JPWO2009084154A1 - エピタキシャル成長用サセプタ - Google Patents

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Abstract

本発明は、エピタキシャル成長装置において単結晶基板を水平に支持するためのザグリを有するエピタキシャル成長用サセプタであって、ザグリは、単結晶基板が当接して支持される外周領域と、該外周領域に囲まれており、単結晶基板と接触しない中央領域を有しており、ザグリの中央領域には、エピタキシャル成長用サセプタを貫通する1つ以上の貫通孔が形成されており、ザグリの外周領域は、0°より大きく1°未満の範囲の傾斜角で、中央領域に向かって深さが増すように傾斜しているテーパ形状であり、かつ、支持される単結晶基板の直径の3.3%以上の水平幅を有するものであるエピタキシャル成長用サセプタを提供する。これにより、単結晶基板の裏面の外周側において、局所的に著しいデポが発生するのを防止することができるエピタキシャル成長用サセプタが提供される。

Description

本発明は、単結晶基板上にエピタキシャル層を積層するエピタキシャル成長装置において、エピタキシャル成長時に単結晶基板を支持するためのエピタキシャル成長用サセプタ(以下では、単にサセプタと言うことがある)に関する。
エピタキシャル成長技術は、バイポーラトランジスタやMOSLSI等の集積回路の製造に用いられる単結晶薄膜層を気相成長させる技術であり、清浄な半導体単結晶基板上に基板の結晶方位に合せて均一な単結晶薄膜を成長させたり、ドーパント濃度差が大きい接合の急峻な不純物勾配を形成することができるので、極めて重要な技術である。
このようなエピタキシャル成長を行うための装置としては、縦型(パンケーキ型)、バレル型(シリンダー型)、さらに横型の3種類が一般的である。これらの成長装置の基本的な原理は共通している。この成長装置は単結晶基板を載置するためのエピタキシャル成長用サセプタを内部に備えた反応室や、反応室の外部に設けられるハロゲンランプ等からなる加熱手段等を備えて構成されており、縦型のうち1枚ずつ処理する装置を枚葉式エピタキシャル成長装置と呼んでいる。
ここで、例えばこの枚葉式エピタキシャル成長装置について図9を参照して説明する。図9は、従来より用いられている一般的な枚葉式エピタキシャル成長装置(特開2004−319623号公報等参照)の一例を示す概略図である。
この枚葉式エピタキシャル成長装置101は、表面にエピタキシャル層が積層される単結晶基板102が内部に配置される反応室103を有しており、該反応室103に原料ガス・キャリアガスを導入するためのガス導入口104とガスを排出するガス排出口105が設けられている。また、反応室103内には単結晶基板102を載置するサセプタ106を具備する。なお、反応室103の上壁107は石英ガラスからなっている。
また、少なくとも、反応室103の外部には、単結晶基板102を加熱する例えばハロゲンランプ等の加熱手段108を備えている。
ここで、上記サセプタ106についてさらに説明する。図10に従来のサセプタの一例の概略を示す。図10(A)が平面図であり、図10(B)はサセプタの一部の範囲における断面図である。
図10に示すように、サセプタ106にはザグリ110が形成されており、該ザグリ110は外周領域111と、該外周領域111に囲まれた中央領域112を有しており、外周領域111と中央領域112の境界には段差113が形成されている。
外周領域111はテーパ形状であり、表面にエピタキシャル成長が施される単結晶基板102が当接して支持されるようになっているが、中央領域112は、単結晶基板102が接触しないよう段差113を介して外周領域111よりも深い位置に形成されている。また、中央領域112には、単結晶基板102の裏面の自然酸化膜の除去、さらにはハローの形成の防止等のために貫通孔114が形成されている。
