JP6733802B1 - エピタキシャルウェーハの製造方法及びサセプタ - Google Patents
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枚葉式エピタキシャルウェーハ製造装置において、エピタキシャルウェーハを製造した。このときのエピタキシャルウェーハの製造条件としては、エピタキシャル成長用ウェーハとして、直径300mmのシリコンウェーハを用い、サセプタはポケット径が直径305mm、ポケット深さが800μmのものを用い、エピタキシャル成長温度は1100℃、エピタキシャル層の膜厚は5μmの条件でエピタキシャル成長を行った。このエピタキシャルウェーハの製造を、サセプタポケット深さのバラツキが異なる3種のサセプタを用いた。
実施例1〜3とは異なる3種のサセプタを用いてエピタキシャルウェーハの製造を行った。サセプタポケット深さの局所的なバラツキDが9.8μm(比較例1)、11.3μm(比較例2)、14.0μm(比較例3)の時、ウェーハ外周部の厚みバラツキの指標Rはそれぞれ、4.8nm、5.0nm、9.0nmとなり4.0nmより大きくなった。
C…周方向、 d…ポケット部の深さ(ポケット深さ) W…シリコンウェーハ。
Claims (3)
- 直径300mm以上のシリコンウェーハをサセプタのポケット部に載置し、前記シリコンウェーハの主表面上に、シリコンエピタキシャル層を気相成長させるエピタキシャルウェーハの製造方法において、
前記サセプタとして、前記ポケット部の側壁における前記ポケット部の深さを1°ピッチで測定したときに、前記ポケット部の深さの周方向分布の2階微分の絶対値が8μm/rad 2 以下のものを用いることを特徴とするエピタキシャルウェーハの製造方法。 - 前記シリコンエピタキシャル層の気相成長を、前記サセプタを有する枚葉式エピタキシャルウェーハ製造装置を用いて行うことを特徴とする請求項1に記載のエピタキシャルウェーハの製造方法。
- 直径300mm以上のシリコンウェーハを載置するポケット部を有し、前記シリコンウェーハの主表面上に、シリコンエピタキシャル層を気相成長させるためのサセプタであって、
前記ポケット部の側壁における前記ポケット部の深さを1°ピッチで測定したときに、前記ポケット部の深さの周方向分布の2階微分の絶対値が8μm/rad 2 以下のものであることを特徴とするサセプタ。
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