JPS5877043U - プラズマ処理装置 - Google Patents

プラズマ処理装置

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Publication number
JPS5877043U
JPS5877043U JP17206481U JP17206481U JPS5877043U JP S5877043 U JPS5877043 U JP S5877043U JP 17206481 U JP17206481 U JP 17206481U JP 17206481 U JP17206481 U JP 17206481U JP S5877043 U JPS5877043 U JP S5877043U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
plasma processing
sample
plasma
processing equipment
processing apparatus
Prior art date
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Pending
Application number
JP17206481U
Other languages
English (en)
Inventor
敬三 鈴木
西松　茂
健 二宮
奥平　定之
Original Assignee
株式会社日立製作所
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Filing date
Publication date
Application filed by 株式会社日立製作所 filed Critical 株式会社日立製作所
Priority to JP17206481U priority Critical patent/JPS5877043U/ja
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Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は従来の試料表面処理装置の概略構成図、第２図
は本考案によるプラズマ処理装置の概略構成図、第３図
はガス圧力と伝達熱量との関係を示すグラフ、第４図お
よび第５図は本考案による他の実施例の概略構成図であ
る。 １・・・イオンビーム、２・・・試料、３・・・試料台
、４・・・ニードルバルブ、５・・・開口（噴出口）、
６・・・真空室、７・・・プラズマ発生部、８・・・試
料押え具、９・・・吸入口。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 真空室中にプラズマ発生用ガスを導入してプラズマを発
    生させ、上記プラズマによって上記真空室中の試料台上
    に載置された試料の表面を処理するプラズマ処理装置に
    おいて、上記プラズマ発生用ガスが少なくとも上記試料
    を冷却するため上記試料台との間に形成された間隙を経
    由して上記真空室中に導入されるように構成されてなる
    ことを特徴とするプラズマ加工装置。
JP17206481U 1981-11-20 1981-11-20 プラズマ処理装置 Pending JPS5877043U (ja)

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Family

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JP (1) JPS5877043U (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60239039A (ja) * 1984-02-17 1985-11-27 ジ−・シ−・エ−・コ−ポレ−シヨン 半導体ウエハ−の保持装置および保持方法
JPH02110926A (ja) * 1989-09-27 1990-04-24 Hitachi Ltd 試料の温度制御方法及び装置
JPH02110927A (ja) * 1989-09-27 1990-04-24 Hitachi Ltd 真空処理装置の試料保持方法
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