JPH09296269A - 銅薄膜の形成方法 - Google Patents
銅薄膜の形成方法Info
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- JPH09296269A JPH09296269A JP10974696A JP10974696A JPH09296269A JP H09296269 A JPH09296269 A JP H09296269A JP 10974696 A JP10974696 A JP 10974696A JP 10974696 A JP10974696 A JP 10974696A JP H09296269 A JPH09296269 A JP H09296269A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 良好な膜質を有し、かつ高速成膜が可能な銅
薄膜の形成方法を提供しようとするものである。 【解決手段】 β−ジケトン銅錯体ガスを熱分解させて
前記反応容器内に配置した基板上に銅薄膜を堆積する銅
薄膜の形成方法において、水素ガス、酸素ガス、これら
の混合ガスおよび水蒸気から選ばれる反応促進ガスを前
記β−ジケトン銅錯体ガスと共に前記反応容器内に導入
することを特徴としている。
薄膜の形成方法を提供しようとするものである。 【解決手段】 β−ジケトン銅錯体ガスを熱分解させて
前記反応容器内に配置した基板上に銅薄膜を堆積する銅
薄膜の形成方法において、水素ガス、酸素ガス、これら
の混合ガスおよび水蒸気から選ばれる反応促進ガスを前
記β−ジケトン銅錯体ガスと共に前記反応容器内に導入
することを特徴としている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、配線材料等に用い
られる銅薄膜の形成方法に関する。
られる銅薄膜の形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体装置において配線材料とし
てアルミニウムに代わって低抵抗の銅を使用することが
試みられている。銅薄膜は、従来より真空蒸着法やスパ
ッタリング法により基板上に形成されている。しかしな
がら、これらの方法では銅の回り込み性が劣るために半
導体装置の配線間を接続するスルホールや回路基板のビ
アホール内に銅を埋め込むことが困難であった。
てアルミニウムに代わって低抵抗の銅を使用することが
試みられている。銅薄膜は、従来より真空蒸着法やスパ
ッタリング法により基板上に形成されている。しかしな
がら、これらの方法では銅の回り込み性が劣るために半
導体装置の配線間を接続するスルホールや回路基板のビ
アホール内に銅を埋め込むことが困難であった。
【０００３】このようなことから、化学気相成長法を用
いて銅薄膜を形成することが検討されている。この化学
気相成長法は、銅の有機化合物であるβ−ジケトン錯体
溶液を気化したガスを反応容器内で熱分解することによ
り基板上に銅を堆積する方法である。このような化学気
相成長法では、原料ガスの熱分解により銅を堆積するた
め、前述したスパッタリング法に比べて堆積される銅の
回り込み性が良好で、前記コンタクトホールやビアホー
ル内にボイド等を生じることなく埋め込むことができ
る。しかしながら、この化学気相成長法は銅の成膜速度
が非常に遅いという問題があった。
いて銅薄膜を形成することが検討されている。この化学
気相成長法は、銅の有機化合物であるβ−ジケトン錯体
溶液を気化したガスを反応容器内で熱分解することによ
り基板上に銅を堆積する方法である。このような化学気
相成長法では、原料ガスの熱分解により銅を堆積するた
め、前述したスパッタリング法に比べて堆積される銅の
回り込み性が良好で、前記コンタクトホールやビアホー
ル内にボイド等を生じることなく埋め込むことができ
る。しかしながら、この化学気相成長法は銅の成膜速度
が非常に遅いという問題があった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、良好な膜質
を有し、かつ高速成膜が可能な銅薄膜の形成方法を提供