上記のような図9に示す従来のサセプタ106を備えた枚葉式エピタキシャル成長装置101を用い、単結晶基板102上にエピタキシャル層を形成する場合は、図10(B)のように、サセプタ106のザグリ110内に単結晶基板102を配し、サセプタ106を支持する支持軸109およびそれを回転(自転)させる不図示の回転機構によって単結晶基板102を回転させつつ、加熱手段108によって単結晶基板102を所定の温度に加熱する。そして、反応室103内に、例えばシリコン単結晶層をエピタキシャル成長させるのであれば、水素等のキャリアガスで希釈したトリクロロシラン等の原料ガスを、所定時間、所定流量でガス導入口104から供給することにより行う。
このようにして、単結晶基板102上にエピタキシャル層を積層させたエピタキシャル基板を得ることができる。
しかしながら、上記のような従来のサセプタ106を用いて単結晶基板102を支持してエピタキシャル成長を施すと、サセプタ106の中央領域112に形成された貫通孔114から、単結晶基板102の裏面に原料ガスが回り込み、単結晶基板102の裏面にデポが発生することがある。そのため、エピタキシャル基板の外周部のフラットネスが悪化してしまうという問題があった。
そこで、本発明者がエピタキシャル成長後の基板について鋭意研究を行ったところ、特に、エピタキシャル基板の裏面の外周側において、局所的に、著しいデポが見られることがわかった。さらには、この裏面外周側でのデポは、単結晶基板とサセプタのザグリの外周領域とが当接する位置の付近(単結晶基板とザグリの外周領域の水平幅とが重なる部分)で集中的に発生しており、その結果、局所的な厚み変化がエピタキシャル基板の外周側にもたらされていることを見出した。図10(B)に、単結晶基板の裏面の外周側に局所的に積層されたデポ層も示す。このデポ層の厚さは、反応時間にもよるが、0.05〜0.3μm程度である。
本発明は、上記のような問題点に鑑みてなされたもので、単結晶基板の裏面の外周側において、局所的に著しいデポが発生するのを防止することができるエピタキシャル成長用サセプタを提供することを目的とする。
上記課題を解決するために、本発明は、エピタキシャル成長装置において単結晶基板を水平に支持するためのザグリを有するエピタキシャル成長用サセプタであって、前記ザグリは、前記単結晶基板が当接して支持される外周領域と、該外周領域に囲まれており、前記単結晶基板と接触しない中央領域を有しており、前記ザグリの中央領域には、前記エピタキシャル成長用サセプタを貫通する1つ以上の貫通孔が形成されており、前記ザグリの外周領域は、0°より大きく1°未満の範囲の傾斜角で、前記中央領域に向かって深さが増すように傾斜しているテーパ形状であり、かつ、前記支持される単結晶基板の直径の3.3%以上の水平幅を有するものであることを特徴とするエピタキシャル成長用サセプタを提供する。
まず、本発明者が調査を行った結果、単結晶基板の裏面の外周側の局所的なデポを防ぐにあたっては、サセプタのザグリの外周領域の傾斜角を低角化するとともに、外周領域を従来品よりも拡張し、単結晶基板とサセプタのザグリの外周領域とが重なる部分を拡げ、単結晶基板の裏面でのデポを単結晶基板のより中央側から徐々に連続的に発生させることが有効であることを見出した。
すなわち、本発明のように、単結晶基板が当接して支持される、テーパ形状の外周領域が、0°より大きく1°未満の範囲の傾斜角で、支持される単結晶基板の直径の3.3%以上の水平幅を有するサセプタであれば、従来品の場合とは異なり、単結晶基板の裏面の外周側で、局所的に厚いデポが生じるのを防止することができる。このため、エピタキシャル基板の外周部のフラットネスが良好であり、高品質のエピタキシャル基板を得ることが可能である。
また、ザグリの中央領域には、エピタキシャル成長用サセプタを貫通する1つ以上の貫通孔が形成されているので、エピタキシャル成長時に、単結晶基板の裏面の自然酸化膜を効果的に除去することができる。
