JPS58194329A - ３−ｖ族混晶半導体の気相エピタキシヤル成長方法 - Google Patents
３−ｖ族混晶半導体の気相エピタキシヤル成長方法Info
- Publication number
- JPS58194329A JPS58194329A JP57077820A JP7782082A JPS58194329A JP S58194329 A JPS58194329 A JP S58194329A JP 57077820 A JP57077820 A JP 57077820A JP 7782082 A JP7782082 A JP 7782082A JP S58194329 A JPS58194329 A JP S58194329A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- flow rate
- composition
- metal source
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02367—Substrates
- H01L21/0237—Materials
- H01L21/02387—Group 13/15 materials
- H01L21/02395—Arsenides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
- H01L21/02439—Materials
- H01L21/02455—Group 13/15 materials
- H01L21/02461—Phosphides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02538—Group 13/15 materials
- H01L21/02543—Phosphides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はＩ−Ｖ族混晶半導体エピタキシャル成長におい
て、基板と格子定数の異なるエピタキシャル層を成長せ
しめようとする際の最初に基板の格子定数に一致する組
成かられずかづつ混晶組成を変化させた層を成長させな
がら、最終的に希望する組成を有する混晶に至るグレー
テツド層の組成制御に関するものである。
て、基板と格子定数の異なるエピタキシャル層を成長せ
しめようとする際の最初に基板の格子定数に一致する組
成かられずかづつ混晶組成を変化させた層を成長させな
がら、最終的に希望する組成を有する混晶に至るグレー
テツド層の組成制御に関するものである。
１−Ｖ族混晶牛導体において例えばＩｎ−Ｇａ−Ａｓ−
Ｐ 系では、禁制帯幅はＩｎＡｓの０．３６ｅＶからＧ
ａＰの２．２５ｅＶまで組成を変化させることによって
種々の禁制帯幅を有する混晶が可能で。
Ｐ 系では、禁制帯幅はＩｎＡｓの０．３６ｅＶからＧ
ａＰの２．２５ｅＶまで組成を変化させることによって
種々の禁制帯幅を有する混晶が可能で。
赤外領域から可視領域までレーザダイオード、発光ダイ
オード、受光素子等の光デバイスとして幅広い応用が考
えられる。しかしながら、基板となるバルク結晶はＩｎ
Ｐ、ＧａＡｓ％ＧａＰの２ 元化合物以外には作製する
ことが非常に困難なために、その上のエピタキシャル層
もこれらの基板と格子定数が一致する組成を有する結晶
に限られている・このために、前述の４元素混晶ではＩ
ｎＰ基板を用いた場合１こは禁制帯幅で０．７５ｅＶ
〜１．２８ｅＶ。
オード、受光素子等の光デバイスとして幅広い応用が考
えられる。しかしながら、基板となるバルク結晶はＩｎ
Ｐ、ＧａＡｓ％ＧａＰの２ 元化合物以外には作製する
ことが非常に困難なために、その上のエピタキシャル層
もこれらの基板と格子定数が一致する組成を有する結晶
に限られている・このために、前述の４元素混晶ではＩ
ｎＰ基板を用いた場合１こは禁制帯幅で０．７５ｅＶ