しようとするものである。
を有し、かつ高速成膜が可能な銅薄膜の形成方法を提供
しようとするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明に係わる銅薄膜の
形成方法は、β−ジケトン銅錯体ガスを熱分解させて前
記反応容器内に配置した基板上に銅薄膜を堆積する銅薄
膜の形成方法において、水素ガス、酸素ガス、これらの
混合ガスおよび水蒸気から選ばれる反応促進ガスを前記
β−ジケトン銅錯体ガスと共に前記反応容器内に導入す
ることを特徴とするものである。
形成方法は、β−ジケトン銅錯体ガスを熱分解させて前
記反応容器内に配置した基板上に銅薄膜を堆積する銅薄
膜の形成方法において、水素ガス、酸素ガス、これらの
混合ガスおよび水蒸気から選ばれる反応促進ガスを前記
β−ジケトン銅錯体ガスと共に前記反応容器内に導入す
ることを特徴とするものである。
【０００６】
【発明に実施の形態】以下、本発明に係わる銅薄膜の形
成方法を図面を参照して詳細に説明する。図１は、本発
明の銅薄膜の形成に用いられる成膜装置を示す概略図で
ある。反応容器１内には、ヒータ２が内蔵された基板載
置台３が配置されている。β−ジケトン銅錯体溶液４が
収容された第１槽５は、配管６を介して第１液体流量制
御器７に連結されている。なお、前記配管６の一端は、
前記第１槽５内の前記錯体溶液４に浸漬されている。不
活性ガス、例えばＡｒガスの供給管８は、その先端が前
記第１槽５内の前記錯体溶液４上部空間に挿入されてい
る。前記第１液体流量制御器７は、配管９を介して気化
器１０に連結されている。この気化器１０には、導入管
１１が連結されている。前記導入管１１は、前記反応容
器１の上部に先端が前記載置台３の近傍に位置するよう
に挿入されている。水（Ｈ2 Ｏ）１２が収容された第２
槽１３は、配管１４を介して第２液体流量制御器１５に
連結されている。この第２液体流量制御器１５は、反応
促進ガス供給管１６を介して前記導入管１１に連結され
ている。前記反応容器１には、排気管１７が連結され、
かつこの排気管１７の他端には図示しない真空ポンプが
連結されている。
成方法を図面を参照して詳細に説明する。図１は、本発
明の銅薄膜の形成に用いられる成膜装置を示す概略図で
ある。反応容器１内には、ヒータ２が内蔵された基板載
置台３が配置されている。β−ジケトン銅錯体溶液４が
収容された第１槽５は、配管６を介して第１液体流量制
御器７に連結されている。なお、前記配管６の一端は、
前記第１槽５内の前記錯体溶液４に浸漬されている。不
活性ガス、例えばＡｒガスの供給管８は、その先端が前
記第１槽５内の前記錯体溶液４上部空間に挿入されてい
る。前記第１液体流量制御器７は、配管９を介して気化
器１０に連結されている。この気化器１０には、導入管
１１が連結されている。前記導入管１１は、前記反応容
器１の上部に先端が前記載置台３の近傍に位置するよう
に挿入されている。水（Ｈ2 Ｏ）１２が収容された第２
槽１３は、配管１４を介して第２液体流量制御器１５に
連結されている。この第２液体流量制御器１５は、反応
促進ガス供給管１６を介して前記導入管１１に連結され
ている。前記反応容器１には、排気管１７が連結され、
かつこの排気管１７の他端には図示しない真空ポンプが
連結されている。
【０００７】なお、前記気化器１０内、導入管１１、反
応促進ガス供給管１６、第２槽１３、配管１４および第
２液体流量制御器１５の周囲には図示しないヒータが配
置されている。
応促進ガス供給管１６、第２槽１３、配管１４および第
２液体流量制御器１５の周囲には図示しないヒータが配
置されている。
【０００８】次に、前述した成膜装置を用いて銅薄膜の
形成方法を説明する。まず、前記基板載置台３上に基板
１８を載置する。つづいて、前記載置台３に内蔵したヒ
ータ２に通電して前記基板１８を加熱した後、図示しな
い真空ポンプを作動して前記反応容器１内のガスを排気
管１７を通して排気して所定の真空度に保持する。ひき
つづき、前記気化器１０および導入管１１に配置された
図示しないヒータに通電して前記気化器１０および導入
管１１を所定の温度に加熱した後、Ａｒ供給管８からＡ
