JPH05168802A - 液体原料気化装置および薄膜形成装置 - Google Patents

液体原料気化装置および薄膜形成装置

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JPH05168802A JP3344869A JP34486991A JPH05168802A JP H05168802 A JPH05168802 A JP H05168802A JP 3344869 A JP3344869 A JP 3344869A JP 34486991 A JP34486991 A JP 34486991A JP H05168802 A JPH05168802 A JP H05168802A
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 室温で飽和蒸気圧の低い原料であっても効率
よく気化させ、大量にかつ正確に輸送する。 【構成】 液体原料気化装置は、加熱された雰囲気中に
液体原料を液滴状に噴出するための先端が開放された細
管４を有し、その前面に小孔４０が開口している加熱さ
れた板３０が配設されている。板３０に対して細管４の
反対側の空間Ｂは減圧されている。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、液体原料の気化装置に
関し、特に化学気相成長法による薄膜堆積装置に好まし
く適用できる装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体を用いた集積回路製造工程におけ
る薄膜形成工程では、所望の薄膜をエッチング加工の施
された凹凸のあるウエハ表面に段差被覆性良く形成する
必要がある。最小加工寸法が１μｍ以下のサブミクロ
ン，および今後のディープサブミクロンレベルの集積回
路製造プロセスでは、さらに、コンタクトホールやスル
ーホールなどに選択的に薄膜を堆積させる必要がある。
集積回路製造工程において、最も強く選択成長を必要と
しているのが、配線金属膜形成工程である。
【０００３】さて、薄膜形成工程において、従来、スパ
ッタリング法が広く用いられてきた。しかし、スパッタ
リング法は、ターゲット物質からスパッタされる原子を
基体上に堆積させるため、段差被覆性にも劣り、また、
選択成長も不可能である。原料を気体状にして反応空間
へ輸送し、原料分子の基体表面上の化学反応を利用して
所望の薄膜を堆積させる化学気相成長法は、段差被覆性
に優れるとともに選択成長も可能である。例えば、Ａｐ
ｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ ＬｅｔｔｅｒｓＶｏｌ．
５７ Ｎｏ．１２（１９９０）ｐ．１２２１に開示され
たＡｌ薄膜成長法は、単結晶Ａｌを微小ビアホールへ選
択的に堆積させることも可能であり、かつ成長モードを
選択モードから非選択モードへ切り換え、ビアホールを
完全に平坦化することも可能である。
【０００４】化学気相成長法（以下、ＣＶＤ法：Ｃｈｅ
ｍｉｃａｌ ＶａｐｏｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）におい
ては、原料物質を気体状にして反応空間へ輸送する必要
がある。ＣＶＤ法において、原料物質が気体で存在すれ
ば、反応室への輸送は、比較的容易である。例えば、Ｓ
ｉＨ4 は室温で気体であり、高圧ガス容器に充填可能で
あるので、高圧ガス容器に減圧弁，流量計を取りつける
ことにより所望の量を反応室へ輸送することが可能であ
る。しかしながら、原料物質が室温で液体である場合
は、原料物質の輸送法は上述のＳｉＨ4 等の場合とは異
なる。例えば、上述のＡｌ薄膜成長では、原料物質に室
温で液体であるジメチルアルミニウムハイドライドを用
いている。
【０００５】図３に、従来広く用いられてきた液体原料
輸送法を示す。液体原料２が容器１に入っており、容器
１には入口配管１０３と出口配管１０４が設けられてい
