JPS58132932A - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置Info
- Publication number
- JPS58132932A JPS58132932A JP1608482A JP1608482A JPS58132932A JP S58132932 A JPS58132932 A JP S58132932A JP 1608482 A JP1608482 A JP 1608482A JP 1608482 A JP1608482 A JP 1608482A JP S58132932 A JPS58132932 A JP S58132932A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- plasma processing
- susceptor
- wafers
- supplier
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3244—Gas supply means
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置の製造工程において用いられるプラ
ズマ処理装置の構造に関するものである。
ズマ処理装置の構造に関するものである。
シリコンをはじめとする半導体装置の製造において、窒
化シリコン、酸化シリコンの薄膜の堆積（デポジション
）、或はこれらの膜のエツチングにプラズマ処理方法が
利用される。薄膜の堆積を低温で実施できるため、或は
微細エツチングが可能であるためなどの理由により、特
に近年、プラズマ処理の方法が活用されることが多くな
っている０ 従来のプラズマ処理装置の断面図を第１図に示す。同図
において、１はガス導入管、２Ｖｉ反応室、３はガス供
給器、４はガスの噴出孔、６ム、ｓＢはウェハ、６はサ
セプター、７はガスの排出管である。まず、ガスは、導
入管１を径で一旦ガス供給器３内に入る。そして、サセ
プター６上のウェハ６ム、ｓＢに対しではソ垂直の方向
に、ガス供給器３の噴出孔４から反応室２内へ吹き出さ
れ、ここでプラズマ活性化され、ウェハ６ム、５Ｂ上に
所望膜が堆積され、或はウニ／１５ム、５Ｂのエツチン
グが行なわれる。その後、反応生成ガス。
化シリコン、酸化シリコンの薄膜の堆積（デポジション
）、或はこれらの膜のエツチングにプラズマ処理方法が
利用される。薄膜の堆積を低温で実施できるため、或は
微細エツチングが可能であるためなどの理由により、特
に近年、プラズマ処理の方法が活用されることが多くな
っている０ 従来のプラズマ処理装置の断面図を第１図に示す。同図
において、１はガス導入管、２Ｖｉ反応室、３はガス供
給器、４はガスの噴出孔、６ム、ｓＢはウェハ、６はサ
セプター、７はガスの排出管である。まず、ガスは、導
入管１を径で一旦ガス供給器３内に入る。そして、サセ
プター６上のウェハ６ム、ｓＢに対しではソ垂直の方向
に、ガス供給器３の噴出孔４から反応室２内へ吹き出さ
れ、ここでプラズマ活性化され、ウェハ６ム、５Ｂ上に
所望膜が堆積され、或はウニ／１５ム、５Ｂのエツチン
グが行なわれる。その後、反応生成ガス。
未反応ガス、不活性ガス等はサセプター６の周辺と反応
室２の側壁との間隙を通って、排出管７から排気ポンプ
（図示せず）によって外部へ排出される。
室２の側壁との間隙を通って、排出管７から排気ポンプ
（図示せず）によって外部へ排出される。
ガス供給器３とサセプター６に、それぞれ電極を兼用さ
せた平行平板型電極構造とすれば、これらに高周波電力
を与え、この間にプラズマを発生させることができる。
せた平行平板型電極構造とすれば、これらに高周波電力
を与え、この間にプラズマを発生させることができる。
このような従来の装置の欠点は、得られる薄膜やエツチ
ング深さがサセプター上の位置により大きいバラツキを
生ずることである。例えば、シランＳｉＨ、とアンモニ
アＮＨ３を用いて、窒化シリコン膜を堆積（デポジシラ
ン）した場合、サセプター６の中央部にあるウェハ６ム
とサセプター６の周辺部に配置されたウェハ５Ｂでは、
膜厚に約１０チの差が生ずる。これの原因としては、サ
セプター６上の位置によってウェハに対する、ガス。
ング深さがサセプター上の位置により大きいバラツキを
生ずることである。例えば、シランＳｉＨ、とアンモニ
アＮＨ３を用いて、窒化シリコン膜を堆積（デポジシラ
ン）した場合、サセプター６の中央部にあるウェハ６ム
とサセプター６の周辺部に配置されたウェハ５Ｂでは、
膜厚に約１０チの差が生ずる。これの原因としては、サ
セプター６上の位置によってウェハに対する、ガス。
プラズマ、サセプターの温度、などの条件が均一でない
ことが考えられる。
ことが考えられる。
本発明は、従来のプラズマ処理の欠点を排除し、均一性
に優れたプラズマ処理を行なうことのできるプラズマ処
