JP2010507924A5 - - Google Patents

Claims (20)

1. チャンバと、
   前記チャンバ内に置かれたサセプタであって、低熱質量を有し、１０℃/秒を超える急速な温度変化をすることができるサセプタと、
   前記チャンバ内に供給源ガスを供給するために前記サセプタ上に置かれたガス分配構造と、
   前記ガス分配構造と前記サセプタとの間に置かれた反応領域と、
   前記サセプタを一様に加熱するための複数のランプ加熱素子と、
   を備える、半導体処理ユニット。
2. 前記サセプタが、２０℃/秒を超える急速な温度変化をすることができる、請求項１記載の半導体処理ユニット。
3. 前記サセプタが、２５℃/秒を超える急速な温度変化をすることができる、請求項２記載の半導体処理ユニット。
4. 前記サセプタが、約１ｍｍ〜約５ｍｍ厚である、請求項１記載の半導体処理ユニット。
5. 前記サセプタが、ニッケル-鉄合金、石英、シリコン、炭化シリコン、又は炭素複合物からなる群より選ばれる材料を備えている、請求項１記載の半導体処理ユニット。
6. 前記ガス分配構造に蒸気分配システムが結合されている、請求項１記載の半導体処理ユニット。
7. 前記蒸気分配システムが、ガリウム供給源及び窒素供給源に結合されている、請求項６記載の半導体処理ユニット。
8. 前記蒸気分配システムが、液体供給源を蒸発させる手段を含む、請求項６記載の半導体処理ユニット。
9. 前記液体供給源が、トリメチルガリウム（ＴＭＧａ）又はトリメチルアルミニウム（ＴＭＡｌ）からなる群より選ばれる、請求項８記載の半導体処理ユニット。
10. 単一半導体処理ユニット内に複数のＩＩＩ族窒化物膜を形成する方法であって、
    半導体処理ユニットのエンクロージャ内のサセプタ上に基板を載置するステップと、
    前記サセプタを第一温度に加熱するステップと、
    前記サセプタが前記第一温度の間、前記基板上に第一ＩＩＩ族窒化物膜を形成するステップと、
    前記サセプタを第二温度に加熱するステップであって、前記サセプタが、１０℃/秒を超える温度の変化速度で前記第二温度に昇温される、ステップと、
    前記サセプタが前記第二温度の間、前記第一ＩＩＩ族窒化物膜上に第二ＩＩＩ族窒化物膜を形成するステップと、
    を含む、方法。
11. 前記温度の変化速度が、２０℃/秒を超える、請求項１０記載の方法。
12. 前記温度の変化速度が、２５℃/秒を超える、請求項１１記載の方法。
13. 前記第一ＩＩＩ族窒化物膜が、アモルファス窒化ガリウム（α−ＧａＮ）層であり、前記第二ＩＩＩ族窒化物膜が、ｎ型窒化ガリウム（ｎ−ＧａＮ）膜である、請求項１０記載の方法。
14. 前記サセプタの温度を第三温度に降温させるステップであって、前記サセプタが、１０℃/秒を超える温度の第二変化速度で前記第三温度に降温される、ステップと、
    前記サセプタが前記第三温度の間、前記第二ＩＩＩ族窒化物膜上に第三ＩＩＩ族窒化物膜を形成するステップと、
    を更に含む、請求項１０記載の方法。
15. 前記第三ＩＩＩ族窒化物膜が、窒化インジウムガリウム（ＩｎＧａＮ）膜である、請求項１４記載の方法。
16. 前記サセプタを第四温度に加熱するステップであって、前記サセプタが、１０℃/秒を超える温度の第三変化速度で前記第四温度に昇温される、ステップと、
    前記第四温度で前記第三ＩＩＩ族窒化物膜上に第四ＩＩＩ族窒化物膜を形成するステップと、
    を更に含む、請求項１４記載の方法。
17. 前記第四ＩＩＩ族窒化物膜が、窒化ガリウム（ＧａＮ）である、請求項１６記載の方法。
18. 前記温度の変化速度が、２０℃/秒を超える、請求項１４記載の方法。
19. 前記温度の変化速度が、２５℃/秒を超える、請求項１４記載の方法。
20. 前記温度の変化速度が、２０℃/秒を超える、請求項１６記載の方法。