweiter Vertiefungsabschnitt bezeichnet wird) aufweist, der eine Tiefe (die auch als eine zweite Tiefe bezeichnet wird) aufweist, die größer als eine Dicke des mindestens einen Substrats ist. Das Verfahren 900 kann bei 903 das Verarbeiten mindestens eines Substrats bei einer Temperatur von größer als oder gleich 1450 °C einschließen, z. B. im Bereich von etwa 1450 °C bis 1850 °C, z. B. etwa 1630 °C.
  • Das Verarbeiten des mindestens einen Substrats kann das Bilden mindestens einer Schicht, die z. B. SiC aufweist, auf dem mindestens einen Substrat einschließen. Das Bilden mindestens einer Schicht kann eine Reaktion des gasförmigen Materials mit dem mindestens einen Substrat einschließen, das z. B. eine gasförmige Kohlenstoffquelle und/oder eine gasförmige Siliciumquelle aufweist oder daraus gebildet ist. Mit anderen Worte kann das gasförmige Material (Gas) mindestens Kohlenstoff und/oder Silicium aufweisen. Alternativ oder zusätzlich kann die Verarbeitung des mindestens einen Substrats das Dotieren des mindestens einen Substrats mindestens teilweise einschließen. Daher kann ein gasförmiges Material, das eine gasförmige Dotierungsquelle aufweist oder daraus gebildet ist, an das mindestens eine Substrat angelegt werden.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann der Substratträger mindestens Kohlenstoff in Form eines Carbids und/oder in Form eines Grafits aufweisen. Der Kohlenstoff kann in Form eines Carbids (Carbidmaterials) und/oder in Form eines Grafits (Grafitmaterials) vorliegen. Die Trägerplatte 102 kann Kohlenstoff aufweisen oder daraus gebildet sein, z. B. in Form von Grafit und/oder mit einem Carbidmaterial beschichtet sein, z. B. Siliciumcarbid und/oder Tantalcarbid. Das mindestens eine Substrat kann SiC aufweisen, z. B. in monokristalliner Form.
  • Das Verfahren kann wahlweise das Drehen des mindestens einen Substrats einschließen. In diesem Fall kann die mindestens eine Substrataufnahmeregion eine Kreisform aufweisen. Mit anderen Worten kann die mindestens eine Substrataufnahmeregion einen kreisförmigen Querschnitt parallel zu der lateralen Plattenebene aufweisen, z. B. einen kreisförmigen Umfang (Umfangsrand). Zum Drehen des mindestens einen Substrats kann eine Gasströmung (Strömung von Gas) über dem mindestens einen Substrat gebildet werden, z. B. kann die Gasströmung von einer Materialquelle bereitgestellt und/oder gesteuert werden. Die Gasströmung kann mechanische Energie (z. B. kinetische Energie) zum mindestens einen Substrat übertragen. Mit anderen Worten kann die Gasströmung ein Drehmoment (z. B. eine Kraft) am mindestens einen Substrat bewirken (z. B. anlegen). Das Drehmoment kann durch Reibung zwischen den Gasmolekülen und dem mindestens einen Substrat verursacht werden. Die Materialquelle kann zum Bereitstellen einer Strömung aus gasförmigem Material (Gasströmung) über den Substratträger konfiguriert sein, sodass mindestens ein Substrat, das in dem Substratträger aufgenommen ist, zum Drehen aktiviert wird.