る。入口配管１０３は、液体原料２の中へ挿入される。
入口配管１０３から流量制御されたガス１０５を導入す
ると、ガスは液体原料中を通って出口配管１０４から出
てくる。ガスは、液体原料中を通るので、液体原料の飽
和蒸気圧を含んだガス１０６として、化学気相成長装置
の反応室へ導かれる。このような方法では、輸送される
原料ガス量は近依的に以下のように表わされる。
【０００６】
【数１】
【０００７】飽和蒸気圧の小さな原料の場合は、（１）
式からわかるように輸送される原料の量は小さくなり、
最悪の場合、原料輸送量によって堆積速度が律速されて
しまう。また、容器内圧力ＰB が一定の場合、反応容器
へ希釈ガスを導入して、反応容器内の原料分圧比を低下
させることは可能であるが、高めることは不可能であ
る。原料の輸送効率を高めるために、容器の温度を上げ
飽和蒸気圧を高める方法もあるが、容器全体，配管全体
を加熱させなければならない。さらに、図３のような方
法では、入口ガス流量を増加させると、液体原料の蒸発
速度が追いつかず十分な量の原料を輸送できない。
【０００８】また、図３の方法において、入口配管へ導
入するガス量は、正確に知ることはできるが、出口配管
から出てくる原料の量は（１）式で求められるのみで、
実際の量を知ることができず、正確な原料輸送量を知る
こともできない。
【０００９】上述のジメチルアルミニウムハイドライド
（ＤＭＡＨ）を用いたＡｌＣＶＤ法では、高品質Ａｌ膜
の堆積が可能である。しかしながら、ＤＭＡＨの飽和蒸
気圧が室温で２Ｔｏｒｒと小さく、大量のＤＭＡＨを効
率良く輸送することができず、堆積速度の向上が図れな
いといった問題が依然として残っている。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、微細
化により、高速化かつ高集積化を図る半導体集積回路の
技術分野において、液体原料を用いた化学気相成長技術
では、大量の原料を安定かつ正確に輸送することが必要
であり、解決すべき課題が残っている。
【００１１】本発明は、このような状況に鑑みて、室温
で飽和蒸気圧の低い原料であっても、効率良く気化さ
せ、大量にかつ、正確に輸送する手段を提供すること、
および液体原料を用いたＣＶＤ法において、大量の原料
を安定にかつ正確に輸送することを可能にする装置を提
供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】かかる課題を解決するた
めに、本発明による液体原料気化装置は、加熱された気
体の雰囲気中に液体原料を液滴状に噴出するための先端
が開放された細管が設けられ、該細管の前面に、小孔が
開口しかつ加熱された板が配置され、前記板に対して前
記細管の反対側の空間が減圧に排気されていることを特
徴とする。
【００１３】さらに本発明による薄膜形成装置は、上述
した液体原料気化装置を備えている。
【００１４】
【作用】液体原料の大量輸送には、飽和蒸気圧を高める
ために高温環境化で、液体原料を効率良く気化させる必
要がある。そのために図３のようなバブリング方式で
は、容器１を適度に加熱しても、十分に液体が気化しな
いため大量輸送は困難である。本発明は、液体原料の分
解温度より低い温度に加熱された気体中に、液体原料を
液滴状に噴出させるノズルを設けた構造を有する。その
ために、加熱された雰囲気ガス中に液体原料を１０〜５
０μｍの液滴として噴出させ、効率良く気化させること
ができる。
【００１５】
【実施例】以下、図面を参照しながら本発明の好適な実
施例を説明する。
【００１６】本発明は、液体原料を液体状態で輸送し、
反応室内で加熱されたガス中に噴出させ、加熱されたガ
ス中に飽和蒸気圧分を完全に含ませるものである。
【００１７】図１は、液体原料の噴出部と気化させる部
分を模式的に示したものである。４は先端が絞られたノ
ズルであり、流量の制御された液体原料２が輸送され
る。８は圧電振動子でノズル４の先端に振動を与える。
このような構成で、ノズル先端に振動を与えつつ液体原
