TWI419255B - Epitaxial growth - Google Patents

Description

磊晶成長用承受體

本發明係關於在單晶基板上層積磊晶層之磊晶成長裝置中，在磊晶成長時用以支持單晶基板之磊晶成長用承受體(以下有時僅稱之為承受體)。

磊晶成長技術，是在製造雙載子電晶體(Bipolar transistor)、金氧半大型積體電路(MOSLSI)等的積體電路時所採用的使單晶薄膜層氣相成長之技術，因為可於潔淨的半導體單晶基板上，配合基板的結晶方位，成長均勻的單晶薄膜、或是以摻雜物濃度差異大的方式來形成具有陡峭的不純物梯度之接合，所以是一種非常重要的技術。

用以進行此種磊晶成長之裝置，通常可區分為縱型(鬆餅型(pancake型))、圓桶型(cylinder型)及橫型的三種類。這些成長裝置有共同的基本原理。此成長裝置是具備反應室和加熱手段等而構成，該反應室是在內部具備用以載置單晶基板的磊晶成長用承受體而構成，而該加熱手段是由設置在反應室的外部之鹵素燈等而構成；將縱型之中每次處理一片之裝置，稱為單片式磊晶成長裝置。

在此，參照第9圖來說明例如該單片式磊晶成長裝置。第9圖是表示先前所使用的通常的單片式磊晶成長裝置(參照日本特開2004-319623號公報等)的一個例子的概略圖。

此單片式磊晶成長裝置101，具有反應室103，在其表面要被層積磊晶層之單晶基板102，被配置在該反應室103內部；且在該反應室中，設有用以導入原料氣體、載氣之氣體導入口104及用以排出氣體之氣體排出口105。又，在反應室103內，具有用以載置單晶基板102的承受體106。另外，反應室103的上壁107是由石英玻璃所構成。

又，至少在反應室103的外部，具備例如鹵素燈等的加熱手段，用以加熱單晶基板102的例如鹵素燈等的加熱手段108。

在此，進而說明上述承受體106。第10圖中表示先前的承受體的一例的概略圖。第10圖(A)係平面圖、第10圖(B)係承受體的一部分的範圍的剖面圖。

如第10圖所示，在承受體106中形成柱坑部(凹部(counterbore))110，該柱坑部110具有外周區域111、以及受該外周區域111包圍的中央區域112，在外周區域111與中央區域112的交界處，形成段差113。

外周區域111係錐形狀(推拔形狀)，在其表面抵接要被施以磊晶成長的單晶基板102來將其支持，但是在中央區域112，不接觸單晶基板102，而是隔著段差113形成於較外周區域111更深的位置。又，為了除去單晶基板102的背面的自然氧化膜、防止暈圈的形成，而於中央區域112形成貫通孔114。

使用如上述的具備第9圖所示的先前的承受體106之單片式磊晶成長裝置101，在單晶基板102上形成磊晶層時，如第10圖(B)所示，是先將單晶基板102配置在承受體106的柱坑部110內，然後一邊藉由支持承受體106的支持軸109及使其旋轉(自轉)的未圖示的旋轉機構，使單晶基板102旋轉，一邊藉由加熱手段108加熱單晶基板102至預定的溫度。而且，在反應室103內，例如，若磊晶成長矽單晶層，則以預定時間、預定流量，從氣體導入口104供給以氫氣等的載氣稀釋後的三氯矽烷等的原料氣體來進行。

如此地進行，能夠得到在單晶基板102上已層積磊晶層的磊晶基板。

然而，若用如上所述的先前的承受體106支持單晶基板102，並施以磊晶成長，則原料氣體從形成於承受體106的中央區域112的貫通孔114進入(繞進)單晶基板102的背面，於單晶基板102的背面發生沉積。因此而有磊晶基板的外周部的平坦性惡化的問題。