さらに、ザグリの外周領域は、0°より大きい傾斜角で、中央領域に向かって深さが増すように傾斜しているテーパ形状であるため、外周領域の内縁と単結晶基板の裏面とが接触することもなく単結晶基板の裏面に傷が付くのを防ぐことができるし、かつ、1°未満の範囲の傾斜角であるため、裏面の外周側のデポを抑制することができる。
このとき、特には、前記中央領域から前記外周領域に支持された前記単結晶基板の最外周部までの範囲に対応する外周領域の水平幅が、前記単結晶基板の直径の3.3%以上であるのが好ましい。
このようなものであれば、単結晶基板の裏面の外周側で局所的に厚いデポが生じるのをより確実に防止することができる。
このとき、前記ザグリの中央領域は、曲面からなる凹形状であるのが好ましい。
支持される単結晶基板は自重により撓みやすく、この場合、単結晶基板とザグリの中央領域とが接触し、単結晶基板裏面に傷やスリップ等のダメージが及ぶことがある。
しかしながら、ザグリの中央領域が曲面からなる凹形状であれば、単結晶基板が撓んでも、単結晶基板とザグリの中央領域とが接触することなく、単結晶基板裏面の状態を良好に保つことができる。
また、前記ザグリの外周領域の水平幅は、前記支持される単結晶基板の直径の5.5%以上7%以下であるのが好ましい。
このように、ザグリの外周領域の水平幅が、支持される単結晶基板の直径の5.5%以上であれば、十分に、単結晶基板の裏面の外周側における局所的なデポを防ぐことができる。また、7%以下であれば、外周領域が必要以上に幅広になることもなく、すなわち貫通孔が形成されている中央領域を十分な広さで確保することができ、効率良く、単結晶基板の裏面の自然酸化膜の除去を行うことができる。
さらには、前記中央領域から前記外周領域に支持された前記単結晶基板の最外周部までの範囲に対応する外周領域の水平幅が、前記単結晶基板の直径の5.5%以上7%以下であるのが好ましい。
このようなものは、局所的なデポの防止、単結晶基板の裏面の自然酸化膜の除去を一層効果的に行うことができる。
また、前記エピタキシャル成長用サセプタは、直径300mm以上の単結晶基板用のものとすることができる。
このようなものであれば、近年の単結晶基板の直径の拡大化に対応して、直径300mm以上の単結晶基板にエピタキシャル成長を施すときに有効に使用可能なものとなる。
前記ザグリにおいて、前記外周領域の内縁と前記中央領域の外縁の深さが一致しているか、または、前記外周領域の内縁から前記中央領域の外縁に向かって深さが増すように0.05mm未満の高さの段差が形成されているものであるのが好ましい。
このようなものであれば、ザグリの外周領域から中央領域にかけての急激な深さ方向の変化はなく、その急激な深さ方向の変化を起因とする単結晶基板の裏面のナノトポロジーの悪化を防止することが可能である。
本発明のエピタキシャル成長用サセプタであれば、エピタキシャル成長時に単結晶基板の裏面の自然酸化膜を効果的に除去できるとともに、単結晶基板の裏面の外周側において、局所的に著しいデポが発生するのを極めて抑制することが可能であり、外周部のフラットネスが良好なエピタキシャル基板を得ることができる。
本発明のサセプタの一例を示す概略図である。(A)平面図、(B)断面図である。(C)本発明の他のサセプタの一例を示す断面図である (A)中央領域が平坦な本発明のサセプタの一例、(B)中央領域が曲面で凹形状の本発明のサセプタの一例を示す概略図である。 本発明のサセプタを備えた枚葉式エピタキシャル成長装置の一例を示す概略図である。 実施例と比較例におけるサセプタ形状と裏面ZDD値との関係を示した結果である。 実施例において、基板の中心から半径方向に120mmよりも外側の部分と、裏面ZDD値との関係の一例を示すグラフである。 実施例において、中心から半径方向に148mmの位置において、円周方向に、裏面ZDD値を基板の全周にわたって測定した結果の一例を示すグラフである。 比較例において、基板の中心から半径方向に120mmよりも外側の部分と、裏面ZDD値との関係の一例を示すグラフである。 比較例において、中心から半径方向に148mmの位置において、円周方向に、裏面ZDD値を基板の全周にわたって測定した結果の一例を示すグラフである。 一般的な従来の枚葉式エピタキシャル成長装置の一例を示す概略図である。 従来のサセプタの一例を示す概略図である。(A)平面図、(B)断面図である。
