JP2582105Y2 - 化学気相成長装置 - Google Patents
化学気相成長装置Info
- Publication number
- JP2582105Y2 JP2582105Y2 JP391593U JP391593U JP2582105Y2 JP 2582105 Y2 JP2582105 Y2 JP 2582105Y2 JP 391593 U JP391593 U JP 391593U JP 391593 U JP391593 U JP 391593U JP 2582105 Y2 JP2582105 Y2 JP 2582105Y2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- susceptor
- gas
- inert gas
- work coil
- coil cover
- Prior art date
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- Expired - Lifetime
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この考案は、半導体プロセスにお
ける薄膜形成に使用される化学気相成長装置（以下ＣＶ
Ｄ装置と称す）に関するもので特にサセプター裏面への
反応ガスのまわり込み成長を減ずる技術に関するもので
ある。
ける薄膜形成に使用される化学気相成長装置（以下ＣＶ
Ｄ装置と称す）に関するもので特にサセプター裏面への
反応ガスのまわり込み成長を減ずる技術に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】従来この種のＣＶＤ装置は、種々色々な
ものが知られている。その中で、代表的なＣＶＤ装置を
図３に示す断面図（図は従来技術を説明するための一部
面図である。）を基に説明する。図において１は、半導
体ウエハ２を載置するサセプター、３は、サセプター１
を高周波誘導加熱するワークコイル、４は、反応ガスか
らワークコイル３を隔離するワークコイルカバー、５
は、インナーベルジャー７内に反応ガス等を噴出するノ
ズルである。
ものが知られている。その中で、代表的なＣＶＤ装置を
図３に示す断面図（図は従来技術を説明するための一部
面図である。）を基に説明する。図において１は、半導
体ウエハ２を載置するサセプター、３は、サセプター１
を高周波誘導加熱するワークコイル、４は、反応ガスか
らワークコイル３を隔離するワークコイルカバー、５
は、インナーベルジャー７内に反応ガス等を噴出するノ
ズルである。
【０００３】このように構成されたＣＶＤ装置は、半導
体ウエハ２上への薄膜（ＣＶＤ膜）の生成時、予めワー
クコイル３により加熱されたサセプター１上の半導体ウ
エハ２に対し、ガス供給口８ａよりノズル５を介してイ
ンナーベルジャー７内に反応ガスを導入し、半導体ウエ
ハ２表面にＣＶＤ膜を形成するものである。さらに未反
応ガスはガス排気口８ｂより外部に排出されるものであ
る。又、このとき、ワークコイルカバー４内及びベルジ
ャー６とインナーベルジャー７の間隙には反応ガスの進
入による汚染防止から不活性ガス（例．Ｈ2 , Ｎ2 ）が
供給口９ａより導入され、又排気口９ｂより排気され
る。
体ウエハ２上への薄膜（ＣＶＤ膜）の生成時、予めワー
クコイル３により加熱されたサセプター１上の半導体ウ
エハ２に対し、ガス供給口８ａよりノズル５を介してイ
ンナーベルジャー７内に反応ガスを導入し、半導体ウエ
ハ２表面にＣＶＤ膜を形成するものである。さらに未反
応ガスはガス排気口８ｂより外部に排出されるものであ
る。又、このとき、ワークコイルカバー４内及びベルジ
ャー６とインナーベルジャー７の間隙には反応ガスの進
入による汚染防止から不活性ガス（例．Ｈ2 , Ｎ2 ）が
供給口９ａより導入され、又排気口９ｂより排気され
る。
【０００４】
【考案が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来のＣＶＤ装置では、反応ガスがサセプター１とワーク
コイルカバー４の間隙に進入するため、サセプター１の
裏面側にも、生成膜が堆積される。この裏面側の堆積量
が大きくなると、サセプター１表面に熱膨張差が生じる
等の理由によりサセプター１に反りが発生し、温度分布