ｒガスを前記第１槽５内に供給して圧力を高めることに
より前記第１槽５内に収容されたβ−ジケトン銅錯体溶
液４を配管６を通して第１液体流量制御器７に供給す
る。β−ジケトン銅錯体溶液は、前記第１液体流量制御
器７で所望の流量に制御され、前記気化器１０内に供給
されて一定量のβ−ジケトン銅錯体ガス（原料ガス）と
して前記導入管１１に供給される。
形成方法を説明する。まず、前記基板載置台３上に基板
１８を載置する。つづいて、前記載置台３に内蔵したヒ
ータ２に通電して前記基板１８を加熱した後、図示しな
い真空ポンプを作動して前記反応容器１内のガスを排気
管１７を通して排気して所定の真空度に保持する。ひき
つづき、前記気化器１０および導入管１１に配置された
図示しないヒータに通電して前記気化器１０および導入
管１１を所定の温度に加熱した後、Ａｒ供給管８からＡ
ｒガスを前記第１槽５内に供給して圧力を高めることに
より前記第１槽５内に収容されたβ−ジケトン銅錯体溶
液４を配管６を通して第１液体流量制御器７に供給す
る。β−ジケトン銅錯体溶液は、前記第１液体流量制御
器７で所望の流量に制御され、前記気化器１０内に供給
されて一定量のβ−ジケトン銅錯体ガス（原料ガス）と
して前記導入管１１に供給される。
【０００９】一方、前記反応促進ガス供給管１６、第２
槽１３、配管１４および第２液体流量制御器１５の周囲
に配置した図示しないヒータに通電して所定の温度に加
熱することにより、前記第２槽１３内の水が蒸気化さ
れ、発生した水蒸気は配管１４を通して第２液体流量制
御器１５に供給され、ここで流量調整され、さらに反応
促進ガス供給管１６を通して前記導入管１１に導入され
る。この導入管１１で前記気化器１０からのβ−ジケト
ン銅錯体ガス（原料ガス）と前記水蒸気（反応促進ガ
ス）とが混合され、混合ガスは前記反応容器１内に導入
される。混合ガスが前記反応容器１内に導入されると、
前記原料ガスが所定温度に加熱された前記基板１８上で
速やかに分解されて銅が堆積され、銅薄膜が形成され
る。
槽１３、配管１４および第２液体流量制御器１５の周囲
に配置した図示しないヒータに通電して所定の温度に加
熱することにより、前記第２槽１３内の水が蒸気化さ
れ、発生した水蒸気は配管１４を通して第２液体流量制
御器１５に供給され、ここで流量調整され、さらに反応
促進ガス供給管１６を通して前記導入管１１に導入され
る。この導入管１１で前記気化器１０からのβ−ジケト
ン銅錯体ガス（原料ガス）と前記水蒸気（反応促進ガ
ス）とが混合され、混合ガスは前記反応容器１内に導入
される。混合ガスが前記反応容器１内に導入されると、
前記原料ガスが所定温度に加熱された前記基板１８上で
速やかに分解されて銅が堆積され、銅薄膜が形成され
る。
【００１０】前記β−ジケトン銅錯体としては、例えば
ヘキサフルオロアセチルアセトナト銅トリメチルビニル
シラン（Ｃ10Ｈ13ＣｕＦ6 Ｏ2 Ｓｉ）、ヘキサフルオロ
アセチルアセトナト銅ビストリメチルシリルエチレン
（Ｃ13Ｈ21ＣｕＦ6 Ｏ2 Ｓｉ2）、ヘキサフルオロアセ
チルアセトナト銅ジエチルアセチレン（Ｃ11Ｈ11ＣｕＦ
6 Ｏ2 ）等を用いることができる。
ヘキサフルオロアセチルアセトナト銅トリメチルビニル
シラン（Ｃ10Ｈ13ＣｕＦ6 Ｏ2 Ｓｉ）、ヘキサフルオロ
アセチルアセトナト銅ビストリメチルシリルエチレン
（Ｃ13Ｈ21ＣｕＦ6 Ｏ2 Ｓｉ2）、ヘキサフルオロアセ
チルアセトナト銅ジエチルアセチレン（Ｃ11Ｈ11ＣｕＦ
6 Ｏ2 ）等を用いることができる。
【００１１】前記反応促進ガスは、水蒸気の他に、水素
ガス、酸素ガスまたはこれらの混合ガスを用いることが
できる。なお、反応促進ガスとして水蒸気を用いる場合
には成膜された銅薄膜中に酸化物が取り込まれるのを防
止する観点から反応容器内での分圧を１ｔｏｒｒ以下に
することが好ましい。また、反応促進ガスとして酸素ガ
スまたは酸素を含む混合ガスを用いる場合には成膜され
た銅薄膜中に酸化物が取り込まれるのを防止する観点か
ら反応容器内での酸素ガス分圧を３ｔｏｒｒ以下にする
ことが好ましい。ただし、反応促進ガスとして水素ガス
を用いる場合には特にその上限は制限されない。