以下では、本発明の実施の形態について説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
図1に、本発明のエピタキシャル成長用サセプタの一例の概略を示す。図1(A)が平面図であり、図1(B)はサセプタの一部の範囲における断面図である。また、図1(C)は他のサセプタの一部の範囲における断面図である。
図1に示すように、まず、本発明のサセプタ6には、内部に単結晶基板2を収容し、水平に支持するためのザグリ10が形成されている。そして、このザグリ10は、外周領域11と、該外周領域11に囲まれた中央領域12を有している。
外周領域11はテーパ形状であり、この外周領域上に、エピタキシャル成長が施される単結晶基板2が当接して水平に支持されるようになっている。一方、中央領域12は、単結晶基板2が接触しないように、外周領域11よりも深い位置に形成されている。
ここで、中央領域12について述べる。この中央領域12には、サセプタ6を貫通する貫通孔14が形成されている。この貫通孔14の数は特に限定されず、1つ以上形成されていれば良いが、中央領域12の全面にわたって多数形成されていると好ましい。このように中央領域12の全面にわたって形成されていれば、エピタキシャル成長時に、単結晶基板2の裏面の自然酸化膜を裏面全面にわたって除去することができ、ハローの形成を防止することが可能だからである。
なお、貫通孔14の断面形状、大きさ等も特に限定されず、その都度、適宜決定することができる。これらは例えば従来と同様のものとすることができる。
また、中央領域12の形状(面形状)であるが、これは、外周領域11に当接して支持される単結晶基板2と接触していなければ良く、特に限定されない。例えば平坦な形状とすることが可能である。図2(A)に中央領域12が平坦な場合の一例を示す。
ただし、単結晶基板2を外周領域11に支持した場合、実際には単結晶基板2は、自重によって、単結晶基板2の中央側が下方に撓みやすい。このような場合を考慮すると、図2(B)に示すように、中央領域12が曲面からなる凹形状であるのが好ましい。
このようなものであれば、単結晶基板2が撓んだとしても、サセプタ6のザグリ10の中央領域12と単結晶基板2とが接触することもなく、単結晶基板2の裏面の状態を良好に保つことができる。
次に外周領域11について述べる。外周領域11は、図1(B)に示すように、傾斜角θが0°より大きく1°未満で傾斜したテーパ形状となっており、中央領域12に向かって深さが増すように形成されている。単結晶基板2を支持する場合、単結晶基板2の裏面の外周部と当接する。
ここで、傾斜角θが0°以下であると、外周領域11の内縁15が単結晶基板2の裏面と接触してしまい、単結晶基板2の裏面に傷が生じてしまう。一方、傾斜角θが1°以上であると、単結晶基板2の裏面外周側の局所的なデポ(例えば、原料ガスにトリクロロシランを用いるのであれば、シリコンのデポ)が発生してしまう。したがって、これらを防ぐために、傾斜角θが0°より大きく1°未満なものとする必要がある。
さらには、この外周領域11は、その水平幅が単結晶基板2の直径の3.3%以上となっている。従来品では、外周領域11の水平幅は1%程度で、単結晶基板2と外周領域11とが重なる範囲が狭く、そのために、単結晶基板2の裏面の外周側で、局所的に厚いデポが発生してしまい、エピタキシャル基板の外周部のフラットネスに悪影響を与えていた。
しかしながら、本発明のように、水平幅の範囲が従来品に比べて拡大されたものであれば、単結晶基板2と外周領域11とが重なる範囲が拡大されており、単結晶基板2の裏面でのデポを単結晶基板2のより中央側から徐々に連続的に発生させることができるため(図1(B)参照)、従来のように局所的な著しく厚いデポも発生せず、外周側において急激な厚さ変化が生じることもない。