がいちじるしく悪くなる。
来のＣＶＤ装置では、反応ガスがサセプター１とワーク
コイルカバー４の間隙に進入するため、サセプター１の
裏面側にも、生成膜が堆積される。この裏面側の堆積量
が大きくなると、サセプター１表面に熱膨張差が生じる
等の理由によりサセプター１に反りが発生し、温度分布
がいちじるしく悪くなる。
【０００５】従って適時サセプター１裏面側の生成膜を
エッチング除去する作業をしなければいけないわずらわ
しさがあった。
エッチング除去する作業をしなければいけないわずらわ
しさがあった。
【０００６】そこでこの考案は以上述べたサセプター１
の裏面側に生成膜が堆積するといった問題点を解決する
ため、裏面側への反応ガス進入を阻止し、それにより裏
面側への生成をなくすことができるＣＶＤ装置を提供す
ることを目的とする。
の裏面側に生成膜が堆積するといった問題点を解決する
ため、裏面側への反応ガス進入を阻止し、それにより裏
面側への生成をなくすことができるＣＶＤ装置を提供す
ることを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】そこで、この考案は半導
体ウエハ等の被成長ウエハを載置するサセプターと、こ
のサセプター中心部から外周部へ向ってこのサセプター
表面に反応ガスを供給するノズルとを有し、この反応ガ
スの反応により前記ウエハ表面に所望の薄膜を堆積させ
るＣＶＤ装置において、ワークコイルカバー等のような
サセプター下部に上面を有し、前記サセプター外周部に
対応する位置に設けられた複数の不活性ガス噴出用の開
口穴を介して前記サセプター外周部に不活性ガスを噴出
する不活性ガス噴出体と、この不活性ガス噴出体の上面
上であって前記開口穴近傍にこの不活性ガスの流路を特
定するガス反射板とを設けたものである。
体ウエハ等の被成長ウエハを載置するサセプターと、こ
のサセプター中心部から外周部へ向ってこのサセプター
表面に反応ガスを供給するノズルとを有し、この反応ガ
スの反応により前記ウエハ表面に所望の薄膜を堆積させ
るＣＶＤ装置において、ワークコイルカバー等のような
サセプター下部に上面を有し、前記サセプター外周部に
対応する位置に設けられた複数の不活性ガス噴出用の開
口穴を介して前記サセプター外周部に不活性ガスを噴出
する不活性ガス噴出体と、この不活性ガス噴出体の上面
上であって前記開口穴近傍にこの不活性ガスの流路を特
定するガス反射板とを設けたものである。
【０００８】
【作用】以上のようにこの考案によれば、反応ガスと反
応してサセプター表面等に堆積膜を生成することのない
不活性ガスを、サセプター外周部に噴出する不活性ガス
噴出体を設け、また、この不活性ガスを好ましくはサセ
プター裏面であって中心部から外周部へと流路を特定す
る反射板を設けているので、サセプター表面に供給され
た反応ガスの内余分な未反応ガスがサセプターの裏面側
に回り込むことがなくなり、サセプター裏面への堆積膜
の生成を抑制することができる。
応してサセプター表面等に堆積膜を生成することのない
不活性ガスを、サセプター外周部に噴出する不活性ガス
噴出体を設け、また、この不活性ガスを好ましくはサセ
プター裏面であって中心部から外周部へと流路を特定す
る反射板を設けているので、サセプター表面に供給され
た反応ガスの内余分な未反応ガスがサセプターの裏面側
に回り込むことがなくなり、サセプター裏面への堆積膜
の生成を抑制することができる。
【０００９】
【実施例】図１は、この考案の実施例を説明するため
の、不活性ガス噴射体に相当するワークコイルカバーの
平面図（図１（ａ））とＡ−Ａ断面図（図１（ｂ））で
あり、図２はこの考案のワークコイルカバーを用いた時
のガスの流れを説明するためのＣＶＤ装置の一部断面図
である。尚、図３に示したＣＶＤ装置と同一部分には同
一符号を用いている。以下図面を用いて実施例につき説
明する。
の、不活性ガス噴射体に相当するワークコイルカバーの
平面図（図１（ａ））とＡ−Ａ断面図（図１（ｂ））で
あり、図２はこの考案のワークコイルカバーを用いた時
のガスの流れを説明するためのＣＶＤ装置の一部断面図
である。尚、図３に示したＣＶＤ装置と同一部分には同
一符号を用いている。以下図面を用いて実施例につき説
明する。
【００１０】図１において、４１はワークコイルカバー
