JPS59103439U - プラズマエツチング装置 - Google Patents

プラズマエツチング装置

Info

Publication number
JPS59103439U
JPS59103439U JP19961882U JP19961882U JPS59103439U JP S59103439 U JPS59103439 U JP S59103439U JP 19961882 U JP19961882 U JP 19961882U JP 19961882 U JP19961882 U JP 19961882U JP S59103439 U JPS59103439 U JP S59103439U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
plasma etching
electrostatic chuck
etching equipment
abstract
etched
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP19961882U
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0410688Y2 (ja
Inventor
弘 矢野
伴　保隆
Original Assignee
富士通株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 富士通株式会社 filed Critical 富士通株式会社
Priority to JP19961882U priority Critical patent/JPS59103439U/ja
Publication of JPS59103439U publication Critical patent/JPS59103439U/ja
Application granted granted Critical
Publication of JPH0410688Y2 publication Critical patent/JPH0410688Y2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • ing And Chemical Polishing (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は従来のプラズマエツチング装置の断面図、第２
図は本考案の実施例を用いる第１図の装置の要部の断面
図である。 １・・・チェンバ、２・・・静電チャック、３・・・Ａ
ｌ板、４・・・石英の絶縁体、５・・・Ａｌ製冷却水タ
ンク、６・・・高周波電源、７・・・リード線、８・・
・ウェハ、９・・・レジストパターン、１０・・・スペ
ーサ。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 静電チャックを備えたプラズマエツチング装置であって
    、該静電チャックのまわりの、かつ、前記静電チャック
    の外方に出たウェハの周辺部分の下方の空隙を、高耐圧
    性、高熱伝導度の材料で形成したリング状のスペーサで
    充填したことを特徴とするプラズマエツチング装置。
JP19961882U 1982-12-28 1982-12-28 プラズマエツチング装置 Granted JPS59103439U (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP19961882U JPS59103439U (ja) 1982-12-28 1982-12-28 プラズマエツチング装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP19961882U JPS59103439U (ja) 1982-12-28 1982-12-28 プラズマエツチング装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS59103439U true JPS59103439U (ja) 1984-07-12
JPH0410688Y2 JPH0410688Y2 (ja) 1992-03-17

Family

ID=30425144

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP19961882U Granted JPS59103439U (ja) 1982-12-28 1982-12-28 プラズマエツチング装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS59103439U (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01312087A (ja) * 1988-06-09 1989-12-15 Anelva Corp ドライエッチング装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5685828A (en) * 1979-12-17 1981-07-13 Nec Corp Electrostatic wafer holder
JPS57149734A (en) * 1981-03-12 1982-09-16 Anelva Corp Plasma applying working device

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5685828A (en) * 1979-12-17 1981-07-13 Nec Corp Electrostatic wafer holder
JPS57149734A (en) * 1981-03-12 1982-09-16 Anelva Corp Plasma applying working device

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01312087A (ja) * 1988-06-09 1989-12-15 Anelva Corp ドライエッチング装置

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0410688Y2 (ja) 1992-03-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS59103439U (ja) プラズマエツチング装置
JPS6247131A (ja) 反応性イオンエツチング装置
JPS59188696U (ja) プラズマ点火プラグ
JPS60122362U (ja) プラズマエツチング装置
JPS5579599A (en) Dynamic speaker
JPS5917759U (ja) 円筒形フオトエツチング装置
JPS592132U (ja) プラズマｃｖｄ装置
JPS6094828U (ja) 半導体ウエハ−ス製造用化成装置
JPS58196838U (ja) プラズマｃｖｄ装置
JPS59187136U (ja) 半導体薄膜形成装置
JPS6333626U (ja)
JPS58122421U (ja) 変圧器の冷却装置
JPS58116232U (ja) 静電チヤツク式加熱台装置
JPS6351436U (ja)
JPS60181027U (ja) 反応性イオンエツチング装置
JPS6094827U (ja) プラズマエツチング装置
JPS61138249U (ja)
JPH0254228U (ja)
JPS5845359U (ja) 電子写真用感光体の製造装置
JPS60140763U (ja) プラズマ装置
JPS62118429U (ja)
JPS61171129A (ja) 半導体製造装置
JPS58138331U (ja) 液相成長装置
JPS5824928U (ja) 真空開閉装置
JPS62168109U (ja)