KR101210210B1 - 배치대 구조, 성막 장치 및 성막 방법 - Google Patents

배치대 구조, 성막 장치 및 성막 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101210210B1
KR101210210B1 KR1020107027538A KR20107027538A KR101210210B1 KR 101210210 B1 KR101210210 B1 KR 101210210B1 KR 1020107027538 A KR1020107027538 A KR 1020107027538A KR 20107027538 A KR20107027538 A KR 20107027538A KR 101210210 B1 KR101210210 B1 KR 101210210B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
gas
mounting table
decomposition
film
table structure
Prior art date
Application number
KR1020107027538A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20110014185A (ko
Inventor
아츠시 고미
야스시 미즈사와
타츠오 하타노
마사미치 하라
가오루 야마모토
사토시 다가
Original Assignee
도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 filed Critical 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Publication of KR20110014185A publication Critical patent/KR20110014185A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101210210B1 publication Critical patent/KR101210210B1/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/52—Controlling or regulating the coating process
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/06—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material
    • C23C16/16—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material from metal carbonyl compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45514—Mixing in close vicinity to the substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45519—Inert gas curtains
    • C23C16/45521—Inert gas curtains the gas, other than thermal contact gas, being introduced the rear of the substrate to flow around its periphery
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45597—Reactive back side gas
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C23C16/4585—Devices at or outside the perimeter of the substrate support, e.g. clamping rings, shrouds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612—Formation types
    • H01L21/02617—Deposition types
    • H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68785—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)

Abstract

본 발명은, 가역성을 갖는 열분해 반응을 발생시키는 원료 가스를 이용하여 처리 용기 내에서 피처리체에 대하여 박막을 형성하기 위해, 상기 처리 용기 내에 설치되어 상기 피처리체를 배치하는 배치대 구조에 있어서, 그 상면인 배치면에 상기 피처리체를 배치하기 위한 배치대와, 상기 배치대 내에 설치된, 상기 원료 가스의 열분해를 억제하는 분해 억제 가스를 상기 배치대의 배치면에 배치되는 상기 피처리체의 주변부를 향해 공급하기 위한 분해 억제 가스 공급 수단을 포함한 것을 특징으로 하는 배치대 구조이다.