理装置の構造を提供するものである。
に優れたプラズマ処理を行なうことのできるプラズマ処
理装置の構造を提供するものである。
即ち、本発明の目的は、薄膜の堆積の際の膜厚のバラツ
キ、或は薄膜のエツチングの場合のエツチング深さのバ
ラツキ、の少ないプラズマ処理を実施できる装置を提供
せんとするものである。
キ、或は薄膜のエツチングの場合のエツチング深さのバ
ラツキ、の少ないプラズマ処理を実施できる装置を提供
せんとするものである。
以下、本発明の構成を簡単のために、薄膜を堆積する場
合に限って第２図を用いて説明を行なう。
合に限って第２図を用いて説明を行なう。
第２図において、第１図と同一番号は同一物を示す。
従来の装置では中央部のウェハ６ムには多量のガスが供
給されて厚い膜が形成され、一方サセプターの周辺部の
ウェハ５Ｂに供給されるガスの量が少く、この上に成長
する膜は薄い場合を考える。
給されて厚い膜が形成され、一方サセプターの周辺部の
ウェハ５Ｂに供給されるガスの量が少く、この上に成長
する膜は薄い場合を考える。
本発明のプラズマ処理装置では、上記の薄い膜のできる
領域に向けて、より多くの反応ガスを供給するようにガ
ス供給器のガス噴出孔を調整して傾斜させることにより
、堆積速度を大きくし、膜が厚くなるように補償する。
領域に向けて、より多くの反応ガスを供給するようにガ
ス供給器のガス噴出孔を調整して傾斜させることにより
、堆積速度を大きくし、膜が厚くなるように補償する。
即ち、反応ガスがガス供給器３から吹き出される時のガ
スの方向を第２図に断面図を示すように、サセプターの
外周部に向けることによって、中央部のガスに比べて外
周部のガスの量を多くする。ガスが吹き出される方向は
、サセプター６に対向する、ガス供給器３の下面３Ｂに
設ける噴出孔４の向きを調整して行う。
スの方向を第２図に断面図を示すように、サセプターの
外周部に向けることによって、中央部のガスに比べて外
周部のガスの量を多くする。ガスが吹き出される方向は
、サセプター６に対向する、ガス供給器３の下面３Ｂに
設ける噴出孔４の向きを調整して行う。
第２図の場合、９０）θ１〉θ２．θ５〉９ｏとし、中
央から周辺に向けて、少しづつ噴出柑δ傾きをかえる。
央から周辺に向けて、少しづつ噴出柑δ傾きをかえる。
これによりサセプター６の周辺部のウニ〜 ハ５Ｂに
対して、中央部のウエノ・５ムよりも、多くのガスが供
給されることになる。従って、周辺部のウェハ５Ｂに堆
積される膜の成長速度が大きくなるよう修正され、バッ
チ内の膜厚のバラツキは減少する。ガス供給器３の、サ
セプターに対向する下面の平板３Ｂを、第２図のように
、ガス供給器の壁３人にネジ８を用いてネジ止めする構
造とすれば、下面の平板３Ｂのみを交換することにより
、上記の調整を変更することができる。これにより、プ
ラズマ処理の条件の変更に対処できるだけでなく、実験
を繰り返すことにより、一層ノくラッキを小さくするこ
とが可能となる。
対して、中央部のウエノ・５ムよりも、多くのガスが供
給されることになる。従って、周辺部のウェハ５Ｂに堆
積される膜の成長速度が大きくなるよう修正され、バッ
チ内の膜厚のバラツキは減少する。ガス供給器３の、サ
セプターに対向する下面の平板３Ｂを、第２図のように
、ガス供給器の壁３人にネジ８を用いてネジ止めする構
造とすれば、下面の平板３Ｂのみを交換することにより
、上記の調整を変更することができる。これにより、プ
ラズマ処理の条件の変更に対処できるだけでなく、実験
を繰り返すことにより、一層ノくラッキを小さくするこ
とが可能となる。
本発明のプラズマ処理装置を用いれば、ワンノくッチ内
のプラズマ処理のバラツキが減少し、製造工程の歩留向
上に寄与することができる。
のプラズマ処理のバラツキが減少し、製造工程の歩留向
上に寄与することができる。
第１図は従来例のプラズマ処理装置の断面図、第２図は
本発明のプラズマ処理装置の一例を示す断面図である。 ３・・・・・・ガス供給器、４・・・・・・ガス噴出孔
、ｓＡ。 ６Ｂ・・・・・・ウエノ・、６・・・・・・サセプター
、７・・・・・・排出管、８・・・・・・ネジ。
本発明のプラズマ処理装置の一例を示す断面図である。 ３・・・・・・ガス供給器、４・・・・・・ガス噴出孔
、ｓＡ。 ６Ｂ・・・・・・ウエノ・、６・・・・・・サセプター
、７・・・・・・排出管、８・・・・・・ネジ。
Claims (3)
- （１）基板をプラズマ処理する反応室と、この反応室内
に設けられかつ基板表面にガスを供給するガス供給器と
を備え、前記ガス供給器の多数のガス噴出孔が傾斜され
ていることを特徴とするプラズマ処理装置。 - （２） ガス噴出孔がガス供給器に着脱可能な板状体
に穿設されていることを特徴とする特許請求の範囲第１
項に記載のプラズマ処理装置。 - （３）ガス噴出孔の傾斜角が中心部から外方へ向って変
化していることを特徴とする特許請求の範囲第１項に記
載のプラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1608482A JPS58132932A (ja) | 1982-02-03 | 1982-02-03 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1608482A JPS58132932A (ja) | 1982-02-03 | 1982-02-03 | プラズマ処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58132932A true JPS58132932A (ja) | 1983-08-08 |
Family
ID=11906674
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1608482A Pending JPS58132932A (ja) | 1982-02-03 | 1982-02-03 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58132932A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60106336U (ja) * | 1983-12-23 | 1985-07-19 | 株式会社日立国際電気 | プラズマエツチング装置 |
| JPS60180114A (ja) * | 1984-02-27 | 1985-09-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 非晶質膜の堆積方法および堆積装置 |
| JPS6164128A (ja) * | 1984-09-05 | 1986-04-02 | Toshiba Corp | 試料処理装置 |
| US5200016A (en) * | 1990-10-12 | 1993-04-06 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor device manufacturing apparatus |
| US6335293B1 (en) | 1998-07-13 | 2002-01-01 | Mattson Technology, Inc. | Systems and methods for two-sided etch of a semiconductor substrate |
-
1982
- 1982-02-03 JP JP1608482A patent/JPS58132932A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60106336U (ja) * | 1983-12-23 | 1985-07-19 | 株式会社日立国際電気 | プラズマエツチング装置 |
| JPH034025Y2 (ja) * | 1983-12-23 | 1991-02-01 | ||
| JPS60180114A (ja) * | 1984-02-27 | 1985-09-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 非晶質膜の堆積方法および堆積装置 |
| JPS6164128A (ja) * | 1984-09-05 | 1986-04-02 | Toshiba Corp | 試料処理装置 |
| US5200016A (en) * | 1990-10-12 | 1993-04-06 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor device manufacturing apparatus |
| US5332464A (en) * | 1990-10-12 | 1994-07-26 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor device manfuacturing apparatus |
| US6335293B1 (en) | 1998-07-13 | 2002-01-01 | Mattson Technology, Inc. | Systems and methods for two-sided etch of a semiconductor substrate |
| US6624082B2 (en) | 1998-07-13 | 2003-09-23 | Mattson Technology, Inc. | Systems and methods for two-sided etch of a semiconductor substrate |
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