JP6789100B2 - サセプタ、気相成長装置及び気相成長方法 - Google Patents

Description

本発明は、サセプタ、気相成長装置及び気相成長方法に関する。

炭化珪素（ＳｉＣ）は、シリコン（Ｓｉ）に比べて絶縁破壊電界が１桁大きく、バンドギャップが３倍大きく、熱伝導率が３倍程度高い等の特性を有する。炭化珪素はこれらの特性を有することから、パワーデバイス、高周波デバイス、高温動作デバイス等への応用が期待されている。このため、近年、上記のような半導体デバイスにＳｉＣエピタキシャルウェハが用いられるようになっている。

ＳｉＣエピタキシャルウェハは、ＳｉＣ基板上にＳｉＣ半導体デバイスの活性領域となるＳｉＣエピタキシャル膜を成長させることによって製造される。ＳｉＣ基板は、昇華法等で作製したＳｉＣのバルク単結晶から加工して得られ、ＳｉＣエピタキシャル膜は、化学的気相成長法（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＣＶＤ）によって形成される。

このように基板上にエピタキシャル膜を形成することは、ＳｉＣに限られず、様々な半導体デバイスの作製過程で行われている。このようなＣＶＤ装置の一例として、回転軸を中心に回転するサセプタを有する装置がある。サセプタ上に載置された基板が回転することで、面内方向のガス供給状態を均一化し、均一なエピタキシャル膜が得られる。

このような装置では、サセプタ上に載置された基板が遠心力で飛散することを防止するために、基板を側面から支持する外周支持部を設けることが一般的である。そして、基板は外周支持部で囲まれる凹部に嵌合される。この際、外周支持部に嵌合される基板の中心とサセプタの回転軸とを一致させることが一般的である。

例えば、特許文献１には、サセプタの回転軸と基板の中心との位置ずれを計測し、ずれを抑制することが記載されている。

また特許文献２には、サセプタの回転軸と基板の中心との位置ずれが生じた場合でも、サセプタの回転軸を中心に回転する程度のずれであれば、スリップの発生を防止でき、基板に機械的ストレスが加わることを抑制できることが記載されている。

また特許文献３には、サセプタの回転軸と基板の中心との位置ずれが発生した場合でも、ストッパーにより基板の飛散または摺動を抑制できることが記載されている。

特開２０１６−１７３２号公報 特開平５−２７５３５５号公報 特開平１０−６０６７４号公報

しかしながら、基板を外周支持部で囲まれる凹部に嵌合し、取り出すためにはある程度の隙間が必要である。すなわち、外周支持部で囲まれる凹部の内径と基板の外径とは一致せず、凹部の内径の方が大きい。そのため、基板の中心とサセプタの回転軸とを完全に一致させることは難しい。つまり特許文献１に記載のように、位置ずれを測定しても位置ずれ自体を完全になくすことは難しい。

基板の中心とサセプタの回転軸とがずれると、基板は外周支持部内で摺動しながら回転する。基板が外周支持部内で摺動すると、ガスの供給状態が基板の面内方向で不均一になり、成膜ばらつきが生じる。また同じ条件で成膜しても、摺動の状態、基板が固定される位置の違い等により成膜バッチごとに成膜条件がばらつき、成膜バッチごとの再現性が得られない。

また特許文献２に記載のようにある程度の位置ずれを容認しても、回転が早い場合等は、基板に加わる力が大きくなり、外周支持部内で基板が摺動してしまう。また特許文献２は、機械的ストレスを抑制するために許容できる位置ずれの範囲であり、ガスの流れ、熱的特性の変化等を考慮した結果ではない。

さらに、特許文献３に記載のようにストッパーを設けた場合でも、基板を取外すための隙間は必要であり、基板は摺動する。また基板を載置後にストッパーを設置し、基板の遊びを完全になくすことも考えられるが、作業性が非常に悪い。

本発明は上記問題に鑑みてなされたものであり、回転により基板が摺動し、成膜途中で基板位置がずれること及び成膜バッチごとの成膜条件のばらつきを簡便に抑制できるサセプタを提供することを目的とする。

本発明者らは、外周支持部の中心をサセプタの回転中心からあえて所定の方向に偏らせた。その結果、基板は遠心力により一定の方向の力を受け、特定の位置で固定された。つまり、基板が外周支持部内で摺動しながら回転することを抑制できることを見出した。また成膜バッチごとで、同一の位置で基板を固定できることを見出した。
すなわち、本発明は、上記課題を解決するため、以下の手順を提供する。