〜１．２８ｅＶ。
ＧａＡａ基板を用いた場合には１．４３ ｅＶ〜１．８
８ｅＶの混晶に限られていた。この範囲を、従来容易に
入手できる基板を用いて拡大することを可能にした技術
がグレーデツド層の考え万である。すなわち、格子定数
が基板と大きく異なる結晶を基板上に無理に成長させた
場合、その界面から多数の転位が入り、結晶性が大きく
そこなわれ１表面状態も悪化して実用的な結晶を得るこ
とができない。
８ｅＶの混晶に限られていた。この範囲を、従来容易に
入手できる基板を用いて拡大することを可能にした技術
がグレーデツド層の考え万である。すなわち、格子定数
が基板と大きく異なる結晶を基板上に無理に成長させた
場合、その界面から多数の転位が入り、結晶性が大きく
そこなわれ１表面状態も悪化して実用的な結晶を得るこ
とができない。
しかし、極くわずかな格子定数の差（Δａ／ａ＜ＩＸＩ
（１”Δ１：基板の格子定数とその上に成長させようと
する結晶の格子定数の差、ａ：基板の格子定数）の場合
には、転位の導入も比較的少なく鏡面性の良いエピタキ
シャル層が成長することを利用して。
（１”Δ１：基板の格子定数とその上に成長させようと
する結晶の格子定数の差、ａ：基板の格子定数）の場合
には、転位の導入も比較的少なく鏡面性の良いエピタキ
シャル層が成長することを利用して。
格子定数をエピタキシャル層の成長方向に混晶の組成比
を変えることによって少しづつ変化させ、最終的に希望
する組成を有するエピタキシャル層を得ようとするもの
である。ところで、従来のグレーデツド層の組成を変化
させる方法として、Ｉｎ／Ｇａ／Ｈｃｊ／ＰＨ３法によ
るＩｎＧａＰを例にとって説明する１例えばＩｍｏ、３
０ｍ０．７Ｐのエピタキシャル層を得たい時、この混晶
の格子定数（ｓ、５７７Ａ）に一致する格子定数を有す
る基板は入手不可能なためｈ ＧａＡｍ基板を用いて前
述したグレーデツド層の技術により結晶成長を行なおう
とすると、最初にＧｍＡｓの格子定数に一致する組成の
Ｉｎ、、ＧへＰ（ｘ＝（ＬＳＩ）を成長させ１次第に金
属Ｇａソース上に供給するＨｃノガスの量を増加させて
、結晶中のＧａ量を増加させ、最後に希望するＩｎＧａ
Ｐの組成を得る方法が用いられている。従来法では。
を変えることによって少しづつ変化させ、最終的に希望
する組成を有するエピタキシャル層を得ようとするもの
である。ところで、従来のグレーデツド層の組成を変化
させる方法として、Ｉｎ／Ｇａ／Ｈｃｊ／ＰＨ３法によ
るＩｎＧａＰを例にとって説明する１例えばＩｍｏ、３
０ｍ０．７Ｐのエピタキシャル層を得たい時、この混晶
の格子定数（ｓ、５７７Ａ）に一致する格子定数を有す
る基板は入手不可能なためｈ ＧａＡｍ基板を用いて前
述したグレーデツド層の技術により結晶成長を行なおう
とすると、最初にＧｍＡｓの格子定数に一致する組成の
Ｉｎ、、ＧへＰ（ｘ＝（ＬＳＩ）を成長させ１次第に金
属Ｇａソース上に供給するＨｃノガスの量を増加させて
、結晶中のＧａ量を増加させ、最後に希望するＩｎＧａ
Ｐの組成を得る方法が用いられている。従来法では。
このように金層ソース上のＨｃｌガス量を変化させて組
成を変える方法が広く用いられていた。しかしながら、
この方法では、金層ソースと反応するＨｃｌ量がつねに
変化するため１反応の安定性が悪く希望する組成が得に
くいという欠点があった。
成を変える方法が広く用いられていた。しかしながら、
この方法では、金層ソースと反応するＨｃｌ量がつねに
変化するため１反応の安定性が悪く希望する組成が得に
くいという欠点があった。
グレーデツド層の格子定数の変化の割合は前述したよう
にかなり小さな範囲で制御しなければならないが、それ
がこのような反応の不安定性が生じた場合（こは制御困
難となり良好なグレーデツド層を得ることができない。
にかなり小さな範囲で制御しなければならないが、それ
がこのような反応の不安定性が生じた場合（こは制御困