Description

배치대 구조, 성막 장치 및 성막 방법{PLACING TABLE STRUCTURE, APPARATUS FOR FORMING FILM AND METHOD FOR FORMING FILM}
본 발명은, 반도체 웨이퍼 등의 피처리체에 박막을 성막하는 성막 장치에 이용되는 배치대 구조에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 집적 회로를 제조할 때는, 반도체 웨이퍼 등의 피처리체에, 성막 처리, 에칭 처리, 열처리, 개질 처리, 결정화 처리 등의 각종 열처리가 반복하여 행해져, 원하는 집적 회로가 형성되도록 되어 있다. 예컨대 반도체 웨이퍼에 대해 1 매마다 성막을 실시하는 매엽식 성막 장치를 예로 들면, 탈기 가능하게 이루어진 처리 용기 내에, 예컨대 저항 가열 히터가 내장된 배치대가 설치되어, 상기 배치대의 상면에 반도체 웨이퍼가 배치되고, 이 상태에서 처리 공간에 성막 가스가 흘러, 미리 정해진 프로세스 조건하에서 웨이퍼의 표면에 박막이 형성되도록 되어 있다.
상기 박막은, 원료 가스가 열분해 되는 것 등에 의해, 예컨대 CVD(Chemical Vapor Deposition)법에 의해 성막된다(예컨대, 일본 특허 공개 제2001-023966호 공보, 또는 일본 특허 공개 제2003-007694호 공보 참조).
그런데, 전술한 바와 같은 박막의 성막 처리가 행해진 경우, 성막되어야 하는 박막은, 반도체 웨이퍼의 상면에도 물론 형성된다. 그러나, 처리 공간 내의 성막 가스는, 웨이퍼의 주변부로부터 측면을 경유하여 웨이퍼의 이면측과 배치대 사이의 약간의 간극 부분에도 돌아들어가는 경향이 있기 때문에, 웨이퍼의 주변부로부터 측면 전체, 즉 웨이퍼의 베벨부나, 더 나아가서는 웨이퍼 주변부의 이면측에도, 박막이 어느 정도 형성되는 경향이 있다.
그러나, 웨이퍼의 베벨부나 이면에 불필요한 박막이 퇴적되면, 후속 공정에서의 핸들링시 등에, 상기 불필요한 막의 박리가 생겨, 파티클이 발생하거나, 또는 이 불필요한 막에 기인하는 오염 등이 발생하는 문제가 있다.
특히, 최근에서는, 선폭의 미세화 경향이 보다 나아지고 있기 때문에, 웨이퍼 표면에 형성되어 있는 각종 홀이나 홈부의 매립성을 확보하기 위해, 높은 스텝 커버리지를 얻을 수 있는 프로세스 조건이 설정되는 경향이 있다. 즉 웨이퍼의 베벨부나 이면측으로 성막 가스가 돌아들어가는 것이 촉진되는 경향이 있다. 이것이, 상기 문제의 발생을 촉진하고 있다.
그래서, 상기 문제를 해결하기 위해, 웨이퍼 주변부에 비활성 가스에 의한 퍼지 가스를 흘려 보내, 불필요한 막의 퇴적을 방지하는 것이 행해지고 있다. 그러나, 퍼지 가스가 처리 공간에 유입되면, 성막 처리와는 관계없는 가스가 웨이퍼 주변부에 유입되기 때문에, 국부적으로 성막이 억제되게 되어, 막 두께의 면내 균일성이 저하되어 버리는 새로운 문제가 발생해 버린다.
특히 최근에서는, 콘택트 저항을 저감한다는 목적 등을 위해, 원료 가스로서 금속 카르보닐 원료 등을 이용하여 귀금속의 박막을 형성하는 것이 행해지고 있다. 이들 귀금속 박막의 성막시에는, 높은 스텝 커버리지를 얻을 수 있는 프로세스 조건이 설정되는 경향이 크다. 따라서, 상기 문제의 해결이 강하게 요구되고 있다.
본 발명은, 이상과 같은 문제점에 착안하여, 이것을 유효하게 해결하기 위해 창안된 것이다. 본 발명의 목적은, 가역성을 갖는 열분해 반응을 발생시키는 원료 가스를 이용하여 박막을 형성할 때에, 피처리체의 주변부를 향해 분해 억제 가스를 공급하고, 원료 가스의 열분해를 적절히 억제함으로써 성막 막 두께의 면내 균일성을 높게 유지하며, 피처리체의 베벨부 및 이면에의 박막의 퇴적을 방지하는 것이 가능한 배치대 구조를 제공하는 것에 있다.
본 발명은, 가역성을 갖는 열분해 반응을 발생시키는 원료 가스를 이용하여 처리 용기 내에서 피처리체에 대하여 박막을 형성하기 위해, 상기 처리 용기 내에 설치되어 상기 피처리체를 배치하는 배치대 구조에 있어서, 그 상면인 배치면에 상기 피처리체를 배치하기 위한 배치대와, 상기 배치대 내에 설치된, 상기 원료 가스의 열분해를 억제하는 분해 억제 가스를 상기 배치대의 배치면에 배치되는 상기 피처리체의 주변부를 향해 공급하기 위한 분해 억제 가스 공급 수단을 포함한 것을 특징으로 하는 배치대 구조이다.
본 발명에 의하면, 가역성을 갖는 열분해 반응을 발생시키는 원료 가스를 이용하여 박막을 형성할 때에, 분해 억제 가스 공급 수단으로부터 피처리체의 주변부를 향해 분해 억제 가스가 공급되어 원료 가스의 열분해가 억제되기 때문에, 피처리체의 상면에의 박막의 형성을 높은 면내 균일성의 막 두께로 실현할 수 있는 한편, 피처리체의 베벨부 및 이면에의 박막의 퇴적을 방지할 수 있다.
바람직하게는, 상기 분해 억제 가스 공급 수단은, 상기 배치대의 배치면에 배치되는 상기 피처리체의 주변부에 대응하는 부분에, 상기 주변부의 둘레 방향을 따라 형성된 가스 분출구와, 상기 가스 분출구에 연통된 가스 유로와, 상기 가스 유로에 접속된 상기 분해 억제 가스를 저류하는 분해 억제 가스원을 포함한다.
이 경우, 바람직하게는, 상기 가스 분출구는, 상기 배치대 내에 그 둘레 방향을 따라 형성된 환형의 확산실을 통해, 상기 가스 유로에 연통되어 있다.
예컨대, 상기 가스 분출구는, 상기 배치대의 둘레 방향을 따라 형성된 환형의 슬릿으로 이루어진다.
또는, 예컨대 상기 가스 분출구는, 상기 배치대의 둘레 방향을 따라 미리 정해진 간격으로 형성된 복수의 토출 구멍으로 이루어진다.
또한, 바람직하게는, 상기 배치면에는, 상기 피처리체를 수용하기 위해, 상기 피처리체의 두께에 상당하는 깊이의 배치 오목부가 형성되어 있다.
또한, 바람직하게는, 상기 배치면에는, 일시적으로 상기 분해 억제 가스를 체류시키는 가스 체류 공간을 형성하기 위한 홈부가, 둘레 방향을 따라 환형으로 형성되어 있다.
또한, 바람직하게는, 상기 배치대에는, 상기 피처리체의 외주측에 위치하도록, 박판 링형으로 이루어진 링 부재가 배치되어 있다.
이 경우, 바람직하게는, 상기 링 부재는, 승강 가능하게 구성되어 있고, 그 내주단(內周端)이 상기 피처리체 주변부의 상면과 접촉하여 이것을 압박하는 클램프링으로서 기능하도록 되어 있다.
또는, 바람직하게는, 상기 링 부재는, 상기 링 부재의 배치 위치에 상기 박막이 형성되는 것을 방지하는 막 부착 방지용 커버링으로서 기능하도록 되어 있다.
또한, 바람직하게는, 상기 배치대 내에는, 상기 피처리체를 가열하는 가열 수단이 설치되어 있다.
또한, 바람직하게는, 상기 분해 억제 가스는, 상기 원료 가스가 열분해에 의해 발생하는 가스 성분과 동일한 가스종이다.
또한, 바람직하게는, 상기 원료 가스는, 금속 카르보닐 원료 가스이다.
예컨대 상기 금속 카르보닐 원료 가스는 Ru3(CO)12, W(CO)6, Ni(CO)4, Mo(CO)6, Co2(CO)8, Rh4(CO)12, Re2(CO)10, Cr(CO)6, Os3(CO)12, Ta(CO)5로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1개 또는 복수개의 재료로 이루어진다.
또한, 본 발명은 피처리체에 대하여 박막을 형성하기 위한 성막 장치에 있어서, 배기 가능하게 이루어진 처리 용기와, 상기 특징 중 어느 하나를 갖는 배치대 구조와, 가역성을 갖는 열분해 반응을 발생시키는 원료 가스를 상기 처리 용기 내에 도입하는 가스 도입 수단을 포함한 것을 특징으로 하는 성막 장치이다.
또는, 본 발명은 가역성을 갖는 열분해 반응을 발생시키는 원료 가스를 이용하여, 처리 용기 내의 배치대 위에 배치된 피처리체에 대하여 박막을 형성하는 성막 방법에 있어서, 상기 처리 용기 내에 상기 원료 가스를 도입할 때에, 상기 피처리체의 주변부를 향해 상기 원료 가스의 열분해를 억제하는 분해 억제 가스를 공급하는 공정을 포함한 것을 특징으로 하는 성막 방법이다.
도 1은 본 발명에 따른 배치대 구조를 이용한 성막 장치의 일례를 도시하는 단면 구성도이다.
도 2는 배치대의 상면인 배치면을 도시하는 평면도이다.
도 3은 배치대의 확산실의 수평 방향 단면을 도시하는 수평 단면도이다.
도 4는 배치대의 일부를 도시하는 부분 확대 단면도이다.
도 5는 분해 억제 가스 공급 수단의 동작을 설명하기 위한 설명도이다.