料をノズル先端へ導くと、ノズル先端からノズルの振動
に供なって直径１０μｍ〜５０μｍ程度の大きさの液滴
状になって液体原料は噴出する。
【００１８】ノズルの先端方向には小孔４０が開口して
いる板３０が設けられている。板３０には図示を省略し
たヒータが埋め込まれており加熱されている。ノズル周
囲からは、不活性ガスもしくはＨ2 ガスあるいはそれら
の混合ガス３１が小孔に向けて流れ込む。
【００１９】この時、空間Ａの圧力は７６０Ｔｏｒｒ〜
５００Ｔｏｒｒ、空間Ｂは反応室であり、その圧力は堆
膜の堆積圧力である。例えば、空間Ｂの圧力は０．１な
いし１０Ｔｏｒｒである。小孔４０の中では空間Ａから
空間Ｂへ向けて圧力勾配が生じている。空間Ｂは排気装
置（図示せず）で排気され、所定の圧力を保っている。
なお、空間ＡおよびＢの圧力は、上述の値に限定されな
い。原理的には空間Ａの圧力が空間Ｂの圧力より高けれ
ば良い。従って空間Ａの圧力が１ｋｇ／ｃｍ2〜２ｋｇ
／ｃｍ2 の加圧状態でも良い。このような空間Ａ，小
孔，空間Ｂに、図１のように液滴５０がノズルから噴出
すると、液滴５０は小孔４０内で気化され、気体となっ
て空間Ｂへ導入される。
【００２０】この時、小孔４０の温度が室温であるなら
ば、液滴５０は気化しないが、板３０が加熱され、さら
に加熱されたガス３１が導入されるので、ノズルから液
滴が噴出しても小孔内で気化される。容器および配管を
加熱して液体原料の輸送量を増加させる図３の従来法と
異なり、本発明による図１の気化構造では、原料輸送量
を正確に把握し、かつ、高温での飽和蒸気圧まで原料を
増加させ得る特徴がある。
【００２１】図２は、図１に示す気化器を設けた化学気
相成長装置の一例を示す模式図である。
【００２２】図２において１は液体原料の容器、２は液
体原料である。ガス導入口１１から加圧用のガスがバル
ブ１０を通して印加される。加圧する圧力は、圧力計９
で調整する。加圧用ガスは、液体原料と反応しないガス
であれば良い。例えば、液体が有機金属である場合は、
不活性ガスであるＡｒ，Ｎ2 ，Ｈｅ，Ｎｅ等を用いる。
トリメチルアルミニウム，ジメチルアルミニウムハイド
ライド，トリメチルガリウム等の液体原料である場合
は、水素ガスの存在下ではこれら有機金属は室温であっ
ても分解してしまうので、Ａｒ，Ｎ2 ，Ｈｅ，Ｎｅ等が
望ましい。安価かつ高純度のものが得られやすいので、
Ａｒ，Ｎ2 が望ましい。ガス導入口１１からガス圧が加
えられると、サイホンの原理で液体は液体流量計３に導
かれる。液体流量計としては、市販の液体マスフローコ
ントローラを用い得る。液体流量が正確に測定できるな
らば、何を用いても良い。液体流量計を通った液体原料
はノズル４〜７へ導かれる。
【００２３】図２では、ノズルの数は４つしか描かれて
いないが、４つより少なくても多くても良い。また、図
２ではあたかもノズルは一直線上に並んでいるが、平面
的には同心円状にノズルを配置することが望ましい。各
ノズル４〜７には、それぞれ圧電振動子８が取りつけら
れており、ノズル先端から液滴を噴出する。図１，図２
の実施例では、圧電振動子の振動を利用してノズル先端
から液体原料が液滴状に噴出させているが、直径１０〜
１００μｍの液滴を噴出できるならば、圧電振動子以外
の手段を用いても良い。空間２０は、ほぼ大気圧程度の
圧力に、空間２１は所望の堆積膜堆積に適当な圧力０．
１〜１０Ｔｏｒｒに設定する。空間２０と空間２１の圧
力差はバッフル板３０に設けた小孔４０で作られる。バ
ッフル板３０の小孔４０は、各ノズルの前面に配置され
る。小孔はノズルの数と等しくても良いし、多くても良
い。各ノズルと小孔の配置は、図１と同様である。各ノ
ズルと小孔のわきには、ガス噴出口１４が設けられる。
図２では、ガス噴出口１４はあたかもノズル７のみしか
設けられていないが、実際は各ノズル４〜７に設けてい
る。このガス噴出口１４からのガスは、ヒータ４１にて
予熱される。ノズル４〜７の温度は、液体原料が分解し
