JPS6191099A - ＧａＡｓ気相成長方法 - Google Patents

ＧａＡｓ気相成長方法

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JPS6191099A
JPS6191099A JP21384884A JP21384884A JPS6191099A JP S6191099 A JPS6191099 A JP S6191099A JP 21384884 A JP21384884 A JP 21384884A JP 21384884 A JP21384884 A JP 21384884A JP S6191099 A JPS6191099 A JP S6191099A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
crystal growth
growth
dummy
base
substrate
Prior art date
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Pending
Application number
JP21384884A
Other languages
English (en)
Inventor
Toshiyuki Misaki
三崎　敏幸
Jun Hayashi
純 林
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はＧ、Ａｓ気相成長において不純物４度及び層厚
について均一性の良いエピタキシャル層を形成する方法
に関するものである。
〔従来の技術〕
近年、Ｇ　ａ　Ａ　ｓを用いたマイクロ波素子特にＱａ
Ａｓ　Ｆ　Ｅ　Ｔの需要が急増している。ＧａＡｓＦＨ
Ｔは半絶縁性０３　Ａ　３基板上に成長させたエピタキ
シャルノーに形成されるがこのエピタキシャルｒｆｋｔ
成長さ−Ｃるにｖ、ｉ、Ｇａ／ＡｓＣＡ！ｓ／）ｌｔ　
　系による気相成長方法が一般に用いられている。
この方法は石英反応管内の高温領域に置かれ友Ｇａを、
Ａｓを供給するガス状原料と反応せしめ生じた反応生成
ガスをｉ温領域にて反応させ基板上にＧ　ａ　Ａ　ｓを
エピタキシャル成長させるものである。
〔発明が解決しょうとする問題点〕
従来この方法を用いてエピタキシャル成長させる場合原
料ガス及びドーパント供給ガスは、成長ｉ域に設置され
た基板上のエピタキシャル成長に工９消費される為に基
板上ではガス流れ方向下流に行くに従ってガスｒへ度が
希薄になり、従って基板内ではガス流れ方向上流側で不
純物濃度が尚く成長層の厚さが大きくガス流れ方向下流
側で不純物一度が低く、成長層の厚さが小さい傾向があ
り、特に基板内ガス流れ方向上流端より約１０朋の領域
では第２．３図に示す様に不純物濃度層厚供に他部より
約１０％以上と極端に大きく、基板内不祠物函度及び層
厚の均一性を悪くしていた。
本発明の目的は、以上に説明した工′）な従来の気相年
長における不都合を排除すべくなされたもので、不純物
濃ｎｔ及び厚さについて均一性の良いエピタキシャル鳩
を侍ることの出来るＧ　ａ　Ａ　ｓ気相成長方法を提供
するものでおる。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明の％　Ｄ　ｋ、ｆ、　Ｏａ　Ａ’＝　ｓ　Ｃｌ　
ｓ　／　Ｈｚ　　反応系においてＧａＡｓを気相成長層
ぜるに靜し、成長領域に設置された基板の原料カスが、
、れ方向上流側にダミー基板を設置することにある。
〔実施例〕
以下、図面を用いて、本発明をより詳細に説明する。
第１図は本発明の実施例であって１は成長炉、２は反応
系石英管、３はＧａ　ノース、４はダミー基板、５に成
長領域に設置された成長基板である。
成長領域に設置さ汎た成長基板５の原料ガス流れ方向上
流側にダミー基板４を設置し、高温領域に置かれた石英
製ソースポード中の（ｊａ１５０ＪＦへＡｓＣ＃３とＨ
２との反応によって生成したＡｓ３ＸＩＱ−’ｍｏｌ　
　ｆｆｉ供ｆｆ１ｔ、ａｔ長＆行；ａつ。
本発明は以上番こ述べた方法で（ＪｐＡｓの気相広長を
行なうもので成長領域−こ設置された基板のＬ￥料ガス
流れ方向上流側ｌこダミー基板を設置することにより、
基板上での原料ガス消費によるガス鋳朋の変化の為に他
部に比べて不純物画成が極端に高く、層厚が極端に大き
な部分をダミー基板上に成長させ、成長領域に設置？１
さ；ｒシた本成長基１ｆ〕上には第２．３図に示す様に
不純物ＤＨバラツキ±５％以下、層厚バラツキ上３％以
下の均一なエピタキシャルノーを成長させることが出来
ろ。
〔発明の効果〕
このように、本発明によれは、均質な気相成長層を容易
に得ることができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の−゛ノイ施例説明する成長ｒの断面図
である。 第２図は層厚に関する従来法と本発明実施とのエピタキ
シャル成長基板内均一性の比較を示アゲラフでりる。 第３図は不純物ａ度分布に関する従来法と本発明実施と
のエピタキシャル成尺基板内均−性の比較を示すグラフ
でりる。 ｌ・・・・・・成長炉、２・・・・・・反応系石英管、
３・・・・・・（ｊａノース、４・・・・・・ダミー〜
板、５・・・・・・成長領域に設Ｗ（され／こ〕Ｊ又ヱ
七基版。 、了へ委でｒ 表１図 層−＃＜、１１．、） ・・・［ 労２字 弄３？

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 　Ｇａ／ＡｓＣｌ＿３／Ｈ＿２反応系でＧａＡｓを気相
    成長させるに際し、成長領域に設置された基板の原料ガ
    ス流れ方向上流側にダミー基板を設置することを特徴と
    するＧａＡｓ気相成長方法。
JP21384884A 1984-10-12 1984-10-12 ＧａＡｓ気相成長方法 Pending JPS6191099A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02136064U (ja) * 1989-04-19 1990-11-13
JPH07193005A (ja) * 1993-12-27 1995-07-28 Nec Corp 結晶成長装置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58151397A (ja) * 1982-02-26 1983-09-08 Toshiba Corp 気相エピタキシヤル結晶製造方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPH02136064U (ja) * 1989-04-19 1990-11-13
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