４０の内部より不活性ガスを噴出させる開口穴、４２は
開口穴４１より噴出する不活性ガスを外向きの気流にガ
ス流路を特定するためのガス反射板、４３は従来同様の
ノズル貫通穴である。ここでガス反射板４２は、ワーク
コイルカバー４０の上面にあって対向するサセプターの
外周端より若干内側に相対する任意の位置にリング状に
設けられ高さは、サセプターと接触しない範囲で設けら
れる。
４０の内部より不活性ガスを噴出させる開口穴、４２は
開口穴４１より噴出する不活性ガスを外向きの気流にガ
ス流路を特定するためのガス反射板、４３は従来同様の
ノズル貫通穴である。ここでガス反射板４２は、ワーク
コイルカバー４０の上面にあって対向するサセプターの
外周端より若干内側に相対する任意の位置にリング状に
設けられ高さは、サセプターと接触しない範囲で設けら
れる。
【００１１】また、ガス噴出用の開口穴４１は、ガス反
射板４２の外周にそって密接して複数個設けられ、穴の
大きさは、所望の噴出ガス流速がえられるよう任意にき
められる。
射板４２の外周にそって密接して複数個設けられ、穴の
大きさは、所望の噴出ガス流速がえられるよう任意にき
められる。
【００１２】尚、ガス反射板４２の外周側面は、凹面形
状とし、又、ガス噴出用開口穴４１は、反射板４２に向
けて傾斜して開口するのが、反応ガスのサセプター下部
への回り込みが抑えられより効果的であり望ましい。
状とし、又、ガス噴出用開口穴４１は、反射板４２に向
けて傾斜して開口するのが、反応ガスのサセプター下部
への回り込みが抑えられより効果的であり望ましい。
【００１３】このようなワークコイルカバー４０はベル
ジャー底面により密閉され不活性ガス噴出体として働ら
き、従来同様の技術で、ＣＶＤ膜生成処理ができる。す
なわち図２に示す様に、ＣＶＤ膜の生成時、予めワーク
コイル３により加熱されたサセプター１上の半導体ウエ
ハ２に対し反応ガス供給口８ａより、ノズル５を介し
て、インナーベルジャー７内に反応ガスを導入し、半導
体ウエハ２表面にＣＶＤ膜を生成する。又、ワークコイ
ルカバー４０内、及びベルジャー６、インナーベルジャ
ー７の間隙には、不活性ガス例えばＨ2 が供給口９ａよ
り導入されてなるものである。ここでワークコイルカバ
ー４０内に導入される不活性ガスの一部は、ワークコイ
ルカバー４０の上面に設けたガス噴出穴４１より噴出
し、さらにガス反射板４２により反射され、サセプター
１の下部であって中心部から外周部へ向う外向きのガス
流となる。その後未反応ガスと一緒に排気口８ｂより排
出されることになる。
ジャー底面により密閉され不活性ガス噴出体として働ら
き、従来同様の技術で、ＣＶＤ膜生成処理ができる。す
なわち図２に示す様に、ＣＶＤ膜の生成時、予めワーク
コイル３により加熱されたサセプター１上の半導体ウエ
ハ２に対し反応ガス供給口８ａより、ノズル５を介し
て、インナーベルジャー７内に反応ガスを導入し、半導
体ウエハ２表面にＣＶＤ膜を生成する。又、ワークコイ
ルカバー４０内、及びベルジャー６、インナーベルジャ
ー７の間隙には、不活性ガス例えばＨ2 が供給口９ａよ
り導入されてなるものである。ここでワークコイルカバ
ー４０内に導入される不活性ガスの一部は、ワークコイ
ルカバー４０の上面に設けたガス噴出穴４１より噴出
し、さらにガス反射板４２により反射され、サセプター
１の下部であって中心部から外周部へ向う外向きのガス
流となる。その後未反応ガスと一緒に排気口８ｂより排
出されることになる。
【００１４】従って、この不活性ガス流により、サセプ
ター１とワークコイルカバー４０の上面間隙への反応ガ
スの進入は阻止され、サセプター１裏面への堆積膜生成
はなくなるものである。
ター１とワークコイルカバー４０の上面間隙への反応ガ
スの進入は阻止され、サセプター１裏面への堆積膜生成
はなくなるものである。
【００１５】尚、実施例ではガス反射板４２をリング状
としたが、温度分布や加工上の容易性に応じて平板等の
形状であってもよい。
としたが、温度分布や加工上の容易性に応じて平板等の
形状であってもよい。
【００１６】また、ガス噴出穴４１より噴出する不活性
ガスの流量は、例えば排気口９ｂからの排気量を適当に
調整することにより、制御でき、従来と同等の不活性ガ
スの供給量で充分効果ははっきされる。
ガスの流量は、例えば排気口９ｂからの排気量を適当に
