JPS60106336U - プラズマエツチング装置 - Google Patents

プラズマエツチング装置

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JPS60106336U
JPS60106336U JP19719783U JP19719783U JPS60106336U JP S60106336 U JPS60106336 U JP S60106336U JP 19719783 U JP19719783 U JP 19719783U JP 19719783 U JP19719783 U JP 19719783U JP S60106336 U JPS60106336 U JP S60106336U
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JP
Japan
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plasma etching
etching equipment
jig
injection port
gas injection
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JP19719783U
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JPH034025Y2 (ja
Inventor
遠藤　好英
Original Assignee
株式会社日立国際電気
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は従来の平行平板形プラズマエツチング装置の構
造概要図Ａと、反応ガス注入口付近の固形付着物の状態
側図８１第２図は本考案治具を反応ガス注入口に取付け
た図Ａと、治具の上面図Ｂである。 １・・・上部電極、２・・・下部電極、３・・・試料ウ
ェハ、４・・・チャンバー、５・・・１を囲む反応ガス
通路の外囲、６・・・反応ガス注入口、７・・・反応ガ
ス、９・・・高周波電源、１０・・・排気、１１・・・
固形付着物、１２・・・高密度プラズマ、１３・・・治
具、１４・・・多数の小口径通路（細孔）。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 反応ガス注入口に多数の小口径通路を有し、通過ガスに
    反応し難（かつ電気的絶縁度の高い材料にて成形せる治
    具をとりつけたことを特徴とするプラズマエツチング装
    置。
JP19719783U 1983-12-23 1983-12-23 プラズマエツチング装置 Granted JPS60106336U (ja)

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JPS60106336U true JPS60106336U (ja) 1985-07-19
JPH034025Y2 JPH034025Y2 (ja) 1991-02-01

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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57131372A (en) * 1981-02-05 1982-08-14 Seiko Epson Corp Plasma etching device
JPS57202733A (en) * 1981-06-09 1982-12-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd Dry etching device
JPS58132932A (ja) * 1982-02-03 1983-08-08 Matsushita Electronics Corp プラズマ処理装置

Patent Citations (3)

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57131372A (en) * 1981-02-05 1982-08-14 Seiko Epson Corp Plasma etching device
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JPS58132932A (ja) * 1982-02-03 1983-08-08 Matsushita Electronics Corp プラズマ処理装置

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JPH034025Y2 (ja) 1991-02-01

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