JP7094172B2 - 成膜装置、原料供給装置及び成膜方法 - Google Patents
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Description
第1の実施形態の成膜装置について、化学気相堆積(CVD:Chemical Vapor Deposition)法によりルテニウム(Ru)膜を成膜する装置を例に挙げて説明する。図1は、第1の実施形態の成膜装置の構成例を示す概略図である。
第2の実施形態の成膜装置について説明する。図2は、第2の実施形態の成膜装置の構成例を示す概略図である。
第3の実施形態の成膜装置について説明する。図3は、第3の実施形態の成膜装置の構成例を示す概略図である。
10 処理容器
40 ガス供給機構
42 原料容器
44 ヒータ
46 キャリアガス供給配管
48 原料ガス供給配管
481 第1直管部
482 第1屈曲部
483 第2直管部
484 第2屈曲部
485 第3直管部
50 測定部
501 キャパシタンスマノメータ
502 FTIR
54 エバック配管
60 制御部
70 第2の測定部
701 キャパシタンスマノメータ
702 FTIR
C 中心軸線
V3 開閉弁
V5 開閉弁
W ウエハ
Claims (17)
- 低蒸気圧原料から発生させた原料ガスをキャリアガスにより処理容器に搬送して基板に膜を形成する成膜装置であって、
前記低蒸気圧原料を収容して加熱する原料容器と、
前記原料容器に前記キャリアガスを供給する第1のガス配管と、
前記原料容器と前記処理容器とを接続する第2のガス配管と、
前記第2のガス配管に設けられた開閉弁と、
前記第2のガス配管を流れる前記原料ガスの流量を測定する測定部と、
を備え、
前記第2のガス配管は、前記処理容器の中心軸線上に配置され、
前記原料容器は、前記処理容器の中心軸線に対してオフセットされて配置され、
前記第2のガス配管は、複数の直管部と、前記複数の直管部を接続する複数の屈曲部と、を含み、
前記複数の直管部のうち一端が前記処理容器と接続される一の直管部の配管長は、他の直管部の配管長よりも長い、
成膜装置。 - 前記原料容器は、前記処理容器よりも高い位置に配置されている、
請求項1に記載の成膜装置。 - 前記原料容器の幅は、前記処理容器の幅以内である、
請求項1又は2に記載の成膜装置。 - 前記開閉弁の開度を制御する制御部を更に備え、
前記制御部は、前記測定部により測定された前記原料ガスの流量に基づいて、前記開閉弁の開度を制御する、
請求項1乃至3のいずれか一項に記載の成膜装置。 - 前記制御部は、前記測定部により測定された前記原料ガスの流量が予め定められた設定流量よりも小さい場合、前記開閉弁の開度が大きくなるように制御する、
請求項4に記載の成膜装置。 - 前記制御部は、前記測定部により測定された前記原料ガスの流量が予め定められた設定流量よりも大きい場合、前記開閉弁の開度が小さくなるように制御する、
請求項4に記載の成膜装置。 - 前記第2のガス配管の途中から分岐して設けられ、前記第2のガス配管を排気するエバック配管を更に備え、
前記開閉弁及び前記測定部は、前記エバック配管の分岐点よりも前記処理容器に近い側に設けられている、
請求項4乃至6のいずれか一項に記載の成膜装置。 - 前記エバック配管に設けられた第2の開閉弁と、
前記エバック配管を流れる前記原料ガスの流量を測定する第2の測定部と、
を更に備える、
請求項7に記載の成膜装置。 - 前記制御部は、前記第2の測定部により測定された前記原料ガスの流量に基づいて、前記第2の開閉弁の開度を制御する、
請求項8に記載の成膜装置。 - 前記制御部は、前記第2の開閉弁の開度に基づいて、前記開閉弁の開度を制御する、
請求項9に記載の成膜装置。 - 前記第2のガス配管の途中から分岐して前記第2のガス配管を排気するエバック配管を更に備え、
前記開閉弁及び前記測定部は、前記エバック配管の分岐点よりも前記原料容器に近い側に設けられている、
請求項4乃至6のいずれか一項に記載の成膜装置。 - 前記制御部は、前記測定部により測定された前記原料ガスの流量に基づいて、前記原料容器内の前記低蒸気圧原料の残量を算出する、
請求項4乃至11のいずれか一項に記載の成膜装置。 - 前記測定部は、フーリエ変換赤外分光光度計及びキャパシタンスマノメータを含む、
請求項1乃至12のいずれか一項に記載の成膜装置。 - 前記低蒸気圧原料は、Ru3(CO)12であり、
前記キャリアガスは、COガスである、
請求項1乃至13のいずれか一項に記載の成膜装置。 - 低蒸気圧原料から発生させた原料ガスをキャリアガスにより処理容器に搬送する原料供給装置であって、
前記低蒸気圧原料を収容して加熱する原料容器と、
前記原料容器に前記キャリアガスを供給する第1のガス配管と、
前記原料容器と前記処理容器とを接続する第2のガス配管と、
前記第2のガス配管に設けられた開閉弁と、
前記第2のガス配管を流れる前記原料ガスの流量を測定する測定部と、
を備え、
前記第2のガス配管は、前記処理容器の中心軸線上に配置され、
前記原料容器は、前記処理容器の中心軸線に対してオフセットされて配置され、
前記第2のガス配管は、複数の直管部と、前記複数の直管部を接続する複数の屈曲部と、を含み、
前記複数の直管部のうち一端が前記処理容器と接続される一の直管部の配管長は、他の直管部の配管長よりも長い、
原料供給装置。 - 低蒸気圧原料から発生させた原料ガスをキャリアガスにより処理容器に搬送して基板に膜を形成する成膜方法であって、
前記処理容器の中心軸線に対してオフセットされて配置された原料容器に収容された低蒸気圧原料を加熱して原料ガスを発生させる工程と、
第1のガス配管を介して前記原料容器にキャリアガスを供給する工程と、
前記処理容器の中心軸線上に配置された第2のガス配管を介して前記処理容器に前記原料ガス及び前記キャリアガスを搬送する工程と、
を有し、
前記第2のガス配管は、複数の直管部と、前記複数の直管部を接続する複数の屈曲部と、を含み、
前記複数の直管部のうち一端が前記処理容器と接続される一の直管部の配管長は、他の直管部の配管長よりも長い、
成膜方法。 - 前記原料容器にキャリアガスを供給する工程における前記キャリアガスの流量は一定である、
請求項16に記載の成膜方法。
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