JPS6333626U - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6333626U JPS6333626U JP12750686U JP12750686U JPS6333626U JP S6333626 U JPS6333626 U JP S6333626U JP 12750686 U JP12750686 U JP 12750686U JP 12750686 U JP12750686 U JP 12750686U JP S6333626 U JPS6333626 U JP S6333626U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- turntable
- semiconductor wafer
- top surface
- protection plate
- hole
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 9
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
第１図および第２図は本考案の異なる実施例の
各要部の部分断面図である。第３図はプラズマエ
ツチング装置の略示正面図、第４図は半導体ウエ
ーハ上に形成されるイオンシース域の説明図であ
る。 １……チヤンバ、２……アノード、３……ター
ンテーブル、４……保護板、４ａ……透孔、５…
…半導体ウエーハ、７……ずれ止め突起、△Ｌ…
…段差、３ａ……ターンテーブルの半導体ウエー
ハ載置面、４ｂ……保護板の上面、５ａ……半導
体ウエーハの上面。
各要部の部分断面図である。第３図はプラズマエ
ツチング装置の略示正面図、第４図は半導体ウエ
ーハ上に形成されるイオンシース域の説明図であ
る。 １……チヤンバ、２……アノード、３……ター
ンテーブル、４……保護板、４ａ……透孔、５…
…半導体ウエーハ、７……ずれ止め突起、△Ｌ…
…段差、３ａ……ターンテーブルの半導体ウエー
ハ載置面、４ｂ……保護板の上面、５ａ……半導
体ウエーハの上面。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 一方の電極を兼ねるターンテーブル上に透孔を
形成した保護板を載置し、この保護板の透孔内に
半導体ウエーハを配設して対向電極間にプラズマ
を発生せしめる半導体ウエーハの気相エツチング
装置に於いて、 前記ターンテーブルの半導体ウエーハ載置面の
高さを、該ターンテーブルの上面に載置した保護
板の上面と半導体ウエーハの上面が略面一になる
ように調整したことを特徴とする半導体製造装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12750686U JPS6333626U (ja) | 1986-08-20 | 1986-08-20 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12750686U JPS6333626U (ja) | 1986-08-20 | 1986-08-20 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6333626U true JPS6333626U (ja) | 1988-03-04 |
Family
ID=31022323
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12750686U Pending JPS6333626U (ja) | 1986-08-20 | 1986-08-20 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6333626U (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02138960A (ja) * | 1988-11-18 | 1990-05-28 | Sakai Eng Kk | 液流式生化学反応装置 |
| JPH05123555A (ja) * | 1991-11-05 | 1993-05-21 | Idec Izumi Corp | 微細気泡発生方法および微細気泡発生装置 |
-
1986
- 1986-08-20 JP JP12750686U patent/JPS6333626U/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02138960A (ja) * | 1988-11-18 | 1990-05-28 | Sakai Eng Kk | 液流式生化学反応装置 |
| JPH05123555A (ja) * | 1991-11-05 | 1993-05-21 | Idec Izumi Corp | 微細気泡発生方法および微細気泡発生装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS6333626U (ja) | ||
| JPS6210687B2 (ja) | ||
| JPS5772321A (en) | Manufacture of seiconductor device | |
| JP3032362B2 (ja) | 同軸型プラズマ処理装置 | |
| KR920007103A (ko) | 플라스마 테이퍼 에칭 방법 | |
| JPS6437036U (ja) | ||
| JPS5512754A (en) | Semiconductor device manufacturing method | |
| JPS642071U (ja) | ||
| JPS6413119U (ja) | ||
| JPS6188236U (ja) | ||
| JPS6351436U (ja) | ||
| JP2707646B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3463456B2 (ja) | プロセス評価素子 | |
| JPH0513006Y2 (ja) | ||
| JPH0797580B2 (ja) | ドライエッチング装置 | |
| JPH0254228U (ja) | ||
| JPH02222574A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6296844U (ja) | ||
| TW343373B (en) | Process for producing a semiconductor component | |
| JPS5768067A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| JPS6327035U (ja) | ||
| JPH0165131U (ja) | ||
| JPS63157926U (ja) | ||
| JPH01169028U (ja) | ||
| JPS6424828U (ja) |