ガス、酸素ガスまたはこれらの混合ガスを用いることが
できる。なお、反応促進ガスとして水蒸気を用いる場合
には成膜された銅薄膜中に酸化物が取り込まれるのを防
止する観点から反応容器内での分圧を１ｔｏｒｒ以下に
することが好ましい。また、反応促進ガスとして酸素ガ
スまたは酸素を含む混合ガスを用いる場合には成膜され
た銅薄膜中に酸化物が取り込まれるのを防止する観点か
ら反応容器内での酸素ガス分圧を３ｔｏｒｒ以下にする
ことが好ましい。ただし、反応促進ガスとして水素ガス
を用いる場合には特にその上限は制限されない。
【００１２】前記基板の加熱温度は、１２０〜２２０℃
にすることが好ましい。前記基板の加熱温度を１２０℃
未満にすると、前記原料ガスの熱分解が進行せず、銅の
堆積（成膜）が困難になる。一方、前記基板の加熱温度
が２２０℃を越えると銅が粒状に前記基板に堆積されて
膜形成が困難になるばかりか、前記錯体の成分、例えば
炭素が取り込まれる恐れがある。
にすることが好ましい。前記基板の加熱温度を１２０℃
未満にすると、前記原料ガスの熱分解が進行せず、銅の
堆積（成膜）が困難になる。一方、前記基板の加熱温度
が２２０℃を越えると銅が粒状に前記基板に堆積されて
膜形成が困難になるばかりか、前記錯体の成分、例えば
炭素が取り込まれる恐れがある。
【００１３】前記気化器１０および導入管１１の周囲、
並びに前記反応促進ガス供給管１６、第２槽１３、配管
１４および第２液体流量制御器１５の周囲は、４０〜９
０℃に加熱することがことが好ましい。
並びに前記反応促進ガス供給管１６、第２槽１３、配管
１４および第２液体流量制御器１５の周囲は、４０〜９
０℃に加熱することがことが好ましい。
【００１４】以上説明した本発明によれば、β−ジケト
ン銅錯体溶液を気化させた原料ガスと水素ガス、酸素ガ
ス、これらの混合ガスおよび水蒸気から選ばれる反応促
進ガスとを反応容器内に導入することによって、前記反
応促進ガスがβ−ジケトン銅錯体ガスの熱分解を促進す
る触媒として作用するため、前記銅錯体を前記反応容器
内の加熱された基板近傍で速やかに分解でき、前記基板
表面に銅を高速で成膜して銅薄膜を形成することができ
る。
ン銅錯体溶液を気化させた原料ガスと水素ガス、酸素ガ
ス、これらの混合ガスおよび水蒸気から選ばれる反応促
進ガスとを反応容器内に導入することによって、前記反
応促進ガスがβ−ジケトン銅錯体ガスの熱分解を促進す
る触媒として作用するため、前記銅錯体を前記反応容器
内の加熱された基板近傍で速やかに分解でき、前記基板
表面に銅を高速で成膜して銅薄膜を形成することができ
る。
【００１５】
【実施例】以下、本発明の実施例を前述した図１の成膜
装置を参照して詳細に説明する。 （実施例１）まず、基板載置台３上に基板１８を載置し
た。つづいて、前記載置台３に内蔵したヒータ２に通電
して前記基板１８を所望の温度に加熱した後、図示しな
い真空ポンプを作動して前記反応容器１内のガスを排気
管１７を通して排気して５×１０-4Ｐａの真空度に保持
した。ひきつづき、前記気化器１０および導入管１１に
配置された図示しないヒータに通電して前記気化器１０
および導入管１１を例えば７０℃の温度に加熱した後、
Ａｒ供給管８からＡｒガスを前記第１槽５内に供給して
１ｋｇ／ｃｍ2 の圧力に保持することにより前記第１槽
５内に収容されたβ−ジケトン銅錯体（例えばヘキサフ
ルオロアセチルアセトナト銅ジエチルアセチレン）の溶
液４を配管６を通して第１液体流量制御器７に供給し
た。β−ジケトン銅錯体溶液は、前記第１液体流量制御
器７で０．１ｇ／ｍｉｎの流量に制御され、前記気化器
１０内に供給されて一定量のヘキサフルオロアセチルア
セトナト銅ジエチルアセチレン（原料ガス）として前記
導入管１１に供給された。
装置を参照して詳細に説明する。 （実施例１）まず、基板載置台３上に基板１８を載置し
た。つづいて、前記載置台３に内蔵したヒータ２に通電
して前記基板１８を所望の温度に加熱した後、図示しな
い真空ポンプを作動して前記反応容器１内のガスを排気
管１７を通して排気して５×１０-4Ｐａの真空度に保持
した。ひきつづき、前記気化器１０および導入管１１に