  • Die Gasströmung kann eine Geschwindigkeit (Strömungsgeschwindigkeit) aufweisen, die eine Kraft definiert, welche die Gasströmung an das mindestens eine Substrat anlegt. Die Kraft kann ein Drehmoment definieren, das die Gasströmung an das mindestens eine Substrat anlegt. Zum Drehen des mindestens einen Substrats, kann das an das mindestens eine Substrat angelegte Drehmoment den Widerstand überwinden, der aus der Reibung zwischen dem mindestens einen Substrat und dem Substratträger auftritt. Wenn das Substrat dreht, nimmt es mechanische Energie aus der Gasströmung auf, z. B. kinetische Energie.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann der Vertiefungsabschnitt eine Basisoberfläche definieren, die in Kontakt mit dem mindestens einen Substrat ist. In diesem Fall kann die mindestens eine Substrataufnahmeregion tiefer als die Dicke des mindestens einen Substrats versenkt sein und/oder die Seitenwand der mindestens einen Substrataufnahmeregion (an ihrem Umfang) kann mindestens eine Ausdehnung (senkrecht zur Plattenebene) aufweisen, die größer als die Dicke des mindestens einen Substrats ist. In der Darstellung kann das mindestens eine Substrat formschlüssig in der mindestens einen Substrataufnahmeregion montiert sein. Eine Differenz zwischen der Dicke des mindestens einen Substrats und der Tiefe des Vertiefungsabschnitts kann größer als etwa 50 µm sein, z. B. größer als etwa 75 µm, z. B. größer als etwa 100 µm, z. B. größer als etwa 150 µm, z. B. größer als etwa 200 µm, z. B. größer als etwa 250 µm, z. B. größer als etwa 300 µm, z. B. in dem Bereich von etwa 50 µm bis 300 µm, z. B. in dem Bereich von etwa 100 µm bis 200 µm.
  • Die Substrataufnahmeregion kann mindestens einen weiteren Vertiefungsabschnitt (auch als mindestens ein erster Vertiefungsabschnitt bezeichnet) aufweisen, der eine weitere Tiefe (auch als erste Tiefe bezeichnet) aufweist, wobei die Tiefe anders als (z. B. größer oder kleiner als) die weitere Tiefe ist, wobei die weitere Tiefe wahlweise größer als oder gleich der Dicke des Wafers sein kann. Der mindestens eine weitere Vertiefungsabschnitt kann eine Basisoberfläche definieren, die in Kontakt mit dem mindestens einen Substrat (Wafer) ist. Mit anderen Worten kann das mindestens eine Substrat durch mindestens einen weiteren Vertiefungsabschnitt abgestützt werden. In diesem Fall kann das mindestens eine Substrat im Wesentlichen formschlüssig mit einer Oberfläche des Substratträgers montiert sein, z. B. einer Oberfläche seiner Trägerplatte.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann eine epitaxiale SiC-Schicht auf oder über dem mindestens einen Substrat gebildet sein (auch als Epitaxieprozess bezeichnet). Der Wafer kann ein Carbidmaterial aufweisen, z. B. SiC. Zum Bilden der epitaxialen SiC-Schicht kann der Wafer auf eine Prozesstemperatur erwärmt werden, z. B. auf eine Temperatur von größer als 1450°C, z. B. im Bereich von etwa 1450°C bis 1850°C, z. B. etwa 1630 °C.
  • Der mindestens eine zweite Vertiefungsabschnitt kann in einer Randregion (Stufenregion) der Trägerplatte angeordnet sein und/oder zwischen einem Rand der Trägerplatte und dem mindestens ersten Vertiefungsabschnitt. Alternativ oder zusätzlich kann der mindestens eine erste Vertiefungsabschnitt in einer Randregion (Stufenregion) der Trägerplatte angeordnet sein und/oder zwischen einem Rand der Trägerplatte und dem mindestens zweiten Vertiefungsabschnitt.
  • Der mindestens eine erste Vertiefungsabschnitt kann eine Substratstütze bereitstellen. Mit anderen Worten kann ein Substrat, das in der mindestens einen Substrataufnahmeregion aufgenommen ist, von dem mindestens einen ersten Vertiefungsabschnitt abgestützt werden, z. B. in physischem Kontakt mit dem mindestens einen ersten Vertiefungsabschnitt und/oder in einer Umfangsregion des Substrats. Der mindestens eine erste Vertiefungsabschnitt kann aus einer Basisoberfläche der mindestens einen Substrataufnahmeregion vorstehen, sodass ein Spalt mindestens teilweise zwischen der Basisoberfläche und einem Substrat gebildet wird, das in der mindestens einen Substrataufnahmeregion aufgenommen ist.