도 6은 가스 분출구의 변형예가 설치된 배치면의 상태를 도시하는 도면이다.
도 7의 A 및 도 7의 B는 링 부재의 변형예를 설명하기 위한 배치대의 부분 확대 단면도이다.
도 8은 반도체 웨이퍼의 주변부(베벨부)에 퇴적된 박막의 두께를 도시하는 그래프이다.
이하에, 본 발명에 따른 배치대 구조의 일 실시형태를 첨부 도면에 기초하여 상세히 설명한다. 도 1은 본 발명에 따른 배치대 구조를 이용한 성막 장치의 일례를 도시하는 단면 구성도이다. 도 2는 배치대의 상면인 배치면을 도시하는 평면도이다. 도 3은 배치대의 확산실의 수평 방향 단면을 도시하는 수평 단면도이다. 도 4는 배치대의 일부를 도시하는 부분 확대 단면도이다. 도 5는 분해 억제 가스 공급 수단의 동작을 설명하기 위한 설명도이다. 여기서는, 원료 가스로서, 금속 카르보닐 원료인 Ru3(CO)12가, 캐리어 가스인 CO(일산화탄소)와 함께 공급되어, 금속 박막인 Ru막이 성막되는 경우가 예로서 설명된다.
도시되는 바와 같이, 성막 장치(2)는, 예컨대 내부 단면이 대략 원형상인 알루미늄제 또는 알루미늄 합금제의 처리 용기(4)를 갖고 있다. 이 처리 용기(4) 내의 천정부에, 필요한 미리 정해진 가스, 예컨대 성막 가스를 도입하기 위한 가스 도입 수단인 샤워 헤드부(6)가 설치되어 있다. 이 하면의 가스 분사면(8)에, 다수의 가스 분사 구멍(10)이 형성되어 있고, 상기 다수의 가스 분사 구멍(10)으로부터 처리 공간(S)을 향해 성막 가스가 분사되도록 되어 있다.
이 샤워 헤드부(6) 내에는, 가스 확산실(12)이 구획 형성되어 있다. 가스 확산실(12)에 도입된 성막 가스는, 평면 방향으로 확산되고, 그 후, 상기 가스 확산실(12)에 연통된 가스 분사 구멍(10)으로부터 분출된다. 이 샤워 헤드부(6) 전체는, 예컨대 니켈이나 하스텔로이(등록 상표) 등의 니켈 합금, 알루미늄, 또는 알루미늄 합금에 의해 형성되어 있다. 여기서는, 성막용 원료 가스로서, 금속 카르보닐 원료인 Ru3(CO)3이 이용된다. 이 원료 가스는, 승화되어, 캐리어 가스인 CO에 수반되어 흐르게 되어 있다. 샤워 헤드부(6)와 처리 용기(4)의 상단 개구부와의 접합부에는, 예컨대 O링 등으로 이루어지는 시일 부재(14)가 개재되어 있어, 처리 용기(4) 내의 기밀성이 유지되도록 되어 있다.
또한, 처리 용기(4)의 측벽에는, 처리 용기(4) 내에 대하여 피처리체로서의 반도체 웨이퍼(W)를 반입 반출하기 위한 반출입구(16)가 형성되어 있다. 이 반출입구(16)에는, 기밀하게 개폐 가능하게 이루어진 게이트 밸브(18)가 설치되어 있다.
그리고, 처리 용기(4)의 바닥부(20)에는, 배기 공간(22)이 형성되어 있다. 구체적으로는, 처리 용기(4) 바닥부(20)의 중앙부에, 큰 개구(24)가 형성되어 있고, 이 개구(24)에, 그 아래쪽으로 연장되는 바닥이 있는 원통체형의 원통 구획벽(26)이 연결되어 있어, 그 내부가 상기 배기 공간(22)으로 되어 있다. 그리고, 이 배기 공간(22)을 구획하는 원통 구획벽(26)의 바닥부(28)에, 피처리체로서의 반도체 웨이퍼(W)를 배치하기 위한 본 발명의 특징인 배치대 구조(29)가 기립되어 있도록 설치되어 있다. 구체적으로, 배치대 구조(29)는, 예컨대 중공 형상 원통체형의 지주(30)의 상단부에, 배치대(32)가 접합 등이 됨으로써 고정되어 있다. 본 발명의 특징인 배치대 구조(29)의 세부 사항에 대해서는 후술된다.
상기 배기 공간(22)의 개구(24)의 직경은, 배치대(32)의 직경보다 작게 설정되어 있다. 이에 의해, 배치대(32)의 둘레 가장자리부의 외측을 따라 흐르는 처리 가스는, 배치대(32)의 아래쪽으로 돌아들어간 후 개구(24)에 유입되도록 되어 있다. 원통 구획벽(26)의 하부 측벽에는, 배기 공간(22)에 면하도록, 배기구(34)가 형성되어 있다. 배기구(34)에는, 배기 시스템(36)이 접속되어 있다. 이 배기 시스템(36)은 배기구(34)에 접속된 배기관(38)을 갖고 있고, 이 배기관(38)에는, 압력 조정 밸브(40) 및 진공 펌프(42)가 순차적으로 개재되어 있다. 이것에 의해, 처리 용기(4) 내 및 배기 공간(22)의 분위기가 배기되어, 미리 정해진 감압 분위기로 압력 조정할 수 있게 되어 있다.
그리고, 배치대(32)는, 전술한 바와 같이, 원통형의 지주(30)에 의해 처리 용기(4) 내의 중심부에서 기립되어 있도록 설치되어 있다. 지주(30)는 예컨대 질화알루미늄(AlN) 등으로 이루어지는 세라믹재에 의해 형성되어 있다. 또한, 배치대(32)도, 질화알루미늄 등의 세라믹재에 의해 형성되어 있다. 그리고, 배치대(32)의 상면인 배치면(43)(도 4 참조)에는, 웨이퍼(W)의 두께에 상당하는 깊이이며, 웨이퍼(W)보다 약간 큰 직경으로, 원형의 배치 오목부(44)(도 2 참조)가 형성되어 있다. 이 배치 오목부(44) 내에, 웨이퍼(W)가 수용되도록 하여 배치된다.
배치 오목부(44)의 외주의 단차(경계) 부분에는, 도 4 등에도 도시하는 바와 같이, 배치 오목부(44)의 바닥면을 더 아래쪽으로 깎는 것에 의해 형성된 단면 직사각형의 홈부(45)가, 배치대(32)의 둘레 방향을 따라 환형(링형)으로 형성되어 있다. 이 홈부(45)와 웨이퍼(W) 주변부의 외주면 사이가, 가스 체류 공간으로서 기능한다. 이 홈부(45)의 폭은, 예컨대 4 ㎜ 정도이다. 이것은, 웨이퍼(W) 주변부의 하면측이 간신히 홈부(45)의 개구에 면하는 크기이다. 또한, 홈부(45)는 형성되지 않고 생략되어도 좋다.
또한, 배치대(32) 내부에는, 가열 수단으로서, 미리 정해진 패턴 형상으로 배치된 가열 히터(46)가, 예컨대 매립하도록 되어 수용되어 있다. 이 경우, 가열 히터(46)는, 적어도 반도체 웨이퍼(W)가 배치되는 배치 영역의 직경보다 큰 직경의 영역에 걸쳐, 예컨대 배치대(32)의 평면 방향의 거의 전역에 걸쳐, 배치될 수 있다. 가열 히터(46)는, 원통형의 지주(30) 안을 삽입 관통하는 급전 막대(도시 생략)가 접속되고, 도시되지 않는 히터 전원으로부터 가열용 급전이 행해져, 원하는대로 온도 제어되도록 되어 있다. 또한, 가열 히터(46)는, 예컨대 내측 존과, 그 외측을 동심 원형으로 둘러싸는 외측 존으로 전기적으로 분할되어, 각 존마다 개별적으로 온도 제어(전력 제어)를 할 수 있게 되어 있으면 좋다.
또한, 배치대(32)에는, 웨이퍼(W)를 승강시키는 핀 승강 기구(48)가 설치되어 있다. 구체적으로는, 배치대(32)에는, 이것을 상하 방향으로 관통하도록, 복수 예컨대 3개의 핀 삽입 관통 구멍(50)이 형성되어 있고 (도 1에서는 2개만 도시함), 핀 승강 기구(48)는, L자형으로 굴곡되어 각 핀 삽입 관통 구멍(50)을 유동 가능하게 끼운 상태에서 삽입 관통되는 밀어올림 핀(52)을 갖고 있다.
각 밀어올림 핀(52)은, 수직 방향으로 연장되는 지지 로드(54)(도 1에서는 2개만 도시함)에 의해, 각각 지지되어 있다. 각 지지 로드(54)의 하단부는, 원형링 형상의, 예컨대 알루미나와 같은 세라믹재로 이루어지는 밀어올림 링(56)에 연결되어 있다. 그리고, 밀어올림 링(56)은, 용기 바닥부(20)를 관통하는 승강 로드(60)의 상단부에 의해 지지되어 있고, 상기 승강 로드(60)는 액츄에이터(62)에 의해 승강 가능하게 되어 있다. 이것에 의해, 승강 로드(60)를 상하 방향으로 승강시킴으로써, 웨이퍼(W)를 올리거나, 내릴 수 있도록 되어 있다.
또한, 처리 용기(4)의 바닥부(20)의 승강 로드(60)가 관통하는 부분과 액츄에이터(62) 사이에는, 신축 가능한 벨로우즈(65)가 개재되어 있다. 이것에 의해, 상기 승강 로드(60)는, 처리 용기(4) 내의 기밀성을 유지하면서 승강할 수 있게 되어 있다.
배치대(32)의 상면측에는, 웨이퍼(W)의 외주측에 위치하도록, 박판 링형으로 이루어진 링 부재(64)가 배치되어 있다. 이 링 부재(64)는, 도 4에도 도시하는 바와 같이, 배치대(32) 주변부의 상면에 박막이 형성되는 것을 방지하는 막 부착 방지용 커버링(66)으로서도 기능하도록 되어 있다. 또한, 그 내주단의 직경은, 웨이퍼(W)의 직경보다 약간 크게 설정되어 있다. 링 부재(64)[막 부착 방지용 커버링(66)]는, 예컨대 질화알루미늄이나 알루미나(Al2O3) 등의 세라믹재에 의해 형성된다. 그리고, 이 링 부재(64)[막 부착 방지용 커버링(66)]는, 각 지지 로드(54)의 상단부에 지지 고정되어 있다. 따라서, 상기 링 부재(64)[막 부착 방지용 커버링(66)]는, 밀어올림 핀(52)과 일체적으로 승강하도록 되어 있다.
