JPH02136064U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH02136064U JPH02136064U JP4657989U JP4657989U JPH02136064U JP H02136064 U JPH02136064 U JP H02136064U JP 4657989 U JP4657989 U JP 4657989U JP 4657989 U JP4657989 U JP 4657989U JP H02136064 U JPH02136064 U JP H02136064U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- susceptor
- flat plate
- vapor phase
- raw material
- material gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 claims description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims 2
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
第１図は本考案に係る気相成長装置の一実施例
を示す平面断面図、第２図は正面断面図、第３図
は第１図における（Ａ１−Ａ２）位置と成長速度
との関係を示す特性図、第４図はサセプタの中心
からの位置と成長速度との関係を従来例との比較
において示した特性図、第５図は従来例を示した
要部平面断面図、第６図は第５図における（Ｘ１
−Ｘ２）位置と成長速度との関係を示す特性図で
ある。 ２…装置本体、３…ウエハ、４…サセプタ、５
，２０…平板。
を示す平面断面図、第２図は正面断面図、第３図
は第１図における（Ａ１−Ａ２）位置と成長速度
との関係を示す特性図、第４図はサセプタの中心
からの位置と成長速度との関係を従来例との比較
において示した特性図、第５図は従来例を示した
要部平面断面図、第６図は第５図における（Ｘ１
−Ｘ２）位置と成長速度との関係を示す特性図で
ある。 ２…装置本体、３…ウエハ、４…サセプタ、５
，２０…平板。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 装置本体内に配設されたサセプタに対して原料
ガスが略水平方向から流され、さらに該原料ガス
が前記サセプタ上で熱分解されて前記サセプタに
装着されたウエハ表面にエピタキシヤル膜が形成
される気相成長装置であつて、 前記サセプタの上流側であつて前記サセプタと
略同一高さ位置に平板が配設され、 かつ、該平板が加熱可能とされていることを特
徴とする気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4657989U JPH02136064U (ja) | 1989-04-19 | 1989-04-19 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4657989U JPH02136064U (ja) | 1989-04-19 | 1989-04-19 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02136064U true JPH02136064U (ja) | 1990-11-13 |
Family
ID=31561782
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4657989U Pending JPH02136064U (ja) | 1989-04-19 | 1989-04-19 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02136064U (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58151397A (ja) * | 1982-02-26 | 1983-09-08 | Toshiba Corp | 気相エピタキシヤル結晶製造方法 |
| JPS6191099A (ja) * | 1984-10-12 | 1986-05-09 | Nec Corp | ＧａＡｓ気相成長方法 |
| JPS62152123A (ja) * | 1985-12-26 | 1987-07-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 気相成長装置 |
-
1989
- 1989-04-19 JP JP4657989U patent/JPH02136064U/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58151397A (ja) * | 1982-02-26 | 1983-09-08 | Toshiba Corp | 気相エピタキシヤル結晶製造方法 |
| JPS6191099A (ja) * | 1984-10-12 | 1986-05-09 | Nec Corp | ＧａＡｓ気相成長方法 |
| JPS62152123A (ja) * | 1985-12-26 | 1987-07-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 気相成長装置 |
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