  • Ferner werden im Folgenden verschiedene Ausführungsformen beschrieben:
    • Beispiel 1 ist der Substratträger gemäß einem der Patentansprüche 1 bis 4.
    • 2. Substratträger nach Beispiel 1, wobei der mindestens eine zweite Vertiefungsabschnitt mindestens teilweise den mindestens einen ersten Vertiefungsabschnitt umgibt.
    • 3. Substratträger nach Beispiel 1, wobei der mindestens eine erste Vertiefungsabschnitt mindestens teilweise den mindestens einen zweiten Vertiefungsabschnitt umgibt.
    • 4. Substratträger nach einem der Beispiele 1 bis 3, wobei eine Differenz zwischen der ersten Tiefe und der zweiten Tiefe größer als etwa 50 µm ist.
    • 5. Substratträger nach einem der Beispiele 1 bis 4, wobei die zweite Tiefe größer als etwa 400 µm ist.
    • 6. Substratträger nach einem der Beispiele 1 bis 5, wobei die Trägerplatte von einem Carbidmaterial bedeckt ist.
    • 7. Substratträger nach Beispiel 6, wobei das Carbidmaterial ein Siliciumcarbid und/oder Tantalcarbid ist.
    • 8. Substratträger nach einem der Beispiele 1 bis 7, wobei der mindestens eine erste Vertiefungsabschnitt monolithisch mit der Trägerplatte verbunden ist; oder wobei die mindestens eine Substrataufnahmeregion mindestens ein lösbares Abstützelement aufweist, das den mindestens einen ersten Vertiefungsabschnitts mindestens teilweise bildet.
    • 9. Substratträger nach Beispiel 8, wobei die mindestens eine Substrataufnahmeregion mindestens eine Öffnung aufweist, in der das mindestens eine Abstützelement aufgenommen ist.
    • 10. Substratträger nach einem der Beispiele 1 bis 9, wobei der mindestens eine erste Vertiefungsabschnitt eine sich verjüngende Form aufweist.
    • 11. Substratträger nach einem der Beispiele 1 bis 10, wobei die Trägerplatte einen Feststoff bis zu einer Temperatur aufweist, die größer als oder gleich 1450 °C ist.
    • 12. Substratträger nach Beispiel 11, wobei das feste Material Kohlenstoff aufweist.
    • 13. Substratträger nach einem der Beispiele 1 bis 12, wobei eine Oberflächeneigenschaft der Trägerplatte in der mindestens einen Substrataufnahmeregion von einer Oberflächeneigenschaft der Trägerplatte außerhalb der mindestens einen Substrataufnahmeregion abweicht.
    • 14. Substratträger nach einem der Beispiele 1 bis 13, wobei eine Oberflächeneigenschaft des mindestens einen ersten Vertiefungsabschnitts von einer Oberflächeneigenschaft des mindestens einen zweiten Vertiefungsabschnitts abweicht.
    • 15. Substratträger nach einem der Beispiele 1 bis 14, wobei eine Seitenwand des mindestens einen ersten Vertiefungsabschnitts und/oder des mindestens einen zweiten Vertiefungsabschnitts schräg ist.
    • 16. Substratträger nach einem der Beispiele 1 bis 15, wobei die Trägerplatte einen kreisförmigen Querschnitt parallel zu einer Plattenebene aufweist.
    • 17. Substratträger nach einem der Beispiele 1 bis 16, wobei die mindestens eine Substrataufnahmeregion eine laterale Ausdehnung aufweist, die größer als oder gleich 100 mm ist.
    • 18. Substratträger nach einem der Beispiele 1 bis 17, wobei die mindestens eine Substrataufnahmeregion eine laterale Ausdehnung aufweist, die größer als oder gleich 150 mm ist.
    • 19. Substratträger nach einem der Beispiele 1 bis 18, wobei die mindestens eine Substrataufnahmeregion eine laterale Ausdehnung aufweist, die kleiner als oder gleich 200 mm ist.