그리고, 이 배치대(32)의 내부에, 원료 가스의 열분해를 억제하는 분해 억제 가스를 공급하기 위한, 본 발명의 특징인 분해 억제 가스 공급 수단(70)이 설치되어 있다. 구체적으로는, 도 2 내지 도 5에도 도시하는 바와 같이, 분해 억제 가스 공급 수단(70)은, 배치대(32)의 배치면(43)의 웨이퍼(W) 주변부에 대응하는 부분에 둘레 방향을 따라 형성된 가스 분출구(72)와, 이 가스 분출구(72)에 연통된 가스 유로(74)와, 이 가스 유로(74)에 접속된 분해 억제 가스를 저류하는 분해 억제 가스원(76)에 의해 주로 형성되어 있다. 여기서는, 분해 억제 가스로서, 원료 가스 즉 Ru3(CO)12가 열분해함으로써 발생하는 가스 성분과 동일한 가스종, 즉 CO(일산화탄소)가 이용된다.
가스 분출구(72)는, 배치면(43)의 일부, 여기서는 홈부(45)의 바닥면에서 개구되어 있다. 또한, 가스 분출구(72)는, 여기서는 도 2에 도시하는 바와 같이, 배치대(32)의 둘레 방향을 따라 형성된 환형의 슬릿(78)에 의해 구성되어 있다. 슬릿(78)의 폭은, 예컨대 1 ㎜ 정도이다.
가스 분출구(72)에 연통되는 가스 유로(74)는, 지주(30) 내에 삽입 관통된 주가스 유로(74A)와, 이 주가스 유로(74A)의 상단부로부터 복수개로 분기되어 배치대(32) 내에 형성된 분기 가스 유로(74B)로 이루어진다. 도 3에 도시하는 바와 같이, 여기서는, 분기 가스 유로(74B)는, 동일한 개방 각도로 3개가 형성되어 있지만, 개수는 특별히 제한되지 않는다. 그리고, 가스 분출구(72)의 바로 아래에, 배치대(32)의 둘레 방향을 따라 환형으로 확산실(80)이 형성되어 있다. 이 확산실(80)에, 각 분기 가스 유로(74B)의 선단측이 연통되어 있다.
따라서, 가스 분출구(72)는, 확산실(80)을 통해 각 분기 가스 유로(74B)에 연통되어 있다. 이것에 의해, 각 분기 가스 유로(74B) 내에 흘러 온 분해 억제 가스인 CO 가스는, 확산실(80) 내에서 배치대(32)의 둘레 방향으로 확산하면서, 가스 분출구(72)로부터 균등하게 방출되도록 되어 있다.
이 때, 가스의 방출은, 웨이퍼(W) 주변부를 향하게 된다. 이 방출된 분해 억제 가스의 작용에 의해, 웨이퍼(W) 주변부에의 불필요한 막의 부착이 방지된다. 주가스 유로(74A)는, 분기 가스 유로(74B)보다 조금 굵게 설정되어 있고, 주가스 유로(74A)의 도중에는, 매스플로 컨트롤러와 같은 유량 제어기(82)가 개재되며, 그 양측에 개폐 밸브(84)가 개재되어 있다.
그리고, 이상과 같이 구성된 성막 장치(2) 전체의 동작을 제어하기 위해, 예컨대 컴퓨터 등으로 이루어지는 장치 제어부(86)가 설치되어 있다. 이것에 의해, 각 가스 공급의 시작과 정지의 제어, 유량의 제어, 프로세스 압력의 제어, 웨이퍼(W)의 온도 제어 등이 행해지도록 되어 있다. 장치 제어부(86)는, 전술한 제어를 행하기 위한 컴퓨터 프로그램을 기억하기 위한 기억 매체(88)를 갖고 있다. 기억 매체(88)로서는, 예컨대 플렉시블 디스크, CD(Compact Disc), CD-ROM, 하드디스크, 플래시 메모리, DVD 등을 이용할 수 있다.
다음에, 이상과 같이 구성된 성막 장치(2)의 동작에 대해서 설명한다.
우선, 미처리된 반도체 웨이퍼(W)가, 도시되지 않는 반송 아암에 유지되어, 개방 상태가 된 게이트 밸브(18), 반출입구(16)를 통해, 처리 용기(4) 내에 반입된다. 이 웨이퍼(W)는, 핀 승강 기구(48)의 링 부재(64)와 함께 상승된 밀어올림 핀(52)에 전달되고, 그 후, 상기 밀어올림 핀(52)이 강하되는 것에 의해, 배치대(32)의 상면인 배치면(43) 위에 배치된다.
이와 같이 하여, 웨이퍼(W)가 배치대(32) 위에 배치된 상태에서, 가스 도입 수단인 샤워 헤드부(6)로부터, 미리 정해진 가스, 예컨대 성막용 원료 가스가 유량제어되면서 처리 공간(S)에 공급된다. 이것에 의해, 처리 용기(4) 내가 미리 정해진 프로세스 압력으로 유지된다. 예컨대, Ru막을 형성하는 경우에는, 원료 가스로서 Ru3(CO)12 가스가, 캐리어 가스인 CO 가스와 함께 공급된다.
배치대(32)에 설치된 가열 수단인 가열 히터(46)에는 전력이 공급되고, 배치대(32)를 통해 웨이퍼(W)가 미리 정해진 프로세스 온도로 가열된다. 이와 같이 하여, 웨이퍼(W) 표면에, 열 CVD에 의해 금속막의 박막으로서 Ru막이 형성되게 된다. 이 때의 프로세스 조건은, 프로세스 압력이 예컨대 13.3 Pa정도, 웨이퍼 온도가 200℃~250℃ 정도이다. 또한 샤워 헤드부(6)나 처리 용기(4)의 측벽도, 도시하지 않는 히터에 의해 75℃~80℃ 정도로 가열되어 있다.
그런데, 이러한 성막 처리가 이루어져 있는 경우에 있어서, 원료 가스는, 일반적으로는 웨이퍼(W) 위의 처리 공간(S)을 반경 방향 바깥쪽으로 확산하면서, 배치대(32) 주변부로부터 아래쪽으로 절곡되어 유하하여, 배기 공간(22)에 유입된다. 그리고 또한, 이 배기 공간(22)으로부터, 배기구(34)를 통해, 배기 시스템(36)측으로 유출되어 간다. 여기서, 일부의 원료 가스는, 웨이퍼(W) 주변부(에지부)를 돌아들어가 흘러, 웨이퍼(W)의 이면과 배치면(43) 사이의 약간의 간극에 들어가고자 하기 때문에, 상기 원료 가스의 흐름을 따른 부분에 불필요한 박막이 퇴적되는 경향이 보인다.
이 경향 때문에, 종래의 성막 장치에서는, 웨이퍼(W) 주변부로부터 측면 전체, 즉 베벨부(90)(도 4 및 도 5 참조)나 웨이퍼 주변부의 이면측에, 불필요한 박막이 형성되는 경향이 보였다. 특히, 각종 홀이나 홈부의 매립성을 확보하기 위해, 높은 스텝 커버리지를 얻을 수 있는 프로세스 조건이 설정되어 있는 경우에 있어서는, 미세한 공간 내에서도 성막이 생긴다는 것이기 때문에, 불필요한 박막의 부착 경향이 보다 현저하게 나타난다.
그러나, 본 실시형태의 경우에는, 배치대 구조(29)에 분해 억제 가스 공급 수단(70)이 설치되어, 원료 가스의 열분해를 억제하는 분해 억제 가스, 여기서는 CO 가스를 웨이퍼(W) 주변부를 향해 공급하도록 하고 있기 때문에, 웨이퍼(W)의 주변부 근방에서의 원료 가스의 열분해가 억제되어, 그 부위에 불필요한 박막이 퇴적되는 것을 방지할 수 있다.
구체적으로는, 도 1에 도시하는 바와 같이, 분해 억제 가스원(76)으로부터 분해 억제 가스로서의 CO 가스가 유량 제어기(82)에 의해 유량 제어되면서 가스 유로(74)의 주가스 유로(74A) 내에 흐르고, 주가스 유로(74A) 내에 흐른 CO 가스가 배치대(32)에 도달한 곳에서, 복수개로 분기된 각 분기 가스 유로(74B)에 각각 분기되어 흐른다.
그리고, 각 분기 가스 유로(74B) 내에 흐른 CO 가스는, 도 4 및 도 5에도 도시하는 바와 같이, 웨이퍼(W) 주변부의 아래쪽에 설치된 환형의 확산실(80) 내에 유입된다. 그리고, 이 CO 가스는, 확산실(80) 내를 배치대(32)의 둘레 방향으로 확산하면서, 가스 분출구(72)의 환형의 슬릿(78)으로부터 위쪽으로 유출된다. 이것에 의해, 웨이퍼(W)의 주변부를 향해 CO 가스가 화살표(92)(도 5 참조)로 도시하는 바와 같이 분무되도록 하여 공급된다. 따라서, 전술한 바와 같이, 원료 가스의 열분해가 억제되어, 웨이퍼(W)의 베벨부(90)나 웨이퍼 주변부의 이면에 불필요한 박막이 퇴적되는 것이 방지된다.
특히, 배치대(32)의 웨이퍼(W) 주변부에 대응하는 부분에는, 환형으로 홈부(45)가 형성되어 있기 때문에, 도 5에 도시하는 바와 같이, 배치면(43) 위에 웨이퍼(W)를 배치하면, 이 웨이퍼(W)의 주변부 근방에 홈부(45)와 웨이퍼(W)의 외주면에 의해 구획된 가스 체류 공간(94)이 형성되고, 이 가스 체류 공간(94)에 가스 분출구(72)로부터 분출된 CO 가스가 일시적으로 체류한다. 이에 의해, 상기 부분의 CO 농도가 보다 높아지고, 그 결과, 전술한 불필요한 박막의 퇴적 억제 효과를 더 크게 할 수 있다.
