JPS6424828U - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6424828U JPS6424828U JP11856187U JP11856187U JPS6424828U JP S6424828 U JPS6424828 U JP S6424828U JP 11856187 U JP11856187 U JP 11856187U JP 11856187 U JP11856187 U JP 11856187U JP S6424828 U JPS6424828 U JP S6424828U
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etched
- fluorine compound
- dry etching
- reaction chamber
- excites
- Prior art date
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- Pending
Links
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- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 2
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- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
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Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
第１図は一実施例を示す概略断面図、第２図は
同実施例においてウエハが設置される部分を示す
部分平面図、第３図はウエハ内の測定位置を示す
平面図、第４図は同実施例と従来例とにおけるエ
ツチング速度分布を示す図、第５図は従来のプラ
ズマエツチング装置の一例を示す概略断面図であ
る。 ２……反応室、４……下部電極、６……上部電
極、８ａ……ウエハ設置台、１０……被エツチン
グ物、２０……フツ素化合物の部材。
同実施例においてウエハが設置される部分を示す
部分平面図、第３図はウエハ内の測定位置を示す
平面図、第４図は同実施例と従来例とにおけるエ
ツチング速度分布を示す図、第５図は従来のプラ
ズマエツチング装置の一例を示す概略断面図であ
る。 ２……反応室、４……下部電極、６……上部電
極、８ａ……ウエハ設置台、１０……被エツチン
グ物、２０……フツ素化合物の部材。
Claims (1)
- 反応室内に設置されたシリコン系被エツチング
物に対し、フツ素化合物にてなる反応ガスを励起
して前記被エツチング物をエツチングするドライ
エツチング装置において、前記被エツチング物が
設置される部分の側方周辺を取り囲んでフツ素化
合物を配置したことを特徴とするドライエツチン
グ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11856187U JPS6424828U (ja) | 1987-08-01 | 1987-08-01 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11856187U JPS6424828U (ja) | 1987-08-01 | 1987-08-01 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6424828U true JPS6424828U (ja) | 1989-02-10 |
Family
ID=31363011
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11856187U Pending JPS6424828U (ja) | 1987-08-01 | 1987-08-01 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6424828U (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002190466A (ja) * | 2000-12-21 | 2002-07-05 | Semiconductor Leading Edge Technologies Inc | プラズマエッチング装置および半導体装置の製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59172236A (ja) * | 1983-03-18 | 1984-09-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 反応性イオンエツチング装置 |
-
1987
- 1987-08-01 JP JP11856187U patent/JPS6424828U/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59172236A (ja) * | 1983-03-18 | 1984-09-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 反応性イオンエツチング装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002190466A (ja) * | 2000-12-21 | 2002-07-05 | Semiconductor Leading Edge Technologies Inc | プラズマエッチング装置および半導体装置の製造方法 |