JPS635635U - - Google Patents
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- Publication number
- JPS635635U JPS635635U JP10076686U JP10076686U JPS635635U JP S635635 U JPS635635 U JP S635635U JP 10076686 U JP10076686 U JP 10076686U JP 10076686 U JP10076686 U JP 10076686U JP S635635 U JPS635635 U JP S635635U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plasma
- substrate
- sample chamber
- substrate holder
- extraction window
- Prior art date
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- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 8
- 230000002265 prevention Effects 0.000 claims description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims 1
Description
第1図は本考案の一実施例を示すECR―CV
D装置要部の概略断面図であり、第2図はその基
板ホルダ(基板)を示す平面図である。第3図は
その従来例を示す要部の概略断面図である。 1…基板、2…基板ホルダ、3…防着板、3a
…開口部、4…シヤツタ、5…試料室、6…プラ
ズマ発生装置、7…プラズマ室、12…プラズマ
引出窓。
D装置要部の概略断面図であり、第2図はその基
板ホルダ(基板)を示す平面図である。第3図は
その従来例を示す要部の概略断面図である。 1…基板、2…基板ホルダ、3…防着板、3a
…開口部、4…シヤツタ、5…試料室、6…プラ
ズマ発生装置、7…プラズマ室、12…プラズマ
引出窓。
Claims (1)
- 基板を配置する試料室に、電子サイクロトロン
共鳴によるマイクロ波放電によつてプラズマ室に
生成されるプラズマをそのプラズマ引出窓から発
散磁界の作用で該試料室に引出すようにしたプラ
ズマ発生装置を付設してなる成膜装置において、
前記試料室に、周方向に複数枚の基板を載置する
基板ホルダを前記プラズマ引出窓と対向する偏心
位置で軸心まわりに回転可能に設けるとともに、
この基板ホルダと前記プラズマ引出窓との間に該
基板ホルダ上の前記基板に相当する開口部を有す
る防着板を介設したことを特徴とするプラズマ付
着装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10076686U JPH0452994Y2 (ja) | 1986-06-28 | 1986-06-28 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10076686U JPH0452994Y2 (ja) | 1986-06-28 | 1986-06-28 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS635635U true JPS635635U (ja) | 1988-01-14 |
JPH0452994Y2 JPH0452994Y2 (ja) | 1992-12-14 |
Family
ID=30970895
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10076686U Expired JPH0452994Y2 (ja) | 1986-06-28 | 1986-06-28 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0452994Y2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011125471A1 (ja) * | 2010-03-31 | 2011-10-13 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
-
1986
- 1986-06-28 JP JP10076686U patent/JPH0452994Y2/ja not_active Expired
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011125471A1 (ja) * | 2010-03-31 | 2011-10-13 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0452994Y2 (ja) | 1992-12-14 |
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