JPS63204733A - 化合物半導体膜の製造方法 - Google Patents
化合物半導体膜の製造方法Info
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- JPS63204733A JPS63204733A JP62037652A JP3765287A JPS63204733A JP S63204733 A JPS63204733 A JP S63204733A JP 62037652 A JP62037652 A JP 62037652A JP 3765287 A JP3765287 A JP 3765287A JP S63204733 A JPS63204733 A JP S63204733A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は■−■−■合物半導体膜の製造方法に関し、特
ＫＰ型ドープの■−■−■合物半導体膜を製造する方法
に関する。
ＫＰ型ドープの■−■−■合物半導体膜を製造する方法
に関する。
従来ジメチルジンク（ＤＭｚ）、ジエチルジンク（ＤＥ
Ｚ）等の有機亜鉛化合物およびＨ２Ｓｅ ＋Ｈ２Ｓ等の
■放水素化合物およびＮＨ３、ＡＳＨ３＋ＰＨ３等のド
ーピング原料を加熱された基板上に輸送し、熱分解によ
って基板上にＰ型ドープのＺｎ５ｅ 、 ＺｎＳ結晶膜
を成長させる化合物半導体膜のｌり漬方法が知られてい
る。（例えばＪ、 Ｑｒｙ、 ＧｒＯＷ４ｊ、 ／−９
（／ ９ 、＄’、２ ） ）〔発明が解決しようとす
る間ｉｔｔ点〕しかしながら、上記ＮＨ３、Ａ Ｓ Ｈ
３ｈ ＰＨ３等の水素化物のドーピングガスな用いた場
合には、前記ガスの熱的な安定性のため効率よくドーピ
ングを行なうには、基板を最低ＳＯＯ″Ｃ以上に加熱し
た状態で化合物半導体膜を成長させる必要があり、この
ような高い成長温度では■−■族化族化合物半導体作成
−て欠陥が誘起され、高品質の膜が得られないという間
順点があった。
Ｚ）等の有機亜鉛化合物およびＨ２Ｓｅ ＋Ｈ２Ｓ等の
■放水素化合物およびＮＨ３、ＡＳＨ３＋ＰＨ３等のド
ーピング原料を加熱された基板上に輸送し、熱分解によ
って基板上にＰ型ドープのＺｎ５ｅ 、 ＺｎＳ結晶膜
を成長させる化合物半導体膜のｌり漬方法が知られてい
る。（例えばＪ、 Ｑｒｙ、 ＧｒＯＷ４ｊ、 ／−９
（／ ９ 、＄’、２ ） ）〔発明が解決しようとす
る間ｉｔｔ点〕しかしながら、上記ＮＨ３、Ａ Ｓ Ｈ
３ｈ ＰＨ３等の水素化物のドーピングガスな用いた場
合には、前記ガスの熱的な安定性のため効率よくドーピ
ングを行なうには、基板を最低ＳＯＯ″Ｃ以上に加熱し
た状態で化合物半導体膜を成長させる必要があり、この
ような高い成長温度では■−■族化族化合物半導体作成
−て欠陥が誘起され、高品質の膜が得られないという間
順点があった。
また、これらのドーピングガスは高温になればなるほど
、■族、■族の原料ガスとの副次反応を生みだす為、結
晶性に悪影響をあたえるという重大な間験点もあった。
、■族、■族の原料ガスとの副次反応を生みだす為、結
晶性に悪影響をあたえるという重大な間験点もあった。
本発明は上記間層（点を解決するために、■族元素を含
む水素化物もしくは有機金属化合物および■族元素を含
む有機金属化合物およびドーピング元素を供給するドー
ピング用原料を加熱された基板上に輸送し、熱分がｆに
よってＰ型ドーピング■−Ｗ族化合物半導体膜を基板上
に成長させる化合物半導体膜の製造方法において、該ド
ーピング用原料として■族元素の有機金属化合物を用い
ている。
む水素化物もしくは有機金属化合物および■族元素を含
む有機金属化合物およびドーピング元素を供給するドー
ピング用原料を加熱された基板上に輸送し、熱分がｆに
よってＰ型ドーピング■−Ｗ族化合物半導体膜を基板上
に成長させる化合物半導体膜の製造方法において、該ド
ーピング用原料として■族元素の有機金属化合物を用い
ている。
上記■族元素の水素化物もしくは有機金属化合物として
はＨ２ｓｅ 、Ｈ２Ｓ等の水素化物およびジメチルセＬ
＝ ン（（ＣＨ３）２５ｅ） ＋ジエチルジンク ＞
（（０２Ｈ５）２Ｓｅ）等の有機金属化合物が例示され
る。又、■族元素を含む有機化合物としては、前記ジメ