對此，本發明者對於磊晶成長後的基板進行努力研究後得知，特別是在磊晶基板的背面的外周側，局部地發生顯著的沉積。再者，此背面外周側中的沉積，集中發生於單晶基板與承受體的柱坑部的外周區域抵接位置的附近(單晶基板與柱坑部的外周區域的水平寬度重疊的部分)，其結果發現，在磊晶基板的外周側發生局部的厚度變化。第10圖(B)中表示局部地層積在單晶基板的背面的外周側上的沉積層。此沉積層的厚度是取決於反應時間，約為0.05～0.3μm。

本發明係有鑑於如上所述的問題點而開發出來，其目的係提供一種磊晶成長用承受體，可防止在單晶基板的背面的外周側，局部地發生顯著的沉積。

為了解決上述課題，本發明係提供一種磊晶成長用承受體，其係於磊晶成長裝置中，具有用以水平地支持單晶基板的柱坑部之形態的磊晶成長用承受體，其特徵為：上述柱坑部，具有：抵接上述單晶基板來將其支持的外周區域；以及受該外周區域的包圍，沒有與上述單晶基板接觸的中央區域；在上述柱坑部的中央區域，形成一個以上的貫通上述磊晶成長用承受體的貫通孔；上述柱坑部的外周區域，係以大於0°而未滿1°的範圍的傾斜角，向上述中央區域增加深度地傾斜的錐形狀，且具有上述要被支持的單晶基板的直徑的3.3%以上的水平寬度。

首先，本發明人進行調查的結果發現，為了防止單晶基板的背面的外周側的局部沉積，將承受體的柱坑部的外周區域的傾斜角低角度化，且將外周區域較先前品擴張，擴大單晶基板與承受體的柱坑部的外周區域的重疊部分，使單晶基板的背面的沉積從單晶積板的更靠近中央側起漸漸地連續發生，是有效果的。

亦即，如本發明般，若是一種承受體，其用以抵接並支持單晶基板，該承受體的錐形狀的外周區域，以大於0°而未滿1°的範圍的傾斜角，且具有要被支持的單晶基板的直徑的3.3%以上的水平寬度，則與先前的承受體的情況相異，可防止於單晶基板的背面的外周側發生局部的厚沉積。因此，磊晶基板的外周部的平坦性良好，可得到高品質的磊晶基板。

又，因為在柱坑部的中央區域，形成一個以上的貫通磊晶成長用承受體的貫通孔，當磊晶成長時，可有效果地除去單晶基板的背面的自然氧化膜。

再者，因為柱坑部的外周區域，係以大於0°的傾斜角，向中央區域增加深度地傾斜的錐形狀，所以外周區域的內緣與單晶基板的背面不會接觸，可防止對單晶基板的背面造成損傷，且因係未滿1°的範圍的傾斜角，而可抑制背面的外周側的沉積。

此時，特別是對應從上述中央區域至被上述外周區域支持的上述單晶基板的最外周部為止的範圍之外周區域的水平寬度，較佳是上述單晶基板的直徑的3.3%以上。

若為如此的承受體，可更確實地防止於單晶基板的背面的外周側發生局部的厚沉積。

此時，上述柱坑部的中央區域，較佳是由曲面所形成的凹形狀。

要被支持的單晶基板，容易因本身重量而彎曲，此時，單晶基板與柱坑部的中央區域接觸，可能導致單晶基板背面發生傷痕、滑移等的受損。

然而，若柱坑部的中央區域是由曲面所形成的凹形狀，即使單晶基板彎曲，單晶基板與柱坑部的中央區域亦不會接觸，可保持單晶基板背面的良好狀態。

又，上述柱坑部的外周區域的水平寬度，較佳是上述要被支持的單晶基板的直徑的5.5%以上7%以下。

如此，若柱坑部的外周區域的水平寬度是要被支持的單晶基板的直徑的5.5%以上7%以下，則可充分地防止在單晶基板的背面的外周側的局部沉積。又，若為7%以下，外周區域不會成為必要以上的寬廣，亦即，可確保形成貫通孔的中央區域具有充分的廣度，可效率良好地進行單晶基板的背面的自然氧化膜的除去。