配置された図示しないヒータに通電して前記気化器１０
および導入管１１を例えば７０℃の温度に加熱した後、
Ａｒ供給管８からＡｒガスを前記第１槽５内に供給して
１ｋｇ／ｃｍ2 の圧力に保持することにより前記第１槽
５内に収容されたβ−ジケトン銅錯体（例えばヘキサフ
ルオロアセチルアセトナト銅ジエチルアセチレン）の溶
液４を配管６を通して第１液体流量制御器７に供給し
た。β−ジケトン銅錯体溶液は、前記第１液体流量制御
器７で０．１ｇ／ｍｉｎの流量に制御され、前記気化器
１０内に供給されて一定量のヘキサフルオロアセチルア
セトナト銅ジエチルアセチレン（原料ガス）として前記
導入管１１に供給された。
【００１６】一方、前記反応促進ガス供給管１６、第２
槽１３、配管１４および第２液体流量制御器１５の周囲
に配置した図示しないヒータに通電して例えば９０℃の
温度に加熱することにより、前記第２槽１３内の水が蒸
気化され、発生した水蒸気は配管１４を通して第２液体
流量制御器１５に供給され、ここで例えば０．１ｓｃｃ
ｍの流量に調整され、さらに反応促進ガス供給管１６を
通して前記導入管１１に導入された。
槽１３、配管１４および第２液体流量制御器１５の周囲
に配置した図示しないヒータに通電して例えば９０℃の
温度に加熱することにより、前記第２槽１３内の水が蒸
気化され、発生した水蒸気は配管１４を通して第２液体
流量制御器１５に供給され、ここで例えば０．１ｓｃｃ
ｍの流量に調整され、さらに反応促進ガス供給管１６を
通して前記導入管１１に導入された。
【００１７】前記導入管１１において前記気化器１０か
らのヘキサフルオロアセチルアセトナト銅ジエチルアセ
チレン（原料ガス）と前記水蒸気（反応促進ガス）とが
混合され、混合ガスは前記反応容器１内に導入された。
混合ガスが前記反応容器１内に導入されると、前記原料
ガスが所定温度に加熱された前記基板１８上で速やかに
分解されて銅が堆積され、銅薄膜が形成された。
らのヘキサフルオロアセチルアセトナト銅ジエチルアセ
チレン（原料ガス）と前記水蒸気（反応促進ガス）とが
混合され、混合ガスは前記反応容器１内に導入された。
混合ガスが前記反応容器１内に導入されると、前記原料
ガスが所定温度に加熱された前記基板１８上で速やかに
分解されて銅が堆積され、銅薄膜が形成された。
【００１８】（比較例１）反応促進ガスである水蒸気を
含まないヘキサフルオロアセチルアセトナト銅ジエチル
アセチレン（原料ガス）のみを導入管を通して反応容器
内に導入した以外、実施例１と同様な方法により基板上
に銅を堆積して銅薄膜を形成した。
含まないヘキサフルオロアセチルアセトナト銅ジエチル
アセチレン（原料ガス）のみを導入管を通して反応容器
内に導入した以外、実施例１と同様な方法により基板上
に銅を堆積して銅薄膜を形成した。
【００１９】このような実施例１および比較例１におけ
る銅の成膜工程において、基板温度に対する成膜速度を
調べた。その結果を図２に示す。図２から明らかなよう
に実施例１の方法は、比較例１の方法に比べて銅薄膜を
高速で成膜できることがわかる。
る銅の成膜工程において、基板温度に対する成膜速度を
調べた。その結果を図２に示す。図２から明らかなよう
に実施例１の方法は、比較例１の方法に比べて銅薄膜を
高速で成膜できることがわかる。
【００２０】（実施例２）原料ガスとしてヘキサフルオ
ロアセチルアセトナト銅トリメチルビニルシランガスを
０．１ｇ／ｍｉｎの流量、反応促進ガスとして水蒸気を
０．１ｓｃｃｍの流量で導入管を通して反応容器内に導
入した以外、実施例１と同様な方法により銅は薄膜を基
板上に成膜した。
ロアセチルアセトナト銅トリメチルビニルシランガスを
０．１ｇ／ｍｉｎの流量、反応促進ガスとして水蒸気を
０．１ｓｃｃｍの流量で導入管を通して反応容器内に導
入した以外、実施例１と同様な方法により銅は薄膜を基
板上に成膜した。
【００２１】（比較例２）原料ガスとしてヘキサフルオ
ロアセチルアセトナト銅トリメチルビニルシランガスの
みを０．１ｇ／ｍｉｎの流量で導入管を通して反応容器
内に導入した以外、実施例１と同様な方法により銅は薄
膜を基板上に成膜した。