（１）第１の態様にかかるサセプタは、基板を載置し、回転する気相成長用のサセプタであって、前記基板を載置する基板載置部と、前記基板を外周側から支持し、前記基板の径よりも大きい内接円を有する外周支持部と、を有し、前記外周支持部の中心はサセプタが回転する回転軸中心と異なり、前記回転軸中心より外周側に偏った位置にある。

（２）上記態様にかかるサセプタは、前記回転軸中心と前記外周部の中心との距離が、載置される前記基板の半径の５分の１以上２分の１未満であってもよい。

（３）上記態様にかかるサセプタは、前記基板載置部の平面視形状が、前記基板載置部に載置される基板の相似形であってもよい。

（４）上記態様にかかるサセプタは、前記基板載置部が平面視で直線状のＯＦ部を有してもよい。

（５）上記態様にかかるサセプタにおける前記ＯＦ部は、前記回転軸中心により前記外周支持部の中心側にあり、前記ＯＦ部は、前記回転軸中心と前記外周支持部の中心とを結ぶ直線と交差する位置に配設されていてもよい。

（６）上記態様にかかるサセプタにおいて、前記ＯＦ部の中点と前記回転軸中心とを結ぶ直線は、前記回転軸中心と前記外周支持部の中心とを結ぶ直線に対して回転方向と逆方向に向かって傾斜していてもよい。

（７）上記態様にかかるサセプタにおいて前記ＯＦ部が、前記回転軸中心と前記外周支持部の中心とを結ぶ直線と直交する構成でもよい。

（８）上記態様にかかるサセプタにおいて前記基板載置部は、基板の下面側から基板を支持する平面視円環状の基板支持部を有し、前記基板支持部は載置された基板の下方となる部分の少なくとも一部に凹部を形成してもよい。

（９）上記態様にかかるサセプタにおいて前記外周支持部が、前記内接円に沿って点在する複数の部材からなってもよい。

（１０）第２の態様にかかる気相成長装置は、上記態様にかかるサセプタを有する。

（１１）第３の態様にかかる気相成長方法は、サセプタに載置された基板上に反応ガスを導入し、前記サセプタの回転に伴い前記基板を回転させながら成膜を行う気相成長方法であって、前記基板を載置する際に、前記基板の中心を前記サセプタの回転軸中心より外周側に偏った位置に配設する。

上記態様にかかるサセプタによれば、回転により基板が摺動し、成膜途中で基板位置がずれることを簡便に抑制できる。

本実施形態に係る気相成長装置の断面模式図である。 本実施形態にかかるサセプタを平面視した図である。 回転軸中心と外周支持部の中心とが一致するサセプタ内に載置された基板の動きを示す。 本実施形態にかかるサセプタ内に載置された基板の動きを示す。 基板載置部のＯＦ部が、回転軸中心と外周支持部の中心とを結ぶ直線と交差する場合のサセプタの平面模式図である。 本実施形態にかかるサセプタの別の例の断面模式図である。

以下、本実施形態について、図を適宜参照しながら詳細に説明する。
以下の説明で用いる図面は、本発明の特徴をわかりやすくするために便宜上特徴となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率などは実際とは異なっていることがある。以下の説明において例示される材料、寸法等は一例であって、本発明はそれらに限定されるものではなく、その要旨を変更しない範囲で適宜変更して実施することが可能である。

＜サセプタ、気相成長装置＞
図１は本実施形態にかかる気相成長装置の断面模式図である。図１に示すように、反応空間を形成するチャンバー１０と、チャンバー１０内に設けられたサセプタ２０と、サセプタ２０を支持し回転させる回転体３０とを有する。

チャンバー１０は、ガス供給部１１とガス排出部１２とを有する。ガス供給部１１から供給されたガスは、サセプタ２０上に載置された基板Ｗ上に供給され、過剰なガスはガス排出部１２から排出される。