여기서, 원료 가스인 Ru3(CO)12 가스의 CO 가스에 의한 분해 억제 효과의 메커니즘에 대해서 설명한다. Ru3(CO)12 가스는, 하기의 화학식과 같이, 가역적으로 열분해한다.
Ru3(CO)12⇔Ru3(CO)12↑
Ru3(CO)12↑⇔Ru3(CO)12-x↑+XCO↑
Ru3(CO)12-x↑+Q→3Ru+(12-X)CO↑
Ru3(CO)12↑+Q→3Ru+12CO↑
여기서 "⇔"는 가역적인 것을 나타내고, "↑"는 가스 상태인 것을 나타내며, "↑" 가 붙어 있지 않은 것은 고체 상태인 것을 나타내고, "Q"는 열량이 가해지는 것을 나타낸다.
전술한 화학식으로부터 명백한 바와 같이, 제2번째 화학식에 착안하면, 열분해 반응에 의해 Ru3(CO)12 가스와 CO 가스가 가역적으로 발생한다. 따라서, 외부로부터 CO 가스를 공급하면, 우측 방향으로의 반응(정반응)의 진행이 억제되고, 좌측 방향으로의 반응(역반응)이 진행하게 된다. 이 결과, 원료 가스인 Ru3(CO)12의 열분해가 억제되어, 전술한 바와 같은 불필요한 박막의 퇴적 억제 효과가 국부적으로 발생하게 된다. 또한 여기서, 열분해 반응이란 정반응과 역반응을 포함하고, 열분해란 정반응만을 의미하고 있다.
이 경우, 분해 억제 가스인 CO 가스는, 원료 가스가 열분해함으로써 발생하는 가스 성분과 동일한 가스종(CO)이기 때문에, 종래 방법과 같이 퍼지 가스로서 Ar 가스 등을 이용한 경우와 비교하여, 성막 반응에 과도하게 영향을 부여하여 성막을 방해하지 않는다. 따라서, 웨이퍼(W)의 상면에 형성되는 박막의 면내 균일성을 열화시키지 않고, 이것을 높게 유지할 수 있다.
<가스 분출구(72)의 변형예>
상기 실시형태에서는, 도 2에 도시하는 바와 같이, 가스 분출구(72)로서 환형의 슬릿(78)을 형성한 경우를 예로 들어 설명했지만, 본 발명은 이것에 한정되지 않는다. 예컨대 도 6에 도시하는 바와 같이 구성하여도 좋다. 도 6은 가스 분출구의 변형예가 설치된 배치면의 상태를 도시하는 도면이다. 여기서는, 도 2에 도시하는 구성 부분과 동일한 구성 부분에 대해서는 동일한 참조 부호를 붙이고, 그 설명을 생략한다. 도 6에 도시하는 예에서는, 가스 분출구(72)로서, 배치대(32)의 둘레 방향을 따라 미리 정해진 간격으로 복수개의 토출 구멍(96)이 형성되어 있다.
복수개의 토출 구멍(96)의 간격은, 예컨대 토출 구멍(96)의 직경이 1 ㎜인 경우, 21 ㎜ 정도로 설정되고, 직경이 1.2 ㎜인 경우, 31 ㎜ 정도로 설정된다. 또한 동일한 피치인 것이 바람직하다. 동일한 피치이면, 각 토출 구멍(96)으로부터 균등하게 CO 가스가 방출된다. 도 6과 같은 예에서도, 앞에 설명한 실시형태와 유사한 작용 효과를 발휘할 수 있다.
<링 부재(64)의 변형예>
또한, 앞의 실시형태에서는, 도 4 및 도 5에 도시하는 바와 같이, 링 부재(64)의 내주단과 웨이퍼(W)의 에지 부분이 수평 방향에서 약간 이격되어 있지만, 이것에 한정되지 않는다. 예컨대 도 7의 A 및 도 7의 B는, 링 부재의 변형예를 설명하기 위한 배치대의 부분 확대 단면도이다. 여기서, 도 4 및 도 5에 도시하는 구성 부분과 동일한 구성 부분에 대해서는, 동일한 참조 부호를 붙이고 그 설명을 생략한다.
도 7의 A에 도시하는 경우에는, 링 부재(64)인 막 부착 방지용 커버링(66)의 내주단측이, 조금 내측으로 연장되어, 길이 L1만큼 웨이퍼(W)의 에지부와 수평 방향에서 중첩되도록 되어 있다. 이 예에서는, 커버링(66)과 웨이퍼(W)는, 높이 방향으로만 약간 이격된 비접촉 상태로 되어 있다.
이 예의 경우에는, 웨이퍼(W)의 베벨부(90)(주변부)의 외주면과 홈부(45)로 구획되는 가스 체류 공간(94)의 위쪽이, 커버링(66)의 내주단 부분에 의해 덮이게 된다(구획된다). 이 결과, 가스 체류 공간(94)에 체류하는 CO 가스의 시간이 길어지기 때문에, 그 만큼, 베벨부(90) 등에서의 불필요한 박막의 퇴적 억제 효과를 향상시킬 수 있다.
도 7의 B에 도시하는 경우에는, 링 부재(64)인 막 부착 방지용 커버링(66)이 약간 낮은 위치에 설치되고, 그 내주단측이 약간 내측으로 연장되어, 클램프링(98)으로서 기능하도록 되어 있다. 즉, 이 클램프링(98)의 내주단의 하면이, 웨이퍼(W)의 에지부의 상면과 약간 접촉하도록 되어 있고, 상기 상면을 배치대(32)측으로 더 압박할 수 있도록 되어 있다. 이 목적을 위해, 이 클램프링(98)의 내주단은, 테이퍼면(100)으로서 형성되는 것이 바람직하다.
이 예의 경우에는, 웨이퍼(W)의 베벨부(90)(주변부)의 외주면과 홈부(45)로 구획되는 가스 체류 공간(94)의 위쪽이, 클램프링(98)의 내주단 부분에 의해 거의 완전히 덮이게 된다(밀폐된다). 이 결과, 가스 체류 공간(94)에 체류하는 CO 가스의 시간이, 도 7의 A에 도시하는 경우보다 더 길어지기 때문에, 그 만큼, 베벨부(90) 등에서의 불필요한 박막의 퇴적 억제 효과를 더 향상시킬 수 있다.
<본 발명의 평가 실험>
다음에, 전술한 바와 같은 본 발명의 배치대 구조에 대해서 행해진 평가 실험과 그 결과에 대해서 설명한다. 도 8은 반도체 웨이퍼의 주변부(베벨부)에 퇴적된 박막의 두께를 도시하는 그래프이다. 여기서는, 도 4에 도시하는 배치대 구조를 이용하여 Ru막이 성막되었다. 그 프로세스 조건은 이하와 같았다. 배치대(32)의 온도는 215℃, 캐리어 가스(CO)의 유량은 100 sc㎝, 웨이퍼의 주변부에 공급되는 분해 억제 가스(CO 가스)의 유량은 0 sc㎝, 10 sc㎝, 100 sc㎝의 3종류, 성막 시간은 90 sec, 이용된 웨이퍼의 직경은 300 ㎜였다.
도 8의 그래프중, 횡축(웨이퍼 주변부의 위치)은, 웨이퍼 주변부의 웨이퍼 두께의 중심 위치를 0 ㎜로 하여, 그것으로부터 Front(상면측)를 "+"로 나타내며, Back side(이면측)를 "-"로 나타내고 있다. 도 8중에, 웨이퍼 위치를 도시하는 모식도도 병기되어 있다. 또한, 종축(상대 막 두께)은 퇴적된 Ru막의 상대 막 두께를 임의 단위(arbitrary unit=a.u.)로 나타내고, XRF(형광 X선 분석 장치)를 이용하여 측정된 것이다.
도 8에 도시하는 바와 같이, 웨이퍼 주변부에 공급된 분해 억제 가스인 CO 가스의 유량이 10 sc㎝인 경우에는, 막 두께의 프로필은 분해 억제 가스(CO 가스)가 제로(0 sc㎝)인 경우와 거의 동일하고, 양측 막 두께 곡선은 거의 중첩되어 있다. 즉, Ru막의 퇴적 억제 효과는 거의 생기지 않는다.
이것에 대하여, 분해 억제 가스인 CO 가스의 유량이 100 sc㎝였던 경우에는, 화살표(110)로 도시하는 바와 같이, 웨이퍼 주변부에서의 Ru막의 퇴적량은 꽤 저하된 것을 알 수 있다. 이 경우, 웨이퍼 주변부의 상면측(+측)에서는 0.05[a.u.] 정도밖에 막 두께가 저하되어 있지 않지만, 웨이퍼 주변부의 위치가 0 ㎜보다 "-"측이 되면, 최대 0.2[a.u.] 정도 막 두께는 저하되어 있고, Ru막의 퇴적 억제 효과가 충분히 발휘되어 양호한 결과를 얻을 수 있는 것을 확인할 수 있다. 따라서, 웨이퍼 주변부에서, 1.06 sc㎝/㎝(단위 길이당 유량)[=100 sc㎝/(30 ㎝×π)] 정도의 분해 억제 가스를 흘리면, 본 발명의 효과를 충분히 발휘할 수 있는 것을 알 수 있다.
<원료 가스>
또한, 이상의 각 실시형태에서는, 원료 가스로서 금속 카르보닐 원료인 Ru3(CO)12을 이용한 경우를 예로 들어 설명했지만, 이것에 한정되지 않는다. 금속 카르보닐 원료 가스로서는, Ru3(CO)12, W(CO)6, Ni(CO)4, Mo(CO)6, Co2(CO)8, Rh4(CO)12, Re2(CO)10, Cr(CO)6, Os3(CO)12, Ta(CO)5로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1개 또는 복수개의 재료를 이용할 수 있다.
<피처리체>
또한, 이상의 각 실시형태에서는, 피처리체로서 반도체 웨이퍼를 예로 들어 설명했지만, 반도체 웨이퍼로서는, 실리콘 기판이나 GaAs, SiC, GaN 등의 화합물 반도체 기판이 포함된다. 더 나아가서는, 본 발명은, 이들 기판에의 적용에 한정되지 않고, 액정 표시 장치에 이용하는 유리 기판이나 세라믹 기판 등에도 적용할 수 있다.