    • 20. Substratträger nach einem der Beispiele 1 bis 19, wobei die erste Tiefe kleiner als oder gleich etwa 400 µm ist.
    • 21. Substratträger nach einem der Beispiele 1 bis 20, wobei die zweite Tiefe größer als etwa 400 µm ist.
    • 22. Substratträger nach einem der Beispiele 1 bis 21, wobei eine Differenz zwischen der ersten Tiefe und der zweiten Tiefe größer als etwa 50 µm ist.
    • 23. Substratträger nach einem der Beispiele 1 bis 22, wobei eine laterale Ausdehnung des mindestens einen ersten Vertiefungsabschnitts in dem Bereich von etwa 0,1 mm bis etwa 25 mm liegt.
    • 24. Substratträger nach einem der Beispiele 1 bis 23, wobei die Trägerplatte eine laterale Ausdehnung aufweist, die größer als etwa 300 mm ist.
    • 25. Substratträger nach einem der Beispiele 1 bis 24, wobei die mindestens eine Substrataufnahmeregion abgestuft ist.
    • 26. Substratträger nach einem der Beispiele 1 bis 25, wobei das feste Material eine Aggregatzustand-Übergangstemperatur aufweist, die größer als oder gleich 1450 °C ist.
    • 27. Substratträger nach einem der Beispiele 1 bis 26, wobei die mindestens eine Substrataufnahmeregion mindestens einen dritten Vertiefungsabschnitt aufweist, der eine dritte Tiefe aufweist, wobei die erste Tiefer größer als die dritte Tiefe ist und/oder die zweite Tiefe größer als die dritte Tiefe ist; wobei der mindestens eine erste Vertiefungsabschnitt mindestens teilweise den mindestens einen dritten Vertiefungsabschnitt umgibt.
    • 28. Substratträger nach einem der Beispiele 1 bis 27, wobei eine Oberflächeneigenschaft mindestens eines von Folgenden aufweist: eine Textur, eine chemische Zusammensetzung, eine Rauigkeit, eine Oberflächenspannung, eine Topologie.

Claims (4)

  1. Substratträger (100b), umfassend: eine Trägerplatte (102), umfassend mindestens eine Substrataufnahmeregion (104, 114), die mindestens einen ersten Vertiefungsabschnitt (104a, 114a) umfasst, der eine erste Tiefe (124a) aufweist, und mindestens einen zweiten Vertiefungsabschnitt (104b, 114b), der eine zweite Tiefe (124b) aufweist, wobei die zweite Tiefe (124b) größer als die erste Tiefe (124a) ist, wobei der mindestens eine zweite Vertiefungsabschnitt (104b, 114b) mindestens teilweise den mindestens einen ersten Vertiefungsabschnitt (104a, 114a) umgibt; und eine Trägerplatten-Montagestruktur, die zum Abstützen der Trägerplatte (102) konfiguriert ist, wobei die mindestens eine Substrataufnahmeregion (104, 114) mindestens ein lösbares Abstützelement (602) aufweist, das den mindestens einen ersten Vertiefungsabschnitt mindestens teilweise bildet; mindestens eine Öffnung (502), in der das mindestens eine Abstützelement (602) aufgenommen ist, wobei sich die Öffnung von der zweiten Tiefe (124b) aus in die Trägerplatte (102) hinein erstreckt.
  2. Substratträger (100b) nach Anspruch 1, wobei eine Umfangsform der mindestens einen Substrataufnahmeregion (104, 114) einen gekrümmten Abschnitt und einen nicht gekrümmten Abschnitt umfasst.
  3. Substratträger (100b) nach Anspruch 1, wobei eine Umfangsform der mindestens einen Substrataufnahmeregion (104, 114) kreisförmig ist.
  4. Substratträger (100b) nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei eine Umfangsform des mindestens einen ersten Vertiefungsabschnitts (104a, 114a) und/oder des mindestens einen zweiten Vertiefungsabschnitts (104b, 114b) kreisförmig ist.
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