難となり良好なグレーデツド層を得ることができない。
本発明は、このような従来の欠点を除去せしめて、金層
ソースと反応するガスは常に一定流量に保って反応の安
定性を確保し、金属ソースと基板の中間領域に導入した
組成制御用ガス流量のみに・１゜ よって組成を制御して、良好なグレーデツド層を得る気
相成長方法を提供することにある。
ソースと反応するガスは常に一定流量に保って反応の安
定性を確保し、金属ソースと基板の中間領域に導入した
組成制御用ガス流量のみに・１゜ よって組成を制御して、良好なグレーデツド層を得る気
相成長方法を提供することにある。
この組成制御用ガス導入による組成の変化は熱力学的考
察によって説明できる。Ｉｎ／Ｇａ／Ｈｅｌ／ＰＨｓ系
によるＩｎＧａＰの気相成長を例にとると、この系の基
板領域での反応は 口ａｃｌ＋ＭＰ、＋％Ｈ，；：ＧｍＰ＋Ｈｃｌ （
１１１ｎｃｌ＋％Ｐ４ ＋ＭＨ２： ＩｎＰ＋Ｈｃ ｌ
１２１’ＰＨ，：Ｐ、 ＋ ’／、Ｈ２（３３ Ｐ ４ ：２ Ｐ ２ （４１１
１）〜（４）式によって表わされる。これらの反応式と
ＩｎＧａＰ中のＧａｐ、Ｉａｐの活動匿を考慮すること
によって原料ガス濃度に対する成長層のＩｎと０１の組
成を決定することができる。従来の方法で混晶組成を変
化させる場合には、璽属金属上に供給するＨＣノガス＃
度を変化させる方法が用いられている。これは、＋１１
％＋２１式のＧａｃ、ｆもしくはＩｎｃ、Ｊ＃度が変化
して組成が変化することを利用したものであるが、本発
明による組成制御用ガス（この町ではＨｃｌ）導入によ
る組成制御は、 （ｔｕｂ （２１式の反応を左側に進
め、析出しようとするＧｍＰｍ１ｎＰを抑制する作用を
利用して行なうものである。第１図に全ｌ族塩化物ＩＩ
ＩＩＩＬに対して導入したＨ６！ガスの割合番ζ対する
組成変化の様子の計算値を示した一Ｈｃｊ、ガスを導入
しない状態でＧａＡｍ基板に格子定数が一致したＩ ｒ
ｓ １−ｘ Ｇ ａ ｘＰの組成（ｘ＝０５１）が得ら
れるように原料ガスの濃度を設定した。この図から例え
ばｘ ＝ ０．７のＩｎＧａＰをＧａＡｓ基板上に成長
させる場合、まず、組成制御用の）（ｃ Ｊガスを導入
しないでＧ ａ Ａ ｍ基板に格子定数が一致した組成
を有するＩｎ Ｇａ Ｐ（ｘ＝０．５１）を成１
−Ｘ Ｘ 長させ、除々に導入するＨｃノ′ガス泥量を増加させて
グレーデツド層を形成し最終的に全ｌ族塩化物量に対す
るＨｃ、５ガスの割合が１．３チ程Ｉｌｌこなるように
すれば、Ｉ族金属ソース（こ供給する）（ＣＩガス流量
を変えることなく、希望する組成を有するＩｎＧｍＰエ
ピタキシャル層を成長することができる。
察によって説明できる。Ｉｎ／Ｇａ／Ｈｅｌ／ＰＨｓ系
によるＩｎＧａＰの気相成長を例にとると、この系の基
板領域での反応は 口ａｃｌ＋ＭＰ、＋％Ｈ，；：ＧｍＰ＋Ｈｃｌ （
１１１ｎｃｌ＋％Ｐ４ ＋ＭＨ２： ＩｎＰ＋Ｈｃ ｌ
１２１’ＰＨ，：Ｐ、 ＋ ’／、Ｈ２（３３ Ｐ ４ ：２ Ｐ ２ （４１１
１）〜（４）式によって表わされる。これらの反応式と
ＩｎＧａＰ中のＧａｐ、Ｉａｐの活動匿を考慮すること
によって原料ガス濃度に対する成長層のＩｎと０１の組
成を決定することができる。従来の方法で混晶組成を変
化させる場合には、璽属金属上に供給するＨＣノガス＃
度を変化させる方法が用いられている。これは、＋１１
％＋２１式のＧａｃ、ｆもしくはＩｎｃ、Ｊ＃度が変化
して組成が変化することを利用したものであるが、本発
明による組成制御用ガス（この町ではＨｃｌ）導入によ
る組成制御は、 （ｔｕｂ （２１式の反応を左側に進
め、析出しようとするＧｍＰｍ１ｎＰを抑制する作用を
利用して行なうものである。第１図に全ｌ族塩化物ＩＩ
ＩＩＩＬに対して導入したＨ６！ガスの割合番ζ対する
組成変化の様子の計算値を示した一Ｈｃｊ、ガスを導入
しない状態でＧａＡｍ基板に格子定数が一致したＩ ｒ