Claims (18)

  1. 가역성을 갖는 열분해 반응을 발생시키는 원료 가스를 이용하여 처리 용기 내에서 피처리체에 대하여 박막을 형성하기 위해, 상기 처리 용기 내에 설치되어 상기 피처리체를 배치하는 배치대 구조에 있어서,
    그 상면인 배치면에 상기 피처리체를 배치하기 위한 배치대와,
    상기 배치대 내에 설치된, 상기 원료 가스의 열분해를 억제하는 분해 억제 가스를 상기 배치대의 배치면에 배치되는 상기 피처리체의 주변부를 향해 공급하기 위한 분해 억제 가스 공급 수단
    을 포함한 것을 특징으로 하는 배치대 구조.
  2. 제1항에 있어서, 상기 분해 억제 가스 공급 수단은,
    상기 배치대의 배치면에 배치되는 상기 피처리체의 주변부에 대응하는 부분에, 상기 주변부의 둘레 방향을 따라 형성된 가스 분출구와,
    상기 가스 분출구에 연통된 가스 유로와,
    상기 가스 유로에 접속된, 상기 분해 억제 가스를 저류하는 분해 억제 가스원
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 배치대 구조.
  3. 제2항에 있어서, 상기 가스 분출구는, 상기 배치대 내에 그 둘레 방향을 따라 형성된 환형의 확산실을 통해, 상기 가스 유로에 연통되어 있는 것을 특징으로 하는 배치대 구조.
  4. 제2항 또는 제3항에 있어서, 상기 가스 분출구는, 상기 배치대의 둘레 방향을 따라 형성된 환형의 슬릿을 포함하는 것을 특징으로 하는 배치대 구조.
  5. 제2항 또는 제3항에 있어서, 상기 가스 분출구는, 상기 배치대의 둘레 방향을 따라 미리 정해진 간격으로 형성된 복수의 토출 구멍을 포함하는 것을 특징으로 하는 배치대 구조.
  6. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 배치면에는, 상기 피처리체를 수용하기 위해, 상기 피처리체의 두께에 상당하는 깊이의 배치 오목부가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 배치대 구조.
  7. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 배치면에는, 일시적으로 상기 분해 억제 가스를 체류시키는 가스 체류 공간을 형성하기 위한 홈부가, 둘레 방향을 따라 환형으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 배치대 구조.
  8. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 배치대에는, 상기 피처리체의 외주측에 위치하도록, 박판 링형상으로 이루어진 링 부재가 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 배치대 구조.
  9. 제8항에 있어서, 상기 링 부재는, 승강 가능하게 구성되어 있고, 그 내주단(內周端)이 상기 피처리체의 주변부의 상면과 접촉하여 이것을 압박하는 클램프링으로서 기능하도록 되어 있는 것을 특징으로 하는 배치대 구조.
  10. 제8항에 있어서, 상기 링 부재는, 상기 링 부재의 배치 위치에 상기 박막이 형성되는 것을 방지하는 막 부착 방지용 커버링으로서 기능하도록 되어 있는 것을 특징으로 하는 배치대 구조.
  11. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 배치대 내에는, 상기 피처리체를 가열하는 가열 수단이 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 배치대 구조.
  12. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 분해 억제 가스는, 상기 원료 가스가 열분해 반응에 의해 발생하는 가스 성분과 동일한 가스종인 것을 특징으로 하는 배치대 구조.
  13. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 원료 가스는, 금속 카르보닐 원료 가스인 것을 특징으로 하는 배치대 구조.
  14. 제13항에 있어서, 상기 금속 카르보닐 원료 가스는 Ru3(CO)12, W(CO)6, Ni(CO)4, Mo(CO)6, Co2(CO)8, Rh4(CO)12, Re2(CO)10, Cr(CO)6, Os3(CO)12, Ta(CO)5로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1개 또는 복수개의 재료로 이루어지는 것을 특징으로 하는 배치대 구조.
  15. 피처리체에 대하여 박막을 형성하기 위한 성막 장치에 있어서,
    배기 가능하게 이루어진 처리 용기와,
    제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 기재된 배치대 구조와,
    가역성을 갖는 열분해 반응을 발생시키는 원료 가스를 상기 처리 용기 내에 도입하는 가스 도입 수단
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 성막 장치.
  16. 가역성을 갖는 열분해 반응을 발생시키는 원료 가스를 이용하여, 처리 용기 내의 배치대 위에 배치된 피처리체에 대하여 박막을 형성하는 성막 방법에 있어서,
    상기 처리 용기 내에 상기 원료 가스를 도입할 때에, 상기 피처리체의 주변부를 향해 상기 원료 가스의 열분해를 억제하는 분해 억제 가스를 공급하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 성막 방법.
  17. 제16항에 있어서, 상기 원료 가스는 금속 카르보닐 원료 가스인 것을 특징으로 하는 성막 방법.
  18. 제17항에 있어서, 상기 금속 카르보닐 원료 가스는 Ru3(CO)12, W(CO)6, Ni(CO)4, Mo(CO)6, Co2(CO)8, Rh4(CO)12, Re2(CO)10, Cr(CO)6, Os3(CO)12, Ta(CO)5로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1개 또는 복수개의 재료로 이루어지는 것을 특징으로 하는 성막 방법.
KR1020107027538A 2008-08-05 2009-08-04 배치대 구조, 성막 장치 및 성막 방법 KR101210210B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2008-202450 2008-08-05
JP2008202450 2008-08-05