上記外周領域11の水平幅は単結晶基板2の直径の3.3%以上であれば良く、中央領域が確保できるのであれば、その上限等は限定されないが、特には、5.5%以上7%未満であるのが好ましい。水平幅がこのような範囲であれば、極めて効果的に、単結晶基板の外周側の局所的なデポを抑制することができるとともに、中央領域12の範囲も十分に確保することが可能である。中央領域12の範囲が十分に確保できるのであれば、貫通孔14による効果と合わせて、単結晶基板2の裏面の広い範囲にわたって、自然酸化膜の除去、さらにはハローの形成を防止することが可能になる。
また、特には、水平方向において、中央領域12から外周領域11で支持された単結晶基板2の最外周部までの範囲に対応する外周領域11の水平幅が、単結晶基板2の直径の3.3%以上、さらには5.5%以上7%以下の幅を有するものが好ましい。このようなものであれば、単結晶基板2と外周領域11が重なる範囲を従来に比べてより確実に拡大することができ、局所的なデポの抑制を一層確かなものとすることができる。
なお、外周領域11の外縁と支持された単結晶基板2の最外周部との間隔(あそび)は、通常、極わずかである。一般に、生産性等の面から、現実的には、サセプタのザグリが処理する単結晶基板2のサイズに適合したものが用いられる。
また、外周領域11と中央領域12の境界について述べると、図1(B)に示すように、外周領域の内縁15と前記中央領域の外縁16の深さが一致しているか、あるいは、図1(C)に示すように外周領域の内縁15から前記中央領域の外縁16に向かって深さが増すように0.05mm未満の高さの段差13が形成されているものが好ましい。すなわち、外周領域11から中央領域12にかけての深さ方向の変化が0.05mm未満に抑えられているものが良い。
本発明のように外周領域11の傾斜角が1°未満の場合、上記外周領域11から中央領域12にかけての深さ方向の変化を0.05mm未満に抑えたものとすることで、エピタキシャル成長時に、単結晶基板2の裏面の、ザグリ10の外周領域11と中央領域12の境界に相当する部分に変位が生じてナノトポロジーの悪化が生じるのを効果的に防ぐことができる。
なお、図1(C)のように、外周領域の内縁15から前記中央領域の外縁16に向かって深さが増すように0.05mm未満の高さの段差13が形成されているものであれば、単結晶基板2の裏面から、中央領域12の貫通孔14を比較的距離をおくことができ、単結晶基板2の裏面に、貫通孔14に対応した転写が形成されることを効果的に防ぐことが可能である。
また、本発明のサセプタ6は種々の単結晶基板2に対応したものとすることができ、例えば、そのサセプタ6自身の大きさは支持する単結晶基板2の大きさに合わせたものとすることができる。当然、直径300mm以上の単結晶基板に対応させたものとすることも可能であり、近年の需要に応えて、直径が大きなエピタキシャル基板を製造するためのものとできる。
その他、サセプタ6自身の材質等は特に限定されることもなく、これも支持する単結晶基板等によって、適切なものからなるものとすることができる。例えば、グラファイト基材にSiCコートしたものが挙げられる。
そして、以上のような本発明のサセプタ6を用いて単結晶基板2を支持し、エピタキシャル成長を行うときは、例えば図3に示すような枚葉式エピタキシャル成長装置1に配設して行うことができる。
このエピタキシャル成長装置1においては、本発明のサセプタ6以外の反応室3、ガス導入口4、ガス排出口5、上壁7、加熱手段8、支持軸9等は特に限定されず、従来と同様のものを用いることができる。また、エピタキシャル成長を施すための手順自体は、従来と同様の方法で行うことができる。
以下、本発明を実施例によりさらに詳細に説明するが、本発明はこれに限定されない。
(実施例)
