JPS58151666U - プラズマ・エツチング装置 - Google Patents
プラズマ・エツチング装置Info
- Publication number
- JPS58151666U JPS58151666U JP4819482U JP4819482U JPS58151666U JP S58151666 U JPS58151666 U JP S58151666U JP 4819482 U JP4819482 U JP 4819482U JP 4819482 U JP4819482 U JP 4819482U JP S58151666 U JPS58151666 U JP S58151666U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lower electrode
- electrode
- plasma etching
- upper electrode
- etching
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Landscapes
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
第1図は従来のプラズマ発生装置の構成を示す断面図、
第2図は第1図のプラズマ・エツチング装置における下
部電極上のエツチング試料の位置とエツチング速度の関
係を示す図、第3図はこの考案のプラズマ拳エツチング
装置の一実施例における上部電極と下部電極の部分の拡
大断面図、第4図はこの考案のプラズマ・エツチング装
置の第2の実施例の上部電極と下部電極の部分の拡大断
面図、第5図はこの考案のプラズマ・エツチング装置に
おける下部電極上のエツチング試料の位置とエツチング
速度の関係を示す特性図、第6図aはこの考案のプラズ
マ・エツチング装置の第3の実施例の構成を示す断面図
、第6図すは第6図aにおける下部電極の平面図、第7
図aはこの考案のプラズマ・エツチング装置の第4の実
施例の構成を示す断面図、第7図すは第7図aにおける
下部電極の平面図、第8図aはこの考案のプラズマ・エ
ツチング装置の第5の実施例の構成を示す断面図、第8
図すは第8図aにおける下部電極の平面図である。 1・・・下部電極、2・・・上部電極、3・・・エツチ
ング試料、4・・・エツチングチャンバ、5・・・絶縁
物、6・・・高周波電力マツチング回路、7・・・高周
波電源、8・・・高周波電源接続電極および接地電極切
り替え回路、9・・・エツチングガス導入口、10・・
・真空排気口。
第2図は第1図のプラズマ・エツチング装置における下
部電極上のエツチング試料の位置とエツチング速度の関
係を示す図、第3図はこの考案のプラズマ拳エツチング
装置の一実施例における上部電極と下部電極の部分の拡
大断面図、第4図はこの考案のプラズマ・エツチング装
置の第2の実施例の上部電極と下部電極の部分の拡大断
面図、第5図はこの考案のプラズマ・エツチング装置に
おける下部電極上のエツチング試料の位置とエツチング
速度の関係を示す特性図、第6図aはこの考案のプラズ
マ・エツチング装置の第3の実施例の構成を示す断面図
、第6図すは第6図aにおける下部電極の平面図、第7
図aはこの考案のプラズマ・エツチング装置の第4の実
施例の構成を示す断面図、第7図すは第7図aにおける
下部電極の平面図、第8図aはこの考案のプラズマ・エ
ツチング装置の第5の実施例の構成を示す断面図、第8
図すは第8図aにおける下部電極の平面図である。 1・・・下部電極、2・・・上部電極、3・・・エツチ
ング試料、4・・・エツチングチャンバ、5・・・絶縁
物、6・・・高周波電力マツチング回路、7・・・高周
波電源、8・・・高周波電源接続電極および接地電極切
り替え回路、9・・・エツチングガス導入口、10・・
・真空排気口。
Claims (3)
- (1)エツチング試料をのせた平面が円形の下部電極と
、この下部電極に対向して設置されこの下部電極に対し
て半径距離方向で対向距離の違う円形の上部電極と、上
記上部電極と下部電極を収納し所定の真空度まで排気し
た後エツチングガスが充填されたエツチングチャンバと
、上記上部電極と下部電極間に高層電圧を印加して上部
電極と下部電極間にプラズマを発生させる手段とよりな
るプラズマエツチング装置。 - (2)上部電極は下部電極に対し凸型の面を有すること
を特徴とする実用新案登録請求の範囲第1項記載のプラ
ズマ・エツチング装置。 - (3)上部電極は下部電極に対し、凹型の面を有する電
極を用いたことを特徴とする実用新案登録請求の範囲第
1項記載のプラズマ・エツチング装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4819482U JPS58151666U (ja) | 1982-04-05 | 1982-04-05 | プラズマ・エツチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4819482U JPS58151666U (ja) | 1982-04-05 | 1982-04-05 | プラズマ・エツチング装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58151666U true JPS58151666U (ja) | 1983-10-11 |
JPS6126366Y2 JPS6126366Y2 (ja) | 1986-08-07 |
Family
ID=30059125
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4819482U Granted JPS58151666U (ja) | 1982-04-05 | 1982-04-05 | プラズマ・エツチング装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58151666U (ja) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5480080A (en) * | 1977-12-09 | 1979-06-26 | Hitachi Ltd | Etching device |
JPS5658975A (en) * | 1979-09-27 | 1981-05-22 | Eaton Corp | Plasma etching apparatus |
-
1982
- 1982-04-05 JP JP4819482U patent/JPS58151666U/ja active Granted
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5480080A (en) * | 1977-12-09 | 1979-06-26 | Hitachi Ltd | Etching device |
JPS5658975A (en) * | 1979-09-27 | 1981-05-22 | Eaton Corp | Plasma etching apparatus |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6126366Y2 (ja) | 1986-08-07 |
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