ない温度になるように設定する。１２はガス導入口、１
３はガス流量計である。空間２０には、配管入口１５か
ら流量計１６を通して配管１７からガスを導入しても良
い。図１でも述べたように、バッフル板３０はヒータ
（図示せず）により加熱されており、ノズル４〜７から
噴出された液滴はバッフル板３０に設けられた小孔４０
内で気化する。
【００２４】バッフル板３０は、金属製であっても良い
し、絶縁物であっても良い。ただし、有機金属の場合、
加熱された金属上では、分解反応が促進されるため、石
英やＢＮ（窒化ボロン）などの絶縁物が望ましい。さら
に、バッフル板３０は、加工性にすぐれ、かつ加熱する
ため加熱用のヒータを埋め込みやすいＢＮ（窒化ボロ
ン）製であることが望ましい。バッフル板３０の厚さ
は、ノズル４〜７から噴出された液滴が小孔４０内の加
熱された空間で気化するに必要な長さがあれば良い。図
２の実施例では、厚さ５ｍｍないし３ｃｍ程度である。
小孔の大きさは、基本的に液滴の大きさ以上必要であ
り、およそ０．５ｍｍ〜２ｍｍ程度の直径である。反応
室２１には、基体支持台２４に基体２５が設置される。
図２の実施例では、基体２５の裏面からヒータ２３で基
体を加熱する。基体は、高周波加熱やランプ加熱で加熱
しても良い。反応室２１には、排気バルブ２６および排
気装置２７が接続されている。反応室２１を所望の圧力
に調整するために圧力計２２で監視しながら、バルブ２
６の開度を調整する。
【００２５】図１に一例を示した本発明に係る気化装置
および図２に一例を示した薄膜堆積装置は、液体原料を
用いるすべての化学気相成長装置に用いることができ
る。液体原料として、例えば、トリメチルアルミニウ
ム，ジメチルアルミニウムハイドライド，トリイソブチ
ルアルミニウムハイドライド，トリメチルガリウム等の
有機金属原料、あるいはテトラエチルシランを原料とし
て用いることができる。特に室温での蒸気圧の低いジメ
チルアルミニウムハイドライド（蒸気圧は室温で約１〜
２Ｔｏｒｒ），トリイソブチルアルミニウム（蒸気圧は
室温で約０．１Ｔｏｒｒ）を用いる場合に有効である。
また、原料ガスとして複数のガスを用いることもでき
る。例えば、ＧａＡｓ薄膜の形成であれば、トリメチル
ガリウムをノズルから噴出させ、反応室２１にＡｓＨ3
を導入すれば良い。図２の薄膜堆積装置では、液体原料
は１つしか描かれていないが、複数個設け、例えば、ひ
とつ目の容器にトリメチルガリウム、他方の容器にトリ
メチルアルミニウムを用いるとＧａＡｌＡｓ液晶薄膜の
堆積も可能である。
【００２６】図１および図２に示した装置を用いた場合
の薄膜堆積の実施例について説明する。液体原料として
ジメチルアルミニウムハイドライドを用いた。ガス導入
口１１からの加圧ガスには、不活性ガスＡｒを用いた。
ノズル４〜７は金属であるステンレス鋼を用いた。振動
子８の周波数は１ないし５０ｋＨｚで、直径１０μｍな
いし５０μｍの液滴を噴出させた。ガス導入口１４から
のガスには、Ｈ2 ガスを用い、噴出口１４からの導入ガ
ス温度は、略々１５０℃になるようにした。温度は、ジ
メチルアルミニウムハイドライドの分解温度１６０℃以
下が好ましかった。ガス導入口１２からは、同じくＨ2
を導入した。バッフル板３０は、ヒータを埋め込んだＢ
Ｎ板を用いた。反応室圧力は、０．１ないし３Ｔｏｒｒ
とした。空間２０での圧力は、大気圧〜５００Ｔｏｒｒ
であった。このような条件下で、ノズル４〜７から噴出
された液滴はバッフルの小孔４０内で気化し、大量のジ
メチルアルミニウムハイドライドを反応室２１に導入し
てＡｌ薄膜の堆積ができた。基板温度としては、略々２
７０℃のとき、表面平坦性、膜質にすぐれたＡｌ膜の堆
積が可能であった。
【００２７】従来の図３の方式において、容器内圧力が
大気圧、温度が室温のとき、ジメチルアルミニウムハイ
ドライドは１００ＳＣＣＭ以上の流量でバブリングする
と、その粘性が高いため輸送量がバブリング流量に比例
せず飽和してしまったが、本発明に係る図１，図２の装
置では液体輸送量に比例して、ジメチルアルミニウムハ