本発明のサセプタを備えた図3の枚葉式のエピタキシャル成長装置を用い、単結晶基板にエピタキシャル成長を施した後、得られたエピタキシャル基板の裏面のデポ層について評価を行った。
単結晶基板として直径300mmのシリコン単結晶基板を用意し、原料ガスにトリクロロシラン、キャリアガスに水素ガスを用いた。
サセプタとしては、中央領域は曲面からなる段差がない凹形状の全面にわたって貫通孔が複数形成されたものであり、外周領域の傾斜角が0.5°または0.75°で、外周領域の水平幅が、用意したシリコン単結晶基板の直径の3.4%(外周領域の水平幅/シリコン単結晶基板の直径=0.034)、5.7%(0.057)、6.7%(0.067)のいずれかのものを用意した。なお、サセプタの中央領域から、単結晶基板の最外周部までの範囲に対応する外周領域の水平幅は、それぞれ、単結晶基板の直径の3.1%、5.4%、6.4%であった。
また、エピタキシャル基板の裏面でのデポ層の成長厚さの評価については、光学干渉式フラットネス測定器を用い、表面変位量を半径で二階微分したエッジ近傍曲率形状測定法(ZDDと呼ばれる形状パラメータ)を適用した。ZDDは動径の二階微分であるため、半径に対する加速度的な裏面変位量変化を表している。
サセプタ形状と、得られた裏面ZDD値との関係を図4に示す。なお、図4の裏面ZDD値は、中心から半径方向に148mmの位置における値の一例である。
このように、いずれも0nm/mmから−5nm/mmの範囲内に抑えられている。後述する比較例に比べて裏面ZDD値の絶対値が小さく、上記測定箇所において、シリコンのデポ層が急激に成長するのを著しく抑制できていることが分かる。
また、特に、傾斜角が0.5°で、水平幅が5.7%、6.7%の場合に裏面ZDD値が0であり、裏面外周側の局所的な急激なシリコンのデポを防ぐにあたって特に優れていることが分かる。
さらに、図5に基板の中心から半径方向に120mmよりも外側の部分と、裏面ZDD値との関係の一例を示す。これは、外周領域の傾斜角0.5°、水平幅が5.7%のサセプタを用いた場合である。この図より、基板の半径方向におけるデポの度合いの大小が読み取れる。
図5において、横軸は基板半径(mm)であり、縦軸はエピタキシャル基板裏面のZDD(nm/mm)である。縦軸の裏面ZDDは、上記のように、表面変位量を半径で二階微分したものに相当し、変位量の加速度的な変化を表している。この図5は裏面に関するものなので、+方向は基板の表側に向かった変位を表し、−方向は基板の裏側に向かった変位を表している。
従来のサセプタを用いた場合に急激に厚くデポが生じる半径145〜148mmの範囲であっても、裏面ZDD値の変動は小さく、局所的な著しいデポ層の厚さの増加は見られなかった。
さらに、中心から半径方向に148mmの位置において、円周方向に裏面ZDD値を基板の全周にわたって測定した結果を図6に示す。
このように、基板の裏面の全周にわたって裏面ZDD値が急激に大きく変動している箇所は見られない。すなわち、基板の裏面の全周にわたって、デポ層が局所的に厚く積層されることはなく、均一な変位量を持った裏面が得られた。
図5、6のこれらの傾向は、傾斜角、水平幅が異なる他の本発明のサセプタを用いた場合においても同様であった。
(比較例)
本発明とは外周領域の傾斜角と水平幅が異なるサセプタを備えた枚葉式エピタキシャル成長装置を用い、実施例と同様のシリコン単結晶基板にエピタキシャル成長を施した。サセプタ以外の操業条件は実施例と同様である。
なお、図4に示すように、外周領域の傾斜角を0.5〜4°、水平幅を1.1〜6.7%(サセプタの中央領域から、単結晶基板の最外周部までの範囲に対応する外周領域の水平幅では、0.8〜6.4%)の範囲で組み合わせて行った。ただし、当然本発明の範囲における組み合わせは除いている。
また、裏面のデポ層についての調査も実施例と同様にして行った。
サセプタ形状と、得られた裏面ZDD値との関係を、実施例と同様に図4に示す。