再者，對應從上述中央區域至被上述外周區域支持的上述單晶基板的最外周部為止的範圍之外周區域的水平寬度，較佳是上述單晶基板的直徑的5.5%以上7%以下。

若為如此的承受體，可更有效果地進行防止局部的沉積、除去單晶基板的背面的自然氧化膜。

又，上述磊晶成長用承受體，係可用於直徑300mm以上的單晶基板。

若為如此的承受體，對應近年來的單晶基板的直徑的擴大化，對直徑300mm以上的單晶基板施以磊晶成長時，可有效地使用。

在上述柱坑部中，上述外周區域的內緣與上述中央區域的外緣的深度一致；或是較佳為從上述外周區域的內緣向上述中央區域的外緣增加深度，形成未滿0.05mm的高度的段差。

若為如此的承受體，從柱坑部的外周區域至中央區域無急劇的深度方向的變化，可防止因該急劇的深度方向的變化為起因而發生的單晶基板的背面的奈米形貌的惡化。

若為本發明的磊晶成長用承受體，磊晶成長時，可有效果地除去單晶基板的背面的自然氧化膜，且可極度抑制於單晶基板的背面的外周側發生局部顯著的沉積，而可得到其外周部的平坦性良好的磊晶基板。

以下，說明本發明的實施形態，但本發明不限定於此。

第1圖係表示本發明的磊晶成長用承受體的一例的概略。第1圖(A)係平面圖、第1圖(B)係承受體的一部分範圍的剖面圖。又，第1圖(C)係表示其他的承受體的一部分範圍的剖面圖。

如第1圖所示，首先，在本發明的承受體6中，形成有柱坑部10，用以於內部收容單晶基板2，並加以水平地支持。而且，此柱坑部10具有外周區域11、以及受該外周區域11包圍的中央區域12。

外周區域11係錐形狀，此外周區域上，抵接要被施以磊晶成長的單晶基板2，並將其水平地支持。另一方面，中央區域12形成於較外周區域11更深的位置，不會接觸單晶基板2。

在此，敘述中央區域12。在此中央區域12中，形成貫通承受體6的貫通孔14。此貫通孔14的數量無特別限定，只要形成一個以上即可，但較佳是在中央區域12的全面形成多數個。如此，若形成於中央區域12的全面(整個面)，磊晶成長時，因可防止暈圈的形成而可將單晶基板2的背面的自然氧化膜，從背面全面除去。

另外，貫通孔14的剖面形狀、大小等並無特別限定，可依其情況適當地決定。例如可為與先前相同者。

又，關於中央區域12的形狀(面形狀)，只要不會接觸抵接並支持於外周區域11的單晶基板2即可，並無特別限定。例如，可為平坦的形狀。第2圖(A)中表示中央區域平坦的情況的一例。

但是，將單晶基板2支持於外周區域11時，實際上，單晶基板2，因本身重量，單晶基板2的中央側容易向下方彎曲。若考慮此種情況，如第2圖(B)所示，中央區域12較佳是由曲面所形成的凹形狀。

若為如此的形狀，即使單晶基板2彎曲，承受體6的柱坑部10的中央區域12與單晶基板2也不會接觸，可良好地保持單晶基板2的背面的狀態。

接著，敘述外周區域11。外周區域11，係如第1圖(B)所示，成為傾斜角θ大於0°而未滿1°的傾斜的錐形狀，向中央區域12增加深度地形成。支持單晶基板2時，與單晶基板2的背面的外周部抵接。

在此，若傾斜角θ為0°以下，則外周區域11的內緣15與單晶基板2的背面接觸，而會在單晶基板2的背面發生損傷。另一方面，若傾斜角θ為1°以上，則發生單晶基板2的背面外周側的局部沉積(例如，若原料氣體用三氯矽烷則為矽的沉積)。因此，為防止此情況發生，傾斜角必須大於0°而未滿1°。

再者，此外周區域11，其水平寬度為單晶基板2的直徑的3.3%以上。先前的承受體中，其外周區域11的水平寬度約為1%左右，單晶基板2與外周區域11重疊的範圍狹小，因此，於單晶基板2的背面的外周側，局部地發生厚的沉積，對於磊晶基板的外周部的平坦性造成不良影響。