ｓ １−ｘ Ｇ ａ ｘＰの組成（ｘ＝０５１）が得ら
れるように原料ガスの濃度を設定した。この図から例え
ばｘ ＝ ０．７のＩｎＧａＰをＧａＡｓ基板上に成長
させる場合、まず、組成制御用の）（ｃ Ｊガスを導入
しないでＧ ａ Ａ ｍ基板に格子定数が一致した組成
を有するＩｎ Ｇａ Ｐ（ｘ＝０．５１）を成１
−Ｘ Ｘ 長させ、除々に導入するＨｃノ′ガス泥量を増加させて
グレーデツド層を形成し最終的に全ｌ族塩化物量に対す
るＨｃ、５ガスの割合が１．３チ程Ｉｌｌこなるように
すれば、Ｉ族金属ソース（こ供給する）（ＣＩガス流量
を変えることなく、希望する組成を有するＩｎＧｍＰエ
ピタキシャル層を成長することができる。
次に１本発明を実施例１ζ基づき１図を参照しながら詳
述する。
述する。
実施例
第２図および第３図は本発明の一実施偶を示し。
本発明を用いて０１人Ｓ基板上にＩｎ６．１０ｍ（１，
７Ｐを成長させた例について説明する。
７Ｐを成長させた例について説明する。
ｌは石英反応管で上流部は二つのｍｍに別かれて。
ｈ［には、インジウムソース２．下段にはガリウムソー
ス３が設置されている。これらの金属ソースと導入管４
および５から導入されたＨｃｆｉガスとが反応しそれぞ
れＩｎｃｔ、Ｇａｃ５となって下流に運ばれる、そこで
導入管６から導入されたＰＨ，ガスと反応しＯａ Ａ
ｓ基板７にＩｎＧａＰがエピタキシャル層長する６組成
制御のためのＨＣＪガスは導入管６を通して導入した。
ス３が設置されている。これらの金属ソースと導入管４
および５から導入されたＨｃｆｉガスとが反応しそれぞ
れＩｎｃｔ、Ｇａｃ５となって下流に運ばれる、そこで
導入管６から導入されたＰＨ，ガスと反応しＯａ Ａ
ｓ基板７にＩｎＧａＰがエピタキシャル層長する６組成
制御のためのＨＣＪガスは導入管６を通して導入した。
インジウムソース、ガリウム“ン＝ス上ｔＣ流すＨＣＪ
ガスの流通はそれぞれ。
ガスの流通はそれぞれ。
１０ ｃｃ／ｍｉ ｆｌＴｈ ｏ、 ３ ｃ ｃ／ｍ
ｉ ｆＩｂＰＨ，ガス流量は１０ｃｃ／ｍｉｎであり、
Ｈ２ガスで希釈した全流量は２６００ｃｃ／ｍ ｉ ｎ
とした。Ｉ族金属ソース温Ｉｆ８０（ＰＣ，ＩｎＧａＰ
成長温置は７５ｏ℃Ｉこ設定した。まず上記の流量条件
で第３図（こ示したようにＧａＡａ基板１０に完全に格
子定数が一致したＩ ｎ １−ｘＧ ａ ｘＰ （ｘ
＝ ０．５１ ） ｌ １を２μ喝の厚さ憂こ成長した
。引きつづいて組成制御用のＨｃＬガスを導入しグレー
デツド層１２を形成した後ｈ Ｉ ｎ Ｏ，３０ｍ ５
．７ Ｐ層１３を５μ隅の厚さに成長させた。
ｉ ｆＩｂＰＨ，ガス流量は１０ｃｃ／ｍｉｎであり、
Ｈ２ガスで希釈した全流量は２６００ｃｃ／ｍ ｉ ｎ
とした。Ｉ族金属ソース温Ｉｆ８０（ＰＣ，ＩｎＧａＰ
成長温置は７５ｏ℃Ｉこ設定した。まず上記の流量条件
で第３図（こ示したようにＧａＡａ基板１０に完全に格
子定数が一致したＩ ｎ １−ｘＧ ａ ｘＰ （ｘ
＝ ０．５１ ） ｌ １を２μ喝の厚さ憂こ成長した
。引きつづいて組成制御用のＨｃＬガスを導入しグレー
デツド層１２を形成した後ｈ Ｉ ｎ Ｏ，３０ｍ ５
．７ Ｐ層１３を５μ隅の厚さに成長させた。
グレーデツド層は１時間の成長時間で７５μ冑の厚さに
亘って、除々に組成制御用のＨｃ、ｌガスを増加させて
形成し最終的に０．１５ ｃｃ／ｍｉｎのＨｅχガスを
導入してＩ ｎ 、、、 Ｇａ０．７ Ｐ ４を成長さ
せた。成長層の表面は鏡面であり、基板の転位密度に比
較して成長層表面の転位密度に顕著な増加は観察されず
５本発明の効果が明らかとなった。
亘って、除々に組成制御用のＨｃ、ｌガスを増加させて
形成し最終的に０．１５ ｃｃ／ｍｉｎのＨｅχガスを
導入してＩ ｎ 、、、 Ｇａ０．７ Ｐ ４を成長さ
せた。成長層の表面は鏡面であり、基板の転位密度に比
較して成長層表面の転位密度に顕著な増加は観察されず
５本発明の効果が明らかとなった。
第１図はＨｃＪｌガス導入ｌこよる１ｎＧａＰの組成変
