JP5435039B2 - Cvd用トレーおよびそれを用いた成膜方法 - Google Patents
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Description
(4)CVD法による成膜に用いられ、トレー本体と、このトレー本体に架設されてシリコンウェーハを支持する支持部材とからなるトレーであって、前記支持部材には前記シリコンウェーハを直接載置する載置部が設けられ、さらに前記載置部は、載置される前記シリコンウェーハと距離を設けて相対向するトレー本体の面から離間された載置部下面を有し、前記トレー本体が前記支持部材を受け入れる凹状の受け入れ部を有し、前記支持部材は、前記受け入れ部内に配置されており、前記トレー本体の前記面において、前記載置部に相対向する部分に、凹部が形成されていることを特徴とするCVD用トレー。
(5)上記(4)に記載のトレーが、前記支持部材と前記トレー本体の接触面積を低減する構造を有することを特徴とするCVD用トレー。
(6)前記接触面積を低減する構造として、前記トレー本体に凸設部を設け、当該凸設部に前記支持部材を架設する構造を有することを特徴とする上記(5)に記載のCVD用トレー。
(7)前記接触面積を低減する構造として、前記支持部材を点接触または線接触を介して、前記トレー本体に架設する構造を有することを特徴とする上記(5)に記載のCVD用トレー。
図1は、トレー本体と支持部材とからなる実施形態を示す図であり、図1(a)はトレー本体が受け入れ部を有する場合(参考例)、図1(b)は平面状のトレー本体を用い、支持部材を外周で支える場合(参考例)、図1(c)は平面状のトレー本体を用い、支持部材を中程で支える場合(参考例)、図1(d)はシリコンウェーハと相対向するトレー本体の面に凹部を設けた場合(本発明の実施形態)をそれぞれ示す。図1(a)〜(d)に示すトレー1は、トレー本体2と、支持部材3とからなり、支持部材3が備える載置部3cにより、シリコンウェーハ5を支持して載置する。
図2は、トレー本体に凸設部を設ける参考例を示す図であり、図2(a)は上面図、図2(b)は図2(a)におけるA−A断面図、図2(c)は図2(a)におけるB−B断面図である。図2に示すトレーは、トレー本体2と、トレー本体2に架設されてシリコンウェーハ5を支持する支持部材3とからなる。また、支持部材3は、シリコンウェーハ5を直接載置する載置部3cが設けられるとともに、トレー本体2から離間された載置部下面3dを有する。
図4は、点接触および線接触を介して支持部材を架設する参考例を示す図であり、図4(a)は上面図、図4(b)は図4(a)におけるA−A断面図である。図4に示すトレーは、支持部材3を受け入れる凹状の受け入れ部を有するトレー本体2と、トレー本体2に架設されてシリコンウェーハ5を支持する支持部材3とからなる。また、支持部材3は、シリコンウェーハ5を直接載置する載置部3cが設けられるとともに、トレー本体2から離間された載置部下面3dを有する。
図6は、治具による点接触または線接触を介して支持部材を架設する形態を示す断面図であり、図6(a)は点接触を介して支持部材を架設する場合、図6(b)は線接触を介して支持部材を架設する場合をそれぞれ示す。図6(a)および(b)に示すトレーは、トレー本体2と、シリコンウェーハを支持する支持部材3と、支持部材3を支持する治具4とからなる。
前述した本発明のCVD用トレーは、下記の実施形態を採用するのが好ましい。
本発明の成膜方法は、本発明のCVD用トレーを用いる成膜方法である。前述のとおり、本発明のCVD用トレーは、シリコンウェーハを支持する支持部材の載置部が、シリコンウェーハと相対向するトレー本体の面2aと離間された下面を有するトレーであり、使用に際し、従来から慣用されるトレーと操作や取り扱いは何ら変わるところはない。
参考例1として、前記図1(a)に示すトレーにシリコンウェーハを載置した後、シリコンウェーハを加熱しつつ、シリコンウェーハ上に原料ガスを供給して、常圧下でのCVD法によりシリコンウェーハ上に酸化膜(SiO2)を成膜し、その後、酸化膜の厚みを測定した。
図7は、参考例1により成膜した場合の酸化膜の厚み分布を示す図である。図7に示す厚み分布より、参考例1では酸化膜厚みが3400Å〜3800Åに分布し、厚み分布の幅は約400Åであった。
トレーにシリコンウェーハを載置した後、シリコンウェーハを加熱しつつ、シリコンウェーハ上に原料ガスを供給して、常圧下でのCVD法によりシリコンウェーハ上に酸化膜(SiO2)を成膜し、その後、酸化膜の厚みを測定する試験を行った。本試験では、CVD法による酸化膜の成膜は、連続式常圧CVD装置(AMAX1200 天谷製作所製)を用い、シリコンウェーハは直径300mmのものを供試し、原料ガスをモノシラン(SiH4)と酸素(O2)の混合ガスとし、CVD装置内を加熱してトレー表面温度を430℃に加熱し、酸化膜厚みの狙い値を3500Åとした。