回転体３０は、内部にヒーター３１を有し、回転軸Ｒｃを中心に回転する。回転体３０上に載置されたサセプタ２０は回転体３０と共に回転する。

図２は、本実施形態にかかるサセプタ２０の平面模式図である。図２では、理解を容易にするために、サセプタ２０上に載置された基板Ｗも同時に図示している。図２に示すように、サセプタ２０は、基板載置部２１と外周支持部２２とを有する。外周支持部２２は、基板Ｗを外周側から支持する。外周支持部２２は、基板Ｗの径よりも大きい内接円を有する。外周支持部２２によって囲まれる基板載置部２１には、基板Ｗが載置される。

図２において、基板載置部２１は基板Ｗの相似形である。基板Ｗと外周支持部２２の隙間は、基板Ｗの取外しを行える範囲内で少ないことが好ましい。隙間を少なくすることで、原料ガスの流れの乱れが抑制され、均質なエピタキシャル膜を作製できる。基板載置部２１の形状と基板Ｗの形状とが相似形であれば、隙間を極力少なくできる。

また図２に示す基板載置部２１は、平面視で直線状のオリエンテーションフラット（以下、「ＯＦ」という）部２１ａと、円弧状の円弧部２１ｂとを有する。基板Ｗは、結晶方位を区別するためにＯＦが設けられていることが多い。基板載置部２１がＯＦ部２１ａを有することで、基板Ｗと外周支持部２２との間の隙間を少なくできる。またＯＦ部２１ａを有することで、基板Ｗが外周支持部２２内で回転しにくくなる。

外周支持部２２の中心Ｃｔは、サセプタ２０が回転する回転軸中心Ｃｓ（図１の回転軸Ｒｃに対応）と異なる。外周支持部２２の中心Ｃｔは、回転軸中心Ｃｓより外周側に偏った位置にある。外周支持部２２の中心Ｃｔと回転軸中心Ｃｓとが異なることでサセプタ２０が回転した際に、外周支持部２２内に載置された基板Ｗの位置が所定の位置に固定される。

ここで、外周支持部２２の中心Ｃｔとは、外周支持部２２が内包する仮想円の中心を意味する。例えば、図２に示すように外周支持部２２がＯＦ部２１ａを有する場合は、円弧部２１ｂに沿って描かれる仮想円の中心を意味する。一方、ＯＦ部２１ａを有さない場合は、外周支持部２２に内接する内接円が仮想円となる。

図３は、回転軸中心Ｃｓと外周支持部２２の中心Ｃｔとが一致するサセプタ２０内に載置された基板Ｗの動きを示す。図３（ａ）に示すように、サセプタ２０が回転し始めた直後は、回転軸中心Ｃｓ、外周支持部２２の中心Ｃｔ及び基板Ｗの中心Ｃｗの位置は、ほぼ一致する。

基板を回転中心に置いた場合、基板と外周支持部との間には全周にわたり隙間が存在するため、基板の位置は不安定である。そのため図３（ｂ）に示すように、基板Ｗは一方向にずれ易く、いったんずれると、遠心力ｆにより外周支持部に接触する位置まで移動する。プロセス開始直後からエピタキシャル成長を開始する前において、サセプタは一定の回転速度になるまで、徐々に回転速度を上げていく。その回転速度を上げてゆく段階（角加速度を有する段階）に、基板Ｗには遠心力とともに、基板Ｗを相対的に回転させようとする慣性モーメント（トルク×角加速度）が加わる。その結果、基板Ｗは外周支持部２２内で摺動しながら、遊星回転する。遊星回転する回転方向ｒは、回転速度が上がってゆく時にはサセプタの回転方向Ｒと逆である。

エピタキシャル成長において、基板を回転させようとする慣性モーメントについては、回転速度が上がってゆく場合に重要である。エピタキシャル成長は、回転速度が上がり、一定になってから行われる。そのため、回転速度が上がって行くときに決まるウェハの位置でエピタキシャル成長が行われる。一方、回転速度を下げるのは、一般的にはエピタキシャル成長が終了した後である。そのため、ウェハ位置変動が、エピタキシャル膜へ与える影響は少ない。

図４は、本実施形態にかかるサセプタ２０内に載置された基板Ｗの動きを示す。基板の回転速度を徐々に上げてゆく場合、回転の角加速度は小さいため、基板を回転させる方向に加わる慣性モーメントは小さい。そのため、基板は図４（ａ）の位置で落ち着き、安定する。