チルジ：／ り（Ｚｎ（ＣＨ３）ｇ） 、ジエチルジン
ク（Ｚｎ（Ｃ２Ｈ５）２）等が例示される。
はＨ２ｓｅ 、Ｈ２Ｓ等の水素化物およびジメチルセＬ
＝ ン（（ＣＨ３）２５ｅ） ＋ジエチルジンク ＞
（（０２Ｈ５）２Ｓｅ）等の有機金属化合物が例示され
る。又、■族元素を含む有機化合物としては、前記ジメ
チルジ：／ り（Ｚｎ（ＣＨ３）ｇ） 、ジエチルジン
ク（Ｚｎ（Ｃ２Ｈ５）２）等が例示される。
又、ドーピング用原料として使用されるＶ族元素の有機
金属化合物としては、気体として輸送され比較的低温で
分解されるものが好ましく、例えばトリメチルアンチモ
ン（Ｓｂ（ＣＨ３）３）、 ）リエチルアンチモン（
Ｓｂ（Ｃ２Ｈ５）３） 、 トリメチルビスマス（Ｂｉ
（ＣＨ３）３）、 トリエチルビスマス（Ｂｉ（Ｃ２Ｈ
５）３）等が望ましい。
金属化合物としては、気体として輸送され比較的低温で
分解されるものが好ましく、例えばトリメチルアンチモ
ン（Ｓｂ（ＣＨ３）３）、 ）リエチルアンチモン（
Ｓｂ（Ｃ２Ｈ５）３） 、 トリメチルビスマス（Ｂｉ
（ＣＨ３）３）、 トリエチルビスマス（Ｂｉ（Ｃ２Ｈ
５）３）等が望ましい。
■族元素の水素化物又は■放元算の有体・化合物と■か
：元素の有機化合物との反応又は各々の分解反応等は６
００″Ｃ以下の低温でも生じることが知られている。し
かしながらＮＨ３等のｐ ％ドーピング用水素化物原料
は、１０００°Ｃ程度の高温にしなければ化合物半導体
生成のための反応が生じない。
：元素の有機化合物との反応又は各々の分解反応等は６
００″Ｃ以下の低温でも生じることが知られている。し
かしながらＮＨ３等のｐ ％ドーピング用水素化物原料
は、１０００°Ｃ程度の高温にしなければ化合物半導体
生成のための反応が生じない。
そこで従来の水素化物のドーピング原料を用いると基板
温度を前記湿度まで上昇させなければならず、該基板温
度上昇に供なう膜中の欠陥の増加が生じていた。
温度を前記湿度まで上昇させなければならず、該基板温
度上昇に供なう膜中の欠陥の増加が生じていた。
本発明に用いるトリメチルアンチモン、トリメチルビス
マス等のドーピング原料（有様金属化合物）は２！；０
−４００°Ｃの温度において分解反応等が生じるため基
板温度を該低湿に保持した状態で半導体膜製造を行なう
ことが町ｋＦであり、膜中の欠陥を減少させることがで
きる。
マス等のドーピング原料（有様金属化合物）は２！；０
−４００°Ｃの温度において分解反応等が生じるため基
板温度を該低湿に保持した状態で半導体膜製造を行なう
ことが町ｋＦであり、膜中の欠陥を減少させることがで
きる。
第１図は本発明の製造方法を摘用するために作成した半
導体膜成長装置の概略断面図である。
導体膜成長装置の概略断面図である。
サセプター（ガーボンＰＩ）１０上に基板結晶りを乗せ
た反応管に内に設置する。サセプターは高周波コイル７
に印加される高周波により加熱される。ＩＩｌ、料ガス
（■族、■族）／は上流より導入されるが、所定のモル
濃度となるようにあらかじめ壺 流量制御されたＨ２ キャリアガスと、恒温槽６にお
ける飽和蒸気圧から計算されたトリエチルアンチモンｊ
がドーピングガスとして配管内で混合され基板結晶ヲ上
でエピタキシャル成長し、Ｐ型の１４１族化合物半導体
が影成される。
た反応管に内に設置する。サセプターは高周波コイル７
に印加される高周波により加熱される。ＩＩｌ、料ガス
（■族、■族）／は上流より導入されるが、所定のモル
濃度となるようにあらかじめ壺 流量制御されたＨ２ キャリアガスと、恒温槽６にお
ける飽和蒸気圧から計算されたトリエチルアンチモンｊ
がドーピングガスとして配管内で混合され基板結晶ヲ上
でエピタキシャル成長し、Ｐ型の１４１族化合物半導体
が影成される。
本実於・例は、ドーピング用ガスとしてＶ族元素のアン
チモンを含む有機金属を用いている為、３００℃という
低温で熱分解し２５０℃〜ｔｔｓｏ°Ｃの低温（成長温
度）で効率よくドーピングを行なえるだけではなく、同
時に■族、■族の原料ガスとの副次反応を大幅に防止す
る事が可能となり、高品質のＰ型エピタキシャル膜を得
ることができる。
チモンを含む有機金属を用いている為、３００℃という
低温で熱分解し２５０℃〜ｔｔｓｏ°Ｃの低温（成長温