イドライドを輸送可能であった。その結果、４インチウ
エハに対し、１μｍ／分の高速堆積が可能となった。
【００２８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
蒸気圧の低い液体原料であっても、高温雰囲気に液滴で
噴出することが可能となり、大量輸送が可能となった。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による液体原料気化装置の要部を示す模
式的断面図である。
【図２】本発明による液体原料気化装置を適用した薄膜
堆積装置の模式的断面図である。
【図３】従来の液体原料バブラーを説明するための断面
図である。
【符号の説明】
１ 液体原料容器 ２ 液体原料 ３ 液体流量計 ４ ノズル ５ ノズル ６ ノズル ７ ノズル ８ 振動子 ９ 圧力計 １０ バルブ １１ ガス供給口 １２ ガス供給口 １３ 流量計 １４ ガス噴出口 １５ ガス供給口 １６ 流量計 １７ ガス供給管 ２１ 反応室 ２２ 圧力計 ２３ ヒータ ２４ 基体支持板 ２５ 基体 ２６ バルブ ２７ 排気装置 ３０ バッフル板 ３１ 周囲ガスの流れ ４０ 小孔 ４１ ヒータ ５０ 液滴 １０３ 入口配管 １０４ 出口配管 １０５ ガス １０６ 原料物質を含んだガス

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 加熱された気体の雰囲気中に液体原料を
    液滴状に噴出するための先端が開放された細管が設けら
    れ、該細管の前面に、小孔が開口しかつ加熱された板が
    配置され、前記板に対して前記細管の反対側の空間が減
    圧に排気されていることを特徴とする液体原料気化装
    置。
  2. 【請求項２】 前記加熱された気体の温度が、前記液体
    原料の分解温度より低いことを特徴とする請求項１に記
    載の液体原料気化装置。
  3. 【請求項３】 前記加熱された板の温度が、前記液体原
    料の分解温度より低いことを特徴とする請求項１または
    ２に記載の液体原料気化装置。
  4. 【請求項４】 前記液体原料が有機金属であることを特
    徴とする請求項１，２および３のいずれかに記載の液体
    原料気化装置。
  5. 【請求項５】 前記液体原料が有機アルミニウムである
    ことを特徴とする請求項１，２，３および４のいずれか
    に記載の液体原料気化装置。
  6. 【請求項６】 前記液体原料がジメチルアルミニウムハ
    イドライドであって前記加熱された気体が水素を含み、
    前記加熱された気体および加熱された板の温度が略々１
    ６０℃以下であることを特徴とする請求項１，２，３，
    ４および５のいずれかに記載の液体原料気化装置。
  7. 【請求項７】 請求項１，２，３，４，５および６のい
    ずれかに記載の液体原料気化装置を備えたことを特徴と
    する薄膜形成装置。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013141648A (ja) * 2012-01-11 2013-07-22 Ricoh Co Ltd 微粒子製造装置及び微粒子
JP2016013514A (ja) * 2014-07-01 2016-01-28 アイメックス株式会社 乾燥粉体の生成方法及び装置並びに噴霧装置組立体

Families Citing this family (55)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2695944B1 (fr) * 1992-09-24 1994-11-18 Onera (Off Nat Aerospatiale) Appareil de dépôt chimique en phase vapeur activé par un plasma micro-ondes.