図４（ａ）に示すように、基板ＷのＯＦと基板載置部２１のＯＦ部２１ａとが面で接触すると、基板Ｗの熱的安定性を高めることができる。例えば、ＳｉＣ等をエピタキシャル成長させる場合、基板Ｗは１６００℃程度の非常に高温にさらされる。そのため、わずかな熱的状態の違いも成膜品質に影響を及ぼす。

基板Ｗと基板載置部２１とが点で接触すると、点接触した部分のみが高温になり、その他の部分との間で熱的状態の差が大きく異なる。接触点は高温になり、結晶欠陥等が発生しやすくなる。つまり、基板Ｗの面内で成膜品質がばらつく。また場合によっては、熱応力が大きくかかり、基板Ｗの割れ等の原因になる。

これに対し面で接触すると、面全体で熱が緩和され、温度差が緩和される。その結果、基板Ｗの面内で成膜品質のばらつきが抑制される。また面接触すると、遊星回転しにくいため、接触する部分が変動しない。そのため、例え接触部の近傍で結晶欠陥が発生しても、その影響は局所的なものとなる。

回転軸中心Ｃｓと外周支持部２２の中心Ｃｔとの距離ｄ（図２参照）は、載置される基板Ｗの半径の５分の１以上２分の１未満であることが好ましい。回転軸中心Ｃｓと外周支持部２２の中心Ｃｔとの距離ｄが当該範囲内であることで、基板Ｗの外周支持部２２２内での遊星回転を抑制し、かつ、基板Ｗ上に成長するエピタキシャル膜の均一性が保たれる。

一方、基板の回転速度を上げてゆく速度が大きいと（角加速度が大きいと）、基板には基板を回転させようとする慣性モーメントが加わる。そのため基板が図４（ｂ）の様な位置になって安定する可能性がある。このような場合に対応する方法に関し、外周支持部２２の中心Ｃｔと回転軸中心Ｃｓとの位置関係についてより具体的に説明する。

図５に示すように、ＯＦ部２１ａは、回転軸中心Ｃｓにより外周支持部２２の中心Ｃｔ側にあり、ＯＦ部２１ａが回転軸中心Ｃｓと外周支持部２２の中心Ｃｔとを結ぶ直線と交差することが好ましい。図５は、基板載置部２１のＯＦ部２１ａが、回転軸中心Ｃｓと外周支持部２２の中心Ｃｔとを結ぶ直線と交差する場合のサセプタ２０の平面模式図である。

基板載置部２１のＯＦ部２１ａと、回転軸中心Ｃｓと外周支持部２２の中心Ｃｔとを結ぶ直線と、が交差する場合は、以下の３つのパターンに分けられる。

第１の構成は、図５（ａ）に示すように、ＯＦ部２１ａの中点Ｍと回転軸中心Ｃｓとを結ぶ直線（以下、垂線ｐと言う）が、回転軸中心Ｃｓと外周支持部２２の中心Ｃｔとを結ぶ直線（以下、遠心力線ｃｆと言う）に対してサセプタ２０の回転方向Ｒに向かって傾斜している場合である。

第２の構成は、図５（ｂ）に示すように、垂線ｐが、遠心力線ｃｆに対してサセプタ２０の回転方向Ｒと逆の方向に向かって傾斜している場合である。

第３の構成は、図５（ｃ）に示すように、垂線ｐと遠心力線ｃｆとが一致する場合である。この場合、ＯＦ部２１ａと遠心力線ｃｆとは直交する。

いずれの構成でも、ＯＦ部２１ａが回転軸中心Ｃｓにより外周支持部２２の中心Ｃｔ側にあるため、載置された基板Ｗは遠心力を受けて遠心力線ｃｆに沿ってＯＦ２１ａ側に近づく。基板ＷのＯＦをＯＦ部２１ａ側に配置すると、サセプタ２０の回転と共に、基板ＷのＯＦと、ＯＦ部２１ａとが面を対向させて近接する。

前述の様に、基板の回転速度を徐々に上げてゆく場合（角加速度が小さい場合）には、基板を回転させようとする慣性モーメントを無視することができる。そのため、いずれの場合も、最終的には基板ＷのＯＦと外周支持部２２のＯＦ部２１ａが接する形で安定する。言い換えると、回転速度を徐々に上げてゆく場合は、第３の構成に対し、第１の構成及び第２の構成の方向の傾斜が小さければ、基板Ｗと外周支持部２２が面接触する確率が高まり、外周支持部２２内で基板Ｗが摺動することをより抑制できる。