化を熱力学平衡計算から求めたもので横軸は全Ｉ族塙化
物濃１＋こ対する導入したＨｃノガスａ度の割合を優単
位で示したもの、ａ軸はｌ ｎ （） ａ ＰのＧａの
組成比を示す。 第２図は本発明の実施例Ｉこ用いたＩｎＧａＰ気相工１
″′“０″ｔｉ′ｌｉ″鵠０ヒ６０１・０ｊ１中、ｌは
反応管、２はインジウムソース、３はガリウムソース、
４，５は■族金属輸送用Ｈｅ、Ｊ！ガスと希釈用Ｈ，ガ
スの導入管、６はＨ２ガスて希釈されたＰＨ，ガスおよ
びグレーデツド層の組成制御用のＨｃ、ｆｆガスの導入
管、７は基板結晶、を示す。 第３図は＋ｊ！檜例でＧａＡｓ基板上に成長じたエピタ
キシャル層の断面構造を模式的に表わしたもので、１Ｇ
はＧａＡｓＩ＆板結晶、１１はＧ ａ Ａ ｓの格子定
数に一すした組成を有するＩｎＧａＰｂ １２ は組成
が次第に変化しているＩｎＧａＰのグレーデッド、
層、１３は最終的に得ようとした１ｎＧａＰ層をそれぞ
れ示す。 代理人弁理士 内 原 晋 、 ・Ｘ２−・ノ・ ｆ １ 胆 ＨＣア／（ＧｏＣＩ＋ＩｎＣ１） ｒ ％ノ矛 ２記
化を熱力学平衡計算から求めたもので横軸は全Ｉ族塙化
物濃１＋こ対する導入したＨｃノガスａ度の割合を優単
位で示したもの、ａ軸はｌ ｎ （） ａ ＰのＧａの
組成比を示す。 第２図は本発明の実施例Ｉこ用いたＩｎＧａＰ気相工１
″′“０″ｔｉ′ｌｉ″鵠０ヒ６０１・０ｊ１中、ｌは
反応管、２はインジウムソース、３はガリウムソース、
４，５は■族金属輸送用Ｈｅ、Ｊ！ガスと希釈用Ｈ，ガ
スの導入管、６はＨ２ガスて希釈されたＰＨ，ガスおよ
びグレーデツド層の組成制御用のＨｃ、ｆｆガスの導入
管、７は基板結晶、を示す。 第３図は＋ｊ！檜例でＧａＡｓ基板上に成長じたエピタ
キシャル層の断面構造を模式的に表わしたもので、１Ｇ
はＧａＡｓＩ＆板結晶、１１はＧ ａ Ａ ｓの格子定
数に一すした組成を有するＩｎＧａＰｂ １２ は組成
が次第に変化しているＩｎＧａＰのグレーデッド、
層、１３は最終的に得ようとした１ｎＧａＰ層をそれぞ
れ示す。 代理人弁理士 内 原 晋 、 ・Ｘ２−・ノ・ ｆ １ 胆 ＨＣア／（ＧｏＣＩ＋ＩｎＣ１） ｒ ％ノ矛 ２記
Claims (1)
- 組成が次第に変化しているグレーデツト層を基板上に形
成する気相エピタキシャル成長方法において、金属ソー
スと反応することなく前記基板にまで到達するように、
グレーデツト層の組成制御用ガスを新たに導入すること
を特徴とした厘−■族混晶半導体の気相エピタキシャル
成長万沃。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57077820A JPS58194329A (ja) | 1982-05-10 | 1982-05-10 | ３−ｖ族混晶半導体の気相エピタキシヤル成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57077820A JPS58194329A (ja) | 1982-05-10 | 1982-05-10 | ３−ｖ族混晶半導体の気相エピタキシヤル成長方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58194329A true JPS58194329A (ja) | 1983-11-12 |
Family
ID=13644667
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57077820A Pending JPS58194329A (ja) | 1982-05-10 | 1982-05-10 | ３−ｖ族混晶半導体の気相エピタキシヤル成長方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58194329A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5348911A (en) * | 1987-06-30 | 1994-09-20 | Aixtron Gmbh | Material-saving process for fabricating mixed crystals |