度）で効率よくドーピングを行なえるだけではなく、同
時に■族、■族の原料ガスとの副次反応を大幅に防止す
る事が可能となり、高品質のＰ型エピタキシャル膜を得
ることができる。
本発明によれば、Ｐ型ドーピング用原料として有機金属
化合物を用いているので、基板ン品度を低温に保った状
態で化合物半導体膜の成長が行なえる。又基板温度が低
温であるために成長した半導体膜は、欠陥が少なく良質
な半導併膜である。又これらＰ型ドープＩＩ−Ｍ族化合
物半導体膜は青光発光素子等に使ＩＩ４することが考え
られる。
化合物を用いているので、基板ン品度を低温に保った状
態で化合物半導体膜の成長が行なえる。又基板温度が低
温であるために成長した半導体膜は、欠陥が少なく良質
な半導併膜である。又これらＰ型ドープＩＩ−Ｍ族化合
物半導体膜は青光発光素子等に使ＩＩ４することが考え
られる。
第１図は実施例において使用した化合物半導体膜成長装
置の概略を示す断面図である。 ゛Ｃ足冗・・′。
置の概略を示す断面図である。 ゛Ｃ足冗・・′。
Claims (2)
- （１）VI族元素を含む水素化物もしくは有機金属化合物
およびII族元素を含む有機金属化合物およびドーピング
元素を供給するドーピング用原料を加熱された基板上に
輸送し、熱分解によってＰ型ドーピングII−VI族化合物
半導体膜を基板上に成長させる化合物半導体膜の製造方
法において、該ドーピング用原料としてＶ族元素の有機
金属化合物を用いることを特徴とする化合物半導体膜の
製造方法。 - （２）該５族元素の有機金属化合物がトリメチルアンチ
モン、トリエチルアンチモン、トリメチルビスマス、ま
たはトリエチルビスマスである特許請求の範囲第１項記
載の化合物半導体膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62037652A JPS63204733A (ja) | 1987-02-20 | 1987-02-20 | 化合物半導体膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62037652A JPS63204733A (ja) | 1987-02-20 | 1987-02-20 | 化合物半導体膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63204733A true JPS63204733A (ja) | 1988-08-24 |
Family
ID=12503574
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62037652A Pending JPS63204733A (ja) | 1987-02-20 | 1987-02-20 | 化合物半導体膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63204733A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5275966A (en) * | 1991-07-08 | 1994-01-04 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Low temperature process for producing antimony-containing semiconductor materials |
-
1987
- 1987-02-20 JP JP62037652A patent/JPS63204733A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5275966A (en) * | 1991-07-08 | 1994-01-04 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Low temperature process for producing antimony-containing semiconductor materials |
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