然而，如本發明般地，若水平寬度的範圍較先前品擴大，則單晶基板2與外周區域11重疊範圍擴大，可使單晶基板2的背面的沉積，從單晶基板2的更中央側漸漸地連續發生(參照第1圖(B))，因此，不會發生如先前般地局部顯著的厚沉積，在外周側亦不會發生急劇的厚度變化。

上述外周區域11的水平寬度，只要是單晶基板2的直徑的3.3%以上即可，若可確保中央區域，其上限並無限定，但特別是5.5%以上而未滿7%為較佳。若水平寬度為如此的範圍，極有效果，可抑制單晶基板的外周側的局部的沉積，且可充分確保中央區域12的範圍。若可充分確保中央區域12的範圍，配合貫通孔14的效果，對於單晶基板2的背面的廣域範圍，可除去自然氧化膜，更可防止暈圈的形成。

另外，特別是在水平方向，對應從中央區域12至被外周區域11支持的單晶基板2的最外周部為止的範圍之外周區域11的水平寬度，較佳為單晶基板2的直徑的3.3%以上，更佳為具有5.5%以上7%以下的寬度。若為如此者，與先前相較，可更確實地擴大單晶基板2與外周區域11的重疊範圍，可更進一步地確實抑制局部的沉積。

另外，外周區域11的外緣與被支持的單晶基板2的最外周部的間隔(間隙)通常極小。一般而言，從生產性等的層面來考量，實際上是採用配合要在承受體的柱坑部處理的單晶基板2的尺寸者。

又，若敘述外周區域11與中央區域12的交界，則如第1圖(B)所示，外周區域的內緣15與上述中央區域的外緣16的深度一致、或是如第1圖(C)所示，較佳是從外周區域的內緣15向上述中央區域的外緣16增加深度，形成未滿0.05mm的高度的段差13。亦即，從外周區域11至中央區域12的深度方向的變化，抑制於未滿0.05mm即可。

如本發明般地，外周區域11的傾斜角未滿1°時，因從上述外周區域11至中央區域12的深度方向的變化抑制於未滿0.05mm，磊晶成長時，可有效果地防止於單晶基板2的背面的相當於柱坑部10的外周區域11與中央區域12的交界的部分，發生位移，產生奈米形貌的惡化。

又，如第1圖(C)般地，若從外周區域的內緣15向上述中央區域的外緣16增加深度，形成未滿0.05mm的高度的段差13，則可預先使中央區域12的貫通孔14，離開單晶基板2的背面較遠，可有效果地防止在單晶基板2的背面形成對應貫通孔14的轉印。

又，本發明的承受體6可作成對應各種的單晶基板2，例如，其承受體6本身的大小係可作成配合所支持的單晶基板2的尺寸。當然，亦可對應直徑300mm以上的單晶基板，也可反應近年的需要，用以製造直徑大的磊晶基板。

另外，承受體6本身的材質等並無特別限定，可根據所支持的單晶基板等的不同，由適當的材料所形成。例如，可舉出對石墨基材被覆碳化矽所成者。

而且，使用如以上的本發明的承受體6，支持單晶基板2，來進行磊晶成長時，例如，可配設於如第3圖所示的單片式磊晶成長裝置1中來進行。

此磊晶成長裝置1中，本發明的承受體6以外的反應室3、氣體導入口4、氣體排出口5、上壁7、加熱手段8、以及支持軸9等，並無特別限定，可採用與先前相同者。又，用以施行磊晶成長的步驟本身，亦可依據與先前相同的方法來進行。

以下藉由實施例更詳細地說明本發明，但本發明不限定於此實施例。

(實施例)