US6428623B2 (en) * 1993-05-14 2002-08-06 Micron Technology, Inc. Chemical vapor deposition apparatus with liquid feed
JP3030309B2 (ja) * 1994-03-09 2000-04-10 工業技術院長 薄膜製造装置
US5451260A (en) * 1994-04-15 1995-09-19 Cornell Research Foundation, Inc. Method and apparatus for CVD using liquid delivery system with an ultrasonic nozzle
US5553188A (en) * 1995-02-24 1996-09-03 Mks Instruments, Inc. Vaporizer and liquid delivery system using same
US5702532A (en) * 1995-05-31 1997-12-30 Hughes Aircraft Company MOCVD reactor system for indium antimonide epitaxial material
US6116184A (en) 1996-05-21 2000-09-12 Symetrix Corporation Method and apparatus for misted liquid source deposition of thin film with reduced mist particle size
US5997642A (en) * 1996-05-21 1999-12-07 Symetrix Corporation Method and apparatus for misted deposition of integrated circuit quality thin films
US5951923A (en) * 1996-05-23 1999-09-14 Ebara Corporation Vaporizer apparatus and film deposition apparatus therewith
US5916640A (en) * 1996-09-06 1999-06-29 Msp Corporation Method and apparatus for controlled particle deposition on surfaces
US6244575B1 (en) 1996-10-02 2001-06-12 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for vaporizing liquid precursors and system for using same
US5835677A (en) * 1996-10-03 1998-11-10 Emcore Corporation Liquid vaporizer system and method
US5835678A (en) * 1996-10-03 1998-11-10 Emcore Corporation Liquid vaporizer system and method
US6280793B1 (en) 1996-11-20 2001-08-28 Micron Technology, Inc. Electrostatic method and apparatus for vaporizing precursors and system for using same
WO1998055668A1 (en) * 1997-06-02 1998-12-10 Msp Corporation Method and apparatus for vapor generation and film deposition
US6409839B1 (en) 1997-06-02 2002-06-25 Msp Corporation Method and apparatus for vapor generation and film deposition
US6527865B1 (en) 1997-09-11 2003-03-04 Applied Materials, Inc. Temperature controlled gas feedthrough
US6086711A (en) * 1997-10-06 2000-07-11 Nisene Technology Group Vapor generation system and process
KR20010032205A (ko) * 1997-11-17 2001-04-16 래리 디. 맥밀란 박막의 안개화퇴적방법 및 장치
US6012647A (en) * 1997-12-01 2000-01-11 3M Innovative Properties Company Apparatus and method of atomizing and vaporizing
US6045864A (en) 1997-12-01 2000-04-04 3M Innovative Properties Company Vapor coating method
US6180190B1 (en) * 1997-12-01 2001-01-30 President And Fellows Of Harvard College Vapor source for chemical vapor deposition
US6007330A (en) * 1998-03-12 1999-12-28 Cosmos Factory, Inc. Liquid precursor delivery system
FR2776673B1 (fr) * 1998-03-26 2000-06-02 Thomson Plasma Procede de depot d'une couche a base de magnesie sur la surface dielectrique d'une dalle d'un panneau de visualisation et four pour la mise en oeuvre du procede
US6296711B1 (en) * 1998-04-14 2001-10-02 Cvd Systems, Inc. Film processing system
KR100360494B1 (ko) * 1999-09-21 2002-11-13 삼성전자 주식회사 기화장치
US6471782B1 (en) * 1999-11-23 2002-10-29 Tokyo Electronic Limited Precursor deposition using ultrasonic nebulizer
US6635114B2 (en) 1999-12-17 2003-10-21 Applied Material, Inc. High temperature filter for CVD apparatus
US6299076B1 (en) 2000-03-10 2001-10-09 Jeffrey E. Sloan Steam cleaning system
US6572707B1 (en) 2000-06-14 2003-06-03 Simplus Systems Corporation Vaporizer for sensitive precursors
