JPS59129872U - プラズマエツチング装置 - Google Patents
プラズマエツチング装置Info
- Publication number
- JPS59129872U JPS59129872U JP2231283U JP2231283U JPS59129872U JP S59129872 U JPS59129872 U JP S59129872U JP 2231283 U JP2231283 U JP 2231283U JP 2231283 U JP2231283 U JP 2231283U JP S59129872 U JPS59129872 U JP S59129872U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- plasma etching
- etching equipment
- cathode
- gap
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Landscapes
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
第１図は従来例の断面線図、第２図は本考案の実施例の
断面線図、第３図は多孔板の一部拡大断面図、第４図は
その拡大断面図である。 １・・・・・・真空槽、２・・・・・・カソード、３・
・・・・・アノード、４・・・・・・間隔、５−−−−
−−ワーク、６・・・・・・非エツチング材料、７・・
・・・・多孔板。
断面線図、第３図は多孔板の一部拡大断面図、第４図は
その拡大断面図である。 １・・・・・・真空槽、２・・・・・・カソード、３・
・・・・・アノード、４・・・・・・間隔、５−−−−
−−ワーク、６・・・・・・非エツチング材料、７・・
・・・・多孔板。
Claims (1)
- 真空槽１内にカソード２とアノード３を間隔４を存して
対向させ、該カソード２上に設けたワーク５を該間隔４
に発生するプラズマ放電に伴なうエツチング種によりエ
ツチングする式のものに於て、該間隔４の周囲を石英、
ＡＩ。０３、ポリプロピレン、フッ素樹脂等の非エツチ
ング性材料６で覆った多孔板７で囲繞して成るプラズマ
エツチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2231283U JPS59129872U (ja) | 1983-02-19 | 1983-02-19 | プラズマエツチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2231283U JPS59129872U (ja) | 1983-02-19 | 1983-02-19 | プラズマエツチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59129872U true JPS59129872U (ja) | 1984-08-31 |
Family
ID=30153411
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2231283U Pending JPS59129872U (ja) | 1983-02-19 | 1983-02-19 | プラズマエツチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59129872U (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012513095A (ja) * | 2008-12-19 | 2012-06-07 | ラム リサーチ コーポレーション | プラズマ処理システムにおけるプラズマ閉じ込め構造 |
| JP2012513094A (ja) * | 2008-12-19 | 2012-06-07 | ラム リサーチ コーポレーション | 複合型ウエハ領域圧力制御およびプラズマ閉じ込めアセンブリ |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5143333A (ja) * | 1974-10-11 | 1976-04-14 | Tokyo Shibaura Electric Co | Purazumaetsuchingusochi |
| JPS5675576A (en) * | 1979-11-26 | 1981-06-22 | Toshiba Corp | Plasma surface treating apparatus |
| JPS56105482A (en) * | 1980-01-25 | 1981-08-21 | Mitsubishi Electric Corp | Plasma etching device |
-
1983
- 1983-02-19 JP JP2231283U patent/JPS59129872U/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5143333A (ja) * | 1974-10-11 | 1976-04-14 | Tokyo Shibaura Electric Co | Purazumaetsuchingusochi |
| JPS5675576A (en) * | 1979-11-26 | 1981-06-22 | Toshiba Corp | Plasma surface treating apparatus |
| JPS56105482A (en) * | 1980-01-25 | 1981-08-21 | Mitsubishi Electric Corp | Plasma etching device |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012513095A (ja) * | 2008-12-19 | 2012-06-07 | ラム リサーチ コーポレーション | プラズマ処理システムにおけるプラズマ閉じ込め構造 |
| JP2012513094A (ja) * | 2008-12-19 | 2012-06-07 | ラム リサーチ コーポレーション | 複合型ウエハ領域圧力制御およびプラズマ閉じ込めアセンブリ |
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