使用具備本發明的承受體之第3圖的單片式的磊晶成長裝置，對單晶基板施以磊晶成長後，對於所得的磊晶基板的背面的沉積層進行評價。

準備直徑300mm的矽單晶基板來作為單晶基板，原料氣體採用三氯矽烷，載體氣體採用氫氣。

作為承受體，準備一種承受體，其中央區域為由曲面所形成的無段差的凹形狀，並在全面(整個面)形成有複數個貫通孔，其外周區域的傾斜角為0.5°或0.75°，且其外周區域的水平寬度係所準備的矽單晶基板的直徑的3.4%(外周區域的水平寬度/矽單晶基板的直徑=0.034)、5.7%(0.057)、6.7%(0.067)中之任一者。另外，對應從承受體的中央區域至單晶基板的最外周部為止的範圍之外周區域的水平寬度，分別為單晶基板的直徑的3.1%、5.4%、6.4%。

又，關於在磊晶基板的背面的沉積層的成長厚度的評價，係使用光學干涉式平坦度測定器，並應用將表面位移量以半徑作二階微分後的邊緣附近曲率形狀測定法(稱為ZDD(Z軸(高度)的半徑方向二階微分)的形狀參數)。ZDD係向徑的二階微分，表示對於半徑的加速度地背面位移量變化。

承受體形狀與所得的背面ZDD值的關係，表示於第4圖。另外，第4圖的背面ZDD值，係從中心算起，於半徑方向148mm的位置上的值的一例。

如此，皆被抑制於0nm/mm² 至-5nm/mm² 的範圍內。與下述之比較例相較得知，背面ZDD值的絕對值小，於上述測定之處中，可顯著地抑制矽的沉積層急劇地成長。

又，特別是傾斜角為0.5°，水平寬度5.7%、6.7%的情況下，背面ZDD值為0，可知對於防止背面外周側的局部地急劇的矽的沉積，特別優良。

再者，第5圖中表示從基板的中心算起，於半徑方向較120mm更外側的部分與背面ZDD值的關係的一例。此係使用外周區域的傾斜角0.5°，水平寬度5.7%的承受體的情況。由此圖可判讀基板的半徑方向上的沉積的狀況大小。

第5圖中，橫軸係基板半徑(mm)，縱軸係磊晶基板背面的ZDD(nm/mm² )。縱軸的背面ZDD，係如上所述，相當於將表面位移量以半徑作二階微分而成者，表示位移量的加速度地變化。此第5圖係關於背面者，因此，+方向係表示向基板的正面側位移，一方向係表示向基板的背面側位移。

即使使用先前的承受體的情況，於發生沉積急劇地增厚的半徑145～148mm的範圍，其背面ZDD值的變動小，未見到局部地顯著的沉積層的厚度的增加。

再者，從中心算起，於半徑方向148mm的位置上，在圓周方向對於基板的全周測定背面ZDD值的結果表示於第6圖。

如此，基板的背面的全周，未見到背面ZDD值急劇地大幅變動之處。亦即，於基板的背面的全周，沉積層未局部地厚層積，而可得到具有均勻的位移量的背面。

第5、6圖的這些傾向，亦與使用其傾斜角、水平寬度相異的其他的本發明的承受體的情況相同。

(比較例)

使用具備與本發明的外周區域的傾斜角與水平寬度相異的承受體之單片式磊晶成長裝置，對與實施例相同的矽單晶基板，施以磊晶成長。承受體以外的操作條件係與實施例相同。

另外，如第4圖所示，外周區域的傾斜角以0.5～4°，水平寬度以1.1～6.7%(對應從承受體的中央區域至單晶基板的最外周部為止的範圍之外周區域的水平寬度係0.8～6.4%)的範圍進行組合。但是，當然本發明的範圍中的組合除外。

又，對於背面的沉積層的調查，亦與實施例同樣地進行。

承受體形狀與所得的背面ZDD值的關係，與實施例同樣地表示於第4圖。

如第4圖所示，皆為-9nm/mm² 以下，與實施例相較可知，背面ZDD值的絕對值大，沉積係於其測定之處急劇地成長。此亦可從以下所示的第7、8圖明確得知，沉積層係於基板的外周側局部地成長。

第7圖係表示在傾斜角1°、水平寬度1.1%的情況下，從基板的中心算起，於半徑方向較120mm更外側的部分與背面ZDD值的關係的一例的圖表。又，第8圖係從中心算起，在半徑方向148mm的位置上，於圓周方向對於基板的全周測定背面ZDD值的結果。