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20110014185A KR20110014185A (ko) 2011-02-10
KR101210210B1 true KR101210210B1 (ko) 2012-12-07

Family

ID=41663717

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020107027538A KR101210210B1 (ko) 2008-08-05 2009-08-04 배치대 구조, 성막 장치 및 성막 방법

Country Status (5)

Country Link
US (2) US20110263123A1 (ko)
JP (1) JP5699425B2 (ko)
KR (1) KR101210210B1 (ko)
CN (1) CN102112649A (ko)
WO (1) WO2010016499A1 (ko)

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5707766B2 (ja) * 2010-07-28 2015-04-30 住友電気工業株式会社 サセプタおよび半導体製造装置
US11437269B2 (en) 2012-03-27 2022-09-06 Novellus Systems, Inc. Tungsten feature fill with nucleation inhibition
US9460915B2 (en) * 2014-09-12 2016-10-04 Lam Research Corporation Systems and methods for reducing backside deposition and mitigating thickness changes at substrate edges
US9528184B2 (en) * 2015-02-13 2016-12-27 Eastman Kodak Company Atomic-layer deposition method using compound gas jet
US9506147B2 (en) * 2015-02-13 2016-11-29 Eastman Kodak Company Atomic-layer deposition apparatus using compound gas jet
JP6419644B2 (ja) * 2015-05-21 2018-11-07 東京エレクトロン株式会社 金属ナノドットの形成方法、金属ナノドット形成装置及び半導体装置の製造方法
KR102552932B1 (ko) 2016-01-19 2023-07-10 삼성디스플레이 주식회사 어플리케이션 프로세서 및 이를 포함하는 표시 장치
JP6740084B2 (ja) * 2016-10-25 2020-08-12 株式会社ニューフレアテクノロジー 気相成長装置、環状ホルダ、及び、気相成長方法
WO2019106979A1 (ja) * 2017-11-28 2019-06-06 東京エレクトロン株式会社 処理装置
US20210375591A1 (en) * 2018-04-20 2021-12-02 Lam Research Corporation Edge exclusion control
JP7094172B2 (ja) * 2018-07-20 2022-07-01 東京エレクトロン株式会社 成膜装置、原料供給装置及び成膜方法
JP7014303B2 (ja) * 2018-09-05 2022-02-01 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法及び基板処理装置
JP7149786B2 (ja) * 2018-09-20 2022-10-07 東京エレクトロン株式会社 載置ユニット及び処理装置
JP7093850B2 (ja) * 2018-12-03 2022-06-30 株式会社アルバック 成膜装置及び成膜方法
JP7224175B2 (ja) * 2018-12-26 2023-02-17 東京エレクトロン株式会社 成膜装置及び方法
JP2021012952A (ja) * 2019-07-05 2021-02-04 東京エレクトロン株式会社 載置台、基板処理装置及び載置台の組立方法
JP2021064695A (ja) 2019-10-11 2021-04-22 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
CN116288281A (zh) 2020-02-11 2023-06-23 朗姆研究公司 用于控制晶片晶边/边缘上的沉积的承载环设计
US20230002894A1 (en) * 2021-07-01 2023-01-05 Applied Materials, Inc. Shadow ring lift to improve wafer edge performance
WO2023134039A1 (zh) * 2022-01-12 2023-07-20 北京北方华创微电子装备有限公司 半导体工艺设备及其承载装置