| CN1300826C (zh) * | 2004-07-30 | 2007-02-14 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 改进氢化物气相外延生长氮化镓结晶膜表面质量的方法 |
-
1982
- 1982-05-10 JP JP57077820A patent/JPS58194329A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5348911A (en) * | 1987-06-30 | 1994-09-20 | Aixtron Gmbh | Material-saving process for fabricating mixed crystals |
| CN1300826C (zh) * | 2004-07-30 | 2007-02-14 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 改进氢化物气相外延生长氮化镓结晶膜表面质量的方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0688871B2 (ja) | 化学ビ−ム堆積法 | |
| JPS58194329A (ja) | ３−ｖ族混晶半導体の気相エピタキシヤル成長方法 | |
| JPH0510317B2 (ja) | ||
| JPH0225018A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR20200008966A (ko) | 성막 방법, 및 반도체 장치의 제조 방법 | |
| JPH0699231B2 (ja) | 気相成長方法および装置 | |
| JPS63227007A (ja) | 気相成長方法 | |
| JPS5987814A (ja) | ３−ｖ族化合物半導体の製造方法 | |
| JPS61205696A (ja) | ３−５族化合物半導体の気相成長装置 | |
| JP3101753B2 (ja) | 気相成長方法 | |
| JPS6373617A (ja) | 化合物半導体の気相成長法 | |
| JPS5984417A (ja) | ３−５族混晶半導体装置 | |
| JP2841799B2 (ja) | ▲ｉｉｉ▼―ｖ族化合物半導体の気相成長方法 | |
| JPS59203800A (ja) | 無機化合物単結晶薄膜の気相エピタキシヤル成長方法 | |
| JPS5861623A (ja) | ３−５族化合物混晶半導体の気相成長方法 | |
| JPS63204733A (ja) | 化合物半導体膜の製造方法 | |
| JPS60245214A (ja) | 化合物半導体結晶の気相成長方法 | |
| JPS5858316B2 (ja) | ３−５ ゾクカゴウブツノキソウセイチヨウホウホウ | |
| JPH0383326A (ja) | 有機金属気相成長方法 | |
| JPH06679B2 (ja) | 有機金属熱分解結晶成長装置 | |
| JPS6291497A (ja) | 化合物半導体の気相成長方法及びそれに使用する気相成長装置 | |
| JPH01262618A (ja) | ３‐５族化合物半導体の気相成長方法および気相成長装置 | |
| JPS6377112A (ja) | 気相成長方法 | |
| JPS6232665A (ja) | 発光素子 | |
| JPH0450197A (ja) | 化合物半導体の気相成長方法 |