如第7圖所示，於基板的外周側(148mm附近)，局部地背面ZDD值大幅變化，亦即可知，沉積層急劇地成長增厚。

再者，如第8圖所示，於圓周方向，可見到背面ZDD值大幅變動，可知沉積層以不均勻的厚度層積。若不均勻地矽的沉積如此地進行，當然基板的外周部的平坦性惡化。

如以上所述，由實施例與比較例可知，若為本發明的磊晶成長用承受體，則可防止於磊晶成長之單晶基板的背面的外周側，局部顯著的矽沉積。因此，可得到外周部的平坦性良好的磊晶基板。

又，本發明並非被限定於上述實施形態者，上述實施形態僅為例示，凡是具有和本發明申請專利範圍所記載之技術思想實質相同之構成，可達到同樣之作用效果者，皆包含在本發明之技術範圍中。

1．．．磊晶成長裝置

2．．．單晶基板

3．．．反應室

4．．．氣體導入口

5．．．氣體排出口

6．．．承受體

7．．．上壁

8．．．加熱手段

9．．．支持軸

10．．．柱坑部

11．．．外周區域

12．．．中央區域

13．．．段差

14．．．貫通孔

15．．．內緣

16．．．外緣

101．．．磊晶成長裝置

102．．．單晶基板

103．．．反應室

104．．．氣體導入口

105．．．氣體排出口

106．．．承受體

107．．．上壁

108．．．加熱手段

109．．．支持軸

110．．．柱坑部

111．．．外周區域

112．．．中央區域

113．．．段差

114．．．貫通孔

第1圖係表示本發明的承受體的一例的概略圖，(A)係平面圖、(B)係剖面圖、(C)係表示本發明的其他的承受體的一例的剖面圖。

第2圖(A)係表示中央區域為平坦的本發明的承受體的一例、(B)係表示中央區域為曲面凹形狀的本發明的承受體的一例的概略圖。

第3圖係表示具備本發明的承受體之單片式磊晶成長裝置的一例的概略圖。

第4圖係表示實施例與比較例中的承受體形狀與背面ZDD值的關係的結果。

第5圖係表示在實施例中，從基板的中心算起，於半徑方向較120mm更外側的部分與背面ZDD值的關係的一例的圖表。

第6圖係表示在實施例中，從中心算起，在半徑方向148mm的位置上，於圓周方向，對於基板的全周測定背面ZDD值的結果的一例的圖表。

第7圖係表示在比較例中，從基板的中心算起，於半徑方向較120mm更外側的部分與背面ZDD值的關係的一例的圖表。

第8圖係表示在比較例中，從中心算起，在半徑方向148mm的位置上，於圓周方向，對於基板的全周測定背面ZDD值的結果的一例的圖表。

第9圖係表示一般的先前單片式磊晶成長裝置的一例的概略圖。

第10圖係表示先前的承受體的一例的概略圖，(A)係平面圖、(B)係剖面圖。

2．．．單晶基板

6．．．承受體

10．．．柱坑部

11．．．外周區域

12．．．中央區域

13．．．段差

14．．．貫通孔

15．．．內緣

16．．．外緣

Claims (19)