ロアセチルアセトナト銅トリメチルビニルシランガスの
みを０．１ｇ／ｍｉｎの流量で導入管を通して反応容器
内に導入した以外、実施例１と同様な方法により銅は薄
膜を基板上に成膜した。
【００２２】このような実施例２および比較例２におけ
る銅の成膜工程において、基板温度に対する成膜速度を
調べた。その結果を図３に示す。図３から明らかなよう
に実施例２の方法は、比較例２の方法に比べて銅薄膜を
高速で成膜できることがわかる。
る銅の成膜工程において、基板温度に対する成膜速度を
調べた。その結果を図３に示す。図３から明らかなよう
に実施例２の方法は、比較例２の方法に比べて銅薄膜を
高速で成膜できることがわかる。
【００２３】（実施例３）基板温度を１７０℃とし、ヘ
キサフルオロアセチルアセトナト銅ジエチルアセチレン
（原料ガス）の流量を０．１ｇ／ｍｉｎに一定にし、反
応促進ガスとして水蒸気の流量を変化させた以外、実施
例１と同様な方法により銅は薄膜を基板上に成膜した。
この時の成膜速度を調べた。その結果を図４に示す。
キサフルオロアセチルアセトナト銅ジエチルアセチレン
（原料ガス）の流量を０．１ｇ／ｍｉｎに一定にし、反
応促進ガスとして水蒸気の流量を変化させた以外、実施
例１と同様な方法により銅は薄膜を基板上に成膜した。
この時の成膜速度を調べた。その結果を図４に示す。
【００２４】図４から明らかなように水蒸気両の増加に
伴って銅薄膜の成膜速度を高められることがわかる。な
お、実施例１〜３では反応促進ガスとして水蒸気を用い
たが、水素ガス、酸素ガスまたはこれらの混合ガスを用
いても同様な効果が達成された。
伴って銅薄膜の成膜速度を高められることがわかる。な
お、実施例１〜３では反応促進ガスとして水蒸気を用い
たが、水素ガス、酸素ガスまたはこれらの混合ガスを用
いても同様な効果が達成された。
【００２５】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明に係わる銅
薄膜の形成方法によれば良好な膜質を有し、かつ高速成
膜することができ、半導体装置の製造工程における配線
形成に有効に適用できる等顕著な効果を奏する。
薄膜の形成方法によれば良好な膜質を有し、かつ高速成
膜することができ、半導体装置の製造工程における配線
形成に有効に適用できる等顕著な効果を奏する。
【図１】本発明に係わる銅薄膜の形成に用いられる成膜
装置を示す概略図。
装置を示す概略図。
【図２】本発明の実施例１および比較例１における基板
温度と銅の成膜速度との関係を示す特性図。
温度と銅の成膜速度との関係を示す特性図。
【図３】本発明の実施例２および比較例２における基板
温度と銅の成膜速度との関係を示す特性図。
温度と銅の成膜速度との関係を示す特性図。
【図４】本発明の実施例３における反応促進ガスの流量
変化に対する銅の成膜速度の関係を示す特性図。
変化に対する銅の成膜速度の関係を示す特性図。
１…反応容器、 ３…基板載置台、 ４…β−ジケトン銅錯体溶液、 ５…第１槽、 ７、１５…液体流量制御器、 １０…気化器、 １１…導入管、 １２…水、 １３…第２槽、 １８…基板。
Claims (4)
- 【請求項１】 β−ジケトン銅錯体ガスを熱分解させて
前記反応容器内に配置した基板上に銅薄膜を堆積する銅
薄膜の形成方法において、 水素ガス、酸素ガス、これらの混合ガスおよび水蒸気か
ら選ばれる反応促進ガスを前記β−ジケトン銅錯体ガス
と共に前記反応容器内に導入することを特徴とする銅薄
膜の形成方法。 - 【請求項２】 前記基板は、１２０〜２２０℃に加熱さ
れることを特徴とする請求項１記載の銅薄膜の形成方
法。 - 【請求項３】 前記酸素ガスは、前記反応容器内に３ｔ
ｏｒｒ以下の分圧で供給されることを特徴とする請求項
１記載の銅薄膜の形成方法。 - 【請求項４】 前記水蒸気は、前記反応容器内に１ｔｏ
ｒｒ以下の分圧で供給されることを特徴とする請求項１