図9は、接触面積を低減する構造を有するトレーまたは当該構造を有さないトレーを用いてCVD法により成膜した際に形成された酸化膜の厚み分布を示す図である。図9では、シリコンウェーハ中心からの距離(mm)を横軸とし、シリコンウェーハ中心における膜厚との差の割合(%)を縦軸とした。ここで、シリコンウェーハ中心における膜厚との差の割合(%)は、シリコンウェーハ中心の膜厚(Å)に対してシリコンウェーハ中心との膜厚差(Å)が占める割合である。
2a:載置されるシリコンウェーハと相対向する面、
2b:受け入れ部の内周面、 2c:受け入れ部の上面、 2d:凹部、
2e:凸設部、 2f:溝、 3:支持部材、 3a:支持部材の上面、
3b:支持部材の外周面、 3c:支持部材の載置部、
3d:載置部下面、 3e:支柱部、 3f:支持部、
3g:支持部の下面、 4:治具、 5:シリコンウェーハ、
5a:成膜面、 5b:外周部、 5c:非成膜面
Claims (13)
- CVD法による成膜に用いられ、トレー本体と、このトレー本体に架設されてシリコンウェーハを支持する支持部材とからなるトレーであって、
前記支持部材には前記シリコンウェーハを直接載置する載置部が設けられ、
さらに前記載置部は、載置される前記シリコンウェーハと距離を設けて相対向するトレー本体の面から離間された載置部下面を有し、
前記トレー本体が前記支持部材を受け入れる凹状の受け入れ部を有し、
前記支持部材は、前記受け入れ部内に配置されており、
前記受け入れ部が有する内周面を傾斜面とし、その上部が受け入れ部の中心から遠ざかるように配設することを特徴とするCVD用トレー。 - 前記トレー本体に凸設部を設け、当該凸設部に前記支持部材を架設する構造を有することを特徴とする請求項1に記載のCVD用トレー。
- 前記支持部材を点接触または線接触を介して、前記トレー本体に架設する構造を有することを特徴とする請求項1に記載のCVD用トレー。
- CVD法による成膜に用いられ、トレー本体と、このトレー本体に架設されてシリコンウェーハを支持する支持部材とからなるトレーであって、
前記支持部材には前記シリコンウェーハを直接載置する載置部が設けられ、
さらに前記載置部は、載置される前記シリコンウェーハと距離を設けて相対向するトレー本体の面から離間された載置部下面を有し、
前記トレー本体が前記支持部材を受け入れる凹状の受け入れ部を有し、
前記支持部材は、前記受け入れ部内に配置されており、
前記トレー本体の前記面において、前記載置部に相対向する部分に、凹部が形成されていることを特徴とするCVD用トレー。 - 請求項4に記載のトレーが、前記支持部材と前記トレー本体の接触面積を低減する構造を有することを特徴とするCVD用トレー。
- 前記接触面積を低減する構造として、前記トレー本体に凸設部を設け、当該凸設部に前記支持部材を架設する構造を有することを特徴とする請求項5に記載のCVD用トレー。
- 前記接触面積を低減する構造として、前記支持部材を点接触または線接触を介して、前記トレー本体に架設する構造を有することを特徴とする請求項5に記載のCVD用トレー。
- 請求項5に記載のトレーが、さらに前記支持部材を支持する治具を備え、
前記接触面積を低減する構造として、前記支持部材を、前記治具による点接触または線接触を介して、前記トレー本体に架設する構造を有することを特徴とするCVD用トレー。 - 前記受け入れ部が有する内周面を傾斜面とし、その上部が受け入れ部の中心から遠ざかるように配設することを特徴とする請求項6に記載のCVD用トレー。
- 前記載置部が、傾斜面で形成され、その内円周側が載置される前記シリコンウェーハと距離を設けて相対向するトレー本体の面に近づくように配設されており、前記シリコンウェーハの外周部を支持することを特徴とする請求項1〜9のいずれかに記載のCVD用トレー。
- 前記載置部が環状であることを特徴とする請求項1〜10のいずれかに記載のCVD用トレー。
- 前記載置部がSiCからなることを特徴とする請求項1〜11のいずれかに記載のCVD用トレー。
- シリコンウェーハをトレーに載置した後、シリコンウェーハ上に原料ガスを供給しつつ、前記シリコンウェーハを加熱して、CVD法により前記シリコンウェーハ上に成膜する成膜方法であって、前記トレーとして請求項1〜12のいずれかに記載のCVD用トレーを用いることを特徴とする成膜方法。
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