一方で、基板の回転速度の変化による角加速度を考慮する必要がある場合は、基板の回転速度が上がって行くときに基板に加わる慣性モーメントを考慮した第２の構成が好ましい。第２の構成は、基板Ｗの摺動をより抑制できる。第２の構成の場合は、基板Ｗの回転とは逆方向、すなわち回転速度が加速する時の慣性モーメントが加わった時に基板Ｗが回転して安定する方向にＯＦが傾いている。基板Ｗが外周支持部２２と最初に接触した点を支点に外周支持部２２内で回転し始めたとしても、基板ＷのＯＦとＯＦ部２１ａとが合わさるように基板Ｗは回転する。その結果、基板Ｗと外周支持部２２が面接触し、外周支持部２２内での基板Ｗの回転が抑制される。

第１の構成の場合は、基板の回転の方向、すなわち回転速度が減速する時の慣性モーメントが加わった時に基板が回転して安定する方向にＯＦが傾いている。基板の回転速度が減速する場合は、当該構成が好ましい。このような基板の回転速度が減速する場合は、通常エピタキシャル成長の終了後に多く、エピタキシャル膜への影響は少ないと考えられる。但し、基板の回転速度を徐々に上げて成長を行い、その後、急に減速してエピタキシャル成長を継続する等の場合においては、有用である。

第３の構成の場合は回転初期から基板Ｗと外周支持部２２が面接触しており、外周支持部２２内での基板Ｗの回転は抑制される。回転速度の変化が小さい場合に好ましい。

第２の構成において、垂線ｐと遠心力線ｃｆとがなす角θは、０°より大きく、２０°以下、さらに１０°以下とすることが好ましい。θは回転数が増えてゆくときの角加速度によって選択することができるが、大きすぎるのは好ましくない。一方で、第３の構成において、垂線ｐと遠心力線ｃｆとがなす角φは、０°±５°であることが好ましい。この範囲であれば、遠心力によって安定な位置に収まりやすい。

上述のように、本実施形態にかかるサセプタによれば、遠心力を利用して外周支持部２２内での基板Ｗの位置が固定され、基板Ｗが外周支持部２２内で摺動、回転することを抑制できる。その結果、基板Ｗ上に形成されるエピタキシャル膜の成膜条件が面内方向でばらつくことを抑制できる。

また実際の成膜時は同じ装置で複数の基板Ｗを順次成膜する。基板Ｗが外周支持部２２内で遊星回転すると、その都度、成膜条件が異なり得られるエピタキシャル膜が安定しない。これに対し、外周支持部２２の中心Ｃｔと回転軸中心Ｃｓとが異なると、基板に加わる遠心力の方向が固定され、基板Ｗは成膜時にその位置に固定される。そのため、一連の成膜の中で成膜条件を一定化させることができ、再現性を高めることができる。

またＯＦ部２１ａを設けることで、基板Ｗと外周支持部２２とを面接触させることができ、基板Ｗが外周支持部２２内で摺動することをより抑制できる。さらに、基板Ｗと外周支持部２２とが、面接触することで局所的に基板が高温化することを抑制でき、結晶欠陥等の発生を抑制できる。

以上、本発明の好ましい実施の形態について詳述したが、本発明は特定の実施の形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲内に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。

図１〜図５では、外周支持部２２を円環状の一つの部材として図示しているが、複数の部材からなってもよい。この場合、複数の部材によって描かれる仮想円の中心が、外周支持部２２の中心となる。

また図１に示すサセプタ２０は基板Ｗを面で支えているが、図６に示すように、サセプタ２５の基板載置部２１が基板支持部２３を有し、基板Ｗを基板Ｗの下面の一部で保持する構成でもよい。基板支持部２３は、平面視円環状の部材で、基板の下面側から基板を支持する。

基板支持部２３は、載置された基板Ｗの下方となる部分の少なくとも一部に凹部２３Ａを形成し、基板Ｗと凹部２３Ａとで囲まれた空間Ｋを形成する。図１に示すように、サセプタ２０上に基板Ｗを面で接触させると、基板Ｗの中央部が高温になり、外周側がサセプタ２０から離れるように基板Ｗが反る。これに対し、図６に示すように、空間Ｋを設けることで、直接的な熱伝導を抑制し、基板Ｗの反りを抑制できる。