1. 一種磊晶成長用承受體，其係於磊晶成長裝置中，具有用以水平地支持單晶基板的柱坑部之形態的磊晶成長用承受體，其特徵為：上述柱坑部，具有：抵接上述單晶基板來將其支持的外周區域；以及受該外周區域的包圍，沒有與上述單晶基板接觸的中央區域；在上述柱坑部的中央區域，形成一個以上的貫通上述磊晶成長用承受體的貫通孔；上述柱坑部的外周區域，係以大於0°而未滿1°的範圍的傾斜角，向上述中央區域增加深度地傾斜的錐形狀，且具有上述要被支持的單晶基板的直徑的3.3%以上7%以下的水平寬度。
2. 如申請專利範圍第1項所述的磊晶成長用承受體，其中對應從上述中央區域至被上述外周區域支持的上述單晶基板的最外周部為止的範圍之外周區域的水平寬度，係上述單晶基板的直徑的3.3%以上。
3. 如申請專利範圍第1項所述的磊晶成長用承受體，其中上述柱坑部的中央區域，係由曲面所形成的凹形狀。
4. 如申請專利範圍第2項所述的磊晶成長用承受體，其 中上述柱坑部的中央區域，係由曲面所形成的凹形狀。
5. 如申請專利範圍第1項所述的磊晶成長用承受體，其中上述柱坑部的外周區域的水平寬度，係上述被支持的單晶基板的直徑的5.5%以上7%以下。
6. 如申請專利範圍第2項所述的磊晶成長用承受體，其中上述柱坑部的外周區域的水平寬度，係上述被支持的單晶基板的直徑的5.5%以上7%以下。
7. 如申請專利範圍第3項所述的磊晶成長用承受體，其中上述柱坑部的外周區域的水平寬度，係上述被支持的單晶基板的直徑的5.5%以上7%以下。
8. 如申請專利範圍第4項所述的磊晶成長用承受體，其中上述柱坑部的外周區域的水平寬度，係上述被支持的單晶基板的直徑的5.5%以上7%以下。
9. 如申請專利範圍第1項所述的磊晶成長用承受體，其中對應從上述中央區域至被上述外周區域支持的上述單晶基板的最外周部為止的範圍之外周區域的水平寬度，係上述單晶基板的直徑的5.5%以上7%以下。
10. 如申請專利範圍第2項所述的磊晶成長用承受體，其 中對應從上述中央區域至被上述外周區域支持的上述單晶基板的最外周部為止的範圍之外周區域的水平寬度，係上述單晶基板的直徑的5.5%以上7%以下。
11. 如申請專利範圍第3項所述的磊晶成長用承受體，其中對應從上述中央區域至被上述外周區域支持的上述單晶基板的最外周部為止的範圍之外周區域的水平寬度，係上述單晶基板的直徑的5.5%以上7%以下。
12. 如申請專利範圍第4項所述的磊晶成長用承受體，其中對應從上述中央區域至被上述外周區域支持的上述單晶基板的最外周部為止的範圍之外周區域的水平寬度，係上述單晶基板的直徑的5.5%以上7%以下。
13. 如申請專利範圍第5項所述的磊晶成長用承受體，其中對應從上述中央區域至被上述外周區域支持的上述單晶基板的最外周部為止的範圍之外周區域的水平寬度，係上述單晶基板的直徑的5.5%以上7%以下。
14. 如申請專利範圍第6項所述的磊晶成長用承受體，其中對應從上述中央區域至被上述外周區域支持的上述單晶基板的最外周部為止的範圍之外周區域的水平寬度，係上述單晶基板的直徑的5.5%以上7%以下。
15. 如申請專利範圍第7項所述的磊晶成長用承受體，其中對應從上述中央區域至被上述外周區域支持的上述單晶基板的最外周部為止的範圍之外周區域的水平寬度，係上述單晶基板的直徑的5.5%以上7%以下。
16. 如申請專利範圍第8項所述的磊晶成長用承受體，其中對應從上述中央區域至被上述外周區域支持的上述單晶基板的最外周部為止的範圍之外周區域的水平寬度，係上述單晶基板的直徑的5.5%以上7%以下。
17. 如申請專利範圍第1至16項之任一項所述的磊晶成長用承受體，其中上述磊晶成長用承受體，係用於直徑300mm以上的單晶基板。
18. 如申請專利範圍第1至16項之任一項所述的磊晶成長用承受體，其中在上述柱坑部中，上述外周區域的內緣與上述中央區域的外緣的深度一致；或是從上述外周區域的內緣向上述中央區域的外緣增加深度，形成未滿0.05mm的高度的段差。
19. 如申請專利範圍第17項所述的磊晶成長用承受體，其中在上述柱坑部中，上述外周區域的內緣與上述中央區域的外緣的深度一致；或是從上述外周區域的內緣向上述中央區域的外緣增加深度，形成未滿0.05mm的高度的段差。