JPS59187136U - 半導体薄膜形成装置 - Google Patents

半導体薄膜形成装置

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JPS59187136U
JPS59187136U JP8268483U JP8268483U JPS59187136U JP S59187136 U JPS59187136 U JP S59187136U JP 8268483 U JP8268483 U JP 8268483U JP 8268483 U JP8268483 U JP 8268483U JP S59187136 U JPS59187136 U JP S59187136U
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JP
Japan
Prior art keywords
thin film
semiconductor thin
film forming
forming equipment
plasma
Prior art date
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Pending
Application number
JP8268483U
Other languages
English (en)
Inventor
誠 田中
榎本　敬一
西脇　秀則
大西　三千年
桑野　幸徳
Original Assignee
三洋電機株式会社
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Filing date
Publication date
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Priority to JP8268483U priority Critical patent/JPS59187136U/ja
Publication of JPS59187136U publication Critical patent/JPS59187136U/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図および第２図はそれぞれ従来の半導体薄膜形成装
置の概略断面図、第３図以下の図面はこの考案の半導体
薄膜形成装置の実施例を示し、第３図および第４図はそ
れぞれ平行平板電極型の実施例を示し、それぞれのａは
概略断面図、それぞれのｂは要部拡大図、第５図および
第６図はそれぞれ多電極型の実施例の概略断面図である
。 １・・・反応室、２・・・高周波電極、３・・・アース
電極、４・・・基板、８〜１５・・・磁石。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 反応室内に設けられた高周波電極とアース電極との間の
    グロー放電によりプラズマを発生させるとともに、前記
    反応室内に導入された反応ガスを前記プラズマ中で分解
    して基板上に半導体薄膜を形成する半導体薄膜形成装置
    において、前記基板の表面にほぼ平行な磁場を形成しプ
    ラズマ中の荷電粒子の一部を捕捉する磁石を設けた半導
    体薄膜形成装置。
JP8268483U 1983-05-30 1983-05-30 半導体薄膜形成装置 Pending JPS59187136U (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62263234A (ja) * 1986-05-09 1987-11-16 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 非晶質薄膜形成装置
JPS62263236A (ja) * 1986-05-09 1987-11-16 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 非晶質薄膜形成方法および装置
JPH01185915A (ja) * 1988-01-20 1989-07-25 Sanyo Electric Co Ltd 薄膜形成方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62263234A (ja) * 1986-05-09 1987-11-16 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 非晶質薄膜形成装置
JPS62263236A (ja) * 1986-05-09 1987-11-16 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 非晶質薄膜形成方法および装置
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