DE10114947B4 (de) * 2001-03-27 2004-08-19 Gerstel Systemtechnik Gmbh & Co.Kg Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen eines mindestens eine gasförmige Komponente enthaltenden Gasgemisches, insbesondere eines Kalibriergases
US6718126B2 (en) * 2001-09-14 2004-04-06 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for vaporizing solid precursor for CVD or atomic layer deposition
KR20040078643A (ko) * 2001-12-04 2004-09-10 프라이맥스 인코포레이티드 증기를 증착실에 공급하는 방법 및 화학 증착 기화기
WO2005017226A1 (en) * 2003-01-10 2005-02-24 University Of Connecticut Coatings, materials, articles, and methods of making thereof
US7112758B2 (en) * 2003-01-10 2006-09-26 The University Of Connecticut Apparatus and method for solution plasma spraying
KR100541050B1 (ko) * 2003-07-22 2006-01-11 삼성전자주식회사 가스공급장치 및 이를 이용한 반도체소자 제조설비
US7727588B2 (en) * 2003-09-05 2010-06-01 Yield Engineering Systems, Inc. Apparatus for the efficient coating of substrates
DE10345824A1 (de) * 2003-09-30 2005-05-04 Infineon Technologies Ag Anordnung zur Abscheidung von atomaren Schichten auf Substraten
US7112541B2 (en) * 2004-05-06 2006-09-26 Applied Materials, Inc. In-situ oxide capping after CVD low k deposition
US20080308037A1 (en) * 2007-06-14 2008-12-18 Massachusetts Institute Of Technology Method and apparatus for thermal jet printing
US7273823B2 (en) * 2005-06-03 2007-09-25 Applied Materials, Inc. Situ oxide cap layer development
US20070194470A1 (en) * 2006-02-17 2007-08-23 Aviza Technology, Inc. Direct liquid injector device
KR101196564B1 (ko) * 2008-04-11 2012-11-01 도시바 미쓰비시덴키 산교시스템 가부시키가이샤 균열 장치
US20110171398A1 (en) * 2010-01-12 2011-07-14 Oladeji Isaiah O Apparatus and method for depositing alkali metals
KR101629637B1 (ko) * 2008-05-29 2016-06-13 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 성막방법 및 발광장치의 제조방법
KR100994920B1 (ko) * 2008-06-05 2010-11-17 주식회사 소로나 기상 자기조립 단분자막 코팅장치
JP5760214B2 (ja) * 2008-06-12 2015-08-05 ナノミストテクノロジーズ株式会社 溶液の濃縮装置
US20150211106A1 (en) * 2014-01-30 2015-07-30 Areesys Corporation Apparatus for depositing thin films of organic materials
EP2960059B1 (en) 2014-06-25 2018-10-24 Universal Display Corporation Systems and methods of modulating flow during vapor jet deposition of organic materials
US11267012B2 (en) 2014-06-25 2022-03-08 Universal Display Corporation Spatial control of vapor condensation using convection
US11220737B2 (en) 2014-06-25 2022-01-11 Universal Display Corporation Systems and methods of modulating flow during vapor jet deposition of organic materials
US10566534B2 (en) * 2015-10-12 2020-02-18 Universal Display Corporation Apparatus and method to deliver organic material via organic vapor-jet printing (OVJP)
WO2018075972A1 (en) 2016-10-21 2018-04-26 Quantumscape Corporation Electrolyte separators including lithium borohydride and composite electrolyte separators of lithium-stuffed garnet and lithium borohydride
DE102016225257A1 (de) * 2016-12-16 2018-06-21 Robert Bosch Gmbh Vorrichtung und Verfahren zum Verdampfen eines Ausgangsstoffs
US20200270744A1 (en) * 2017-10-26 2020-08-27 First Solar, Inc. Systems and methods for vaporization and vapor distribution

Family Cites Families (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US1202771A (en) * 1914-04-08 1916-10-31 Miles E Babbitt Carbureter.
US1207664A (en) * 1914-09-03 1916-12-05 Thurston Motor Fuel Gasifier Company Of California Gaseous heater.