図4に示すように、いずれも−9nm/mm以下となっており、実施例と比べて裏面ZDD値の絶対値が大きく、その測定箇所でデポが急激に成長していることが分かる。これは、以下に示す図7、8からも、基板の外周側で局所的にデポ層が成長していることがよく分かる。
図7は、傾斜角1°、水平幅が1.1%の場合においての、基板の中心から半径方向において120mmよりも外側の部分と、裏面ZDD値との関係の一例を示すグラフである。また、図8は、中心から半径方向に148mmの位置において、円周方向に裏面ZDD値を基板の全周にわたって測定した結果である。
図7に示すように、基板の外周側(148mm付近)において、局所的に裏面ZDD値が大きく変化、すなわち、急激にデポ層が厚く成長してしまっていることが分かる。
さらには図8に示すように、円周方向において裏面ZDD値に大きな変動が見られ、不均一な厚さでデポ層が積層されてしまっていることが分かる。このように不均一にシリコンのデポが行われると、当然基板の外周部のフラットネスが悪化する。
以上のように、実施例および比較例から分かるように、本発明のエピタキシャル成長用サセプタであれば、エピタキシャル成長する単結晶基板の裏面の外周側において、局所的な著しいシリコンのデポを防止することが可能になる。したがって外周部のフラットネスが良好なエピタキシャル基板を得ることができる。
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。

Claims (7)

  1. エピタキシャル成長装置において単結晶基板を水平に支持するためのザグリを有するエピタキシャル成長用サセプタであって、
    前記ザグリは、前記単結晶基板が当接して支持される外周領域と、
    該外周領域に囲まれており、前記単結晶基板と接触しない中央領域を有しており、
    前記ザグリの中央領域には、前記エピタキシャル成長用サセプタを貫通する1つ以上の貫通孔が形成されており、
    前記ザグリの外周領域は、0°より大きく1°未満の範囲の傾斜角で、前記中央領域に向かって深さが増すように傾斜しているテーパ形状であり、かつ、前記支持される単結晶基板の直径の3.3%以上の水平幅を有するものであることを特徴とするエピタキシャル成長用サセプタ。
  2. 前記中央領域から前記外周領域に支持された前記単結晶基板の最外周部までの範囲に対応する外周領域の水平幅が、前記単結晶基板の直径の3.3%以上であることを特徴とする請求項1に記載のエピタキシャル成長用サセプタ。
  3. 前記ザグリの中央領域は、曲面からなる凹形状であることを特徴とする請求項1または請求項2に記載のエピタキシャル成長用サセプタ。
  4. 前記ザグリの外周領域の水平幅は、前記支持される単結晶基板の直径の5.5%以上7%以下であることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか一項に記載のエピタキシャル成長用サセプタ。
  5. 前記中央領域から前記外周領域に支持された前記単結晶基板の最外周部までの範囲に対応する外周領域の水平幅が、前記単結晶基板の直径の5.5%以上7%以下であることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか一項に記載のエピタキシャル成長用サセプタ。
  6. 前記エピタキシャル成長用サセプタは、直径300mm以上の単結晶基板用のものであることを特徴とする請求項1から請求項5のいずれか一項に記載のエピタキシャル成長用サセプタ。
  7. 前記ザグリにおいて、前記外周領域の内縁と前記中央領域の外縁の深さが一致しているか、または、前記外周領域の内縁から前記中央領域の外縁に向かって深さが増すように0.05mm未満の高さの段差が形成されているものであることを特徴とする請求項1から請求項6のいずれか一項に記載のエピタキシャル成長用サセプタ。
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