調整することにより、制御でき、従来と同等の不活性ガ
スの供給量で充分効果ははっきされる。
【００１７】
【考案の効果】以上、詳細に説明したようにこの考案に
よれば、ワークコイルカバー上面に不活性ガスの噴出穴
を設け、さらに、噴出した不活性ガスが外向きガス流と
なるようなガス反射板を設けたので、サセプター裏面側
への反射ガスの進入は阻止されサセプター裏面への堆積
膜生成はなくなる。従って、サセプター裏面エッチング
処理をすることなくサセプターにおける温度分布を一様
とすることができ、安定したＣＶＤ膜生成が可能とな
る。
よれば、ワークコイルカバー上面に不活性ガスの噴出穴
を設け、さらに、噴出した不活性ガスが外向きガス流と
なるようなガス反射板を設けたので、サセプター裏面側
への反射ガスの進入は阻止されサセプター裏面への堆積
膜生成はなくなる。従って、サセプター裏面エッチング
処理をすることなくサセプターにおける温度分布を一様
とすることができ、安定したＣＶＤ膜生成が可能とな
る。
【図１】この考案の実施例に係るワークコイルカバーの
説明図である。
説明図である。
【図２】この考案の実施例に係るＣＶＤ装置の説明図で
ある。
ある。
【図３】従来のＣＶＤ装置の説明図である。
１ サセプター ５ ノズル ４，４０ ワークコイルカバー ４１ 開口穴 ４２ ガス反射板
Claims (1)
- 【請求項１】 被成長ウエハを載置するサセプターと、 このサセプター中心部から外周部へ向ってこのサセプタ
ー表面に反応ガスを供給するノズルと、 前記サセプター下部に上面を有し、前記サセプター外周
部に対応する位置に設けられた複数の不活性ガス噴出用
の開口穴を介して前記サセプター外周部に不活性ガスを
噴出する不活性ガス噴出体と、 この不活性ガス噴出体の上面上であって前記開口穴近傍
に設けられ、この不活性ガスの流路を特定するガス反射
板とを設けたことを特徴とする化学気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP391593U JP2582105Y2 (ja) | 1993-02-10 | 1993-02-10 | 化学気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP391593U JP2582105Y2 (ja) | 1993-02-10 | 1993-02-10 | 化学気相成長装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0662534U JPH0662534U (ja) | 1994-09-02 |
| JP2582105Y2 true JP2582105Y2 (ja) | 1998-09-30 |
Family
ID=11570474
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP391593U Expired - Lifetime JP2582105Y2 (ja) | 1993-02-10 | 1993-02-10 | 化学気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2582105Y2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4790291B2 (ja) * | 2005-03-10 | 2011-10-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法、記録媒体および基板処理装置 |
| KR101210210B1 (ko) * | 2008-08-05 | 2012-12-07 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 배치대 구조, 성막 장치 및 성막 방법 |
-
1993
- 1993-02-10 JP JP391593U patent/JP2582105Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0662534U (ja) | 1994-09-02 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19980707 |