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100243784B1 (ko) * 1990-12-05 2000-02-01 조셉 제이. 스위니 웨이퍼의 전방부 모서리와후방부에서의 증착을 방지하는 cvd웨이퍼 처리용 수동 실드
US5304248A (en) 1990-12-05 1994-04-19 Applied Materials, Inc. Passive shield for CVD wafer processing which provides frontside edge exclusion and prevents backside depositions
US5919310A (en) * 1991-10-07 1999-07-06 Canon Kabushiki Kaisha Continuously film-forming apparatus provided with improved gas gate means
JP2582105Y2 (ja) * 1993-02-10 1998-09-30 沖電気工業株式会社 化学気相成長装置
US6033480A (en) * 1994-02-23 2000-03-07 Applied Materials, Inc. Wafer edge deposition elimination
US5960555A (en) * 1996-07-24 1999-10-05 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for purging the back side of a substrate during chemical vapor processing
US6007634A (en) * 1997-09-02 1999-12-28 Inco Limited Vapor deposition apparatus
US6040011A (en) * 1998-06-24 2000-03-21 Applied Materials, Inc. Substrate support member with a purge gas channel and pumping system
US6258220B1 (en) * 1998-11-30 2001-07-10 Applied Materials, Inc. Electro-chemical deposition system
US6159299A (en) * 1999-02-09 2000-12-12 Applied Materials, Inc. Wafer pedestal with a purge ring
JP4288767B2 (ja) * 1999-07-07 2009-07-01 東京エレクトロン株式会社 半導体装置の製造方法
JP2001053030A (ja) * 1999-08-11 2001-02-23 Tokyo Electron Ltd 成膜装置
JP4422295B2 (ja) * 2000-05-17 2010-02-24 キヤノンアネルバ株式会社 Ｃｖｄ装置
JP4720029B2 (ja) * 2001-06-19 2011-07-13 東京エレクトロン株式会社 枚葉式の熱処理装置
US7070660B2 (en) * 2002-05-03 2006-07-04 Asm America, Inc. Wafer holder with stiffening rib
US7910165B2 (en) * 2002-06-04 2011-03-22 Applied Materials, Inc. Ruthenium layer formation for copper film deposition
JP2004217956A (ja) * 2003-01-09 2004-08-05 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
US20050092439A1 (en) * 2003-10-29 2005-05-05 Keeton Tony J. Low/high temperature substrate holder to reduce edge rolloff and backside damage
US7270848B2 (en) * 2004-11-23 2007-09-18 Tokyo Electron Limited Method for increasing deposition rates of metal layers from metal-carbonyl precursors
US7288479B2 (en) * 2005-03-31 2007-10-30 Tokyo Electron Limited Method for forming a barrier/seed layer for copper metallization
US7396766B2 (en) * 2005-03-31 2008-07-08 Tokyo Electron Limited Low-temperature chemical vapor deposition of low-resistivity ruthenium layers
US7713876B2 (en) * 2005-09-28 2010-05-11 Tokyo Electron Limited Method for integrating a ruthenium layer with bulk copper in copper metallization
US7446859B2 (en) * 2006-01-27 2008-11-04 International Business Machines Corporation Apparatus and method for reducing contamination in immersion lithography
US20070218200A1 (en) * 2006-03-16 2007-09-20 Kenji Suzuki Method and apparatus for reducing particle formation in a vapor distribution system
GB0607668D0 (en) * 2006-04-18 2006-05-31 Riso Nat Lab Use of decomposable vehicles or solvents in printing or coating compositions
US7674710B2 (en) * 2006-11-20 2010-03-09 Tokyo Electron Limited Method of integrating metal-containing films into semiconductor devices
WO2009060912A1 (ja) * 2007-11-08 2009-05-14 Sumco Corporation エピタキシャル膜成長方法、ウェーハ支持構造およびサセプタ

Also Published As

Publication number Publication date
US9976217B2 (en) 2018-05-22
KR20110014185A (ko) 2011-02-10
JP2010059542A (ja) 2010-03-18
WO2010016499A1 (ja) 2010-02-11
CN102112649A (zh) 2011-06-29
JP5699425B2 (ja) 2015-04-08
US20150044368A1 (en) 2015-02-12
US20110263123A1 (en) 2011-10-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101210210B1 (ko) 배치대 구조, 성막 장치 및 성막 방법
KR100335970B1 (ko) 열처리 장치
KR100728401B1 (ko) 샤워 헤드 및 이것을 이용한 성막장치
JP4422295B2 (ja) Ｃｖｄ装置
JP2918785B2 (ja) 改良された化学気相蒸着チャンバおよび方法
JP5778132B2 (ja) 成膜装置
JP4564498B2 (ja) 基板処理装置、半導体装置の製造方法及び基板処理方法
JP5445252B2 (ja) 成膜装置
TWI737868B (zh) 成膜裝置及成膜方法
JP2002518601A (ja) パージガスチャネル及びポンプシステムを有する基板支持装置
KR20090067187A (ko) Ｔｉ계 막의 성막 방법 및 기억 매체
KR102388169B1 (ko) RuSi막의 형성 방법 및 성막 장치
JP5303984B2 (ja) 成膜装置及び成膜方法
KR20130093029A (ko) 가스 공급 장치 및 열처리 장치
TW200849398A (en) Method of forming film and film forming apparatus
KR101324208B1 (ko) 기판 처리 장치
JP7325261B2 (ja) 基板処理方法及び基板処理装置
JP5164950B2 (ja) Ｃｖｄ装置
JP2006274316A (ja) 基板処理装置
US20130115367A1 (en) Method for forming ruthenium oxide film
KR101374300B1 (ko) 배기부재와 이를 이용한 기판 처리 장치 및 방법
JP2009206180A (ja) 成膜装置及び成膜方法
JP4543611B2 (ja) プリコート層の形成方法及び成膜方法
KR20210158171A (ko) 기판처리방법 및 이에 사용되는 기판처리장치
JP2006083406A (ja) 基板処理装置、基板載置台および基板処理方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20151118

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20161122

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20171120

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20181119

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20191118

Year of fee payment: 8