記載の銅薄膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10974696A JPH09296269A (ja) | 1996-04-30 | 1996-04-30 | 銅薄膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10974696A JPH09296269A (ja) | 1996-04-30 | 1996-04-30 | 銅薄膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09296269A true JPH09296269A (ja) | 1997-11-18 |
Family
ID=14518207
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10974696A Pending JPH09296269A (ja) | 1996-04-30 | 1996-04-30 | 銅薄膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09296269A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6110530A (en) * | 1999-06-25 | 2000-08-29 | Applied Materials, Inc. | CVD method of depositing copper films by using improved organocopper precursor blend |
| KR100424388B1 (ko) * | 2001-06-28 | 2004-03-25 | 동부전자 주식회사 | 구리 배선 방법 |
| KR100479016B1 (ko) * | 2001-03-27 | 2005-03-30 | 샤프 가부시키가이샤 | 탄탈륨질화물 기판상의 화학기상증착 구리박막의 높은 밀착성을 획득하는 방법 |
| CN110735124A (zh) * | 2018-07-20 | 2020-01-31 | 东京毅力科创株式会社 | 成膜装置、原料供给装置以及成膜方法 |
| US10900123B2 (en) | 2003-06-27 | 2021-01-26 | Spts Technologies Limited | Apparatus and method for controlled application of reactive vapors to produce thin films and coatings |
-
1996
- 1996-04-30 JP JP10974696A patent/JPH09296269A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6110530A (en) * | 1999-06-25 | 2000-08-29 | Applied Materials, Inc. | CVD method of depositing copper films by using improved organocopper precursor blend |
| KR100479016B1 (ko) * | 2001-03-27 | 2005-03-30 | 샤프 가부시키가이샤 | 탄탈륨질화물 기판상의 화학기상증착 구리박막의 높은 밀착성을 획득하는 방법 |
| KR100424388B1 (ko) * | 2001-06-28 | 2004-03-25 | 동부전자 주식회사 | 구리 배선 방법 |
| US10900123B2 (en) | 2003-06-27 | 2021-01-26 | Spts Technologies Limited | Apparatus and method for controlled application of reactive vapors to produce thin films and coatings |
| CN110735124A (zh) * | 2018-07-20 | 2020-01-31 | 东京毅力科创株式会社 | 成膜装置、原料供给装置以及成膜方法 |
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