US1965144A (en) * 1932-11-01 1934-07-03 Kane Carburetor Corp Carburetor
US2490547A (en) * 1943-07-06 1949-12-06 Vapor Rapid A G Method of and apparatus for evaporating liquids
US2622184A (en) * 1948-12-03 1952-12-16 Johneas Paul Steam generator
US2801322A (en) * 1955-12-27 1957-07-30 American Mach & Foundry Decomposition chamber for monopropellant fuel
US2925329A (en) * 1956-11-28 1960-02-16 Garrett Corp Gas generator
US3889538A (en) * 1974-06-05 1975-06-17 Sun Oil Co Pennsylvania Sample vaporizer for gas chromatography
US4076866A (en) * 1975-03-30 1978-02-28 Massachusetts Institute Of Technology Method of growing films by flash vaporization
US4114022A (en) * 1977-08-16 1978-09-12 Braulke Iii Herbert A Combined hot air and steam hair dryer
US4171235A (en) * 1977-12-27 1979-10-16 Hughes Aircraft Company Process for fabricating heterojunction structures utilizing a double chamber vacuum deposition system
US4349723A (en) * 1980-04-04 1982-09-14 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Electrically heated non-toxic smoke generator
DE3146666A1 (de) * 1981-11-25 1983-06-01 Joachim 7500 Karlsruhe Trump-Bär Kosmetikgeraet der dermatologischen behandlung mit einem wasserdampf-ozongemisch
JPS6089575A (ja) * 1983-10-21 1985-05-20 Seiko Epson Corp シリコン窒化膜の製造方法
US5097800A (en) * 1983-12-19 1992-03-24 Spectrum Control, Inc. High speed apparatus for forming capacitors
EP0270656B1 (en) * 1986-06-23 1993-06-02 SPECTRUM CONTROL, INC. (a Pennsylvania corporation) Vapour deposition of monomer fluids
DE3704473A1 (de) * 1987-02-13 1988-08-25 Thompson Gmbh Trw Ventilwerkstoff fuer gaswechselventile
JPS6412521A (en) * 1987-07-07 1989-01-17 Nec Corp Semiconductor manufacturing equipment
US4980204A (en) * 1987-11-27 1990-12-25 Fujitsu Limited Metal organic chemical vapor deposition method with controlled gas flow rate
JPH01222438A (ja) * 1988-03-01 1989-09-05 Nec Corp 気相成長装置
JPH0291924A (ja) * 1988-09-29 1990-03-30 Toshiba Corp 半導体の薄膜形成装置
PT95232B (pt) * 1989-09-09 1998-06-30 Canon Kk Processo de producao de uma pelicula de aluminio depositada
ATE139580T1 (de) * 1989-09-26 1996-07-15 Canon Kk Gasversorgungsvorrichtung und ihre verwendung für eine filmabscheidungsanlage
JP2721023B2 (ja) * 1989-09-26 1998-03-04 キヤノン株式会社 堆積膜形成法
US5078092A (en) * 1989-12-22 1992-01-07 Corning Incorporated Flash vaporizer system for use in manufacturing optical waveguide fiber
US5190592A (en) * 1990-05-02 1993-03-02 Commissariat A L'energie Atomique Aerosol injection system for producing composite layers by pyrolysis
US5098741A (en) * 1990-06-08 1992-03-24 Lam Research Corporation Method and system for delivering liquid reagents to processing vessels
US5204314A (en) * 1990-07-06 1993-04-20 Advanced Technology Materials, Inc. Method for delivering an involatile reagent in vapor form to a CVD reactor
CA2048740A1 (en) * 1990-12-24 1992-06-25 John A. Deluca Method of preparing metal oxide films

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013141648A (ja) * 2012-01-11 2013-07-22 Ricoh Co Ltd 微粒子製造装置及び微粒子
JP2016013514A (ja) * 2014-07-01 2016-01-28 アイメックス株式会社 乾燥粉体の生成方法及び装置並びに噴霧装置組立体

Also Published As

Publication number Publication date
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EP0548926B1 (en) 1998-05-06
EP0548926A1 (en) 1993-06-30
DE69225388T2 (de) 1998-11-19
US5766682A (en) 1998-06-16

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