JPS6073233U - ドライエツチング装置 - Google Patents
ドライエツチング装置Info
- Publication number
- JPS6073233U JPS6073233U JP16473583U JP16473583U JPS6073233U JP S6073233 U JPS6073233 U JP S6073233U JP 16473583 U JP16473583 U JP 16473583U JP 16473583 U JP16473583 U JP 16473583U JP S6073233 U JPS6073233 U JP S6073233U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dry etching
- etching equipment
- equipment
- teflon
- anode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
図は本考案の一実施例のドライエツチング装置の縦断面
図である。 １・・・・・・基板、２・・・・・・テフロン、３・・
・・・・カソード電極、４・・・・・・アノード電極、
５・・・・・・高周波電源、６・・・・・・ガス導入口
、７・・・・・・排気口、８・・・・・・ベルジャ。
図である。 １・・・・・・基板、２・・・・・・テフロン、３・・
・・・・カソード電極、４・・・・・・アノード電極、
５・・・・・・高周波電源、６・・・・・・ガス導入口
、７・・・・・・排気口、８・・・・・・ベルジャ。
Claims (1)
- ドライエツチング装置の電極として、アノードにステン
レスを使用し、また、カソードにテフロンを使用し、フ
ッ素系のガスを使うことなく、酸素ガスのみでプラズマ
エッチによりシリコン系の薄膜をエツチングすることを
特徴とするドライエツチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16473583U JPS6073233U (ja) | 1983-10-26 | 1983-10-26 | ドライエツチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16473583U JPS6073233U (ja) | 1983-10-26 | 1983-10-26 | ドライエツチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6073233U true JPS6073233U (ja) | 1985-05-23 |
Family
ID=30361093
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16473583U Pending JPS6073233U (ja) | 1983-10-26 | 1983-10-26 | ドライエツチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6073233U (ja) |
-
1983
- 1983-10-26 JP JP16473583U patent/JPS6073233U/ja active Pending
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