また基板支持部２３は、平面視円環状に配設された複数の部材からなってもよい。一方で、基板Ｗの裏面へのガスの回り込みを避ける観点からは、基板支持部２３は円環状の一つの部材からなることが好ましい。

チャンバー１０、サセプタ２０、回転体３０を構成する各部材は、公知のものを用いることができる。

また図２〜図５では、基板ＷがＯＦを有し、対応する基板載置部２１もＯＦ部２１ａを有する構成について説明したが、基板ＷのＯＦ及び基板載置部２１のＯＦ部２１ａは無くてもよい。

＜気相成長方法＞
本実施形態にかかる気相成長方法は、サセプタに載置された基板上に反応ガスを導入し、サセプタの回転に伴い前記基板を回転させながら成膜を行う気相成長方法である。本実施形態にかかる気相成長方法では、基板を載置する際に、基板の中心をサセプタの回転軸中心より外周側に偏った位置に配設する。

サセプタの回転軸中心と載置する基板の中心とを一致させないことで、基板は遠心力を受ける。基板は遠心力を受けて、所定の位置で固定される。基板が所定の位置で固定された状態で、エピタキシャル膜を成長させることで、基板が成膜中に摺動、回転することを抑制できる。その結果、基板上に形成されるエピタキシャル膜の成膜条件が面内方向でばらつくことを抑制できる。

また基板が所定の位置で固定化されることで、成膜条件を一定化させることができ、成膜バッチごとの均一性も高めることができる。

１０…チャンバー、１１…ガス供給部、１２…ガス排出部、２０，２５…サセプタ、２１…基板載置部、２１ａ…ＯＦ部、２１ｂ…円弧部、２２…外周支持部、２３…基板支持部、２３Ａ…凹部、３０…回転体、３１…ヒーター、１００…気相成長装置、Ｗ…基板、Ｃｓ…回転軸中心、Ｃｔ…外周支持部の中心、Ｃｗ…基板の中心、Ｋ…空間、ｆ…遠心力

Claims (9)

1. 基板を載置し、回転する気相成長用のサセプタであって、
   前記基板を載置する基板載置部と、
   前記基板を外周側から支持し、前記基板の径よりも大きい内接円を有する外周支持部と、を有し、
   前記外周支持部の中心はサセプタが回転する回転軸中心と異なり、前記回転軸中心より外周側に偏った位置にあり、
   前記基板載置部が平面視で直線状のＯＦ部を有し、
   前記ＯＦ部は、前記回転軸中心より前記外周支持部の中心側にあり、
   前記ＯＦ部は、前記回転軸中心と前記外周支持部の中心とを結ぶ直線と交差する位置に配設されている、サセプタ。
2. 前記回転軸中心と前記外周支持部の中心との距離が、載置される前記基板の半径の５分の１以上２分の１未満である、請求項１に記載のサセプタ。
3. 前記基板載置部の平面視形状が、前記基板載置部に載置される基板の相似形である、請求項１または２に記載のサセプタ。
4. 前記ＯＦ部の中点と前記回転軸中心とを結ぶ直線は、前記回転軸中心と前記外周支持部の中心とを結ぶ直線に対して回転方向と逆方向に向かって傾斜している、請求項１〜３のいずれか一項に記載のサセプタ。
5. 前記ＯＦ部が、前記回転軸中心と前記外周支持部の中心とを結ぶ直線と直交する、請求項１〜３のいずれか一項に記載のサセプタ。
6. 前記基板載置部は、基板の下面側から基板を支持する平面視円環状の基板支持部を有し、 前記基板支持部は、載置された基板の下方となる部分の少なくとも一部に凹部を形成する、請求項１〜５のいずれか一項に記載のサセプタ。
7. 前記外周支持部が、前記内接円に沿って点在する複数の部材からなる、請求項１〜６のいずれか一項に記載のサセプタ。
8. 請求項１〜７のいずれか一項に記載のサセプタを有する気相成長装置。
9. サセプタに載置された基板上に反応ガスを導入し、前記サセプタの回転に伴い前記基板を回転させながら、前記基板上にエピタキシャル膜を成膜してエピタキシャルウェハを製造するエピタキシャルウェハの製造方法であって、
   前記サセプタが請求項１〜７のいずれか一項に記載のサセプタである、エピタキシャルウェハの製造方法。

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